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  • NAND Flash

    2015-11-08 15:09:04
    S3C2440,nand flash 控制器使用
  • nand flash

    2009-06-11 00:08:55
    samsung nand flash spec
  • Nand Flash

    2020-05-07 20:54:43
    该篇博客主要是介绍nand flash的基础知识,将会在一段时间内持续更新内容,如果读者发现内容有错漏,请留言,我会尽快更正相关内容。 六大nand flash厂商 三星电子(Samsung),SK海力士(SK Hynix),东芝半导体...

    该篇博客主要是介绍nand flash的基础知识,将会在一段时间内持续更新内容,如果读者发现内容有错漏,请留言,我会尽快更正相关内容。

    六大nand flash厂商

    三星电子(Samsung),SK海力士(SK Hynix),东芝半导体(Toshiba),西数(Western Digital),镁光(Micron),英特尔(Intel)。其中西数是通过收购闪迪(SanDisk)进入nand领域的,而东芝半导体已被东芝公司出售,现更名为铠侠(Kioxia)。

    nand flash接口标准

    nand flash接口标准现在分为两个阵营,一个是Samsung和Toshiba共同制定的Toggle DDR标准,一个是由Hynix、Inter、Micron、Phison、Sony、Spansion于2006年共同创建的ONFI(Open Nand Flash Interface)标准。在网络上找不到Toggle标准的资料,而关于ONFI标准,在写本篇博客时,已经更新到ONFI4.2了,详情可上ONFI官网下载查看。

    存储单元容量分类

    根据每个存储单元所能存储的数据量,将划分为SLC、MLC、TLC、QLC。
    SLC= Single-Level Cell,即1bit/cell,利用正、负两种电荷,一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。速度快,寿命长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格)。
    MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约5000-10000次擦写寿命。速度一般,寿命一般,价格一般。
    TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命。也有Flash厂家叫8LC,速度慢,寿命短,价格便宜。
    QLC = Quad-Level Cell,即4bit/cell,一个浮动栅存储4个bit的信息,速度最慢寿命最短。

    Maker Code

    每一颗nand flash都有几个字节大小的ID值,在这数byteID值中,第1 byte通常就是该flash的Maker Code,每家厂商都有自己对应的Maker Code,知道Maker Code就知道该flash是属于哪家厂商的,下表将列出部分厂商与Maker Code的对应关系

    厂商Maker Code
    三星电子(Samsung)ECh
    SK海力士(SK Hynix)ADh
    铠侠(Kioxia)(原东芝半导体)98h
    西数(Western Digital)没找到相关数据手册
    闪迪(SanDisk)45h
    镁光(Micron)2Ch
    英特尔(Intel)89h
    长江存储h
    旺宏电子(台湾)(MXIC)C2h
    意法半导体(ST)20h
    MIRA(智丰电子)92h
    ATO(韩国爱拓)9Bh
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  • NAND FLASH

    2013-09-12 15:42:32
    NAND FLASH控制器: 接. 口:nFCE CLE ALE nFRE nFWE FRnB I/O0-I/O15 nand flash controller的对外接口 During reset, Nand flash controller will get information about the connected NAND flash through ...

    NAND FLASH控制器:

    接. 口:nFCE CLE   ALE  nFRE nFWE FRnB I/O0-I/O15   nand flash controller的对外接口

    During reset, Nand flash controller will get information about the connected NAND flash through Pin status
    (NCON(Adv flash), GPG13(Page size), GPG14(Address cycle), GPG15(Bus width) – refer to PIN
    CONFIGURATION), After power-on or system reset is occurred, the NAND Flash controller load automatically the 4-
    KBytes boot loader codes. After loading the bootloader codes, the boot loader code in steppingstone is executed

     

     

     

    S3C2440A supports only software mode access. Using this mode, you can completely access the NAND flash
    memory.   The NAND Flash Controller supports direct access interface with the NAND flash memory.

    1.  Writing to the command register = the NAND Flash Memory command cycle

    2.  Writing to the address register = the NAND Flash Memory address cycle

    3.  Writing to the data register = write data to the NAND Flash Memory (write cycle)

    4.  Reading from the data register = read data from the NAND Flash Memory (read cycle)

    5.  Reading main ECC registers and Spare ECC registers = read data from the NAND Flash Memory

                                                            NOTE

        In the software mode, you have to check the RnB status input pin by using polling or interrupt.

     

    注意:NFDATA寄存器是一个32位的寄存器,读一次能获得4个字节的数据,可以将NFDATA变成一字节的buf

     


     

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  • NAND FLASH和NOR FLASH的区别

    万次阅读 多人点赞 2019-11-19 16:04:30
    NAND FLASH和NOR FLASH进行比较。

    在速度、容量和成本、易用性、耐久性等方面对NAND FLASH和NOR FLASH进行比较。

    1、速度

    在写数据和擦除数据时,NAND比NOR快得多,两者相差近千倍。(NAND支持整块擦写操作,所以快)

    读取数据时,NOR比NAND快,NOR以字或字节为单位进行读取,NAND要先向芯片发送地址信息进行寻址,才能开始读数据。

    2、容量和成本

    在面积和工艺相同的情况下,NAND FLASH容量比NOR要大得多,生产成本低,也更容易生产大容量的芯片。

    NOR型FLASH每个存储单元与位线相连,增加了芯片内位线的数量,不利于存储密度的提高。

    3、易用性

    NAND FLASH的I/O端口采用复用的数据线和地址线,必须先通过寄存器串行地进行数据存取,各个产品或厂商对信号的定义不同,增加了应用的难度。

    NOR FLASH有专门的地址引脚来寻址,较容易与其他芯片进行连接,另外还支持本地执行,应用程序可以直接在FLASH内部运行,可以简化产品设计。

    4、耐久性

    一般NAND擦写次数100万次,NOR擦写10万次。

    以上是笔者看资料(电子档无名PDF文档),整理的NAND FLASH和NOR FLASH的主要区别。

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  • 目录 ...1.2NAND Flash/SPI-Nand Flash烧写方法 2.eMMC的u-boot烧写方法 3.UFS u-boot烧写方法 1.Flash的u-boot烧写方法 1.1SPI-Nor Flash烧写方法 uboot# mw.b 0x420000000 0xff 0x100000...

    目录

    1.Flash的u-boot烧写方法

    1.1SPI-Nor Flash烧写方法

    1.2NAND Flash/SPI-Nand Flash烧写方法

    2.eMMC的u-boot烧写方法

    3.UFS u-boot烧写方法


     

    1.Flash的u-boot烧写方法

    1.1SPI-Nor Flash烧写方法

    uboot# mw.b 0x420000000 0xff 0x100000   /*对内存的初始化*/

    uboot# tftp 0x42000000 img.bin     /*img文件下载到内存*/

    uboot# sf probe 0                /*探测big初始化SPI-Nor flash*/

    uboot# sf erase 0x0 0x100000      /*擦除1M的大小*/

    uboot# sf write 0x42000000 0x0 0x100000  /*从内存写入SPI-Nor flash*/

     

    1.2NAND Flash/SPI-Nand Flash烧写方法

    uboot# nand erase 0 0x100000  /*擦除1M的大小*/

    uboot# mw.b 0x42000000 0xff 0x100000  /*对内存的初始化*/

    uboot# tftp 0x42000000 img.bin /*img文件下载到内存*/

    uboot# nand write 0x42000000 0 0x100000 /*从内存写到nand flash*/

     

    对比1.11.2的烧写方法:SPI-Nor flash的烧写命令是sf,并且有sf probe探测初始化flash这一步。nand flash的烧写方法,是nand,并且没有prob这一步。

     

    2.eMMC的u-boot烧写方法

    uboot# mw.b 0x420000000 0xff 0x100000   /*对内存的初始化*/

    uboot# tftp 0x42000000 img.bin     /*img文件下载到内存*/

    uboot# mmc write 0 0x42000000 0 0x800 /*从内存写入eMMC*/

     

    mmc write的说明:

    mmc write <device num> addr blk# cnt

    参数:

    <device num> :设备号

    addr:内存原地址

    blk#:目的块地址序号

    cnt:块的数目,块大小是512字节

     

    3.UFS u-boot烧写方法

    uboot# mw.b 0x420000000 0xff 0x100000   /*对内存的初始化*/

    uboot# tftp 0x42000000 img.bin     /*img文件下载到内存*/

    uboot# ufs write 0 0x42000000 0 0x100  /*从内存写入eMMC*/

     

    ufs write说明:

    ufs write <device num> addr blk# cnt

    参数:

    <device num> :设备号

    addr:内存原地址

    blk#:目的块地址序号

    cnt:块的数目,块大小是4KB

     

    对比emmcufs的烧写方法都是按照块写:emmc使用命令mmc,块大小是512字节。ufs使用的是nfs,块大小是4KB

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    2021-01-20 15:34:46
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    2009-11-29 18:13:40
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    2019-07-30 23:46:46
    NANDFLASH学习pdf文档和手册,里面包括文章所使用的论文和nandflash对应的手册。NANDFLASH学习pdf文档和手册,里面包括文章所使用的论文和nandflash对应的手册。
  • Bsp_nandflash.rar

    2019-08-21 16:51:13
    基于STM32F407ZG的nandflash底层的驱动,包括bsp_nandflash.c 和 bsp_nandflash.h
  • NandFlash详解

    万次阅读 多人点赞 2019-04-23 14:33:53
    学习结构如目录所示: 一、NAND FLASH概述 二、NAND FLASH的参数及物理结构 三、NAND FLASH的地址访问方法 四、NAND FLASH的操作方法 五、NAND FLASH的其他一些补充 一、Nand Flash的概述 1、Nand Flash...

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