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  • 芯片制作简单流程
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    2019-07-17 13:07:23

    1.制作硅晶棒

    用熔融的硅通过拉晶工艺制取
    拉晶,简单地说就是通过一边旋转一边往外拉,最终形成圆柱形的硅晶棒
    之所以形状是圆形,是由制作工艺决定的
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    2.硅晶圆在这里插入图片描述

    3.制作电路

    通过多次的蚀刻,形成电路在这里插入图片描述

    4.切割

    将硅晶圆进行切割,成一块块芯片就完成了
    在这里插入图片描述
    图片来源:
    https://www.sohu.com/a/229719761_99970711
    http://www.elecfans.com/d/731777.html
    https://wenku.baidu.com/view/36c21652cfc789eb162dc83e.html

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    芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。

     

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     1、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

     

        2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。

       

        3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。

       

        4、测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。

     

    制造芯片的基本原料

      制造芯片的基本原料:硅、金属材料(铝主要金属材料,电迁移特性要好.铜互连技术可以减小芯片面积,同时由于铜导体的电阻更低,其上电流通过的速度也更快)、化学原料

     

    芯片制造的准备阶段

    在必备原材料的采集工作完毕之后,这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。作为最主要的原料,硅的处理工作至关重要。首先,硅原料要进行化学提纯,这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要,还必须将其整形,这一步是通过溶化硅原料,然后将液态硅注入大型高温石英容器来完成的。

      而后,将原料进行高温溶化为了达到高性能处理器的要求,整块硅原料必须高度纯净,及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出,此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看,硅锭圆形横截面的直径为200毫米。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的,不过只要企业肯投入大批资金来研究,还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭建立的工厂耗费了大约35亿美元,新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高,功能更强大的集成电路芯片,200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍芯片的制造过程。


     

    图片

     

    在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后,下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片,切片越薄,用料越省,自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑,之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要,它直接决定了成品芯片的质量。

     

    图片

     

    新的切片中要掺入一些物质,使之成为真正的半导体材料,然后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙,彼此之间发生原子力的作用,从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中NMOS管和PMOS管之间的交互作用。NP在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下,切片被掺入化学物质形成P型衬底,在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计,这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下,必须尽量限制pMOS型晶体管的出现,因为在制造过程的后期,需要将N型材料植入P型衬底当中,这一过程会导致pMOS管的形成。

    在掺入化学物质的工作完成之后,标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热,通过控制加温时间使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度,空气成分和加温时间,该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel90纳米制造工艺中,门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分,晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动,通过对门电压的控制,电子的流动被严格控制,而不论输入输出端口电压的大小。准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果,而且在光刻蚀过程结束之后,能够通过化学方法将其溶解并除去。

    光刻蚀

    光刻蚀是芯片制造过程中工艺非常复杂的一个步骤,为什么这么说呢?光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格,需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量,而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话,可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比,甚至还要复杂,试想一下,把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上,那么这个芯片的结构有多么复杂,可想而知了。

    当这些刻蚀工作全部完成之后,晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上,然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质,二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。

    掺杂


     

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    在残留的感光层物质被去除之后,剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后,另一个二氧化硅层制作完成。然后,加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体),多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀,所需的全部门电路就已经基本成型了。然后,要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击,此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接,没个晶体管都有输入端和输出端,两端之间被称作端口。

     

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    重复这一过程

      从这一步起,将持续添加层级,加入一个二氧化硅层,然后光刻一次。重复这些步骤,然后就出现了一个多层立体架构,这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。

     

    接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试,包括检测晶圆的电学特性,看是否有逻辑错误,如果有,是在哪一层出现的等等。而后,晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。


     

    图片

     

    而后,整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中,那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装,这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。在芯片的包装过程完成之后,许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏,且产品完全遵照规格所述,没有偏差。 

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  • 本资料包含荷兰光刻机厂商ASML的内部培训资料 ,包括介绍芯片制作过程以及原理,光刻机的使用说明以及原理等等
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    首先围棋的核心计算力依赖于三个最基本的技术:吃子、死活和对杀,在这基础上再会有更复杂的变化,比如定式。所以这三个可以说就是围棋的核心技术。我们可以下一盘棋,不需要大雪崩,不需要妖刀,不信看看阿尔法狗。但绝对离不开吃子和死活,让你下一盘围棋又规定不许吃子,那可没法玩了。。

    芯片是所有电子工业的基础,也是核心技术之一。就如同吃子死活对围棋的意义一样,非常有可比性。

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    现在几乎所有的棋迷都已经知道阿尔法狗,而世界上凡是了解人工智能的人也几乎都知道了围棋,这是围棋与芯片在现代的联系。那么远古时期围棋与芯片的发明还有一个共同的祖先,那就是易经与二进制。围棋的起源与易经有关,船长曾有专文论述。(棋盘和棋子的文化内涵)而莱布尼茨根据中国易经的八卦图发明了二进制奠定了现代计算机的一个基础之一,这点鲜有人知,具体又是怎么实现的呢

    其实芯片本身就是一个大规模集成电路,就像一个小型的电子城市。这个城市里面还有不同的功能区,也有宽阔的街道和狭窄的小巷就是电路。无数电子就是里面的居民,每一瞬间都有无数的电子在里面驰骋奔腾,寻找自己的归宿,在这个过程之中也就运算出了人类需要的的结果。

    这些无序的电子又是如何能够按照人类的指示组织起来运行完成任务呢?要从先从材料说起。芯片的基本材料是硅,属于半导体材料,再加上其他一些杂质,比如硼和磷。它有一个有趣的特性叫做单向导电性——就是电子只能从一个方向通过。杂乱无序的电子现在要规规矩矩按顺序按指令为人类服务了。这是第一步。

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    这么多电子仅仅有了运行方向还不行,还要进一步把它们分割成能工作的小单元工业上的术语叫做pn结,其实是一个微型的小电路.

    下一个关键技术就叫逻辑门,就是利用这个单向导电性,再加上电压的高低控制,那么输出就能得到一个基本的结果,比如或者高压或者低压。根据结果,在逻辑上就用是或者否来表示。这个也还好理解。

    那么继续我们的问题,这个是与否又怎么转化成数据呢?刚才说的易经和二进制来了。易经中分阴爻和阳爻。如果我们简单的把阴爻和阳爻变成数字一和零,那么六爻最多就可以表示2的6次方64,所以易经就是六十四卦!其实是一个数学的问题,有小学奥数基础或者初中数学水平的人就能懂这个道理。

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    刚才逻辑判断的是“是与否”,现在我们灵机一动把“是与否”来用1和0来表示。OK,逻辑判断转化成数值了!实际上逻辑门并不只一种,有好几种形态,综合组织在一起再利用二进制就能就能进行复杂的运算输出结果了!鉴于集成电路里面就是一个庞大的电子城市,里面工作的居民“电子”可以千万亿个,多大的数值都可以计算了,甚至包括人工智能下围棋!

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    为了形象地表现这一壮观的过程,科幻迷们不妨看一下刘慈欣的《三体一,地球往事》秦始皇、牛顿、冯诺依曼站在金字塔顶部的平台上,这个平台上架设的大量天文观测仪器,一部分是欧洲近代的设备。在他们下方三千万秦国军队宏伟的方阵铺陈在大地上,这是一个边长六公里的正方形,在初升的太阳下方阵凝固似的纹丝不动。。。

    在金字塔中部一排旗手用旗语发出指令,一时间下面大地上三千万人构成的巨型主板,仿佛液化了,充满了细密的粼粼波光,那是几千万面小旗在

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    上面简单说了芯片的工作原理,但要制作一块芯片那就更麻烦了,分成三个步骤:设计、制造和封装。

    设计需要的水平虽高,但制作起来难度更大,在小小的芯片上要制作大量的集成电路,全都是高精密加工。比如要制作光感元件,制作蚀刻的回路,还要保证可靠性,需要大量的精密仪器。而这些设备中国是不具备的。

    能加工高级芯片的只有四个国家美英日德,德国有点让人意外。德国是高精密制造大国,虽然由于战败国的原因技术上受些限制,但它具有的高精密的制造加工技术是无与伦比的,因此德国也能够生产高级芯片。而中国往往只能参与这三个环节中最低级的封装部分。具体我不多说,请看视频。

    谈完芯片制作就可以说到源代码问题。源代码是一种机器语言,只能跟芯片绑定,往往一种芯片具有一种源代码。不掌握芯片制造的核心技术,实际上是开发不出源代码的。举个例子来说芯片象是精灵,而源代码就是指挥他的咒语。就像是阿拉丁的神灯。从这个意义上讲,中国不掌握高精密制造技术就无法制作出先进的芯片,没有先进的芯片儿也不可能开发出源代码。没有源代码,就没法开发出具有自主知识产权的高级软件。这一切就都是空中楼阁。

    一句话,光靠送外卖、发快递、拼多多、共享单车等“商业模式”是无法打造出真正的高科技的!

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  • 芯片制作过程

    2014-12-22 20:07:00
    芯 片的制造过程可概分为晶圆处理工序(WaferFabrication)、晶圆针测工序(WaferProbe)、构装工序(Packaging)、 测试工序(InitialTestandFinalTe...

    芯 片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、 测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而 构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。

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     1、 晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本 步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路 及元件加工与制作。

     

        2、 晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可 根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独 的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。

        

        3、 构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最 后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐 色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。

        

        4、 测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐 压度等。经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专 门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出 厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。


    制造芯片的基本原料

      制造芯片的基本原料:硅、金属材料(铝主要金属材料,电迁移特性要好.铜互连技术可以减小芯片面积,同时由于铜导体的电阻更低,其上电流通过的速度也更快)、化学原料

    芯片制造的准备阶段

    在 必备原材料的采集工作完毕之后,这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。作为最主要的原料,硅的处理工作至关重要。首先,硅原料要进行化学提纯,这 一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要,还必须将其整形,这一步是通过溶化硅原料,然后将液态硅 注入大型高温石英容器来完成的。

       而后,将原料进行高温溶化为了达到高性能处理器的要求,整块硅原料必须高度纯净,及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出,此时一个 圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看,硅锭圆形横截面的直径为200毫米。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度 的,不过只要企业肯投入大批资金来研究,还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭建立的工厂耗费了大约35亿美元,新技术的成功使得 intel可以制造复杂程度更高,功能更强大的集成电路芯片,200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍芯片的制造过程。


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    在 制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后,下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片,切片越薄,用料越省,自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加 工的处理来确保表面绝对光滑,之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要,它直接决定了成品芯片的质量。

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    新 的切片中要掺入一些物质,使之成为真正的半导体材料,然后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙,彼此之间发生 原子力的作用,从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中N型MOS管 和P型MOS管之间的交互作用。N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下,切片被掺入化学物质形成P型衬底,在其上刻划的逻辑电路要遵循 nMOS电路的特性来设计,这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下,必须尽量限制pMOS型晶体管的出现,因为在制造过程的后期, 需要将N型材料植入P型衬底当中,这一过程会导致pMOS管的形成。

    在 掺入化学物质的工作完成之后,标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热,通过控制加温时间使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温 度,空气成分和加温时间,该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中,门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也 是晶体管门电路的一部分,晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动,通过对门电压的控制,电子的流动被严格控制,而不论输入输出端口电压的大小。准备工作 的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果,而且在光刻蚀过程结束之 后,能够通过化学方法将其溶解并除去。

    光刻蚀

    光刻蚀是芯 片制造过程中工艺非常复杂的一个步骤,为什么这么说呢?光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术 对于所用光的波长要求极为严格,需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂精细的过程。设计每 一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量,而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸 如果放大许多倍的话,可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比,甚至还要复杂,试想一下,把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片 上,那么这个芯片的结构有多么复杂,可想而知了。

    当这些刻蚀工作全部完成之后,晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上,然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质,二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。 

    掺杂 


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    在 残留的感光层物质被去除之后,剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后,另一个二氧化硅层制作完成。然后,加入另一 个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体),多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之 前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀,所需的全部门电路就已经基本成型了。然后,要对暴露在外的硅层通过化学方式进行 离子轰击,此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接,没个晶体管都有输入端和输出端,两端之间被称作端口。

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    图片重复这一过程

      从这一步起,将持续添加层级,加入一个二氧化硅层,然后光刻一次。重复这些步骤,然后就出现了一个多层立体架构,这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。

    接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试,包括检测晶圆的电学特性,看是否有逻辑错误,如果有,是在哪一层出现的等等。而后,晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单 独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。


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    而后,整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中,那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装,这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。在芯片的包装过程完成之后,许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏,且产品完全遵照规格所述,没有偏差。

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  • 带99se原理图,库件USB ISP 制做和使用过程记录
  • 以生物芯片及其制作过程来重点介绍采用半导体光刻技术制作基因芯片,通过与传统光引导合成法的比较,表明了这种方法在制作高密度寡聚核苷酸上的优越性,其探针特征尺寸可望达到1μm,并阐明了其原因。
  • 芯片制造全工艺流程详情

    万次阅读 多人点赞 2019-05-04 10:19:31
    我们每天运行程序的芯片是这样造出来的,放大后的芯片机构,无与伦比的美,在如此微观世界,人类科技之巅。 芯片一般是指集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果,通常是一个可以立即...
  • 芯片制造全工艺流程详情,请收藏!

    万次阅读 多人点赞 2017-09-14 15:28:18
    芯片一般是指集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果,通常是一个可以立即使用的独立的整体。如果把中央处理器CPU比喻为整个电脑系统的心脏,那么主板上的芯片组就是整个身体的躯干。对于...
  • 微细加工技术是将图形高精度转移到芯片上的技术,主要包括 光刻(lithography) 和 蚀刻(etching) 等,已广泛应用于半导体和集成电路制作中。 玻璃等芯片微细加工技术的基本过程包括: (1). 涂胶 (2). 曝光 (3). ...

空空如也

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芯片的制作过程