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  • 该pdf为FPGA开发系统中常用Flash存储芯片am29lv160d
  • 能学习了解存储芯片的原理和基本功能,对EEPROM和FLASH芯片有全面了解,帮助我们更好的应用存储芯片。在手机各种电子产品中,都由应用。
  • Flash芯片的通病

    千次阅读 2014-12-14 20:53:27
    包括现在常用的U盘以及SSD中的Flash芯片,或者Bios常用的EEPROM,它们都不可避免。 1. Flash芯片存储的通病之一:Erase Before Overwrite 对于机械磁盘来说,磁盘可以直接用磁头将对应的区域磁化成任何信号,...

    Flash芯片在写入数据的时候有诸多效率低下的地方。包括现在常用的U盘以及SSD中的Flash芯片,或者Bios常用的EEPROM,它们都不可避免。

    1. Flash芯片存储的通病之一:Erase Before Overwrite

    对于机械磁盘来说,磁盘可以直接用磁头将对应的区域磁化成任何信号,如果之前保存的数据是1,新数据还是1,则磁头对1磁化,结果还是1;如果新数据是0,则磁头对1磁化,结果就变成了0。而Flash则不然,如果要向某个Block写入数据,则不管原来Block中是1还是0,新写入的数据是1还是0,必须先Erase整个Block为全1,然后才能向Block中写入新数据。这种额外的Erase操作大大增加了覆盖写的开销。

    更难办的是,如果仅仅需要更改某个Block中的某个Page,那么此时就需要Erase整个Block,然后再写入这个Page。那么这个Block中除这个Page之外的其他Page中的数据在Erase之后岂不是都变成1了么?是的,所以,在Erase之前,需要将全部Block中的数据读入SSD的RAM Buffer,然后Erase整个Block,再将待写入的新Page中的数据在RAM中覆盖到Block中对应的Page,然后将整个更新后的Block写入Flash芯片中。可以看到,这种机制更加大了写开销,形成了大规模的写惩罚。这也是为何SSD的缓存通常很大的原因。

    就像CDRW光盘一样,如果你只需要更改其上的几KB数据,那么就要先复制出全盘700MB的数据,然后擦除所有700MB,然后再写入更改了几KB数据的700MB数据。

    SSD的这种写惩罚被称为Write Amplification(写扩大),我们依然使用写惩罚这个词。写惩罚有不同的惩罚倍数,比如,需要修改一个512KB的Block中的一个4KB的Page,此时的写惩罚倍数=512KB/4KB=128。小块随机写IO会产生大倍数的写惩罚。

    当SSD当向Flash中的Free Space中写入数据时,并没有写惩罚,因为Free Space自从上次被整盘Erase后是没有发生任何写入动作的。这里又牵渗到一个比较有趣的问题,即存储介质如何知道哪里是Free Space,哪里是Occupied Space呢?本书中多个地方论述过这一点。只有文件系统知道存储介质中哪些数据是没用的,而哪些正在被文件系统所占用,这是绝对无可置疑的,除非文件系统通过某种途径通告存储介质。SSD也不例外,一块刚被全部Erase的SSD,其上所有Block对于文件系统或者SSD本身来讲,都可以认为是Free Space。随着数据不断的写入,SSD会将曾经被写入的块的位置记录下来,记录到一份Bitmap中,每一比特表示Flash中的一个Block。对于文件系统而言,删除文件的过程并不是向这个文件对应的存储介质空间内覆盖写入全0或者1的过程,而只是对元数据的更改,所以只会更改元数据对应的存储介质区域,因此,删除文件的过程并没有为存储介质自身制造Free Space。所以说,对于SSD本身来讲,Free Space只会越来越少,最后导致没有Free Space,导致每个写动作都产生写惩罚,类似Copy On Write,而且Copy和Write的很有可能都是一些在文件系统层已经被删除的数据,做了很多无用功,写性能急剧下降。对于一块使用非常久的SSD来讲,就算它在被挂载到文件系统之后,其上没有检测到任何文件,文件系统层剩余空间为100%,这种情况下,对于SSD本身来讲,Free Space的比例很有可能却是0,也就是说只要曾经用到过多少,那么那个水位线就永远被标记在那里。

    思考

    令所有人都无法理解的是,为何哪怕在OverWrite一个Cell之前必须将对应的目标——整个Block放电处理呢?其原因在于干扰。由于电路设计原因,一个Page中的多个位,也就是Cell,如果有的正在充电(写入0),有的正在放电(写入1),那么会产生不可忽略的干扰导致问题,正因为这个限制,所以必须取舍,要么就对整Block中的所有Cell充电(写0),要么就对其整体放电(写1)。最后,研发人员下定决心,就取后者吧,每次先预先将整个Block擦成全1,然后再接受IO,IO数据中遇到为1的位,对应的Cell不动作,遇到为0的位,则对应的Cell进行充电。这样,不管任何时候,对于一个Block中的所有Cell来讲,只有“全部在放电”或者“全部/部分在充电”这两个状态,不会产生干扰。

    好,那么为何非要一次擦一整个Block呢?一次擦一个Page不行么?比如如果要对某Page写入101010,那么可以先对其全擦1,或者只对其奇数位擦1,结束后再向其偶数位充电,也就是写0?其实这牵扯到两个问题,一个是管理粒度的问题,粒度越小,管理开销就越大,表现在导线与电路开销和能耗方面,可擦除粒度越小,需要的导线和电路就越多;第二则是效率问题,如果没遇到一个Page写,就预先擦除一下再写,这样写惩罚绝对是2倍的关系了,SSD有种算法可以避免写惩罚,见下文。

    但是,擦除整个Block,解决了干扰问题的同时却增加了写惩罚,这岂不是得不偿失么?非也。由于SSD使用一种办法来避免写惩罚以及Wear Off,而这种办法的使用,需要大粒度的Erase以便节约时间和提高效率,同时不增加写惩罚。这种办法我们将在下文描述。

    EEPROM每次只擦除一Byte,所以性能比Flash要差。

    每个Block中的Page必须被按照一个方向写入,比如每个Block为128个Page,共512KB,则当这个Block被擦除之后,SSD控制器可以先向其中写入前32个Page(或者10个Page,数量不限),一段时间之后,可以再向这个Block中追加写入剩余的Page(或者多次追加一定数量的Page写入)而不需要再次擦除这个Block。SSD控制器会记录每个Block中的大段连续空余空间。但是不能够跳跃的追加,比如先写入0~31这32个Page,然后写入64~127这64个Page,中间空出了32个Page没有追加,控制器是不会使用这种方式写的,Page都是连续排布的。但是一般来讲,控制器都是尽量一次写满整个Block的从而可以避免很多额外开销。

    2.Flash芯片存储的通病之二:Wear Off

    随着FG充放电次数的增多,二氧化硅绝缘层的绝缘能力将遭到损耗,最后逐渐失去绝缘性,无法保证FG中保有足够的电荷。此时,这个Cell就被宣判为损坏,即Wear Off。

    思考

    SSD是如何判断出这个Cell已经不能保存数据的呢?在Write操作中,会向Cell中充电,成功后会在对应的Bit Line中体现出Cell当前的电势,通过检查这个电势表示的位是否与待写入数据中对应的位一致来判断,一致则判断为完好,不一致则损坏。如果遇到写入数据位为1的情况,那么写入过程中对这个Cell不会有任何动作。如果这个Cell已经损坏,即不能被充电或者充电量太低以至于不能感应出足够的电势,那么当数据被写入之后,依然被判断为完好。这虽然与实际不符,但是不影响使用,一旦这个实际已经损坏的Cell在下次被更改为0,就会被判断出已损坏。

    损坏的Cell将拖累这个Cell所在的整个Page被标记为损坏,因为SSD寻址和IO的最小单位为Page。损坏的Page对应的逻辑地址将被重定向映射到其他完好的预留Page,SSD将这些重定向表保存在ROM中,每次加电均被载入RAM以供随时查询。

    MLC由于器件复杂,其可擦写的寿命比较低,小于10000次。而SLC则高一些,十倍于MLC,小于100000次。这个值是很惊人的,对于某些场合下,有可能一天就可以废掉一大堆Cell/Page,几个月之内当预留Page都被耗尽后,就会废掉整个SSD。这是绝对不能接受的。

    写惩罚会大大加速Wear Off,因为写惩罚做了很多无用功,增加了不必要的擦写,这无疑使本来就很严峻的形势雪上加霜。但是对于读操作,理论上每个Cell可以承受高数量级的次数而不会损耗,所以对于读来说,无须担心。

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    随着各大巨头的布局,智能机器人如雨后春笋般迅速崛起,在这之中最吸引我们的可以说就是儿童机器人,其开发儿童大脑的产品定位和萌萌的产品外观受到了消费者的追捧。
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    一直以来陪伴是最长情的告白,给小朋友最多的爱就是陪伴!但对于很多是上班一族的家长来说,陪伴却是看似简单但往往很难做到的事,儿童陪伴机器人随着人工智能发展而来,以席卷之势抢占儿童市场。面对日益高涨的智能儿童陪伴机器人市场,宏旺半导体ICMAX针对陪伴机器人,制定独家存储芯片解决方案,不管是带屏幕较高端儿童智能陪伴机器人使用的eMMC与LPDDR,还是普通智能陪伴机器人所使用的NOR Flash或SLC NAND Flash,ICMAX存储芯片都能让机器人存储更多内容,让孩子的陪伴更加个性化。
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    儿童智能陪伴机器人不管是和机器人开阔天空地闲聊、亲子微聊、还是猜谜、数学运算、中英文翻译等等,都需要很强的交互性,需要机器人很快应答。对于小孩的耐性而言,笨笨的机器人不仅不能起到陪护作用,反而会让小孩哇哇大哭,根本不是贴心玩伴。在应答这一块,宏旺半导体嵌入式存储芯片LPDDR,处理器在储存器中提取速度快,实现高速数据处理,让智能机器人反应快,与孩子有更好的互动沟通,实现日常陪伴。
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    经过十五年的发展,宏旺半导体ICMAX为众多领域提供存储解决方案,拥有丰富的行业经验,与多家行业内知名企业建立了战略合作关系。在儿童智能机器人领域,ICMAX能为制造商带来定制化更具个性化的存储方案,使儿童陪护智能机器人性能发挥更优,更好地实现全方位的陪伴。

    转载于:https://blog.51cto.com/14293659/2405952

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  • 常用bios flash闪存型号

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    常用flash IC芯片厂商及型号

    制造商
    4M
    8M
    16M
    32M
    Atmel AT25DF321
    AT25DF321A
    AT25DF641    
    EON (cFeon) EN25F32
    EN25P32
    EN25Q32
    EN25QH32
    EN25P64
    EN25Q64
    EN25QH64
    EN25Q128
    EN25QH128
    EN25QH256
    ESMT F25L32PA
    F25L32QA
    F25L64QA    
    GigaDevice GD25Q32 GD25Q64 GD25Q128  
    Macronix MX25L3205D
    MX25L3235E
    MX25L3255E
    MX25L6405D
    MX25L6435E
    MX25L6455E
    MX25L12805D
    MX25L12835E
    MX25L12855E
    MX25L25635E
    MX25L25655E
    Micron M25P32
    M25PX32
    N25Q032A
    M25P64
    M25PX64
    N25Q064A
    N25Q128A13
    N25Q128A11
    N25Q256A
    PMC PM25LQ032      
    SST SST25VF032B
    SST26VF032
    SST26VF032B
    SST25VF064C
    SST26VF064B
       
    Spansion S25FL032A
    S25FL132K
    S25SL032K *
    S25FL064A
    S25FL164K
    S25SL064K **
    S25SL128P1
    S25SL128S1
    S25SL128K ***
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    W25Q32
    W25X64
    W25Q64
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    管脚对应关系

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  • 闪存芯片NAND FLASH的封装 随着目前产品小型化的需求越来越多,且可穿戴设备的逐渐普及,工程师们对于芯片小型化的需求也越来越强烈,这个就涉及到了芯片的封装工艺。这次,我们只针对NAND flash的封装进行介绍。 ...

    闪存芯片NAND FLASH的封装

    随着目前产品小型化的需求越来越多,且可穿戴设备的逐渐普及,工程师们对于芯片小型化的需求也越来越强烈,这个就涉及到了芯片的封装工艺。这次,我们只针对NAND flash的封装进行介绍。

    芯片常用封装有:DIP、QFP、PFP、PGA、BGA、TSOP、COB等封装。这里主要介绍NAND FLASH常用的三种封装(TSOP、BGA、COB)。

    1、TSOP封装

        

       TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写,意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚,采用SMT技术(表面安装技术)附着在PCB板的表面,装配高度不到1.27mm。具体到FLASH这类型芯,工艺主要是把FLASH晶圆固定在钢板框架上,然后通过打线把晶圆上的点连接到框架的PIN脚上,再对表面进行注胶。目前的最高的封闭技术能把四棵晶圆封闭在一个TSOP 的FLASH内。此种TSOP封装的FLASH相对较厚。TSOP特点:电流大幅度变化时,引起输出电压较小,适合高频应用,操作比较方便(如方便手工贴片或拆片及反复利用),可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高 。价格相对COB高,因此得到了极为广泛的应用。

    2、COB封装

    COB(chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一。半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与PCB板是通过邦定连接的方法实现。NAND FLASH行业使用COB的封装方式主要是节省成本考虑。工程师先把外围电气走线画好,然后在PCB板上点红胶,把晶圆按指定方向及位置贴好。然后使用邦定机对晶圆进行邦定。确认邦定电气性能良好后,对晶圆表情及PCB板部分进行树脂覆盖进行固定。COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TSOP和BGA技术。

    3、BGA封装

    BGA(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以 代替引脚,在印刷基板的正面装配NAND flash 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。

    BGA主要特点:1、I/O引脚数虽然增多,但引脚之间的距离远大于QFP封装方式,提高了成品率 2、虽然BGA的功耗增加,但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善电热性能 3、信号传输延迟小,适应频率大大提高 4、组装可用共面焊接,可靠性大大提高。此封闭应用在NAND FLASH方面,主要影响是:1、可针对一些大尺寸晶圆进行封装。2、减小NAND flash封装片的面积,适用于对于主板尺寸要求严格的产品,特别是近些年来的可穿戴设备,对于产品尺寸的要求相当严格。3、此封闭大部分为原装片使用。黑片相对较少使用BGA。

     

    从上面可以看出BGA的封装是比较适合小型化需求的,以韩国ATO solution公司为例,1Gb容量的NAND flash,BGA的最小尺寸可以做到6.5 X 8 mm (48ball),普通的1Gb NAND flash的尺寸为9 X 9 mm(48ball)。对于产品空间要求比较苛刻的客户可以选择。

    深圳雷龙发展有限公司从事NANDFLASH行业10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP等。想了解更多请咨询扣二八伍二扒二陆扒六八;电话一三陆玖一玖八二一零柒

     

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