精华内容
下载资源
问答
  • 为什么存取周期大于存取时间 想象一下一个世界,那里的科学家和发明者无法获得我们眼前几代人的成就。 从字面上看,需要跟随的每个人都需要重新发明轮子。 称其为“黑暗时代”一点也不为过。 数百年来,“站在...

    为什么存取周期大于存取时间

    想象一下一个世界,那里的科学家和发明者无法获得我们眼前几代人的成就。 从字面上看,需要跟随的每个人都需要重新发明轮子。

    称其为“黑暗时代”一点也不为过。 数百年来,“站在巨人的肩膀上”已成为科学家的标准口头禅。 能够访问他人的研究和学术著作是增进我们对人类和周围世界的理解的关键部分。 在现代,实现这一目标的关键是开放访问 。 “ 开放获取是指对有兴趣阅读的任何人免费在线提供经过同行评审的学术研究和文献资料的做法。”

    要了解有关开放获取的更多信息,我们很自豪地提出一种新的开放获取资源 ,该资源有助于回答有关开放获取和学术共享的许多基本问题。

    • 什么是开放获取?
    • 开放获取的起源是什么?
    • 为什么开放访问很重要?
    • 谁从开放访问中受益?
    • 我该怎么做以鼓励开放访问?
    • 在哪里可以了解有关开放访问的更多信息?

    因此,请查看我们新的开放访问资源 ,了解有关开放访问的更多信息,如果您有任何疑问,请在评论中让我们知道!

    翻译自: https://opensource.com/education/15/2/why-open-access-matters

    为什么存取周期大于存取时间

    展开全文
  • 常见的动态RAM的共同特点是都靠电容存储电荷的原理来寄存信息,电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不掉电,信息也会自动消失...又因为内存就一套地址译码和片选装置,刷新与存取有相似的过程,它要选中一...

    常见的动态RAM的共同特点是都靠电容存储电荷的原理来寄存信息,电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不掉电,信息也会自动消失,所以必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态,称为刷新,刷新是一行一行进行的。又因为内存就一套地址译码和片选装置,刷新与存取有相似的过程,它要选中一行,这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。所以刷新与存取不能并行。同理,刷新操作之间也不能并行,意味着一次只能刷一行。

    (1).集中刷新

    指在规定的一个刷新周期内,对所有存储单元集中一段时间逐行进行刷新。(一般是刷新周期的最后一段时间)
    例如:对64*64的矩阵刷新,存取周期是0.5us,刷新周期为2ms(占4000个存取周期)。
    则集中刷新共需0.5*64=32us(占64个存取周期),在这段时间内存只用来刷新,阻塞一切存取操作,其余3968个存取周期用来读/写或维持信息。
    这64个存取周期称为“死时间”,所占的比率64/4000*100%=1.6%称为死时间率。
    这种方式的优点是速度高,缺点是死时间长。

    (2).分散刷新

    指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。其中,把机器的存取周期分成两段,前半段用来读/写或维持信息,后半段用来刷新。
    例如:对64*64的矩阵刷新,存取周期是0.5us,则读写周为0.5us。
    刷新周期为:64*1us=64us。<2ms , 在2ms丢失电荷前就会及时补充。
    优点是没有死时间了,缺点是速度慢。

    (3).异步刷新

    指不规定一个固定的刷新周期,将每一行分来来看,只要在2ms内对这一行刷新一遍就行。
    例如:对64*64的矩阵刷新,存取周期为0.5us。
    要使每行能在2ms内刷新一次,即每隔 (2ms/64us) 刷新一行,也就是对这一行来说,下一次对它进行刷新的间隔,期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。
    每行刷新的时间仍为0.5us,刷新一行只停止一个存取周期,但对每行来说,刷新间隔在2ms以内,死时间缩短为0.5us。

    另外补充解释## 标题

    为什么刷新与存取不能并行?:因为内存就一套地址译码和片选装置,刷新与存取有相似的过程,它要选中一行——这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。同理,刷新操作之间也不能并行——意味着一次只能刷一行

    分散刷新为什么没有死区,其实是因为存取周期周期变成1μs(这1μs中包含了读写时间,也包含了刷新一行的时间,所以才没有死区)
    若是将存取周期变成0.5μs,则不包含刷新的时间,若是这个时候还是一个读写,然后刷新一次的话,就有死区,死区的时间是0.5μs

    原因:设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失,所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的,为了【全部】内存都能保住电荷,必须对【所有】的行都得补充。
    假设刷新1行的时间为0.5μs(刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同,只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期>真正用于存取的时间,因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。——对于SRAM也是这样,对于DRAM更是如此)。
    并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。
    (64×64个单元×1B/单元 = 2^12个单元×1B/单元 = 4KB内存)。

    集中刷新:快到2ms的时候,停止一切对内存的读取操作,使用0.5μs×64对64行依次刷新。这将占用3.2μs。在这3.2μs中,内存只用来刷新,阻塞一切存取操作。

    分散刷新:在每个存取操作后绑定一个刷新操作。这样存取周期就成了0.5μs + 0.5μs = 1μs。它延长了存取周期。但是由于与存取操作绑定,就不需要专门给出一段时间来刷新了。这样,每有64个读取操作,就会把0-63行(共计64行)全部刷新一遍。又因为刷新是不间地断循环着的——循环对64行依次刷新,所以对于同一行,每64次读取就会轮到其被刷新——它的刷新周期是1μs × 64 = 64μs <2ms ,在2ms丢失电荷前就会及时补充。

    异步刷新:分散刷新的刷新周期64μs ,其实根本不需要这么频繁,有些浪费,异步刷新就是恰好卡在2ms这个时间点上。对于每行以2ms为刷新周期足够了,刷新循环到它需要64刷新次操作, 2ms ÷ 64 作为【每次刷新的周期】,(注意每次刷新周期与特定行的刷新周期的不同:每次刷新间隔指对于内存来说它隔多长时间就进行一次刷新操作,轮着刷新时,刷新的行是上一次刷新的行的下一行——是不同的两行,但对于全局内存来说确实是两次刷新操作间隔。特定哪一行的刷新周期:下一次对它进行刷新的间隔,期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。)过64次刚好保证每行的刷新周期为2ms。刷新操作周期为2ms ÷ 64 。但是这个时间并不是绑定在存取周期内,所以仍然是拒绝存取的死时间。但是它已经很小了。所以这种刷新策略非常可行。

    展开全文
  • 指令字长、存储字长、机器字长、时钟周期、机器周期、指令周期、取址周期、存取周期的关系 考研做题途中遇到这些问题,发现自己掌握的很模糊,遂写下此篇,加深记忆。 1、机器字长、存储字长、指令字长 机器字长:...

    指令字长、存储字长、机器字长、时钟周期、机器周期、指令周期、取址周期、存取周期的关系

    考研做题途中遇到这些问题,发现自己掌握的很模糊,遂写下此篇,加深记忆。

    1、机器字长、存储字长、指令字长

    机器字长:CPU一次能够处理的数据的位数。通常等于寄存器的位数。例子:windows 64位/32位,这里的64位和32位指的就是该操作系统的机器字长。

    存储字长:计算机存储器中一个存储单元可以存储的位数。例子:某某计算机按照字节编址,即说明该计算机的存储字长为1B=8位。

    指令字长:计算机内一条指令的位数。这里通常指的定长指令。

    1. 机器字长与存储字长:两者没有必然的联系

    2. 机器字长与指令字长:两者没有必然的联系。它既可以等于机器字长也可以大于或者小于机器字长。通常把等于机器字长的指令称为单字长指令。把等于半个机器字长的指令称为半字长指令。把等于两倍机器字长的指令称为双字长指令。

    3. 存储字长和指令字长。各位可能经常看到这样的字眼:某某计算机按字节编址,指令长度为16位/32位。通常为了方便取址规定指令字长为存储字长的整数倍。现在的计算机指令长度基本都是存储字长的整数倍。

    2、时钟周期、机器周期、指令周期、取址周期、存取周期

    时钟周期:某某CPU的处理频率为3GHz,那么该数字的倒数即为时钟周期。也称为CPU时钟周期。

    机器周期:也称为CPU周期。由若干个时钟周期组成。因为在一个时钟周期下很难完成一个完整的基本操作,那么为了方便管理,通常将CPU完成一个基本的操作所用的时间规定为一个机器周期。==什么是一个完整的基本操作呢?==例如:CPU通过数据总线从主存中取出一个存储单元对应的信息,所用时间即为一个机器周期。因此不要将CPU处理完一个机器字长数据所用的时间当作机器周期,两个时间是没有必然关系的。

    存取周期:上面在机器周期里说道CPU从主存中取数据。实际上两个存取操作(指存取一个存储单元)所需要的时间间隔即为存取周期,而在计算机中,通常使用存取周期来确定机器周期,就是说可以认为机器周期等于存取周期

    指令周期:CPU从取来一条指令到指令完成,所需要的时间称为指令周期。指令周期划分为四个阶段:取址周期、间址周期、执行周期、中断周期。

    取址周期:是指令周期的第一个阶段。主要用来根据PC(PC中存放的是指令的地址)到主存中取指令。我们在一个特定的情况下具体说明:某某机按字节编址,指令字长32位。那么这个时候取址需要4个存取周期(即机器周期)。这就是为什么指令字长要等于存储字长的整数倍,这样方便计算机取址。

    展开全文
  • 存取周期与读/写周期的区别

    千次阅读 2017-10-12 20:50:00
    存取周期的定义 存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间(或读写时间),而连续启动两次独立的“读”或“写”操作(如连续的两次“读”操作)所需的最短时间,称为存取周期(或存储周期)...

    存取周期的定义

    存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间(或读写时间),而连续启动两次独立的“读”或“写”操作(如连续的两次“读”操作)所需的最短时间,称为存取周期(或存储周期

    读写周期的定义

    读写周期,也可以存储周期,是指对存储器进行连续两次存取操作所需要的最小时间间隔。

     

    连续是指时间是不跳跃

    中文实际上没太看懂

    google了一下,有这么一个解释

    While Cycle Time of Memory is the time that is measured in nanoseconds, the time between one Ram access of time when the next Random Access Memory RAM access starts.

    然后那么这个应该就是两次操作的最小间隔

     

    经我看书得出以下理解

    并且存取周期是可以大于读/写周期的,因为你可以在此周期内做其他的事,比如加进去0.5微妙的刷新操作

    或者其他什么操作,于是导致这个东西变长,但是根据读周期的定义,你加进去的这个刷新操作不应该影响读周期的时间数值

    所以大概就是这么回事

    转载于:https://www.cnblogs.com/linkzijun/p/7658037.html

    展开全文
  • 存取周期:存储器进行连续两次操作(存或者取)的最小间隔时间。 存储器带宽:这个指标和存取周期相关,表示单位时间内存储器存取的信息量,单位可以是字/秒、字节/秒、位/秒。如存取周期是100ns(纳秒,1s=10的9次方...
  • 4、双口RAM和多模块存储器思维导图存取周期双端口RAM(解决问题1)多体并行存储器(解决问题二)取几个存储体合适呢?单体多字存储器 思维导图 存取周期 1、存取周期 = 存取时间 + 恢复时间 2、DRAM芯片的恢复时间...
  • 存储周期(存取周期

    千次阅读 2013-10-15 10:13:00
    Cycle time is the time, usually measured in nanosecond s, between the start of one random access memory ( RAM ) access to the time when the next access can be started.Access time is sometimes ...
  • 内存知识点1 存取周期

    千次阅读 2012-06-19 19:49:12
    存取周期  (1)把信息代码存入存储器,称为“写”,把信息代码从存储器中取出,称为“读”。  (2)存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间(或读写时间),而连续启动两次...
  • 时钟周期 时钟周期也称为振荡周期,定义为时钟频率的倒数。时钟周期是计算机中最基本的、最小的时间单位。在一个时钟周期内,CPU仅完成一个最基本的动作。时钟周期是一个时间的量。时钟周期表示了SDRAM所能运行的...
  • 通常以存取周期作为基准时间,即内存中读取一个指令字的最短时间作为机器周期。在存储字长等于指令字长的前提下,取指周期也可是视作机器周期。 时钟周期: 通常称为节拍脉冲或T周期。处理操作的最基本单位,即CPU...
  • 存储器分类以及周期

    2020-07-21 14:25:34
    本文章是关于存储器分类以及周期
  • 一个8K8位的动态RAM芯片,其内部结构 排列成256256形式,存取周期为0.1s试问采用 集中刷新分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔 各为多少? 解:采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms,其中 刷新死时间为:2560.1ps=25.6s 采用...
  • 一个8K8位的动态RAM芯片其内部结构排列成256256形式存取周期为0.1s试问采用集中刷新分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少 解采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms其中刷新死时间为2560.1s=25.6s 采用分散刷新...
  • 指令周期,机器周期(CPU周期),时钟周期 关系

    万次阅读 多人点赞 2018-12-18 15:38:39
    指令周期:从主存中取出并执行一条指令所需完整时间; 机器周期(CPU周期):完成一个基本操作所需时间,基本操作包括:取值、间址、执行、...ps:存取周期:存储器进行两次独立存储器操作所需最小的时间间隔。 ...
  • 读/写周期、读/写时间、存储周期和存储时间之间的关系 参考SRAM的时序电路图 读周期指对芯片两次连续读操作的最小时间间隔(图中的tRC);读时间表示进行一次存储器读操作的时间(图中tA),显然读时间小于读周期 写...
  • 已知cache 命中率 H=0.98,cache的存取速度是主存的4倍,已知主存存取周期为200ns,求平均访问时间。 z Cache Hit: 50 * 0.98 = 49, Cache Miss: 50 * 0.02 + 200 * 0.02 = 5, Total : 49 + 5 = 54。
  • 单位:字节/秒,字/秒,位/秒 例如:存取周期是500ns,每个存取周期可访问16位,则带宽是32M位/秒 (4)半导体存储芯片简介 由于半导体存储器是由许多芯片组成的,为此需用片选信号来确定哪个芯片被选中。...
  • ④内存延迟 内存的延迟时间(也就是所谓的潜伏期,从FSB到DRAM)等于下列时间的综合:FSB同主板芯片组之间的延迟时间(±1个时钟周期),芯片组同DRAM之间的延迟时间(±1个时钟周期),RAS到CAS延迟时间:RAS(2-3个时钟...
  • 若存储器的数据总线宽度为32位,存取周期为200ns,则存储器的带宽是多少? 存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。 存储器带宽 = 1/200ns ×32位 = 160M位/秒 = 20MB/秒 = 5M字/秒 注意:字长32位,...
  • DRAM的三种刷新方式的刷新周期问题

    千次阅读 2020-06-18 23:16:10
    不进行存储器的读/写操作,其存储单元内的原信息将会慢慢消失,为此,必须采用定时刷新的方法,它规定在一定的时间内,对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新,一般取2ms,即刷新周期(再生周期)。 刷新与行地址...
  • 指令执行周期

    千次阅读 2020-12-22 15:07:19
    IPC ( Instruction Per Clock) 即CPU 每一时钟周期内所执行的指令多少 HPC ( High Performance Computing) 高性能计算机群 基本上一条指令一个周期。 访问内存的操作往往要 3个以上指令周期,带MMU和cache的就...
  • 某计算机系统的内存储器由 cache 和主存构成,cache 的存取周期为 45ns,主存的存取周期为 200ns。已知在一段给定的时间内,CPU 共访问内存 4500 次,其中 340 次访问主存。 问: (1)cache 的命中率是多少? (2)...
  • 第四章 存储器 一、概述 存储器的运行速度对计算机的运行速度有很大影响 DMA方式提高了存储器的地位 ...(3)按数据存取方式分类 ​ ①直接访问 ​ 访问时间不随访问位置变化。 ​ ②串行访问 ​ 访问时
  • 计算机组成原理答案

    万次阅读 多人点赞 2018-12-19 21:11:27
    解:存取周期和存取时间的主要区别是:存取时间仅为完成一次操作的时间,而存取周期不仅包含操作时间,还包含操作后线路的恢复时间。即: 存取周期 = 存取时间 + 恢复时间   5. 什么是存储器的带宽?若...
  • 芯片时间周期的说明

    千次阅读 2020-05-09 19:40:15
    asm(“nop”)执行的是一条空指令(单周期指令),占用时间是一个机器周期,晶振为32Mhz。 于是,机器周期=12*1/32=0.375us。即一句asm(“nop”)延时了0.375us。(一个机器周期是12个时钟周期的芯片) 时钟周期: ...
  • 计算机组成原理 第 4 章

    千次阅读 2020-09-14 16:09:06
    第 4 章 存储器 ...(1)存取时间与物理地址无关(随机访问) 随机存储器 在程序的执行过程中 可读可写 只读存储器 在程序的执行过程中 只读 (2)存取时间与物理地址有关(串行访问) 顺序存取存储器 磁带 直
  • RAM刷新周期问题

    万次阅读 2015-05-27 12:59:39
    1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为128us。 2、分散式刷新,将...
  • 北邮803是单独出题,与408不同,本资源是北邮自主命题的2017年计算机学科基础综合803考研真题,完整,高清,PDF

空空如也

空空如也

1 2 3 4 5 ... 20
收藏数 82,845
精华内容 33,138
关键字:

存取周期