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  • 三星OBP Nand FlashTLC编程规则

    千次阅读 2016-04-07 20:56:31
    OBP Nand Flash即为三星与其他一些flash厂商共用的TLC协议,其TLC部分的编程规则与常规ONFI协议和东芝的ED3协议有着明显的区别,在这里根据K9ADGD8U0D的Datasheet,说一下OBP的TLC编程规则。 下表为该Nand Flash的...

    OBP Nand Flash即为三星与其他一些flash厂商共用的TLC协议,其TLC部分的编程规则与常规ONFI协议和东芝的ED3协议有着明显的区别,在这里根据K9ADGD8U0D的Datasheet,说一下OBP的TLC编程规则。

    下表为该Nand Flash的Datasheet当中的指令表


    SLC操作与普通SLC和MLC操作没太大区别,就只用在开头的命令前面加一个DA表示SLC模式即可。而在所有需要TLC操作的读写命令之前,都要加一个0xDF表示进入TLC模式。

    在OBP TLC模式中,与普通模式编程最大的区别首先就是编程顺序,TLC Page分为分组地址(Grouped Page Address)和编程地址(Program Order Address)。



    分组地址指的就是3字节行地址中的页地址,而编程地址则指示了在编程操作中需要遵循的编程顺序。下面就根据Datasheet上所列出的栗子来说明一下


    常规编程的时候,一般的命令都是先发一个0x80,后面接5个字节的行列地址,然后发送数据,最后以0x10结尾,等待RB拉高后,一个Page的数据就被编程进去了。但是在OBP规则中,通常一个Page需要被编程三次(不是所有Page都需要)之后,才能够确保数据的稳定性,保证正确的把数据读出。但是把一个页编程三次并不是指简单的重复对一个页发送三次80 10命令就可以了,这时候就需要按照上图中的编程地址顺序来逐一编程。


    上图是Datasheet中所列举的栗子,但是有些地方没有说明,在这里详细的说明一下。

    一开始,进入第一次页编程(1st Page Data Setup), 此时的行地址一定是属于Group Page Address图中Group A中的某一个页的行地址,结尾的编程命令不是0x10而是0xC0,Add所代表的地址如下图所示


    现在我们假设是在Plane0当中进行编程,那么此时Add所代表的命令自然就是0x11啦。接下来就进入了第二次页编程(2nd Page Data Setup),命令与第一次类似,这里面的行地址代表Group Page Address图中Group B中的跟第一次编程中的页同一个Word Line的页的行地址,然后发送0xC0 和0x12,。第三次编程与前两次一样,行地址属于图中Group C中的第一次编程中的页同一个Word Line的页的行地址。最后是Program Confirm Part,0x8B后面所代表的地址不是刚刚任何一个页的行地址,而是指Program Order Address中的Order Address。


    当初我看完这个的时候是一脸懵逼的,所以还是根据一个比较具体的实例来说明比较容易理解。


    就拿一个Block中的第一个Page开始。假设是第0个Block,那么第一个页的行地址自然是0x000000,先看Group Page Address,是属于Group A。好,那么开始编程,按照GroupA的规则,发命令0x80,发两个字节列地址0x00,0x00 再发3个字节行地址0x00,0x00,0x00,发0xC0,和1st Data input的命令 0x11,然后就准备发Confirm Part命令了。

    等等,上面不是说要编程了三个页之后才要发Confirm Part吗?在OBP中,不是每一个Word Line当中都有三个页,因此刚刚上面所说的是一般情况下的编程规则,在OBP当中,前几个World Line和最后几个Word Line都稍微有一点特殊,需要特殊处理一下。

    继续回到刚刚的Confirm Part命令,发送命令0x8B 然后是Order Address,此时根据Group Page Address当中Page 0对应的位置查看Program Order Address对应的值,一看,也是0,好吧,那么Order Address就是0x00,0x00,0x00,0x00,0x00 五个0,最后发送0x10,第一个Word Line就编程结束了,此时Page 0的数据可以正确读出。

    继续第二个Word Line编程,根据Order Address当中的0x01的位置,对应到Group Page Address,可以看出这个页是Page 1。发送命令0x80,列地址0x00,0x00,行地址0x01,0x00,0x00,发送命令0xC0,然后是地址0x11。然后跳过了第二次编程,直接开始第三次编程,因为参照Group Page Address,第二个Word Line是没有Group B的页,就如同第一个Word Line中只有Group A的页一样。但是根据Group Page Address,此时编程的页还是Page 2,因此行地址是0x02,0x00,0x00,0xC0后面跟的是0x13。接下来又到了Confirm Part了,此时的Order Address就是0x01。那么Confirm Part的地址就是0x00,0x00,0x01,0x00,0x00,最后0x10编程结束。但是注意,由于这个Word拥有两个Page,但是此时该Word line只编程了一次,因此数据还不能正确读出。


    好,到了第三个Word Line了。为啥是第三个Word Line,不应该还是第二个Word Line吗。No No No,在OBP TLC编程当中,编程的顺序要按照Order Address,所以,此时看Order Address的表,0x02所表示的Page在第三个Word Line,所以此时是编程第三个Word Line中Group A的Page,根据Group Page Address可以看到就是Page 3!开始发送命令0x80,,然后是5字节地址0x00,0x00,0x03,0x00,0x00,发完数据然后0xC0,0x11,下面是Group C的Page,0x80,0x00,0x00,0x04,0x00,0x00,0xC0,0x13,最后的Confirm Part,发送命令0x8B,Order地址0x00,0x00,0x02,0x00,0x00,最后发送0x10。


    下面再次根据Order Address,看向0x03所代表的Page。呦呵,又跑回第二个Word Line去了,那么此时就重复刚刚的第二个Word Line的编程,命令0x80,地址0x00,0x00,0x01,0x00,0x00,命令0xC0跟地址0x11,。后面0x80, 地址0x00,0x00,0x02,0x00,0x00,命令0xC0跟地址0x13。但是这个是,Confirm Part中的地址不一样了,发送完0x8B后,Order地址为0x00,0x00,0x03,0x00,0x00,最后发0x10。这个真的是最后的命令,此时编程完代表这个Word line已经编程结束,Page 1和Page 2的数据已经可以正常读出了。

    这几个编程做完可以发现,OBP中TLC的编程顺序是一个斜线的顺序,后面的编程按照刚刚的规律操作即可全部完成,在Datasheet中只有一段话稍微说明了一下



    Nand Flash的基础概念在这里就不说了,已经有了很多资料,或者可以参考文献《Inside NAND Flash Memories》

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  • Flash,在这里对该类型的Flash TLC编程规则做一个记录方便日后查看   个人认为ED3的TLC编程规则相对于OBP来讲会简单许多,因为ED3的编程规则非常有规律,很容易掌握。ED3的每个WL页数量是固定的,因此每个WL的...
       
    

    最近在使用ED3TLC Flash,在这里对该类型的Flash TLC编程规则做一个记录方便日后查看

     

    个人认为ED3TLC编程规则相对于OBP来讲会简单许多,因为ED3的编程规则非常有规律,很容易掌握。ED3的每个WL页数量是固定的,因此每个WL的编程规则基本上也都是固定的。

     

    ED3在对行地址的定义上与OBP有着很大的区别:在TLC模式下,ED3的行地址代表的是WL地址。操作的页是WL中的哪个页,是通过命令前的Pre Cmd来确定的。

     


    这里表示的是TLC读操作,在读命令00h之前,通过发送01h/02h/03h来选择具体要操作的页。

     

    ED3 TLC编程也遵循一个WL需要编程3次的规则,一次WL编程的命令序列如下

     

    3个特殊命令,使用的规则如下

     


    第一个命令 09h/0Dh/(分别代表该WL是第几次编程:第一次编程发09h、第二次编程发0Dh、第三次编程不发

    第二个命令01h/02h/03h 对应的就是上面所描述的选择当前WL当中的哪个页

    最后面确认编程的命令,只有在当前操作的页是这个WL的第三个页的时候,才使用10h,其他俩个页都使用1Ah

     

    PS:关于2)的说明,目前来看78h命令主要用于多lunnand flash,单lun的可以不用在意

     

    ED3 在进行TLC编程的时候也需要遵循一个Order顺序,在每次编程的时候,都需要对这一个WL上的三个页都进行编程操作



    下面根据这个Order顺序举一个TLC编程的栗子

     

    假设当前操作的是Block_0,那么首个WL行地址即为00 00 00,第二个WL行地址为01 00 00 (该地址表示方式及后面的地址表示方式都根据实际操作时使用的小端数据模式)

     

    首先根据Order顺序,对WL0进行首次编程,本次编程命令序列为

    09h - 01h- 80h -  00 00 00 00 00  - Data  - 1Ah

    09h - 02h- 80h -  00 00 00 00 00  - Data  - 1Ah

    09h - 03h- 80h -  00 00 00 00 00  - Data  - 10h

     

    下面开始Order1编程,此时需要编程WL1,命令序列为

    09h - 01h- 80h -  00 00 01 00 00  - Data  - 1Ah

    09h - 02h- 80h -  00 00 01 00 00  - Data  - 1Ah

    09h - 03h- 80h -  00 00 01 00 00  - Data  - 10h

     

    根据Order顺序,下一个要编程的WL回到了WL0,那么这次是第二次对WL0进行编程,命令序列为

    0Dh - 01h- 80h -  00 00 00 00 00  - Data  - 1Ah

    0Dh - 02h- 80h -  00 00 00 00 00  - Data  - 1Ah

    0Dh - 03h- 80h -  00 00 00 00 00  - Data  - 10h

     

    再下一个是Order3,对WL2进行首次编程,命令序列为

    09h - 01h- 80h -  00 00 02 00 00  - Data  - 1Ah

    09h - 02h- 80h -  00 00 02 00 00  - Data  - 1Ah

    09h - 03h- 80h -  00 00 02 00 00  - Data  - 10h

     

    Order4命令序列

    0Dh - 01h- 80h -  00 00 01 00 00  - Data  - 1Ah

    0Dh - 02h- 80h -  00 00 01 00 00  - Data  - 1Ah

    0Dh - 03h- 80h -  00 00 01 00 00  - Data  - 10h

     

    Order5命令序列,此时对WL0进行最后一次编程

    01h - 80h-  00 00 00 00 00  - Data  - 1Ah

    02h - 80h-  00 00 00 00 00  - Data  - 1Ah

    03h - 80h-  00 00 00 00 00  - Data  - 10h

     

    到此为止,WL0的三个页都已经编程完毕,数据可以被正常的读出了。根据这样的规律,就可以将整个Block的页都进行编程。

     

    注:以上截图皆来自 1ynm 128Gb TLC Datasheet_Ver1.61_160609series

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  • NAND Flash底层原理,SLC MLC TLC比较

    千次阅读 2019-03-28 17:13:16
    NAND-Flash 的存储原理  固态硬盘最小单元的基本架构如下:  我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据。 (1)...

    转载:https://www.cnblogs.com/Christal-R/p/7246415.html

    NAND-Flash 的存储原理

      固态硬盘最小单元的基本架构如下:

      我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据。

    (1)写入数据

      在 NAND-Flash 中,当我们需要写入数据时,会在图中的控制闸(Control Gate)施加高电压,然后允许源极(Source)与汲极(Drain)间的 N信道(N-Channel)流入电子,等到电流够强,电子获得足够能量时,便会越过浮置闸(Floating Gate)底下的二氧化硅层(SiO2)为单元所捕获,这个过程我们称之为穿隧效应(Tunnel Effect);

    (2)数据稳定

      一旦电子进入了浮置闸,即使移除电源,只要没有足够能量,电子是无法逃离底下的二氧化硅层的,捕获电子的状态便会一直维持下去,时间可以长达十数年之久,视用来绝缘的二氧化硅层耗损状况而定。

    (3)读取数据

      读取数据时,我们同样会在控制闸施加电压,好吸住浮置闸里的电子,但不用到穿隧注入(Tunnel Injection)电子时那么高,同时让 N通道流过电流,利用电流来感应浮置闸里电子捕获量的多寡,靠感应强度转换为二进制的 0与1,最后输出成数据。

    (4)擦除数据

      假如我们需要擦除数据,就必须靠释放浮置闸里头的电子来达成,此时我们不会对控制闸施加任何电压,而是反过来对单元底下的 P型半导体(P-Well)施加电压,源极与汲极间的电流流过二氧化硅层底下的 N通道时会反向让浮置闸里的电子再次穿越二氧化硅层被吸引出来,我们称之为穿隧释出(Tunnel Release)。

    SLC MLC TLC 简单分析

    1、SLC MLC TLC介绍

      SLC Single-Level Cell,意味着每个存储单元只存放 1bit讯息,靠浮置闸里电子捕获状态的有或无来输出成数据(即使在 0的状态浮置闸里其实还是有电子,但不多),也就是最简单的 0与1;

      MLC Multi-Level Cell,意味着每个存储单元可存放 2bit讯息,浮置闸里电子的量会分为高、中、低与无四种状态,转换为二进制后变成 00、01、10、11;

      TLC Triple-Level Cell ,更进一步将浮置闸里的电子捕获状态分成八种,换算成二进制的 000、001、010、011、100、101、110、111,也就是3bit。

    2、SLC与MLC的比较

      SLC 与 MLC 的比较主要可以分为寿命、成本、功耗、效能与出错率五个面向。

    (1)比较寿命

    • 原理说明

      固态硬盘存储数据主要靠单元中浮置闸所捕获电子的量,电子要进入或离开浮置闸都得藉由穿隧效应进出用来阻挡电子的二氧化硅层。而二氧化硅层其实只有10nm左右厚度,在每一次的穿隧注入电子或释出时,二氧化硅的原子键会一点一点地被破坏。因此,数据的擦除工作会愈来愈慢,因为电子会慢慢占据原本用来绝缘的二氧化硅层,抵销掉施加在控制闸上的电压,导致需要更高电压才能完成工作,而这会让氧化物更快被击穿,等到整个二氧化硅层被电子贯穿,该单元也就正式寿终正寝啦。

    • 得出结论

       SLC 只有有或无两种状态,MLC 却有四种电压状态,为了达到这四种状态,电子得频繁出入二氧化硅层,加速单元的耗竭,这也就是为什么 SLC 可以有十万次擦写寿命而 MLC 却只有一万次的原因。

      当然啦,TLC更惨,平均只有五百到一千次擦写寿命,所以主要拿来做市售的亲民价随身碟。

    (2)比较速度、功耗、稳定性、出错率、成本

      SLC因为只有两种状态,最容易辨识,所以在同一种主控芯片与计算逻辑下速度最快,功耗也最低,状态稳定,以现代技术而言出错率几乎可以忽略不计。

      SLC的一个Cell只存1bit数据,MLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据,但芯片的体积并没增加,等于压缩存储了数据,这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大,自然价格就便宜了。

      MLC与 TLC都十分仰赖 ECC,一有出错就会导致倍数以上的数据损失,好的是,截至 2012年底,各大厂 ECC技术其实都已经相当成熟。

    (3)比较存储容量

      截止2017-08-01有对于单颗Flash,SLC最大支持512GB,MLC最大支持4TB,TLC最大支持6TB。

    内存颗粒等级释疑

      上面这张图就是所谓的晶圆,刚出厂切割完就长这样,上面每一个小方块都可以拿做成一张记忆卡。问题是,就像内存颗粒即使刚出厂都会有坏块一样,刚出厂的晶圆上也不是每片颗粒都是优等生,就英特尔、镁光(Intel、Micron这两家公司的晶圆由共同合资的IMFT,IM Flash Technology生产)来讲,

    (1)有些可以拿来做最高等级的同步颗粒;

    (2)有些修复校验后可以拿来当次等的同步颗粒;

    (3)而有些不管怎样折腾都是鸡肋,食之无味,弃之可惜,但还是可以卖,就拿来做最低阶的异步颗粒,主要用在国民价记忆卡上。

    所以,千万不要看到打上英特尔或镁光就以为是什么极品,没那么神,还要对照颗粒表面的编码才能判定质量良窳。

    同步与异步

      颗粒的同步/异步,主要是两个管脚的定义不同,同步模式下,颗粒不需要告诉主控“我准备好了,可以读/写了”,而是随时ready的状态,这样可以省下一个时钟周期。

      用英特尔 25nm颗粒的分级表来总结,给您个清晰的轮廓。

    【科普】【SSD/U盘】SLC MLC TLC 傻傻也能分清【转】图片6

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    1.固态硬盘性能指标:

    顺序读写seq

            顺序读写是我们日常使用电脑做一下数据的拷贝,转移时常见的操作,这是读写的过程都是有规律的序列。所以一般SSD的顺序读取速度都是不会太慢的。

    4K随机读写(4K)

            4K随机读写一般是指在系统级别的操作,比如系统开关机,调用软件运行等操作时的读写速度,因为这些操作调用的数据都是无规律的小数据,而4KB是目前系统内不受压缩的最小数据块规模,所以才将4K读写作为一个测试的指标。4K的读写速度越快,说明系统的运行越流畅,反过来也说明SSD的性能越强。

    访问延迟(Acc.time)
            一般指系统调用硬盘数据时需要的时间,一般的SSD的访问延迟都是低于1ms的,速度是传统机械硬盘的一千倍左右。这也是SSD做系统盘之后我们都可以感受的提升巨大的原因。越高端的SSD的访问延迟越低
    IOPS
            IOPS指单位时间内系统能处理的I/O请求数量,一般都是以每秒的I/O请求处理量为基准,IOPS数值越高,说明系统处理速度越快,SSD的性能也越强。

    2.解析:

    存储基质: 浮栅晶体管   

    SLC:每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低而成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。

    MLC:每个cell单元存储2bit信息,需要更复杂的电压控制,有00,01,10,11四种变化,这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。

    TLC:每个cell单元存储3bit信息,电压从000到001有8种变化,容量比MLC再次增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,P/E编程时间长,写入速度慢,P/E寿命也降至1000-3000次,部分情况会更低。寿命短只是相对而言的,通常来讲,经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。

    QLC:或者可以叫4bit MLC,电压有16种变化,但是容量能增加33%,就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上,美光有做过实验。读取速度方面,SATA接口中的二者都可以达到540MB/S,QLC表现差在写入速度上,因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长,速度更慢,连续写入速度从520MB/s降至360MB/s,随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS,损失将近一半。

    容量比较:QLC>TLC>MLC>SLC

    速度比较:SLC>MLC>TLC>QLC

    价格比较:SLC>MLC>TLC>QLC

     寿命比较:SLC>MLC>TLC>QLC

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