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  • 忆阻器有多种型号。 在给定的理想忆阻器忆阻器模型中,给出了具有Joglekar窗和Prodromakis窗的忆阻器非线性边界漂移模型。 通过取消注释所需的窗口方程并注释掉其他窗口方程,我们可以选择上述模型之一。
  • 忆阻器有多种型号。 在给定的文件中,给出了具有 Joglekar 窗和 Prodromakis 窗的忆阻器matlab 非线性边界漂移模型。 通过取消注释所需的窗口方程并注释掉其他窗口方程,我们可以选择上述模型之一。
  • 记忆电阻器或忆阻器是除传统元件 R、L ... 这是在 Simulink/Matlab 中运行的忆阻器的模拟,并使用 Dmitri B. Strukov 等人最近发表的两篇论文中给出的参数值构建。 自然和 Yogesh N. Joglekar 等人在欧洲物理学杂志上。
  • Matlab忆阻器memristor-Matlab_memristor2.pdf 作为Matlab初学者,好多东西要学习。 源代码可以实现忆阻器的I-V曲线,但显然不够灵活,必须手动调整参数。 现在想将其中的参数ratio,v0,ω0变成可调节范围的, ...
  • 里面实现了最新的一个国外文章里的memristor模型,还编写了用户接口和GUI,很实用,很好的学习资料。
  • 要计算忆阻器的面积,我们需要在 matlab 忆阻器模型文件的末尾包含此代码。 matlab 模型文件必须将频率作为变量,并且电压和电流计算必须存在于该文件中
  • 【摘 要】本文通过Pspice宏建模构建忆阻器元件模型,并搭建含忆阻器的模拟滤波电路,研究其在低通、高通、带通滤波电路及不同阶数下的频率特性。仿真表明,含忆阻器的滤波器较传统滤波器具诸多独特性质。【关键词】...

    【摘 要】本文通过Pspice宏建模构建忆阻器元件模型,并搭建含忆阻器的模拟滤波电路,研究其在低通、高通、带通滤波电路及不同阶数下的频率特性。仿真表明,含忆阻器的滤波器较传统滤波器具诸多独特性质。

    【关键词】忆阻器;滤波器;频率特性

    基于忆阻器的电学特性(以下讨论中皆以M作为忆阻器的电学符号)与数学公式推导[1,3],可以通过Pspice建立理想的忆阻器模型[2]。仿真表明,当输入电压为正时,电阻随着电压的增大而增大,但当电压值正向减小时,相同的电压值对应更大的电阻值。当输入电压为负时,电阻值随着电压的减小而减小,但当电压负向增大时,相同的电压值对应更大的忆阻器阻值。体现在波形中,忆阻器的伏安特性显示为滞回曲线[3]。以下通过用忆阻器的模型代替RC电路中的电阻而构造出MC滤波电路。

    1.RC和MC电路频域滤波特性研究

    利用已经在Pspice上构建好的的忆阻器模型搭建二阶MC滤波电路,此忆阻器模型的Ron=1K,Roff=1000K,然后分别对二阶RC和二阶MC低通、高通、带通三种滤波电路进行仿真,得出各种滤波电路的频率特性曲线,并将二阶RC、MC滤波电路的频率特性曲线进行对比和分析,以及研究一阶MC滤波电路频率曲线的动态范围与二阶MC滤波电路频率曲线的动态范围的差别。

    1.1 RC、MC低通滤波电路的研究

    对一阶RC滤波电路、MC滤波电路和二阶RC滤波电路、MC滤波电路(代替R1或代替R2)都进行Pspice仿真,并计算各电路频率特性曲线的3dB截止频率,如表1。图1中(a)为RC二阶低通滤波电路,用忆阻器模型替代(a)中的R1和R2各仿真得出的频率特性图一样。

    (a) (b)

    对比各滤波电路的频率特性曲线,RC低通滤波电路的频率特性是一条固定的曲线,而MC低通滤波电路的频率特性则是一条变化的曲线,其曲线的变化范围位于忆阻器的阻值为Ron和Roff时的曲线之间。由图(b)可知,用忆阻器模型代替R1或R2时的低通频率曲线无明显区别。根据表得出1,二阶MC低通电路的3dB截止频率变化量比一阶的要小。

    1.2 RC、MC高通滤波电路的研究。

    (a) (b)

    对比各滤波频率特性曲线,RC高通滤波电路的频率特性曲线也是固定的,而MC低通滤波电路的频率特性曲线也是变化的。由图(b)可知,与低通滤波器相似,用忆阻器模型代替R1或代替R2时的高通频率曲线也没有明显差别。根据表2,二阶MC高通电路的3dB截止频率变化量比一阶变化的要小。

    1.3二阶RC、MC带通滤波电路的研究

    记录了各电路频率特性曲线的3dB通带频率及其带宽。用忆阻器模型替代二阶RC带通电路中的中的R1和R2仿真得出的频率特性图差别较大,如图3中的(a)、(b)图。

    (a) (b)

    用忆阻器模型代替R1或代替R2时滤波电路的带通频率曲线不一致,且代替R1时的带通频率曲线的变化要大。由表3可知,替换R2的滤波特性曲线的带宽变化范围要大于替换R1的滤波特性曲线。

    2.总结

    通过以上对二阶MC滤波电路的仿真结果与RC滤波电路、一阶MC滤波电路的一些参数进行对比与分析,可以得出以下三个结论。

    (1)无论一阶还是二阶滤波电路。RC滤波电路的频率特性曲线不随频率的变化而变化,而MC滤波的各种电路都是一条变化的曲线,曲线的变化范围由忆阻器的Ron和Roff有关。

    (2)在二阶低通和高通滤波电路中,用忆阻器代替原二阶RC电路中任意一个的电阻,其频率特性曲线的区别不大,而在带通滤波电路中,其差别比较显著。

    (3)从表1和表2的数据分析得出,二阶MC低通高通滤波电路的3dB截止频率的变化量要小于一阶MC低通高通滤波电路,即二阶滤波电路的频率特性曲线波动范围比一阶的小。可以推断出,MC滤波电路的频率特性曲线的波动范围会随着电路阶数的增加而减小。 [科]

    【参考文献】

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  • [1]Chua L O 1971 IEEE Trans. Circuit Theory 18 507[2]Chua L O 2008 Memristor and Memristive System Symposium Berkeley, USA, November 21, 2008[3]Di Ventra M, Pershin Y V, Chua L O 2009 Proc....

    [1]

    Chua L O 1971 IEEE Trans. Circuit Theory 18 507

    [2]

    Chua L O 2008 Memristor and Memristive System Symposium Berkeley, USA, November 21, 2008

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    Di Ventra M, Pershin Y V, Chua L O 2009 Proc. IEEE 97 1717

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    He P F, Wang L D, Duan S K, Li C D 2011 J. Univ. Electron. Sci. Technol. China 40 648 (in Chinese) [何朋飞, 王丽丹, 段书凯, 李传东2011 电子科技大学学报 40 648]

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    Zhang J C, Li C D, Li C B 2012 Res. Prog. Solid State Electron. 32 239 (in Chinese) [张金铖, 李传东, 李超辈 2012 固体电子学研究与进展 32 239]

    [26]

    Ventra M D, Pershin Y V, Chua L O 2009 Proc. IEEE 97 1371

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  • 一个函数,返回任意电压和时间向量的忆阻器电阻的数值解。
  • 这些文件是忆阻器的.ssc 库模型文件。 包括的模型是理想的忆阻器,具有 Joglekar 窗口和 prodromakis 的非线性漂移模型
  • 里面实现了最新的一个国外文章里的memristor模型,还编写了用户接口和GUI,很实用,很好的学习资料。
  • 忆阻器Simulink建模和图形用户界面设计( )第 卷第 期 西 南 大 学 学报 自然科学版 年 月33 9 2011 9( )Vol.33 ...

    忆阻器Simulink建模和图形用户界面设计

    ( )

    第 卷第 期 西 南 大 学 学报 自然科学版 年 月

    33 9 2011 9

    ( )

    Vol.33 No.9 JournalofSouthwestUniversit NaturalScienceEdition Se. 2011

    y p

    文章编号: ( )

    1673 9868201109 0050 07

    忆阻器Simulink建模和图形用户界面设计①

    胡柏林, 王丽丹, 黄艺文,

    胡小方, 张宇阳, 段书凯

    ,

    西南大学 物理科学与技术学院 电子信息工程学院 重庆 400715

    : , ,

    摘要 研究了惠普忆阻器的电荷控制和磁通量控制模型 构建了忆阻器的Simulink模型 给出了相应的仿真结果.

    , ,

    设计了一种基于 的图形用户界面 能直观地展示忆阻器特性 通过该界面 可以选择或设定输入电压的

    MATLAB .

    、 , ,

    类型 参数及忆阻器模型的参数 简单方便地观察对应的输出结果 为人们更直观地学习和研究忆阻器提供一种有

    效的方法.

    : ; , ; ;

    关 键 词 忆阻器 电荷 磁通量 模型 图形用户界面

    Simulink

    中图分类号:TM132 文献标志码:A

    , , 、

    年 蔡少棠教授根据电路理论的完备性 预言应该存在电阻 电容和电感之外的第 个基本

    1971 4

    [ ]

    1-2

    , ,

    电路元件 并将其命名为忆阻器 年 月 首个纳米级的忆阻器物理模型在美国惠普实验室

    .2008 5

    []

    3

    , , ,

    里诞生 证实了忆阻器的存在 .实验表明 忆阻器是一种无源的非线性的二端电路元件 具有天然

    , ( ) ,

    的记忆能力 通过控制电流 或电压 可改变其阻值 这种记忆功能 为制造更快更节能的即

    展开全文
  • Matlab忆阻器模型Memristor model

    千次阅读 2013-04-17 23:53:32
    This is simulation for a Memristor run in Simulink/Matlab and built with values of parameters given in two recently published papers by Dmitri B. Strukov et.al. on Nature and by Yogesh N. Joglekar et....

    Description

    Memory resistor or memristor is a nonlinear, fourth basic, passive element beside on conventional elements, R, L and C. Memristor was discovered by L.O. Chua in 1971, but it has been aroused recently by researchers at HP Labs. It is expected to make a huge change not only in literatures but also in nanoelectronic industry. 
    This is simulation for a Memristor run in Simulink/Matlab and built with values of parameters given in two recently published papers by Dmitri B. Strukov et.al. on Nature and by Yogesh N. Joglekar et.al on European Journal of Physics.

    Required ProductsSimulink


    http://www.mathworks.com/matlabcentral/fileexchange/25082#comments


    http://www.mathworks.com/matlabcentral/fileexchange/25082-memristor-model?download=true

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