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  • 存取时间,指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。...存储周期:连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒(ns)度量,换算关系1ns=10-6ms=10-9s,常见的有60ns、70...

    存取时间,指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。

    以读取为例,从CPU发出指令给内存时,便会要求内存取用特定地址的数据,内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU,一直到CPU收到数据为止,便成为一个读取的流程。

    存储周期:连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间

    内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒(ns)度量,换算关系1ns=10-6ms=10-9s,常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种,相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小,存取速度越快。

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    扩展资料

    存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”,是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔,称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns~10ns。

    其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元,并按一定顺序编号,称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字,则称为“字”。

    字的长度,即字所包含的位数,称为“字长”。如以字节来划分存储单元,则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入,虽经反复使用,仍保持不变。如须写入新内容,则原内容被“冲掉”,而变成新写入的内容。

    参考资料来源:百度百科——存取周期

    参考资料来源:百度百科——存取时间

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  • 为什么存取周期大于存取时间 想象一下一个世界,那里的科学家发明者无法获得我们眼前几代人的成就。 从字面上看,需要跟随的每个人都需要重新发明轮子。 称其为“黑暗时代”一点也不为过。 数百年来,“站在...

    为什么存取周期大于存取时间

    想象一下一个世界,那里的科学家和发明者无法获得我们眼前几代人的成就。 从字面上看,需要跟随的每个人都需要重新发明轮子。

    称其为“黑暗时代”一点也不为过。 数百年来,“站在巨人的肩膀上”已成为科学家的标准口头禅。 能够访问他人的研究和学术著作是增进我们对人类和周围世界的理解的关键部分。 在现代,实现这一目标的关键是开放访问 。 “ 开放获取是指对有兴趣阅读的任何人免费在线提供经过同行评审的学术研究和文献资料的做法。”

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    翻译自: https://opensource.com/education/15/2/why-open-access-matters

    为什么存取周期大于存取时间

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  • 存取周期与读/写周期的区别

    千次阅读 2017-10-12 20:50:00
    存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间(或读写时间),而连续启动两次独立的“读”或“写”操作(如连续的两次“读”操作)所需的最短时间,称为存取周期(或存储周期) 读写周期的定义...

    存取周期的定义

    存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间(或读写时间),而连续启动两次独立的“读”或“写”操作(如连续的两次“读”操作)所需的最短时间,称为存取周期(或存储周期

    读写周期的定义

    读写周期,也可以存储周期,是指对存储器进行连续两次存取操作所需要的最小时间间隔。

     

    连续是指时间是不跳跃

    中文实际上没太看懂

    google了一下,有这么一个解释

    While Cycle Time of Memory is the time that is measured in nanoseconds, the time between one Ram access of time when the next Random Access Memory RAM access starts.

    然后那么这个应该就是两次操作的最小间隔

     

    经我看书得出以下理解

    并且存取周期是可以大于读/写周期的,因为你可以在此周期内做其他的事,比如加进去0.5微妙的刷新操作

    或者其他什么操作,于是导致这个东西变长,但是根据读周期的定义,你加进去的这个刷新操作不应该影响读周期的时间数值

    所以大概就是这么回事

    转载于:https://www.cnblogs.com/linkzijun/p/7658037.html

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  • 常见的动态RAM的共同特点是都靠电容存储电荷的原理来寄存信息,电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不掉电,信息也会自动消失...又因为内存就一套地址译码片选装置,刷新与存取有相似的过程,它要选中一...

    常见的动态RAM的共同特点是都靠电容存储电荷的原理来寄存信息,电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不掉电,信息也会自动消失,所以必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态,称为刷新,刷新是一行一行进行的。又因为内存就一套地址译码和片选装置,刷新与存取有相似的过程,它要选中一行,这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。所以刷新与存取不能并行。同理,刷新操作之间也不能并行,意味着一次只能刷一行。

    (1).集中刷新

    指在规定的一个刷新周期内,对所有存储单元集中一段时间逐行进行刷新。(一般是刷新周期的最后一段时间)
    例如:对64*64的矩阵刷新,存取周期是0.5us,刷新周期为2ms(占4000个存取周期)。
    则集中刷新共需0.5*64=32us(占64个存取周期),在这段时间内存只用来刷新,阻塞一切存取操作,其余3968个存取周期用来读/写或维持信息。
    这64个存取周期称为“死时间”,所占的比率64/4000*100%=1.6%称为死时间率。
    这种方式的优点是速度高,缺点是死时间长。

    (2).分散刷新

    指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。其中,把机器的存取周期分成两段,前半段用来读/写或维持信息,后半段用来刷新。
    例如:对64*64的矩阵刷新,存取周期是0.5us,则读写周为0.5us。
    刷新周期为:64*1us=64us。<2ms , 在2ms丢失电荷前就会及时补充。
    优点是没有死时间了,缺点是速度慢。

    (3).异步刷新

    指不规定一个固定的刷新周期,将每一行分来来看,只要在2ms内对这一行刷新一遍就行。
    例如:对64*64的矩阵刷新,存取周期为0.5us。
    要使每行能在2ms内刷新一次,即每隔 (2ms/64us) 刷新一行,也就是对这一行来说,下一次对它进行刷新的间隔,期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。
    每行刷新的时间仍为0.5us,刷新一行只停止一个存取周期,但对每行来说,刷新间隔在2ms以内,死时间缩短为0.5us。

    另外补充解释## 标题

    为什么刷新与存取不能并行?:因为内存就一套地址译码和片选装置,刷新与存取有相似的过程,它要选中一行——这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。同理,刷新操作之间也不能并行——意味着一次只能刷一行

    分散刷新为什么没有死区,其实是因为存取周期周期变成1μs(这1μs中包含了读写时间,也包含了刷新一行的时间,所以才没有死区)
    若是将存取周期变成0.5μs,则不包含刷新的时间,若是这个时候还是一个读写,然后刷新一次的话,就有死区,死区的时间是0.5μs

    原因:设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失,所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的,为了【全部】内存都能保住电荷,必须对【所有】的行都得补充。
    假设刷新1行的时间为0.5μs(刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同,只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期>真正用于存取的时间,因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。——对于SRAM也是这样,对于DRAM更是如此)。
    并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。
    (64×64个单元×1B/单元 = 2^12个单元×1B/单元 = 4KB内存)。

    集中刷新:快到2ms的时候,停止一切对内存的读取操作,使用0.5μs×64对64行依次刷新。这将占用3.2μs。在这3.2μs中,内存只用来刷新,阻塞一切存取操作。

    分散刷新:在每个存取操作后绑定一个刷新操作。这样存取周期就成了0.5μs + 0.5μs = 1μs。它延长了存取周期。但是由于与存取操作绑定,就不需要专门给出一段时间来刷新了。这样,每有64个读取操作,就会把0-63行(共计64行)全部刷新一遍。又因为刷新是不间地断循环着的——循环对64行依次刷新,所以对于同一行,每64次读取就会轮到其被刷新——它的刷新周期是1μs × 64 = 64μs <2ms ,在2ms丢失电荷前就会及时补充。

    异步刷新:分散刷新的刷新周期64μs ,其实根本不需要这么频繁,有些浪费,异步刷新就是恰好卡在2ms这个时间点上。对于每行以2ms为刷新周期足够了,刷新循环到它需要64刷新次操作, 2ms ÷ 64 作为【每次刷新的周期】,(注意每次刷新周期与特定行的刷新周期的不同:每次刷新间隔指对于内存来说它隔多长时间就进行一次刷新操作,轮着刷新时,刷新的行是上一次刷新的行的下一行——是不同的两行,但对于全局内存来说确实是两次刷新操作间隔。特定哪一行的刷新周期:下一次对它进行刷新的间隔,期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。)过64次刚好保证每行的刷新周期为2ms。刷新操作周期为2ms ÷ 64 。但是这个时间并不是绑定在存取周期内,所以仍然是拒绝存取的死时间。但是它已经很小了。所以这种刷新策略非常可行。

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  • 存储周期(存取周期

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存取周期和存取时间