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  • 浅谈GD32与STM32之间的区别
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    2021-09-23 16:36:07

    一.硬件设计

    以我们常用的STM32与GD32单片机为例,做一下对比。

    比较GD32E230C8(M0),GD32F103C8(M3),GD32F303CG(M4),STM32F103C8(M3),STM32F303C8T6(M4)硬件管脚的区别。

    image-20210923103408862

    从上图中可以看出:

    • GD32E230C8(M0)与STM32G030C8(M0)管脚不兼容;
    • GD32F103C8(M3)与STM32F103C8(M3)管脚兼容;
    • GD32F303CG(M4)与STM32F303C8T6(M4)管脚兼容。

    GD32E230C8(M0),GD32F103C8(M3),GD32F303CG(M4)有两个引脚(35脚和36脚)硬件电气不兼容,可以加电阻,用于切换,实现PCB板兼容。

    下表是GD32E230C8单片机35和36管脚定义:

    image-20210923104636722

    下表是GD32F103C8(M3)单片机35和36管脚定义:

    image-20210923105234699

    *可以看出这两个管脚不兼容,若想实现PCB管脚兼容,可以加电阻。

    下图是GD32E230C8单片机原理图:

    image-20210923104335192

    从上图可以看出,在35和36脚加了3个电阻,2个上拉电阻和1个下拉电阻。

    • 当使用GD32E230C8T6单片机时,35脚和36脚默认是普通IO口,可以按照上图所示连接电阻。
    • 当使用GD32F103C8单片机时,35脚和36脚是电源口,此时可以把R6换成0欧姆的电阻,R7不焊接,R8焊接0欧姆的电阻。

    二.设计中的不同点

    1.工作电压不同:STM32的工作电压在2.0~ 3.6V或1.65~3.6V,GD32F的工作电压在 2.6~3.6V,工作范围相对要窄。

    电压范围不同: GD32F: 2.6-3.6V STM32F: 2.0-3.6V(外部电压) GD32F: 1.2V(内核电压)STM32F: 1.8V(内核电压)

    GD32的内核电压比STM32的内核电压要低,所以GD32的芯片在运行的时候运行功耗更低。

    2.GD32F303/F103主频比STM32F103主频要高,GD32F10 系列主频: 108MHZ , STM32F10 系列主频 :72MHZ 。

    3.启动时间:GD32 启动时间相同,由于 GD32 运行稍快,需要延长上电时间 ,配置(2ms) 。

    4.GD32提高了相同工作频率下的代码执行速度,所以GD32的_NOP()时间比STM32更加短,所以不使用定时器做延时时要注意修改。

    5.GD32的flash擦除时间要比STM32更长。

    Flash 擦除时间: GD32 是 60ms/page,STM32 30ms/page

    6.功耗上GD32的静态功耗要相对高一点

    功耗区别(以128k以下容量的作为参考)

    a: 睡眠模式 Sleep:GD32F: 12.4mA STM32F10X: 7.5mA

    b:深度睡眠模式 Deep Sleep: GD32F: 1.4mA STM32F10X: 24uA

    c:待机模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA

    d:运行功耗: GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M

    7.GD32的BOOT0必须接10K下拉或接GND,ST可悬空。

    BOOT0 管脚: Flash 程序运行时,BOOT0 在 STM32 上可悬空,GD32 必须外部下拉(从 Flash 运行,BOOT0 必须下拉地)。

    8.RC复位电路必须要有,否则MCU可能不能正常工作,STM32有时候可以不要。

    9.GD32的SWD接口驱动能力比STM32弱,可以有如下几种方式解决:

    a:线尽可能短一些;

    b:降低SWD通讯速率;

    c: SWDIO接10k上拉,SWCLK接10k下拉。

    10.GD32对时序要求严格,配置外设需要先打开时钟,否则可能导致外设无法配置成功;STM32的可以先配置再开时钟。

    11.修改外部晶振起振超时时间,不用外部晶振可跳过这步

    原因:GD32与STM32的启动时间存在差异,为了让GD32 MCU更准确复位(不修改可能无法复位)。

    12.串口通信不同点: GD32在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle,而STM32没有。

    GD32的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。

    13.ADC不同点: GD32的输入阻抗和采样时间的设置和STM32有一定差异,相同配置GD32采样的输入阻抗相对来说要小

    14.FSMC不同点: STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

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    一、前言

    GD32是国内开发的一款单片机,据说开发的人员是来自ST公司的,GD32也是以STM32作为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的,不过GD32毕竟是不同的产品,不可能所有东西都沿用STM32,有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方我们就不说了,下面我给大家讲一下不同的地方。

    二、区别

    1、内核

    GD32采用二代的M3内核,STM32主要采用一代M3内核,下图是ARM公司的M3内核勘误表,GD使用的内核只有752419这一个BUG。
    在这里插入图片描述

    2、主频

    使用HSE(高速外部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大72M
    使用HSI(高速内部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大64M
    主频大意味着单片机代码运行的速度会更快,项目中如果需要进行刷屏,开方运算,电机控制等操作,GD是一个不错的选择。

    3、供电

    外部供电:GD32外部供电范围是2.63.6V,STM32外部供电范围是23.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
    内核电压:GD32内核电压是1.2V,STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低,所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

    4、Flash差异

    GD32的Flash是自主研发的,和STM32的不一样。
    GD Flash执行速度:GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
    STM32 Flash执行速度:ST系统频率不访问flash等待时间关系:0等待周期,当0<SYSCLK<24MHz,1等待周期,当24MHz<SYSCLK≤48MHz,2等待周期,当48MHz<SYSCLK≤72MHz。
    Flash擦除时间:GD擦除的时间要久一点,官方给出的数据是这样的:GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号, Page Erase 典型值100ms, 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。

    5、功耗

    从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下,GD的运行功耗比STM32小,但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
    在这里插入图片描述

    6、串口

    GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle,而STM32没有,如下图。
    在这里插入图片描述
    GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。
    GD 和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响,只是GD的通信时间会加长一点。

    7、ADC差异

    GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异,相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下,ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系:
    在这里插入图片描述

    8、FSMC

    STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

    9、103系列RAM&FLASH大小差别

    GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图:
    在这里插入图片描述

    10、105&107系列STM32和GD的差别

    GD的105/107的选择比ST的多很多,具体见下表:
    在这里插入图片描述

    11、抗干扰能力

    关于这一点,官方没有给出,我也是在做项目的时候偶然发现的,项目原本是用STM32F103C8T6,后来换成GD F103C8T6,这两个芯片的引脚完全一致,然后单片机用了的两个邻近的引脚作为SPI的时钟引脚和数据输出引脚,然后发现STM32的SPI能正常通讯,GD的不行,经过检查发现PCB板SPI的铜线背面有两根IIC的铜线经过,信号应该是受到影响了。用示波器看了一下引脚的电平,发现确实是,STM32和GD的数据引脚波形都不正常,但是STM32的波形要好很多,波形虽然差了点,但是SPI通讯依然正常。而GD则不能正常通讯了。然后我又把SPI的通讯速率减慢,发现STM32的数据引脚很快就恢复正常波形了,而GD的依然差,直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是STM32内部对引脚有做一些滤波的电路,而GD则没有。虽然我用的这个电路板本身布线有些不合理,但是在同样恶劣的环境下,STM32依然保证了通讯的正常,而GD不行,这在一定程度上说明了GD的抗干扰能力不如STM32。

    好了,关于GD32和STM32的区别就讲到这里,后续我还会继续给大家讲我将STM32移植到GD32的过程和一些细节。如果还有什么问题或者文中有错误的地方,请一定要联系我,谢谢!

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    版权声明:本文为博主原创文章,遵循CC 4.0 BY-SA版权协议,转载请附上原文出处链接...所以GD32和STM32有很多地方都是一样的,不过GD32毕竟是不同的产品,不可能所有东西都沿用STM32,有些自主开发的东西还是有区别的..

     

    一、前言

    GD32是国内开发的一款单片机,据说开发的人员是来自ST公司的,GD32也是以STM32作为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的,不过GD32毕竟是不同的产品,不可能所有东西都沿用STM32,有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方我们就不说了,下面我给大家讲一下不同的地方。

    二、区别

    1、内核

    GD32采用二代的M3内核,STM32主要采用一代M3内核,下图是ARM公司的M3内核勘误表,GD使用的内核只有752419这一个BUG。
    在这里插入图片描述

    2、主频

    使用HSE(高速外部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大72M
    使用HSI(高速内部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大64M
    主频大意味着单片机代码运行的速度会更快,项目中如果需要进行刷屏,开方运算,电机控制等操作,GD是一个不错的选择。

    3、供电

    外部供电:GD32外部供电范围是2.63.6V,STM32外部供电范围是23.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
    内核电压:GD32内核电压是1.2V,STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低,所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

    4、Flash差异

    GD32的Flash是自主研发的,和STM32的不一样。
    GD Flash执行速度:GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
    STM32 Flash执行速度:ST系统频率不访问flash等待时间关系:0等待周期,当0<SYSCLK<24MHz,1等待周期,当24MHz<SYSCLK≤48MHz,2等待周期,当48MHz<SYSCLK≤72MHz。
    Flash擦除时间:GD擦除的时间要久一点,官方给出的数据是这样的:GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号, Page Erase 典型值100ms, 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。

    5、功耗

    从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下,GD的运行功耗比STM32小,但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
    在这里插入图片描述

    6、串口

    GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle,而STM32没有,如下图。
    在这里插入图片描述
    GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。
    GD 和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响,只是GD的通信时间会加长一点。

    7、ADC差异

    GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异,相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下,ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系:
    在这里插入图片描述

    8、FSMC

    STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

    9、103系列RAM&FLASH大小差别

    GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图:
    在这里插入图片描述

    10、105&107系列STM32和GD的差别

    GD的105/107的选择比ST的多很多,具体见下表:
    在这里插入图片描述

    11、抗干扰能力

    关于这一点,官方没有给出,我也是在做项目的时候偶然发现的,项目原本是用STM32F103C8T6,后来换成GD F103C8T6,这两个芯片的引脚完全一致,然后单片机用了的两个邻近的引脚作为SPI的时钟引脚和数据输出引脚,然后发现STM32的SPI能正常通讯,GD的不行,经过检查发现PCB板SPI的铜线背面有两根IIC的铜线经过,信号应该是受到影响了。用示波器看了一下引脚的电平,发现确实是,STM32和GD的数据引脚波形都不正常,但是STM32的波形要好很多,波形虽然差了点,但是SPI通讯依然正常。而GD则不能正常通讯了。然后我又把SPI的通讯速率减慢,发现STM32的数据引脚很快就恢复正常波形了,而GD的依然差,直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是STM32内部对引脚有做一些滤波的电路,而GD则没有。虽然我用的这个电路板本身布线有些不合理,但是在同样恶劣的环境下,STM32依然保证了通讯的正常,而GD不行,这在一定程度上说明了GD的抗干扰能力不如STM32。

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    大家好,我是小麦,昨天ST又发涨价涵了,GD32作为一款替换STM32的国产芯片,和STM32有哪些区别,有哪些需要注意的地方呢?下面我们来看看吧。

    一、前言

    什么是GD32?

    GD32是国内兆易创新公司开发的一款单片机。

    GD32和STM32有很多地方都是相似的,不过GD32毕竟是不同的产品,不可能所有东西都沿用STM32,有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方我们就不说了,下面我给大家讲一下不同的地方。

    二、区别

    1、内核

    GD32采用二代的M3内核,STM32主要采用一代M3内核,下图是ARM公司的M3内核勘误表,GD使用的内核只有752419这一个BUG。
    89bf78902d31236462b11a9e5556b60b.png

    2、主频

    使用HSE(高速外部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大72M
    使用HSI(高速内部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大64M
    主频大意味着单片机代码运行的速度会更快,项目中如果需要进行刷屏,开方运算,电机控制等操作,GD是一个不错的选择。

    3、供电

    外部供电:GD32外部供电范围是2.6~3.6V,STM32外部供电范围是2~3.6V。

    GD的供电范围比STM32相对要窄一点。


    内核电压:GD32内核电压是1.2V,STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低,所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

    4、Flash差异

    GD32的Flash是自主研发的,和STM32的不一样。


    GD Flash执行速度:GD32 Flash中程序执行为0等待周期。


    STM32 Flash执行速度:ST系统频率不访问flash等待时间关系:0等待周期,当0<SYSCLK<24MHz,1等待周期,当24MHz<SYSCLK≤48MHz,2等待周期,当48MHz<SYSCLK≤72MHz。


    Flash擦除时间:GD擦除的时间要久一点,官方给出的数据是这样的:GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号, Page Erase 典型值100ms, 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。

    5、功耗

    从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下,GD的运行功耗比STM32小,但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
    ca80b6f387bdadf72fd233f1514a016d.png

    6、串口

    GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle,而STM32没有,如下图。

    ac26246f695bbc79f59b6f6934a904a6.png

    GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。


    GD 和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响,只是GD的通信时间会加长一点。

    7、ADC差异

    GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异,相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下,ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系:

    89aa72345a4317a1e5e5c4d447d72bff.png

    8、FSMC

    STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

    9、103系列RAM&FLASH大小差别

    GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图:
    e6356c1cb0cda410e8acb7c65db39c96.png


    10、105&107系列STM32和GD的差别

    GD的105/107的选择比ST的多很多,具体见下表:
    ec8455d0ef1a621fd9e96bc9d5e3c739.png

    11、抗干扰能力

    关于这一点,官方没有给出,我也是在做项目的时候偶然发现的,项目原本是用STM32F103C8T6,后来换成GD F103C8T6,这两个芯片的引脚完全一致,然后单片机用了的两个邻近的引脚作为SPI的时钟引脚和数据输出引脚,然后发现STM32的SPI能正常通讯,GD的不行,经过检查发现PCB板SPI的铜线背面有两根IIC的铜线经过,信号应该是受到影响了。

    用示波器看了一下引脚的电平,发现确实是,STM32和GD的数据引脚波形都不正常,但是STM32的波形要好很多,波形虽然差了点,但是SPI通讯依然正常。

    而GD则不能正常通讯了。然后我又把SPI的通讯速率减慢,发现STM32的数据引脚很快就恢复正常波形了,而GD的依然差,直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是STM32内部对引脚有做一些滤波的电路,而GD则没有。

    虽然我用的这个电路板本身布线有些不合理,但是在同样恶劣的环境下,STM32依然保证了通讯的正常,而GD不行,这在一定程度上说明了GD的抗干扰能力不如STM32。

    转自公众号:技术让梦想更伟大

    版权声明:本文来源网络,版权归原作者所有。版权问题,请联系删除。

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空空如也

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gd32和stm32的区别