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  • 1N60、1N60P 小电流低压降 肖特基二极管
  • SR6908A是一个模拟低压降二极管集成电路,结合一个外部开关,取代在高效率反激电压转换器中的肖特基二极管。该芯片将外部同步整流器(SR)MOSFET 的正向压降控制在40mV左右,当电压为负时立即将其关闭。在低输出电压...

    SR6908A是一个模拟低压降二极管集成电路,结合一个外部开关,取代在高效率反激电压转换器中的肖特基二极管。该芯片将外部同步整流器(SR)MOSFET 的正向压降控制在40mV左右,当电压为负时立即将其关闭。在低输出电压电池充电的应用中SR6908A可以为自己产生供电电压。可编程的振铃检测电路,防止 SR6908A在 DCM 和准谐振工作期间的错误开启。 SR6908A为节省空间的 TSOT23-6 封装。

    特点● 支持低边整流应用● 可低至Ov的宽输出电压范围工作● 无辅助线圈低输出整流下自供电工作。● 12V标准和5V逻辑电平SR MOSFETS方式工作。● 符合能源之星1W待机的要求。● <30ns 快速关闭和打开延迟时间。● <100uA 静态电流。● 支持 DCM,Quasi-Resonant 和 CCM 工作方式。● 典型笔记本适配器中电能节约达1.5W。● TSOT23-6 封装。
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    工作原理:SR6908A支持 DCM和准谐振反激变换器以及CCM模式下的工作。控制电路以正向模式控制栅极,当 SR MOSFET 电流降至零时,将栅极关闭。启动和 VDD 生成HVC是线性稳压器的输入,输出为VDD。VDD稳定在9.5V,为包括VG的SR6908A供电。这里的 HVC可以是低边整流的vOUT直流电压或者如 SR MOSFET的漏极交流电压。当HVC在 4.7以上时,线性稳压源的最大充电电流为70mA,对VDD端外部1uF电容充电。当HVC高于10.5V时,VDD稳压在9.5V。VDD以0.7V降压差跟随HVC(即VDD=HVC-0.7V)变化,直至HVC下降到4.7。当HVC降至4.7v以下时,来自VD的 40mA输出电流会给 VDD充电,稳压在 5.2V。 Under-Voltage Lockout (UVLO)当VDD 增加到4V以上时,SR6908A退出 UvLO 并启用。一旦VDD低于3.6V, SR6908A即进入睡眠模式,VG 保持在低电平。

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  • 肖特基二极管是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管,其主要特点是正向导通压小(约0.45V),反向恢复时间短和开关损耗小。但目前肖特基二极管存在的问题是耐压比较低,反向漏电流比较大,用于功率...
  • 二极管相关

    2020-05-27 21:40:30
    肖特基二极管的重要优点是低正向电压,这或多或少与低传导损耗密切相关,这使得 它们对于反向电压保护非常有用。 唯一的缺点就是它们的反向电压很低,并且它们的反向漏电流可以达到相当高的值 常见型号 1N5819...

    1、肖特基二极管(SBD)

    该二极管具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低。

    应用范围:低压、大电流输出场合用作高频整流,或在高频下进行检波和混频。

    肖特基二极管的重要优点是低正向电压降,这或多或少与低传导损耗密切相关,这使得

    它们对于反向电压保护非常有用。

    唯一的缺点就是它们的反向电压很低,并且它们的反向漏电流可以达到相当高的值

    常见型号

    1N5819 (SS14贴片)     

    1N5824 (SS54贴片)      SS54可以用SS34代替

    2、齐纳二极管(稳压二极管)

    用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管

    工作在反向击穿区。

    3、整流二极管

    1N4007  相关链接https://baike.baidu.com/item/1n4007/6970870#1

    4、检波二极管

    5、开关二极管

    6、变容二极管

    它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等

    7、快速恢复二极管(FRD)

    因其高耐压和高速性,所以多用于AC/DC转换器或逆变器电路

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  • 2.开启电压小,导通压小 缺点 1.反向击穿电压低 2.反向漏电流大 应用 适用于高频、低压、大电流电路 命名和型号 1.MBR系列 例:MBR10200CT M——Motorola品牌 B——Barrier势垒 R——Rectifier整流 10——10A正向...

    肖特基二极管

    区别

    普通二极管:P型半导体+N型半导体 形成PN结
    肖特基二极管:金属+N型半导体

    优点

    1.反向恢复时间小(<10ns)

    2.开启电压小,导通压降小

    缺点

    1.反向击穿电压低

    2.反向漏电流大

    应用

    适用于高频、低压、大电流电路

    命名和型号

    1.MBR系列
    例:MBR10200CT
    M——Motorola品牌
    B——Barrier势垒
    R——Rectifier整流
    10——10A正向额定整流电流
    200——200V反向耐压值
    C——TO-200封装
    T——Tube
    例:MBR D/B/F 10100CT
    D/B/F——封装形式

    2.按电流分类
    1A:
    1N17~1N19
    1S20~1S60
    1N5817~1N5819
    SR/SB120~180

    2A:
    SR/SB220~280

    3A:
    SR/SB320~380

    5A:
    SR/SB520~5100

    10A:
    MBR1035
    MBR1060

    整流二极管

    作用

    利用二极管单向导电性把交流电转换成直流电

    低频整流二极管

    特点:
    1.If正向额定电流大
    2.Vr反向耐压值高
    3.结电容大——不适合高频信号
    4.硅管——温度特性好
    例:1N40000系列,1N5400系列

    高频整流二极管

    要考虑If、Vr、fm最高工作频率、Trr反向恢复时间 四个参数

    快速恢复二极管(Trr在100n到300ns之间)
    FR、PFR小功率
    RC、MHR大功率

    肖特基二极管(Trr<10ns)

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  • 传统二极管整流问题

    2021-01-20 00:35:52
    快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低。  问题举例  但设采用3.3V甚至1.8V或1.5V的...
  • 特殊二极管

    2013-09-27 20:44:49
    一般地说,VZ为8V左右的稳压管的动态电阻较小,低于这个电压的,rZ随齐纳电压的下降迅速增加,因而低压稳压管的稳压性能较差。稳压管的稳定电压VZ,低的为3V,高的可达300V,它的正向压约为0.6V。 在稳压管稳压...
  • 二极管的分类及常用方法

    万次阅读 多人点赞 2017-09-13 16:23:26
    半天没搞清楚啥问题,直接USB供电正常运行,使用电池供电就发生3.3V和GND“短接”,各种测试濒临崩溃,最后发现是一个二极管加工时焊接错误,导致电池供电时在二极管上的压太大,更改成肖特基低压二极管,完美...

    前言:

    为了方便查看博客,特意申请了一个公众号,附上二维码,有兴趣的朋友可以关注,和我一起讨论学习,一起享受技术,一起成长。

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    前面调试一个板子,半天没搞清楚啥问题,直接USB供电正常运行,使用电池供电就发生3.3V和GND“短接”,各种测试濒临崩溃,最后发现是一个二极管加工时焊接错误,导致电池供电时在二极管上的压降太大,更改成肖特基低压差二极管,完美解决。所以借此总结一下二极管的常见使用方法。


    1.肖特基二极管

    1.1概念

    一般的PN结二极管是利用N型半导体与P型半导体形成的PN结制作而成。

    肖特基二极管(SBD)不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结(肖特基势垒)原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。组成如下图:

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    肖特基二极管的Schottky barriers(肖特基势垒)小于一般的PN结型二极管,所以正向导通所需的电压很低(0.2~0.5V)。肖特基二极管的反向恢复时间(trr)非常快,因为其不存在少数载流子的寿命问题,反向恢复电荷非常少,所以其开关频率特别高,可达100GHz。这些特性使得肖特基二极管在高频应用领域占有重要位置。

    1.2肖特基二极管的原理

    Schottky diode 是用**贵金属作为正极,N型半导体作为负极。**在N型半导体中掺杂了磷、砷等元素,所以N型半导体的多子为自由电子(Electronics),少子为空穴(Hole)。而贵金属中的自由电子较少,所以电子(Electronics)由N型半导体向金属扩散。因为金属中没有空穴(Hole)的存在,所以当电子不断向金属扩散,N型半导体得不到空穴补充所以带正电,贵金属端由于多了自由电子所以带负电。Schottky diode 就形成了一个从N型半导体指向贵金属端的内电场。如下图所示:

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    在内电场的作用下,贵金属端的电子漂移至N型半导体。随着漂移运动,内电场又逐渐被削弱,扩散运动增加。最后扩散运动与漂移运动达到平衡,在N型半导体与贵金属之间形成了Schottky barriers(肖特基势垒)。如下图。

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    施加正向电压: 当对肖特基二极管施加正向电压时,中间的空间电荷区减少,加剧扩散运动。如下图。

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    施加反向电压时:

    当对肖特基二极管施加反向电压时,在反向电压与内电场的共同作用下空间电荷区增加,扩散运动受抑。少量电子在外加电压与内电场的共同作用下从贵金属端漂移至N型半导体。N型半导体的电子因为空间电荷区的增大以及外加电场与内电场共同的影响无法穿过空间电荷区到达贵金属端,形成反向截止。

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    1.4肖特基二极管特性

    肖特基二极管(SBD)的主要参数有:IF(IO)正向电流(A)、VRRM反向耐压(V)、IFSM峰值瞬态浪涌电流(A)、IF测试电流(A)、VF正向压降(V)、IR反向漏电流(uA)。肖特基二极管属于低功耗、超高速的半导体器件。

    1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多,所以自身功耗较小,效率高。

    2.由于反向电荷恢复时间极短,所以适宜工作在高频状态下。

    3.能耐受高浪涌电流。

    4.以前的肖特基管反向耐压一般在200V以下,但现在最新技术可以做到高达1000V的产品,市场应用前景十分广阔。

    5.目前市场上常见的肖特基管最高结温分100℃、125℃、150%、175℃几种(结温越高表示产品抗高温特性越好,即工作在此温度以下不会引起失效)。

    6.反向漏电流比较大,所以没法做成高压的二极管。

    1.5肖特基二极管应用

    肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。 作用还是整流,其优势是正向压降低,反向恢复时间快,所以整体损耗会比其他的二极管低很多。

    肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路,作为低压、高频、大电流整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用,肖特基二极管在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

    2.快恢复二极管

    2.1概念

    能够迅速由导通状态过渡到关断状态的PN结整流二极管,称为快恢复二极管。快恢复二极管(简称FRD),是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下,从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

    快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,其反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压较高。快恢复二极管有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85ns的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。

    2.2特点

    反向恢复时间trr的定义是: 电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

    快速恢复二极管主要特点是这种二极管由导通转到截止所需要的时间非常短,这个时间称为反向恢复时间,反向恢复时间比较小的管子可明显降低开关时的功耗。此外还常常被用来产生快速上升的脉冲信号。高电平过渡到低电平,或者是从低电平过渡到高电平。

    2.3应用

    快速恢复二极管是介于肖特基和普通二极管之间的,它既有肖特基二极管的导通压降低(没有肖特基低),速度快,又有比较高的耐压(肖特基一般耐压很低),快恢复主要用于频率较高的场合做整流,比如开关电源的二次整流,用于市电的整流,逆变电源中做整流元件。快速恢复二极管的PN结较普通整流管要薄,在过瞬间大电流的能力较普通的为弱,尤其是在滤波电容过大的情况下,管子最大电流选择不当会在一瞬间烧毁快恢复的PN结。

    3.整流二极管

    3.1概念

    整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压(从25V到3000V),流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。

    这里写图片描述

    3.2整流二极管的常用参数

    (1)最大平均整流电流IF:

    指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。

    (2)最高反向工作电压VR:

    指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而 引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1000V。

    (3)最大反向电流IR:

    它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。

    (4)击穿电压VR:

    指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。

    (5)最高工作频率fm:

    它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。

    (6)反向恢复时间tre:

    指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

    (7)零偏压电容CO:

    指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其 参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极 管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA。

    3.3整流电路

    二极管电路中整流二极管的应用最为普遍。所谓整流二极管就是专门用于电源电路中将交流电转换成单向脉动直流电的二极管,由整流二极管构成的电路称为二极管整流电路。

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    4.TVS二极管

    4.1概念

    又称为瞬态抑制二极管,是普遍使用的一种新型高效电路保护器件,它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时,TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗,以吸收一个瞬间大电流,把它的两端电压箝制在一个预定的数值上,从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。

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    5.续流二极管

    5.1概念

    续流二极管由于在电路中起到续流的作用而得名,一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为“续流二极管”,它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏,以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端,并与其形成回路,使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗,从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用。

    5.2作用

    **续流二极管经常和储能元件一起使用,防止电压电流突变,提供通路。**电感可以经过它给负载提供持续的电流,以免负载电流突变,起到平滑电流的作用。在开关电源中,就能见到一个由二极管和电阻串连起来构成的的续流电路。这个电路续流二极管与变压器原边并联。当开关管关断时,续流电路可以释放掉变压器线圈中储存的能量,防止感应电压过高,击穿开关管。可见“续流二极管”并不是一个实质的元件,它只不过在电路中起到的作用称做“续流”。

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    6.防反接二极管

    通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。

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    可以直接串接一个压降低的二极管(肖特基二极管)。

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    图片地址:http://blog.163.com/fimnl_332804338/blog/static/22754406020139273537847/


    以后再继续总结…

    参考:

    1.肖特基二极管原理

    2.肖特基二极管原理和应用

    3.快恢复二极管在使用上有哪些优势

    4.快恢复二极管的作用分析

    5. 肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别

    6.整流二极管

    7.常见的二极管整流电路

    8.续流二极管

    9.二极管基本知识

    展开全文
  • 肖特基二极管的作用

    2019-09-18 20:44:30
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  • 肖特基(Schottky)... 正向压比PN结二极管低,约为后者的1/2~1/3,典型值为0.45~0.55V,新型低压的可以低达0.32V;反向电压较低,在数十伏以下的较多(最高200 V),适用于低电压的电路中。  2)硅SBD的关断
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  • LTC4352 调节外部 N 沟道 MOSFET 上的正向压,以确保在二极管“或”应用中电源之间平滑传送电流。在低压系统中,控制器之间的慢切换导致在电源切换时的电压下降。快速 500ns 接通时间和仔细设计的 LTC4352 确保从...
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  • LS型TTL负载

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  • 1N4148、1N5819、1N4007的区别

    万次阅读 2013-07-13 11:43:02
     高频、低压、大电流特性是1N5819二极管与普通二极管的不同点,它广泛被应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流,续流、保护二极管使用。  1N5819的特点是速度超快(开关损耗低),压...
  • 图1为一具有“二极管或”功能的电路,用于主电源和...在VIN1通道,二极管电压会造成供电电源超出容限:3.3V 10%,即最小2.97 V,所以典型二极管(0.6V)使VIN1超出10%限值。对低压电源供电的存储器IC容限问题更严重
  • 最近在做模拟,分享一点所得。 模拟信号的解调可用于通信、小信号提取等。总结了几个电路,一起看看。 1 ...这个就是教科书上的图啦,当然是理想状况分析啦。...这个电路测试中,半波效果不错,用低压降的...
  • 德州仪器 (TI) 宣布推出业界最小双组低压降 (LDO) 稳压器,以支持多种便携式应用中的发光二极管 (LED) 照明,其中包括移动电话、导航系统、MP3 以及媒体播放器等。该款支持高质量彩色背景照明的器件采用 1.2 毫米 ×...

空空如也

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低压降二极管