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  • 本文主要是关于SPI FLASHNOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASHNOR FLASH的区别进行了详细的区分。  SPI FLASH  首先它是个FlashFlash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种...

    转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html

    本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分。

      SPI FLASH

      首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍)。SPI一种通信接口。那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAND。但现在大部分情况默认下人们说的SPI Flash指的是SPI NorFlash。早期Norflash的接口是parallel的形式,即把数据线和地址线并排与IC的管脚连接。但是后来发现不同容量的Norflash不能硬件上兼容(数据线和地址线的数量不一样),并且封装比较大,占用了较大的PCB板位置,所以后来逐渐被SPI(串行接口)Norflash所取代。同时不同容量的SPI Norflash管脚也兼容封装也更小。,至于现在很多人说起NOR flash直接都以SPI flash来代称。

      SPI FLASH与NOR FLASH的区别 详解SPI FLASH与NOR FLASH的不一样

      NorFlash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel,即地址线和数据线直接和处理器相连)NorFlash和串行(SPI,即通过SPI接口和处理器相连)NorFlash;区别主要就是:1、SPI NorFlash每次传输一bit位的数据,parallel连接的NorFlash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种); 2、SPI NorFlash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢。

      NandFlash是地址数据线复用的方式,接口标准统一(x8bit和x16bit),所以不同容量再兼容性上基本没什么问题。但是目前对产品的需求越来越小型化以及成本要求也越来越高,所以SPI NandFlash渐渐成为主流,并且采用SPI NANDFlash方案,主控也可以不需要传统NAND控制器,只需要有SPI接口接口操作访问,从而降低成本。另外SPI NandFlash封装比传统的封装也小很多,故节省了PCB板的空间。

      今天主要说下SPI NorFlash。

      二、有毛用啊

      节省成本,减小封装,存储数据。

      三、怎么用啊

      怎么用说白了对于Flash就是读写擦,也就是实现flash的驱动。先简单了解下spi flash的物理连接。

      之前介绍SPI的时候说过,SPI接口目前的使用是多种方式(具体指的是物理连线有几种方式),Dual SPI、Qual SPI和标准的SPI接口(这种方式肯定不会出现在连接外设是SPI Flash上,这玩意没必要全双工),对于SPI Flash来说,主要就是Dual和Qual这两种方式。具体项目具体看了,理论上在CLK一定的情况下, 线数越多访问速度也越快。我们项目采用的Dual SPI方式,即两线。

      当前涉及到具体的SPI flash芯片类型了,所以必须也得参考flash的datasheet手册了。我们以W25Q64JVSSIQ为例。

      这是基本信息的介绍,然后看下具体IO的定义

      这个是WSON封装的管脚定义,其他详细信息参考datasheet。

      硬件驱动的话也是和芯片强相关的,因为读写擦都是和硬件时序相关的,所以必须得参考硬件datasheet手册。

      上面的datasheet都详细说明了每个操作的时序周期发送的命令。上图中,第一列是指令名称,第二列是指令编码,第三列及以后的指令功能与对应的指令有关。带括号的字节内容为flash向主机返回的字节数据,不带括号则是主机向flash发送字节数据。

      A0~A23:flash内部存储器地址;MID0~MID7:制造商ID;ID0~ID15:flash芯片ID;D0~D7:flash内部存储的数据;dummy:指任意数据。

      比如获取deviceID:

      表示该命令由这四个字节组成,其中dummy意为任意编码,即这三个字节必须得发数据,但这些数据是任意的,上图命令列表中带括号的字节数据表示由FLASH返回给主机的响应,可以看到deviceID命令的第5个字节为从机返回的响应,(ID7~ID0),即返回设备的ID号。

      代码如下:

      uint32_t Get_Flash_DeviceID(void)

      {

      uint8_t deviceID= 0x00;

      spiflashReset();

      spi_write( 0xAB);

      spi_write( Dummy);

      spi_write( Dummy);

      spi_write( Dummy);

      deviceID = spi_write( Dummy);

      spi_write( Dummy);

      spiflashSet() ;

      return deviceID;

      }

      NOR FLASH

      NOR Flash是一种非易失闪存技术,是Intel在1988年创建。

      是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中应该考虑这些情况。——《ARM嵌入式Linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 API Key

      性能比较

      flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

      由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

      执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

      l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。

      2、 NAND的写入速度比NOR快很多。

      3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

      4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。

      5 、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

      此外,NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用,并可在上面直接运行代码;而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外,Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。

      详解

      NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

      像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

      NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

      NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

      SPI FLASH与NOR FLASH的区别

      1、SPI Flash (即SPI Nor Flash)是Nor Flash的一种;

      2、NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel)NOR Flash和串行(SPI)NOR Flash;

      3、SPI Nor Flash每次传输一个bit位的数据,parallel Nor Flash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种);

      4、SPI Nor Flash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢。

      SPI FLASH是指外接口符合SPI协议,也就是串口。

      NOR FLASH与NAND 是相对的,指的是芯片内部的串型和并行。

      SPI FLASH是NOR FLASH的一种。

      结语

      关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍就到这了,如有不足之处欢迎指正。

    转载于:https://www.cnblogs.com/eleclsc/p/11393461.html

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  • 1.1接口差别 NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问,可以很容易地存取其内部的每一个字节。...NOR Flash并行访问,Nand Flash

    1.1接口差别
    NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

    NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址,对NAND Flash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND Flash读/写操作采用512或2048字节的页。

    NOR Flash是并行访问,Nand Flash是串行访问,所以相对来说,前者的速度更快些。

    1.2容量和成本
    NOR Flash的成本相对高﹐容量相对小,常见的有128KB、256KB、1MB、2MB等;优点是读写数据时,不容易出错。所以在应用领域方面,NOR Flash比较适合应用于存储少量的代码。

    NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash器件的一半,由于生产过程更为简单﹐也就相应是的数据。。容量比较大,由于价格便宜,更适合存储大量的数据。

    1.3可靠性和耐用性
    采用内存Flash介质时一个需要重点考虑的问越定话性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash定非常合垃的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和环块处理六个方面来比较NOR Flash和NANDFIasnu的太擦写次命(耐用性)在NAND Flash闪行中母不次粘录十万次。数是一百万次,而NOkFlash.t的你国优势,典型的NAND Flash除了具有1o:1的块擦除周期优努·典型)NAND Flash块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND Flash块在给定的时问内的删除次数要少一些。

    1.4位反转
    NAND Flash和NOR Flash都可能发生比特位反转(但NAND Flash反转的几率远大丁NURrIasn会有坏块两者都必须进行ECC操作;NAND Flash云有可能(出厂时厂家会对坏块做标记),在使用过程中也还有j能会出现新的坏块,因此NAND Flash驱动必须对坏块进行管理。

    位反转对于用NAND Flash存储多媒体信息时倒不是致命的。当然如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。坏块处理NAND Flash器件中的坏块是随机分布的。NAND Flash器件需要对介质进行初始化扫描来发现坏块﹐并将坏块标记为不可用。

    1.5易于使用
    NAND Flash不能在片内运行程序,而NOR Flash可以。但目前很多CPU都可以在上电时以硬件的方式先将NAND Flash的第一个Block中的内容(一般是程序代码﹐也许不足一个Block,如2KB大小)自动拷贝到RAM中然后再运行。因此只要CPU支持,NAND Flash也可以当成启动设备。由于需要I/O接口,NAND Flash要复杂得多。各种NAND Flash器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND Flash器件时,必须先写入驱动程序﹐才能继续执行其他操作。

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  • 前言: 在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植...一,Flash的内存存储结构flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flashNor FLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出...

    前言:
        在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解。下面细说一下标题中的中Flash中的关系。

    Flash Memory(闪存)是非易失性的存储器。

       http://www.longsto.com/news/27.html?bd_vid=10703896747443450430

    一,Flash的内存存储结构
        flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flashnand flash
        Nor FLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM。Nor Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。
        相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更低的成本,更小的体积,更长的使用寿命。这使Nand FLASH很擅于存储纯资料或数据等,在嵌入式系统中用来支持文件系统。缺点包括较慢的读取熟读和I/O映射类型或间接接口。

    二、具体内容   

     2.1Nor Flash
        在通信方式上Nor Flash 分为两种类型:CFI Flash和 SPI Flash。即采用的通信协议不同,
        
            a,CFI Flash
            英文全称是common flash interface,也就是公共闪存接口,是由存储芯片工业界定义的一种获取闪存芯片物理参数和结构参数的操作规程和标准。CFI有许多关于闪存芯片的规定,有利于嵌入式对FLASH的编程。现在的很多NOR FLASH 都支持CFI,但并不是所有的都支持。  

            CFI接口,相对于串口的SPI来说,也被称为parallel接口,并行接口;另外,CFI接口是JEDEC定义的,所以,有的又成CFI接口为JEDEC接口。所以,可以简单理解为:对于Nor Flash来说,CFI接口=JEDEC接口=Parallel接口 = 并行接口

            特点在于支持的容量更大,读写速度更快。

            缺点由于拥有独立的数据线和地址总线,会浪费电路电子设计上的更多资源。


            b,SPI Flash
            serial peripheral interface串行外围设备接口,是一种常见的时钟同步串行通信接口。有4线(时钟,两个数据线,片选线)或者3线(时钟,两个数据线)通信接口,由于它有两个数据线能实现全双工通信,读写速度上较快。拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行;可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。如W25Q64



            c,CFI Flash 和 SPI Flash 比较

            SPI flash和 CFI Flash 的介质都是Norflash ,但是SPI 是通过串行接口来实现数据操作,而 CFI Flash 则以并行接口进行数据操作,SPI容量都不是很大,市场上 CFI Flash 做大可以做到128Mbit,而且读写速度慢,但是价格便宜,操作简单。而parallel接口速度快,容量上市场上已经有1Gbit的容量,价格昂贵。

     2.2 Nand Flash

         同样根据接口类型不同,可分为SPI 和 并行。
         并行NandFlash在工艺制程方面分三种类型:MLCSLC和TLC。MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器。
         SLC全称是Single-Level Cell,即单层单元闪存,而MLC全称则是Multi-Level Cell,即为多层单元闪存。它们之间的区别,在于SLC每一个单元,只能存储一位数据,MLC每一个单元可以存储两位数据,MLC的数据密度要比SLC 大一倍。在页面容量方面分NAND也有两种类型:大页面NAND flash(如:HY27UF082G2B)和小页面NAND flash(如:K9F1G08U0A)。
        这两种类型在页面容量,命令序列、地址序列、页内访问、坏块标识方面都有很大的不同,并遵循不同的约定所以在移植驱动时要特别注意。
     

    3、Nor Flash和Nand Flash使用区别

    1、Nand 闪存的密度要更高写,且每比特成本较低,因此Nand 闪存具有1Gb到64Gb的容量。而NorFlash的容量大小从64Mb到2Gb。随技术发展,范围可能有所扩大,但是Nand 闪存容量更大,成本更低的特点不会轻易改变。

    2、Nand 闪存因为共用地址和数据总线的原因,不允许对一个字节甚至一个快进行数据清空,只能对一个固定大小的区域进行清零操作;Nor 闪存可以对字进行操作,

    4、总结

    SPI Flash 每次传输一个bit位的数据,传输速度慢,但是价格便宜,任意地址读数据,擦除按扇区进行

    CFI Flash : 每次传输一个字节 ,速度快,任意地址读数据擦除按扇区进行

    Nand Flash:芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节,必须重写整个数据块,读和写都是按照扇区进行的。

     

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  • SPI FLASHNOR FLASH的区别

    千次阅读 2019-12-29 15:38:39
        首先它是个FlashFlash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍)。SPI一种通信接口。那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指...

    1. SPI FLASH 是什么?

        首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍)。SPI一种通信接口。那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAND。但现在大部分情况默认下人们说的SPI Flash指的是SPI NorFlash。早期NOR flash的接口是parallel的形式,即把数据线和地址线并排与IC的管脚连接。但是后来发现不同容量的NOR flash不能硬件上兼容(数据线和地址线的数量不一样),并且封装比较大,占用了较大的PCB板位置,所以后来逐渐被SPI(串行接口)Norflash所取代。同时不同容量的SPI NOR flash管脚也兼容封装也更小。至于现在很多人说起NOR flash直接都以SPI flash来代称。

    SPI-NOR Flash:W25Q64
    在这里插入图片描述
        NorFlash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel,即地址线和数据线直接和处理器相连)NorFlash和串行(SPI,即通过SPI接口和处理器相连)NorFlash;区别主要就是:1、SPI NorFlash每次传输一bit位的数据,parallel连接的NorFlash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种); 2、SPI NorFlash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢。

        NandFlash是地址数据线复用的方式,接口标准统一(x8bit和x16bit),所以不同容量再兼容性上基本没什么问题。但是目前对产品的需求越来越小型化以及成本要求也越来越高,所以SPI NandFlash渐渐成为主流,并且采用SPI NANDFlash方案,主控也可以不需要传统NAND控制器,只需要有SPI接口接口操作访问,从而降低成本。另外SPI NandFlash封装比传统的封装也小很多,故节省了PCB板的空间。
        今天主要说下SPI NorFlash。

        有毛用啊?
        节省成本,减小封装,存储数据。

        怎么用啊?
        怎么用说白了对于Flash就是读写擦,也就是实现flash的驱动。先简单了解下spi flash的物理连接。

        之前介绍SPI的时候说过,SPI接口目前的使用是多种方式(具体指的是物理连线有几种方式),Dual SPI、Qual SPI和标准的SPI接口(这种方式肯定不会出现在连接外设是SPI Flash上,这玩意没必要全双工),对于SPI Flash来说,主要就是Dual和Qual这两种方式。具体项目具体看了,理论上在CLK一定的情况下, 线数越多访问速度也越快。

    2. NOR FLASH 是什么?

        NOR Flash是一种非易失闪存技术,是Intel在1988年创建。是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
        NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能
        NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中应该考虑这些情况。——《ARM嵌入式Linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 API Key

        性能比较

        flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

        由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

        执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

    l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。

    2、 NAND的写入速度比NOR快很多。

    3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

    4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。

    5 、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

        此外,NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用,并可在上面直接运行代码;而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外,Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。

        详解

        NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

        像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

        NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

        NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

    3. SPI FLASH 和 NOR FLASH 的区别?

        1、SPI Flash (即SPI Nor Flash)是Nor Flash的一种;

        2、NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel)NOR Flash和串行(SPI)NOR Flash;

        3、SPI Nor Flash每次传输一个bit位的数据,parallel Nor Flash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种);

        4、SPI Nor Flash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢。

        SPI FLASH是指外接口符合SPI协议,也就是串口。

        NOR FLASH与NAND 是相对的,指的是芯片内部的串型和并行。

        SPI FLASH是NOR FLASH的一种。

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  • SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的区别

    千次阅读 2021-01-08 12:02:45
    但对于基础小白来说,可能常常搞不清楚SPI Flash、Nand FlashNor Flash等都是指什么,今天宏旺半导体就跟大家通俗易懂地讲解一下。 首先,我们了解一下Flash闪存本身,它则是一种非易失性存储,在没有电流供应...
  • 1. NandFlashNorFlash Flash存储芯片,俗称闪存,因其具有非易失性、可擦除性、可重复编程及高密度、低功耗等特点,广泛地应用于手机、数码相机、笔记本电脑等产品。 根据制造技术的不同,可将Flash存储芯片分为两...
  • SPI FLASH NAND FLASHNOR FLASH 的关系

    千次阅读 2015-09-11 16:00:23
    所以,可以简单理解为:对于Nor Flash来说,CFI接口=JEDEC接口=Parallel接口 = 并行接口   b,SPI Flash  serial peripheral interface串行外围设备接口,是一种常见的时钟同步串行通信接口。   c...
  • Hyper Flash 和 QSPI NOR Flash

    千次阅读 2019-04-26 13:50:01
    Hyper Flash 和 QSPI NOR Flash配置参数之间的区别 主要区别在于LUT(查找表)。 LUT(查找表)是一个内部存储器,用于保存许多预编程序列。 每个序列由最多8条指令组成,这些指令按顺序执行。 当IP命令或AHB命令...
  • 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。...
  • NAND FLASHNOR FLASH的介绍

    千次阅读 2016-01-24 10:38:06
    两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极、漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的 电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而FLASH为双栅极...

空空如也

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