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  • SRAM和DRAM存储单元的模型。 SRAM和DRAM存储单元的示意图。 仅用于教学目的。 对SRAM使用MOSFET晶体管和相同的传统6T配置。 对于DRAM,电路与标准DRAM单元中的电路并不完全相同。 使用EasyEDA进行的项目,可用于...
  • 双端口SRAM的写操作

    2020-11-14 16:22:31
    图表示了双端口SRAM写操作的波形,从图形可知,也是同异步SRAM相同的操作。在该示例中,OE仍然无效,先确定R/W信号后,通过CE信号进行写入操作。图中CE0、CE1虽然同时发生变化,但也可以其中一个信号保持有效,另一...
  • 异步类型的双端口SRAM

    2020-11-14 16:15:17
    作为异步类型的双端口SRAM,我们以Cypress公司的CY7C019为例,CY7C019的内部框图如图所示。  图 CY7C019的内部框图  中央部分为双端口存储器阵列,并列着能同时设置两个地址的存储元器件。下面的框图是实现了...
  •  单向双端口SRAM是一种专用的存储器,它具有独立的写地址总线和读地址总线,不仅可以实现单端口的读写,还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作,提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模式,并...
  • 降低 VLSI 电路的功耗是当今的首要问题。 存储电路在电子小功率器件的设计中起着重要作用。 几乎每个数字系统都将内存作为其设计的重要... 本文模拟了 6T SRAM 单元和 8T SRAM 单元,并比较了它们在功耗方面的性能。
  • 物理不可克隆函数(PUF)为硬件提供了安全有效的防物理侵入式攻击的机制,而SRAM PUF是其中应用最为广泛的一种。而为了在输入相同的激励时,得到唯一、随机的密钥,本文根据不同SRAM PUF电路芯片上电复位值的实验...
  •  图 同步双端口SRAM的存取操作示例  直流模式下的读/写操作,因为数据的输出是被一个个时钟前置的,所以在赋予地址的下一个时钟沿上确定数据。 首先,在最初的时钟上CE有效,器件处于被选择的状态。因为R/W为...
  • SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM...
  • 同步SRAM

    2020-11-14 18:33:18
    同步SRAM是与时钟同步运行的意思,一般应用于作为高速缓冲存储器使用的、称为同步管道突发式(Synchronous PipelineBurst)SRAM中,其他还包括同步突发式(Follow Through,直通)SRAM。同步SRAM的信号示例如图所示...
  • 同步突发式SRAM的突发读操作如图所示,与单一读操作相同,因为突发读操作也是在赋予地址的下一个时钟且ADV有效时,在一个时钟之后输出下一地址的数据。所以,与管道突发类型相比,整体上形成缩短了一个时钟的操作...
  • 双端口SRAM

    2020-11-14 17:14:51
    普通的存储器器件为单端口,也就是数据的输入输出只利用一个端口,设计了两个输入输出端口的就是双端口SRAM。虽然还具有扩展系列的4端口SRAM,但双端口SRAM已经非常不错了。图1表示双端口SRAM的信号示例。  图1 ...
  • BOOT 引脚改成从SRAM 启动,即 BOOT0=1,BOOT1=1 如果使用ST提供的库函数 3.5 打开(system_stm32f10x.c) #define VECT_TAB_SRAM 2.x 可以通过调用函数切换中断向量表的指向。
  • 同步SRAM的意义

    2020-11-14 17:35:47
    同步SRAM意如字义,是与时钟同步运行的SRAM。由于地址的提取以及数据的输出全部是与时钟同步,所以没有必要像异步SRAM那样必须分别考虑基于各种信号的时序,这是其最大的优势。 同步这样的名字容易让人产生误解的是...
  • 目前,对于存储单元SRAM的研究都是基于硬件电路来完成,而且这些方法都是运用在生产过程中,但是生产过程并不能完全杜绝SRAM的硬件故障。在其使用过程中,如果SRAM硬件出错,将导致程序出错而且很难被发现。因此在...
  • 1 基于SRAM工艺FPGA的保密性问题通常,采用 SRAM工艺的 FPGA芯片的的配置方法主要有三种:由计算机通过电缆配置、用专用配置芯片(如Altera公司的EPCX系列芯片)配置、采用存储器加微控制器的方法配置。种方法适合...
  • sram_sp_hse_8kx8.pdf

    2019-11-17 19:01:24
    Precise Optimization for TSMC’s Six-Layer Metal ...The 8192X8 SRAM is a high-performance, synchronous single-port, 8192-word by 8-bit memory designed to take full advantage of TSMC’s six-layer met
  • SRAM特点及工作原理

    2020-10-26 02:05:26
    SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据.
  • 异步SRAM产品分为快速与低功耗两个极为不同的产品类型,每个系列都具有其自己的一系列特性、应用和价格。快速异步SRAM具有更快的存取速度,但功耗较高;低功耗SRAM功耗低,但存取速度慢。
  • 异步SRAM的基本操作

    2020-11-14 17:24:15
    异步SRAM正如其名称,不是与特定的时钟信号同步运行,而是根据输人信号的状态运行的。因为没有信号表示读取时已确定了有效数据,也没有信号表示写入时已接收到数据,所以,需要获取制造商的数据手册,根据时序图,按...
  • 异步SRAM的信号

    2020-11-14 17:23:11
    异步SRAM是128K×8位结构的1M位SRAM,我们以CY62l28为例进行说明。引脚配置如图所示,这是非常标准的配置,在其他生产商的许多产品中都能见到这种配置。在自制的SRAM主板上就使用了现成的ISSI引脚兼容产品。  图...
  • sram存储器的读取代码,已测试,为一个FPGA的下载工程。 sram存储器的读取代码,已测试,为一个FPGA的下载工程。
  • 为解决SRAM型FPGA在空间环境应用中单粒子翻转的问题,提出一种基于我国自主研制的定时刷新芯片(BSV2)的硬件设计方法。介绍了定时刷新器件BSV2及其基本刷新原理,同时以XC2V3000为例设计了刷新器件的典型应用电路,...
  • SRAM主板的制作

    2020-11-14 16:43:54
    为了实际使用一次SRAM,我们尝试制作附加了与ISA总线(PC104)相连接的电池各份的异步SRAM主板。 本次制作的电路如图1所示,电路中PLD(MEMDEC)的内部电路如图2所示。存储器打算专用8位幅宽、ISA总线D000Oh~...
  • 如何使用LPC824通过直接存储器访问(DMA)将数据从ADC数据寄存器直接读取到SRAM的示例。 这样可以在没有任何CPU干预的情况下以最大数据速率(1.2Msps)捕获数据。 DMA传输限制为1024个字。 但是,可以将传输链接...
  • 130nm体硅SRAM和SOI SRAM器件单粒子翻转3D模拟与分析,李永宏,赵耀林,用半导体数值模拟软件Sentaurus TCAD构建了特征尺寸为130nm的体硅SRAM(Static Radom Access Memory)器件和SOI SRAM(Silicon On Insulator ...
  • 在画电路板的时候,我们常常希望那些引脚多的器件能像FPGA一样,IO脚布线时能随便连接,能任意调换。然而,一些存储器在布线时候,数据线和地址线也可以打乱。
  • 而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM...
  • 三星最近宣布开发出了业界首款256Mb的Pseudo SRAM,三星将其称作UtRAM,主要用于高性能移动产品(比如3G手机等)。 据介绍,这款产品的工作频率133MHz,而以往的Pseudo SRAM产品的频率只有80MHz。Pseudo SRAM内存...
  • fpga sram乒乓操作

    2018-05-29 16:22:04
    本代码用两片片外SRAM实现了乒乓读写操作,并提供相应的激励文件,亲测有效,可以参考

空空如也

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