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  • 数字后端基本概念介绍——Macro

    千次阅读 2019-10-09 11:05:46
    今天要介绍数字后端基本概念是Macro,中文名宏单元。这是设计中最常见的一个单元了,Macro是一个宽泛的概念,通常我们把它分为硬核(Hard Macro)和软核(So...

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    今天要介绍的数字后端基本概念是Macro,中文名宏单元。这是设计中最常见的一个单元了,Macro是一个宽泛的概念,通常我们把它分为硬核(Hard Macro)和软核(Soft Macro)。硬核就是我们最常见的Hard Marco,包括Memory,PLL等各种IP,他的逻辑在自己本身内部已经集成好,对于core本来来说并不可见。而软核就是包含逻辑的一层hierarchy,通常是place&route好的partition。下图就是一个常见的hard macro。

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    Macro有他自己单独的lef,里面会定义它的形状以及pin的位置等等信息。

    MACRO PLLCLK

      CLASS BLOCK ;

      FOREIGN PLLCLK 0 0 ;

      ORIGIN 0 0 ;

      SIZE 300.00 BY 280.00 ;      Macro形状

      SYMMETRY X Y R90 ;

      PIN ib

        DIRECTION INPUT ;

        USE SIGNAL ;

        PORT

          LAYER Metal1 ;

          RECT   0.00 181.00   0.30 182.00 ;    Macro Pin位置

          END

        END ibias

      PIN clk

        DIRECTION INPUT ;

        USE SIGNAL ;

    ....

    Macro的位置,我们在布局规划介绍会决定,通常这是很重要的一个步骤,Macro的位子决定了设计时序的收敛与否。

    这个概念比较简单,就不过多介绍了~~


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  • 数字后端基本概念介绍——Row

    千次阅读 2019-10-09 11:05:40
    今天要介绍数字后端基本概念是Row。我们知道row是表征Floorplan横向排列的一个重要网格,可以将它解释为“排”,它对std cell的摆放起着限制约束作用。Ro...

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    今天要介绍的数字后端基本概念是Row。我们知道row是表征Floorplan横向排列的一个重要网格,可以将它解释为“排”,它对std cell的摆放起着限制约束作用。Row是placement的基础,因为需要摆放std cell的地方,就必须要首先创建row。下面我们来介绍下Row的各个内容和属性。

    Row是由SITE组成的。SITE定义的是最小的布局单位。如下图所示

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    我们可以在Lef中找到Site定义:

    SITE unit_8t                       site名字

      CLASS CORE ;               site类别

      SYMMETRY X Y ;           site方向

      SIZE 0.100 BY 0.640 ;    site宽度,高度

    END unit_8t

    SITE的类别通常分为core和pad,分别对应着std cell的row和io cell的row。SITE的方向通常有X,Y,R90三个参数。X代表可以沿X轴翻转,Y代表可以沿Y轴翻转,R90代表可以任意翻转。SIZE定义了site的宽度,通常std cell都是site的整数倍高度,宽度。

    有了SITE定义以后,我们就可以生成最基本的row了,如下图所示:

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    Row也有自己的方向,如上图箭头所示,通常相邻的row会相互abut并且flip,这样相邻site可以共用一根电源线,节省Power资源。

    所有std cell都必须snap到row上面,这是最基本的place规则。

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    默认的std cell摆放方向遵从Row的方向,即方向箭头一致,但是根据cell本身的symmetry,std cell的摆放位置也可以有如下选择:

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    这是最常见的row,实际design中,我们还能经常见到一些其他种类的row。

    常见的有double height,trible height的row,用来摆放两倍高,三倍高的cell。

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    这边值得注意的是,一般我们只允许创建整数倍高的row,而在Voltage island中,我们允许创建非整数倍高的Row,比如默认电压区域用的是9T单元,而在Voltage island中我们使用了12T的cell,这时候就需要创建非整数倍高度的row。如下图所示

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    回家作业

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    1. site大小不一样,比如同一工艺下,78cpp和84cpp,是如何影响cell的面积功耗速度的?

    2. 如果row方向不flip,会有什么坏处?


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  • 数字后端基本概念介绍——Track

    千次阅读 2018-08-22 23:43:39
    今天要给大家介绍数字后端基本概念是Track。Track是指走线轨道,和row一样,可以约束走线器的走线方向。信号线通常必须走在track上。Std Cell的高度通常用metal2 track pitch来表示,常用的 std cell 库有 7T /9T ...

    转自http://www.sohu.com/a/207468703_99933533

    今天要给大家介绍的数字后端基本概念是Track。Track是指走线轨道,和row一样,可以约束走线器的走线方向。信号线通常必须走在track上。Std Cell的高度通常用metal2 track pitch来表示,常用的 std cell 库有 7T /9T /12T,就是以 track 来区分的, 9T 就是说 std cell 的高度范围内可以走九条线,所以一般来讲, 7T cell 的 size 最小, 9T cell 的 size 稍大。

    下图中五颜六色的线条就是每层layer上定义的track走线轨道

    通常我们在design的technology lef中定义Track的属性,如下图所示:

    LAYER M1

    TYPE ROUTING ;

    DIRECTION VERTICAL ;

    PITCH 0.090 0.064;

    OFFSET 0.000 0.000;

    MAXWIDTH 2 ;

    WIDTH 0.032 ;

    上述M1 layer的定义中,TYPE ROUTING代表这是一层走线层,我们还有其他的type包括Implant,Masterslice等。

    DIRECTION代表这层Metal prefer走线方向,这边值得注意的是,每层track会分为pref track和non pref track。pref track就是这层layer上主流的走线方向,那剩下的non pref track就是非主流方向。因此上述例子中的主流走线方向就是vertical(纵向),非主流就是横向(honrizontal)。通常。走non-pref track的wire会比较宽,这样就比较占用绕线资源。所以,一般不推荐使用non-pref track。特别是在先进工艺的设计中,绕线资源极其紧张,一般很少用到non-pref track.

    PITCH就是每条track之间的间距,上述例子中,垂直方向间距是0.09,水平方向是0.064.

    OFFSET就是第一条track偏离起始点的距离

    WIDTH就代表默认这层layer上wire的宽度,MAXWIDTH就代表最高不能超过多少width

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  • 数字后端基本概念介绍<DPT>

    千次阅读 2019-10-09 11:08:08
    今天要介绍数字后端概念是DPT,全称Double pattern Technology。这是在20nm以下制程中出现的一种新技术。大家知道,随着芯片工艺尺寸不断减小,每...

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    今天要介绍的数字后端概念是DPT,全称Double pattern Technology。这是在20nm以下制程中出现的一种新技术。大家知道,随着芯片工艺尺寸不断减小,每层金属(metal)的间距也变得越来越小,传统的光刻技术已经无法保证设计要求的精确性。为了解决这个问题,我们在刻同一层metal的时候,用两套掩膜板(mask)加以区别,如下图所示

    640?wx_fmt=jpeg

    蓝色代表Mask A:

    红色代表Mask B:

    那我们如何给这一metal层上的routing分配mask呢?这要根据lef 里面SAMEMASK rule的定义,

    –SPACING… SAMEMASK

    –SPACING… ENDOFLINE … SAMEMASK …

    –SPACINGTABLEPARALLELRUNLENGTH SAMEMASK …

    –EOLEXTENSIONSPACING… SAMEMASK …

    举个最简单的spacing rule例子,如果两条相邻的wire之间的距离小于我们这里的定义,那说明这两条wire需要分配到不同的掩膜板,即在GUI 上我们会看到它们会打上不同的颜色。下图中,红色代表Mask 1,黄色代表Mask 2

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    当芯片的制程进入20纳米以下后,DPT已经普遍应用于各个设计中,所以最基本的概念大家一定要明白,DPT进一步会影响设计中个步骤(Floorplan,Place, Routing...) 包括跟mask相关的各种Lef Rule,大家都要熟记于心。


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  • 数字后端基本概念介绍<Bump>

    千次阅读 2019-10-09 11:08:19
    今天我们要介绍数字后端概念是Bump。这是用于FlipChip技术的一种object,可以理解为“焊球”。用于倒置过来扣在封装板上的焊球。如下图所示:Bump通过RDL...
  • 数字后端基本概念介绍<Guide>

    千次阅读 2020-08-03 22:52:47
    今天我们要介绍数字后端基本概念是Guide。Guide是Floorplan中作用于module或者instance group的一种约束。在Innovus中,当你希望某个模块里面的in...
  • 数字后端基本概念介绍<沟道宽长比>

    千次阅读 2019-10-09 11:09:43
    今天要介绍数字后端概念是沟道宽长比。是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个基本概念。沟道(channel)是指场效应晶体管中源区和漏区之间的...
  • 数字后端基本概念介绍<阈值电压>

    千次阅读 2019-10-09 11:09:42
    今天要介绍数字后端基本概念是Vth阈值电压。这是CMOS集成电路的基本概念。通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。...
  • 数字后端基本概念介绍<Region>

    千次阅读 2020-08-03 22:52:47
    今天我们要介绍数字后端基本概念是Region。Region是Floorplan中作用于module或者instance group的一种约束。在Innovus中,当你希望某个模块里面的...
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    千次阅读 2020-08-03 22:52:47
    今天我们要介绍数字后端基本概念是Fence。Fence是Floorplan中作用于module或者instance group的一种约束。在Innovus中,当你希望某个模块里面的in...
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    千次阅读 2019-10-09 00:58:08
    今天我们要介绍数字后端概念是drc。全称design rule check。设计规则检查。这是后端布局布线完成后signoff的一个重要指标。版图完成后需要做物理验证(...
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    千次阅读 2019-10-09 00:58:07
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    千次阅读 2019-10-09 11:10:07
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    千次阅读 2019-10-09 11:10:00
    今天我们介绍数字后端概念是Power Ring。中文全称是电源环线。Power ring是指为了均匀供电,包围在标准单元周围的环形供电金属。如果供电的IO单元正好分布在...
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    千次阅读 2019-10-09 11:09:32
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    千次阅读 2019-10-09 11:08:54
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    千次阅读 2019-10-09 00:57:57
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    千次阅读 2019-10-09 11:01:57
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    千次阅读 2019-10-09 11:09:22
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    千次阅读 2019-10-09 11:07:10
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空空如也

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