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  • NAND Flash SLC、MLC技术解析

    千次阅读 2012-09-29 10:46:39
     要认清问题,首先要搞明白什么是SLC和MLC,它们属于两种不同类型的NAND FLASH存储器,用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell,即单层单元闪存,而MLC全称则是Multi-Level ...

    什么是SLC和MLC

           要认清问题,首先要搞明白什么是SLC和MLC,它们属于两种不同类型的NAND FLASH存储器,用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell,即单层单元闪存,而MLC全称则是Multi-Level Cell,即为多层单元闪存。它们之间的区别,在于SLC每一个单元,只能存储一位数据,MLC每一个单元可以存储两位数据,MCL的数据密度要比SLC大一倍。
    从名次解释上来看,当然MLC密度要大,自然有其优势,成本上来说,MLC也具有很大的优势。据了解,不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程,今年8月,三星正式从SLC转向MLC,今年10月份,三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。目前三星采用的芯片编号为K9G******   K9L*****的芯片为MLC芯片,而现代采用编号为:HYUU****   HYUV***芯片也是MLC芯片。
    不过尽管MLC有其自身的优势,但是也掩饰不了其缺点。
           1、读写效能较差
           相比SLC闪存,MLC的读写效能要差,SLC闪存约可以反复读写10万次左右,而MLC则大约只能读写1万次左右,甚至有部分产品只能达到5000次左右。
           2、读写速度较慢
           在相同条件下,MLC的读写速度要比SLC芯片慢,目前MLC芯片速度大约只有2M左右。
           3、能耗较高
           在相同使用条件下,MLC能耗比SLC高,要多15%左右的电流消耗。
    这些原因,很大程度上是取决于MLC制式改变,需要新的控制芯片支持,而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计,MLC就会带来各种问题,包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。今年大批量SD卡被招回的风波,就是因为转用MLC芯片,没有新的主控芯片支持惹的祸,造成了很大的影响。
     随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产,MLC芯片应用也越来约广泛,由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大,对主控芯片的要求也越来越高。读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率,对于视频和音频这样的应用来说,必需具备控制芯片和ECC校验机制,目前有的主控芯片通过纯软件校验,这样,无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bit ECC校验和软件校验相结合,从而减轻了主控负担,但是这只是在一定程度上减少出错的几率,MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。
    MLC在架构上取胜SLC,很多厂商目前都MLC做了很多的优化和开发,未来可能将是一个主流方向,但目前来说技术还不是很成熟。而成本上来说,MLC要便宜SLC芯片,所以不少厂商在原有架构上选用了MLC芯片,但却没有增加控制芯片或者ECC校验,使得不少问题则由此而生,使得不少行业人士也惊呼MLC为“黑芯”。所以目前大家在选购MP3、闪存盘等数码产品的时候,不能一味的只看价格,而需要更多层面的去考虑。到底选择SLC还是MLC芯片好?我们欢迎大家在下面发表自己的评论。

    转自:http://blog.163.com/fengtao_zhang@126/blog/static/1694016252012620103357465/

    到6410才讨论SLC,MLC,Mini2440用的是SLC还是MLC呢?

           Mini2440具备两种Flash,一种是 Nor Flash,型号为 SST39VF1601(AMD29LV160DB与此引脚兼容),大小为 2Mbyte;另一种是 Nand Flash,型号为 K9F1G08,大小为128M(旧版本为 K9F1208,大小为 64Mbyte)。S3C2440支持这两种 Flash启动系统,通过拨动开关 S2,你可以选择从NOR还是从 NAND启动系统。 实际的产品中大都使用一片 Nand Flash 就够了,因为我们为了方便用户开发学习,因此还保留了Nor Flash。 

           1.K9F系列的是SLC结构的NANDFLASH
           2.K9G系列的是MCL结构的NANDFLASH
           6400/6410对SLC/MLC的NANDFLASH都支持
           SLC的页还有512BYTE和2K BYTE之分,不同的页大小就要对应调OM[0:4]的那几个电阻了
           MLC的页很多只有2K BYTE的

    http://topic.csdn.net/u/20090210/20/2a71bcbb-3260-41ad-81ba-0c3f38eec306.html

           其实是SLC!

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  • nandflash SLC与MLC比较

    千次阅读 2012-02-08 17:41:23
    SLC和MLC(现在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM )SLC是Single level cell的缩写,意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell,意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则...

    K9F4G08U0D结构图:

    SLC和MLC(现在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM )SLC是Single level cell的缩写,意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell,意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。 SLC的技术存储比较稳定,SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据,这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据,也就是成本相同的情况下,容量可以做的更大,这也是同样容量,MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC,MLC的价格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。

    1、 看Flash的型号:根据Flash的命名规则,进行区分。 2、 测试读写速度:SLC的非常快,MLC的很慢。 3、 进行格式化,看是否稳定:

    MLC的理论可写入次数仅为1万次左右,SLC的可达到10万次左右。

    NAND Flash SLC、MLC技术

    什么是SLC?

    SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存,单级单元 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。

    SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术。

    什么是MLC?

    MLC英文全称(Multi Level Cell——MLC)即多层式储存,多级单元。主要由东芝、Renesas、三星使用。

    英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案,可大幅节省制造商端的成本,但是MLC NAND颗

    粒制成的CompactFlash卡相较于SLC(Single-Lecel_Cell)内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点,MLC颗粒制成的产品只有10X(1.5Mbyte/sec)的写入速度,SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X(3.2Mbyte/sec)的写入速度。


    另外有报道,三星等公司正在加紧开发每cell可以存储3-4bits的 mlc nand flash。
     
    与SLC比较MLC的优势:
    签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,容量大,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设
    备,拥有成本与良率的优势。

    与SLC比较MLC的缺点:

    MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以存取10万次,而MLC架构只能承受约1万次的存取。
    其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到2MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
    再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
    虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足未来2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。 

    如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。

    SLC与MLC的识别:
    一看传输速度比如有两款采用Rockchip芯片的产品,测试时写入速度有2、3倍优势的应该是SLC,而速度上稍慢的则是MLC。即使同样采用了USB2.0高速接口的MP3,也不能改变MLC写入慢的缺点。


    二看FLASH型号
    一般来说,以K9G或K9L为开头型号的三星闪存则是MLC,以HYUU或HYUV为开头型号的现代闪存应是MLC。具体芯片编号以三星和现代为例:三星MLC芯片编号为:K9G******    K9L*****。现代MLC芯片编号为:HYUU****    HYUV***这些都可以在

    官网上查到。
      总之,如果说MLC是一种新兴的闪存技术,那么它的“新”就只体现在:成本低!
    虽然MLC的各项指标都落后于SLC闪存。但是MLC在架构上取胜SLC,MLC肯定是今后的发展方向,而对于MLC传输速度和读写

    次数的问题已经有了相当多的解决方法,例如采用三星主控芯片,wear leveling技术,4bit ECC校验技术,都可以在采用MLC芯片的时候同样获得很好的使用效果,其性能和使用SLC芯片的没有什么差别,而会节省相当多的成本.

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  • NAND FLASH的MLC和SLC架构区别
  • SLC 和MLC分别是是Single-Level Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写,SLC的特点是成本高、容量小、速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍。...

    SLC 和MLC分别是是Single-Level Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写,SLC的特点是成本高、容量小、速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍。不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。

    存储单元分为两类:SLC(Single-Level Cell 单层单元)和MLC(Multi-Level Cell多层单元)。此外,SLC闪存的优点是复写次数高达100000次,比MLC闪存高10倍。此外,为了保证MLC的寿命,控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个 存储单元的写入次数可以平均分摊,达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。
    对MLC和SLC两大架构现在网上存在一个普遍的认识误区,那就是大家都认为MLC架构的 NAND闪存是劣品,只有SLC架构的NAND闪存才能在质 量上有保障。我们先来回忆一下MLC的发展历程以及SLC目前的发展状况再来给这个假设做定论吧。
    MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始,当时作为NAND Flash的主导企业三星电子 对此架构很是不屑,依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit和 8Gbit NAND Flash,显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。三星电子长期以来一直倡导SLC架构,声称SLC优于 MLC,但该公司于2004和2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任 何营销材料,但此时却已经开发出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。该产品的裸片面积是156mm2,比东芝的90nm工艺MLC NAND闪存大 了18m㎡。两家主流NAND闪存厂商在MLC架构上的竞争就从这时开始正式打响了。除了这三星和东芝这两家外,现在拥有了英特尔MLC技术的IM科技 公司更是在工艺和MLC上都希望超越竞争对手,大有后来者居上的冲劲。MLC技术的竞争就这样如火如荼地进行着。
    另一方面我们再来看看SLC技术,存取原理上SLC架构是0和1两个充电值,即每Cell只能存取1bit数据,有点儿类似于开关电路,虽然简单但却 非常稳定。如同电脑的CPU部件一样,要想在一定体积里容纳更多的晶体管数,就必须提高生产工艺水平,减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问 题,要想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术,这就意味着厂商必须更换现有的生产设备,投入大不说而且还是个无底洞。而MLC架构可以一次 储存4个以上的充电值,因此拥有比较好的存储密度,再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量,厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证,自 然比SLC架构更受欢迎。
    既然MLC架构技术上更加先进,同时又具备成本和良率等优势,那为什么迟迟得不到用户的认同呢。除了认识上的误区外,MLC架构NAND Flash 确实存在着让使用者难以容忍的缺点,但这都只是暂时的。为了让大家能更直观清楚地认识这两种架构的优缺点,我们来做一下技术参数上的对比。
    首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入,而SLC架构可承受约10万次,是MLC的10倍。这其中也存在一个误区,网上很多媒 体都有写MLC和SLC知识普及的文章,笔者一一拜读过,可以说内容不够严谨,多数都是你抄我我抄你,相互抄来抄去,连错误之处也都完全相同,对网友很不 负责。就拿存取次数来说吧,这个1万次指的是数据写入次数,而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响,但绝非像写入那样严 重,这个寿命值正随着MLC技术的不断发展和完善而改变着。MLC技术并非一家厂商垄断,像东芝(Toshiba)已生产了好几代MLC架构NAND闪 存,包括前不久宣布和 美国SanDisk公司共同开发的采用最先进56nm工艺的16Gb(2gigabyte)和 8Gb(1gigabyte)MLC NAND闪存,16Gb是单芯片的业内最大容量。
    东芝在MLC闪存设计方面拥有经验与技术,去年东芝利用90nm工艺与三星的73nm产品竞争。东芝90nm MLC闪存的位密度达 29 Mbits/ mm2,超过了三星的73nm闪存(位密度为25.8 Mbits/mm2)。对于给定的存储密度,东芝闪存的裸片面积也比三星的要 小。例如东芝的4-Gbit 90nm NAND裸片面积是138 mm2,而三星的4-Gbit 73nm NAND裸片面积是156 mm2,这使东 芝在成本方面更具竞争力。三星方面现在正奋起直追,与东芝之间的竞争异常激烈。再加上IMFT、海力士等厂商的参与,MLC技术发展势头迅猛,今天 MLC NAND Flash写寿命还只有1万次,明天也许就会是2万次、3万次甚至达到与SLC同等级别的10万次,这是完全有可能的。
    拿MLC NAND Flash的写寿命我们一起来算笔帐,假如近期笔者购买了一款2GB容量 MP3播放器,闪存是东芝产的MLC架构 NAND Flash,理论上只能承受约1万次数据写入。笔者是个疯狂的音乐爱好者,每天都要更新一遍闪存里的歌曲文件,这样下来一年要执行365次数据 写入,1万次可够折腾至少27年的,去除7年零头作为数据读取对闪存寿命的损耗,这款MP3播放器如果其它部件不出问题笔者就可以正常使用至少20年。 20年对于一款电子产品有着怎样的意义?就算笔者恋旧,也不可能20年就用一款MP3播放器吧。况且就算是SLC架构,闪存里的数据保存期限最多也只有 10年,1万次的数据写入寿命其实一点儿也不少。
    其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区,所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的,闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据 的读取、擦除或是重新写入的速度。可能你会拿现成的例子来辩驳,为什么在同样的控制芯片、同样的外围电路下SLC速度比MLC快。首先就MLC架构目前与 之搭配的控制技术来讲这点笔者并不否认,但如果认清其中的原因你就不会再说SLC在速度方面存在优势了。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术,与之相 匹配的控制芯片技术上已经非常成熟,笔者评测过的SLC产品数据写入速度最快能达到9664KB/s( KISS KS900),读取速度最快能达到13138KB/s( mobiBLU DAH-1700), 而同样在高速USB2.0接口协议下写入速度最慢的还不足1500KB/s,读取速度最慢的也没有超过2000KB/s。都是SLC闪存芯片,都是高速 USB2.0接口协议,为什么差别会如此大。笔者请教了一位业内资深 设计师,得到的答案是闪存控制芯片效能低,且与闪存之间的兼容性不好,这类产品不仅速 度慢而且在数据操作时出错的概率也大。这个问题在MLC闪存刚投入市场时同样也困扰着MLC技术的发展,好在去年12月我们终于看到了曙光。这就是擎泰科 技(Skymedi Corporation)为我们带来的新一代高速USB2.0控制芯片SK6281及SD 2.0/MMC 4.2的combo快闪 记忆卡控制芯片SK6621,在MLC NAND闪存的支持与速度效能上皆有良好表现。其所支持的MLC芯片已经达到了Class4的传输速度。
    MLC NAND Flash自身技术的原因,只有控制芯片效能够强时才能支持和弥补其速度上的缺点,支持MLC制程的控制芯片需要较严格的标准,以 充分发挥NAND闪存芯片的性能。擎泰科技所推出的系列控制芯片经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对较正,已能支持目前市场主流的MLC 闪存,如英特尔JS29F16G08CAMB1、JS29F08G08AAMB1,三星K9G4G08U0A、K9G8G08U0M、 K9LAG08U0M、K9HBG08U1M,东芝TC58NVG2D4CTG00、TC58NVG3D4CTG00、TH58NVG4D4CTG00, 美光(Micron)、海力士(Hynix)等等。此外,藉由良好的韧体设计,可大幅提升性能,达到最高的存取速度,例如:SK6621支持MLC可到 Class4水准,其所支持SLC皆可支持到Class6的传输速度。SK6281还达到了Vista ReadyBoost速度的需求 (Enhanced for Windows ReadyBoost),且支持单颗MLC时可达22MB/s的读取速度及6MB/s的写入速度,综合下来 并不比SLC慢多少。你手上的MP3播放器USB传输速度慢并不全是因为闪存芯片采用了MLC架构,它与控制芯片的关系要更加密切一些。
    第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据,故只有高和低2种电平状态,使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存 放多个bit,即电平至少要被分为4档(存放2bit),所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。最近传来好消息,英特尔新推出的65纳米MLC写入速 度较以前产品提升了二倍,而工作电压仅为1.8V,并且凭借低功耗和深层关机模式,其电池使用时间也得到了延长。
    第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态,这种技术能提供快速的程序编程与读取,简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样, 只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态(以每Cell存取2bit为例), 这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路,而是要控制 四种不同的状态,这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求,而且一旦出现错误,就会导致2倍及以上的数据损坏,所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更 高的要求。目前一些MP3主控制芯片已经采用了硬件4bit ECC校验,这样就可以使MLC的出错率和对机器性能的影响减小到最低。
    第五是制造成本。为什么硬盘容量在成倍增大的同时生产成本却能保持不变,简单点说就是在同样面积的盘片上存储更多的数据,也就是所谓的存储密度增大 了。MLC技术与之非常类似,原来每Cell仅存放1bit数据,而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据,这些都是在存储体体积不增大的前提下实现 的,所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。
    综上所述,MLC技术是今后NAND Flash的发展趋势,就像CPU单核心、双核心、四核心一样,MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实 现容量上的成倍跨越,直至更先进的架构问世。而SLC短期内仍然会是市场的佼佼者,但随着MLC技术的不断发展和完善,SLC必将退出历史的舞台。

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  • SLC:每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低而成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit...

    1.固态硬盘性能指标:

    顺序读写seq

            顺序读写是我们日常使用电脑做一下数据的拷贝,转移时常见的操作,这是读写的过程都是有规律的序列。所以一般SSD的顺序读取速度都是不会太慢的。

    4K随机读写(4K)

            4K随机读写一般是指在系统级别的操作,比如系统开关机,调用软件运行等操作时的读写速度,因为这些操作调用的数据都是无规律的小数据,而4KB是目前系统内不受压缩的最小数据块规模,所以才将4K读写作为一个测试的指标。4K的读写速度越快,说明系统的运行越流畅,反过来也说明SSD的性能越强。

    访问延迟(Acc.time)
            一般指系统调用硬盘数据时需要的时间,一般的SSD的访问延迟都是低于1ms的,速度是传统机械硬盘的一千倍左右。这也是SSD做系统盘之后我们都可以感受的提升巨大的原因。越高端的SSD的访问延迟越低
    IOPS
            IOPS指单位时间内系统能处理的I/O请求数量,一般都是以每秒的I/O请求处理量为基准,IOPS数值越高,说明系统处理速度越快,SSD的性能也越强。

    2.解析:

    存储基质: 浮栅晶体管   

    SLC:每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低而成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。

    MLC:每个cell单元存储2bit信息,需要更复杂的电压控制,有00,01,10,11四种变化,这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。

    TLC:每个cell单元存储3bit信息,电压从000到001有8种变化,容量比MLC再次增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,P/E编程时间长,写入速度慢,P/E寿命也降至1000-3000次,部分情况会更低。寿命短只是相对而言的,通常来讲,经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。

    QLC:或者可以叫4bit MLC,电压有16种变化,但是容量能增加33%,就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上,美光有做过实验。读取速度方面,SATA接口中的二者都可以达到540MB/S,QLC表现差在写入速度上,因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长,速度更慢,连续写入速度从520MB/s降至360MB/s,随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS,损失将近一半。

    容量比较:QLC>TLC>MLC>SLC

    速度比较:SLC>MLC>TLC>QLC

    价格比较:SLC>MLC>TLC>QLC

     寿命比较:SLC>MLC>TLC>QLC

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    千次阅读 2011-12-08 14:11:13
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  • 首先从原理和特点两方面介绍两种架构SLC和MLC,进而介绍了NOR和NAND FLASH工作原理,读写擦除原理,编址方式,进而导出NOR和NAND FLASH区别。最后顺带简单介绍下SD卡。 一、SLC与MLC  从架构上来分,...
  • ARM]NAND FLASH的MLC和SLC架构对比

    千次阅读 2012-03-15 10:00:05
    目前业内最具争议的话题莫过于NAND闪存的两大架构MLC和SLC了,这两种架构最大的区别是存取技术不同,由此也带来了制造成本、工艺要求、辅助电路、存取次数上的迥异。从短期发展来看,SLC架构在使用上优势较为明显,...
  • Hynix SLC 128M Nand Flash

    2010-05-27 11:16:46
    HY27UF(08_16)1G2A%20Series(Rev0.4).pdf
  • MLC、SLC NAND FLASH区别和架构对比

    千次阅读 2015-02-07 23:39:28
    MLC、SLC NAND FLASH区别和架构对比   MLC、SLCNANDFLASH区别;关于现在MP3有用MLC和SLC两种芯片的已经不;在说明MLCMP3之前我们先了解一下什么是MLC;什么是SLC和MLC?;SLC全称为Single-LevelCell,M;一般而言...
  • NAND FLASH的MLC和SLC架构区别 .

    千次阅读 2012-11-01 15:04:30
    目前业内最具争议的话题莫过于NAND闪存的两大架构MLC和SLC了,这两种架构最大的区别是存取技术不同,由此也带来了制造成本、工艺要求、辅助电路、存取次数上的迥异。从短期发展来看,SLC架构在使用上优势较为明显,...
  • Flash 系列 :SLC VS MLC , NOR VS NAND

    千次阅读 2009-07-10 22:56:00
    什么是SLC或MLC?有两种不同类型的NAND闪存。其一叫做SLC(Single Level Cell),单层单元闪存;其二叫做MLC(Multi Level Cell),多层... 从性能上讲应该是SLC优于MLC,MLC型NAND闪存颗粒采多层单元技术,以日系厂

空空如也

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