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  • 地址引脚和数据引脚
    2022-08-05 15:44:54

    N沟道MOSFET–KNX42150A漏源击穿电压高达1500V,漏极电流最大值为3A,适用于变频器电源,逆变器,DC-DC转换等。

    高压MOS管KNX42150的开启延迟典型值为30nS,关断延迟时间典型值为45nS,上升时间65nS,下降时间60nS,反向传输电容11pF,具有极快的开关速度,可靠性高。2sk2225代换。反向恢复时间410nS,正向电压的典型值1.6V。

    该MOS管的导通阻抗典型值为6.5Ω。最大功耗为50W,最大结温为150℃。2sk2225代换。此产品的储存温度在-55到150℃,可适用于大部分环境。

    STFW3N150管脚功能
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