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  • 易失性ramComputer RAM is volatile; whatever is stored in it vanishes as soon as the electricity is turned off. Why, exactly, is computer RAM volatile, though? Read on as we investigate the physics ...
    非易失性ram

    非易失性ram

    Computer RAM is volatile; whatever is stored in it vanishes as soon as the electricity is turned off. Why, exactly, is computer RAM volatile, though? Read on as we investigate the physics of building high-speed computer memory. 

    计算机内存易失; 电源关闭后,其中存储的所有物品都会消失。 到底为什么计算机RAM易失? 在我们研究构建高速计算机内存的物理原理时,请继续阅读。

    Today’s Question & Answer session comes to us courtesy of SuperUser—a subdivision of Stack Exchange, a community-driven grouping of Q&A web sites.

    今天的“问答”环节由SuperUser提供,它是Stack Exchange的一个分支,该社区是由社区驱动的Q&A网站分组。

    问题 (The Question)

    SuperUser reader Chintan Trivedi is curious why exactly computer RAM has to be volatile:

    超级用户阅读器Chintan Trivedi很好奇为什么计算机RAM必须是易失的:

    If computer RAM was to be non volatile like other persistent storage [types], then there would be no such thing as bootup time. Then why is it not feasible to have a non volatile ram module? Thank you.

    如果计算机RAM与其他持久性存储[类型]一样是非易失性的,那么就不会有启动时间之类的东西。 那么为什么拥有非易失性ram模块不可行? 谢谢。

    Although there are types of non-volatile RAM (referred to as NVRAM and found in all sorts of applications like storing data inside your Wi-Fi router), Chintan is specifically referring to the type of RAM found in PCs. What exactly is stopping us from using NVRAM in our desktop and notebook computers?

    尽管存在各种类型的非易失性RAM(称为NVRAM,可在各种应用程序中找到,例如将数据存储在Wi-Fi路由器中),但Chintan专门指的是PC中的RAM类型。 是什么导致我们无法在台式机和笔记本电脑中使用NVRAM?

    答案 (The Answer)

    SuperUser contributor MSalters offers some insight into how we can’t escape the physical limitations (however microscopic the scale) of the hardware:

    超级用户贡献者MSalters提供了一些有关我们如何摆脱硬件的物理限制(无论是微观尺度)的见解:

    Deep down it’s due to physics.

    归根结底是由于物理原因。

    Any non-volatile memory must store its bits in two states which have a large energy barrier between them, or else the smallest influence would change the bit. But when writing to that memory, we must actively overcome that energy barrier.

    任何非易失性存储器都必须以两种状态存储其位,这两种状态之间具有较大的能垒,否则最小的影响将改变该位。 但是,当写入该内存时,我们必须积极克服这种能量障碍。

    Designer have quite some freedom in setting those energy barriers. Set it low 0 . 1, and you get memory which can be rewritten a lot without generating a lot of heat: fast and volatile. Set the energy barrier high 0 | 1 and the bits will stay put almost forever, or until you expend serious energy.

    设计师在设置这些能量壁垒方面有很大的自由度。 将其设置为低0 . 1 0 . 1 ,您将获得可以被大量重写而不会产生大量热量的内存:快速且易失。 将能垒设置为高0 | 1 0 | 1 ,这些钻头将几乎永远放置,或者直到您消耗大量能量为止。

    DRAM uses small capacitors which leak. Bigger capacitors would leak less, be less volatile, but take longer to charge.

    DRAM使用泄漏的小电容器。 较大的电容器泄漏较少,挥发性较小,但充电时间较长。

    Flash uses electrons which are shot at high voltage into an isolator. The energy barrier is so high that you can’t get them out in a controlled way; the only way is to clean out an entire block of bits.

    闪光灯使用以高压射入隔离器的电子。 能量屏障非常高,以至于您无法以受控的方式将它们排出。 唯一的方法是清除整个位块。

    In other words, the only way to make the RAM as high speed as we need it for modern computer operations is to keep the resistance between state changes extremely low (and thus make the RAM volatile and susceptible to data erasure in the face of power loss).

    换句话说,使RAM达到我们现代计算机操作所需要的速度的唯一方法是保持状态变化之间的阻力极低(从而使RAM易失并在掉电的情况下易于擦除数据) )。



    Have something to add to the explanation? Sound off in the the comments. Want to read more answers from other tech-savvy Stack Exchange users? Check out the full discussion thread here.

    有什么补充说明吗? 在评论中听起来不对。 是否想从其他精通Stack Exchange的用户那里获得更多答案? 在此处查看完整的讨论线程

    翻译自: https://www.howtogeek.com/171872/why-does-ram-have-to-be-volatile/

    非易失性ram

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  • 主存中的程序运行时,需要进行读写操作,应该采用RAM CPU不能直接访问硬盘 DRAM的刷新是以行为单位的 半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息就不丢失 某容量为256MB的存储器由若干4M * 8位的DRAM芯片...

    第1-2章

    现代计算机由CPU I/O设备 及(主存储器)组成

    (CAI) 为计算机辅助教学的英文缩写

    存放在寄存器ACC中的操作数有(A,B,C,D)
    A 被加数、和
    B 被减数、差
    C 乘积高位
    D 被除数、余数

    下列关于机器字长描述正确的是(C D)
    A 字长一般与存储器数据位相同
    B 字长一般与存储器地址为相同
    C 字长一般与运算器的数据位相同
    D 字长一般与通用寄存器的位数相同

    可用于评价计算机系统性能的是: 机器字长 主存容量 MIPS(此为运算速度的单位) 主频 内核数

    存储单元中二进制代码的位数称为: 存储字长 其位数必须是 8 的整数倍

    第3章

    下列选项中可提高同步总线数据传输速率的是 ABC
    A 增加总线宽度
    B 提高总线工作频率
    C 支持突发传输
    D 采用地址/数据线复用

    计算机使用总线结构的主要优点是便于实现积木化, 缺点是两种信息源的代码在总线中不能同时传送

    微型计算机中, 存储器和I/O设备的地址码, 所有存储器和I/O设备的时序信号和控制信号属于控制总线提供的信息

    系统总线用来连接CPU, 主存和外设部件
    系统总线是指CPU, 主存, I/O设备各大部件之间的信息传输线。按系统总线传输信息的不同又分为数据总线 地址总线 控制总线

    应答信号 在系统总线的数据线上不可能传输

    在指令执行的第一阶段取指令时,指令在数据线上传输。中断类型号用以指出中断向量的地址,CPU响应中断请求后,将从数据总线上读取中断类型号,然后查找中断向量表,找到相应的中断处理程序入口。 而应答信号属于异步通信中的控制信号

    连接计算机与计算机之间的总线属于通信总线

    在计算机中,多个系统部件之间信息传送的公共通路称为总线,就其所传送的信息的性质而言,系统信息 不是在公共通路上传送的信息

    系统总线中控制线的主要功能是: 提供定时信号,操作命令和请求/回答信号等

    采用总线复用技术并不能提高总线带宽 总线带宽就是总线的最大传输速率
    增加数据线的宽度,采用分离式通信方式,提高总线的时钟频率均可以提高总线带宽

    总线的宽度通常是指: 数据总线的根数 用位(bit) 表示

    PCI总线是一个与处理器时钟频率无关的高速外围总线,系统中可允许多条PCI总线

    在单机系统中,三总线结构计算机的总线系统组成是 DMA总线, 主存总线, I/O总线

    DMA总线用于高速I/O设备与主存之间直接交换信息

    USB(通用串行总线)是一种连接外部设备的I/O总线标准,属于设备总线,是设备和设备控制器之间互连的接口标准

    在三种集中式总线控制中 独立请求 方式响应时间最快

    BS信号的建立者是获得总线控制权的设备 BS信号指总线忙

    在计数器定时查询方式下,总线的设备优先级可变

    总线的半同步通信信号既采用时钟信号,又采用握手信号

    同步通信方式中,系统采用一个统一的时钟信号来协调发送和接收双方的传送定时关系,而不是由各设备提供时钟信号

    三种集中式总线控制中,链式查询方式对电路故障最敏感
    链式查询只需要很少几根线就能按一定优先次序实现总线控制,但是所有设备使用一套BR和BG,因此对电路故障和敏感

    系统总线并不是时始终由CPU控制和管理

    同步通信在系统总线设计时,对T1,T2,T3,T4都有明确唯一的规定,对于读命令,其传输周期如下:
    T1主模块发出地址 T2主模块发出读命令 T3从模块提供数据 T4主模块撤销读命令,从模块撤销数据(主模块先发地址,再发命令,然后从模块提供数据,最后主模块撤销命令,从模块撤销数据)

    控制总线中常见的控制信号包括传输响应 总线请求 中断请求 时钟

    总线通信通常有同步通信 异步通信 半同步通信 分离式通信

    按数据传送方式不同,总线可以分为并行传输总线和串行传输总线

    总线判优控制可分为集中式和分布式

    第4章

    半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉电时,所存信息是不易失的

    					动态RAM(多用于主存)  静态RAM(多用于缓存) 比较
    

    存储原理: 电容 触发器

    集成度:

    芯片引脚:

    功耗:

    价格:

    速度:

    刷新:

    高位交叉编址特点:
    通过多体并行提高访存速度,有利于存储器容量的扩展
    若采用高位交叉编址,则连续读n个字所需时间为nT(T为存取周期)

    低位交叉存储器,有利于增加存储器带宽,提高访存速度的原因是结合流水线技术,提高带宽

    EPROM采用随机存取方式 CD-ROM不采用随机存取方式,这是只读型光盘存储器,采用串行存取方式(顺序访问)

    某计算机系统,其操作系统保存在硬盘上,其内存储器应该采用RAM和ROM
    操作系统保存在硬盘上,开机时,首先将操作系统引导到主存中,引导程序通常放在ROM中。主存中的程序运行时,需要进行读写操作,应该采用RAM

    CPU不能直接访问硬盘

    DRAM的刷新是以为单位的

    半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息就不丢失

    某容量为256MB的存储器由若干4M * 8位的DRAM芯片构成,该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚的总数为: 19
    4M * 8位芯片共有22条地址线,8条数据线, 但DRAM采用地址复用技术(地址分两次发送使得地址线条数减少),地址线是原来的二分之一,地址信号分行,列两次传送。该DRAM的地址线为22/2 = 11根,所以地址引脚+数据引脚=11+8=19

    RAM和ROM都是采用随机存起的方式进行信息访问

    EPROM是可改写的,但不能作为随机存储器

    闪存是EEPROM的进一步发展,闪存是ROM的一种,写入时必须先擦除原有数据,所以写速度比读速度慢很多,闪存作为一种非易失性存储器,采用随机访问方式

    某存储器按字节编址,主存地址空间大小为64MB,先用4M * 8位的RAM芯片组成32MB的主存储器,则存储器地址寄存器MAR的位数至少是 26
    主存按字节编址,主存地址空间为64MB, MAR的寻址范围为64M = 2的26次方, 所以MAR的位数为26

    在对破坏性读出的存储器进行读写操作时,为维持原信息不变,必须进行 ** 再生 **操作

    一组4个字节的汉明码最多可传递 26 为信息位
    汉明码共4字节, 即n+k=32位, 由2的k次方大于等于n+k+1, 所以k最小为6 n最大为26

    高位交叉编址提高方寸速度的原因是 多体并行 其高位地址用于 选择体号 低位地址用于 选择体内的字

    一个四体并行低位交叉存储器,每个模块的容量是64k32位,存取周期为200ns 在200ns内 存储器能向CPU提供128位的二进制信息
    **低位交叉存储器采用流水线技术,可以在一个存储周期内连续访问4个模块,32位
    4=128位**

    交叉存储器实际上是一种 模块式的存储器 它能并行执行多个独立的读/写操作

    某一RAM芯片,容量为1k4位,若采用重合法,其字线条数为80
    1k
    4 总共为4k 所以行 列各64条 因为一次取出4位 所以列以4位为一个组合,一共16组 所以一共有80条字线

    DRAM通常用于主存,SRAM通常用于缓存

    一种编码的最小距离L=5,则该编码最高具有4位的检错能力。最高具有2为的纠错能力
    L(最小距离) + 1 = D (检错位) + C(纠错位) 且 D 大于等于 C 所以 最高C=0时 D为4 纠错:D=C=2时最高

    汉明码是具有一位纠错能力的编码

    若接收到(7,4)为汉明码,需形成新的检测位pi。汉明码从左到右的位置分别为1,2,3…,7则
    P1 = 1 异或 3 异或 5 异或 7
    P2 = 2 异或 3 异或 6 异或 7
    P4 = 4 异或 5 异或 6 异或 7
    若汉明码采用偶校验,则P4 P2 P1 = 000时无错 若 P4 P2 P1 = 110 时 则第 6 位出错
    若汉明码采用奇校验, 则P4 P2 P1 = 111 时无错 若 P4 P2 P1 = 110 时 则第 1 位出错

    存储带宽 = 每个存储周期可访问的位数 / 存储周期
    存储带宽表示单位时间内存储器存取的信息量 速度单位32M = 32 * 10三次方 K

    假定主存地址为32位,按字节编址,主存和cache之间采用直接映射方式,主存块大小为4个字,每字32位,采用回写方式,则能存放4K字数据的cache的总容量的位数至少是 148K

    写回法是指在执行写操作时,只把数据写入cache而不写入主存,当cache数据被替换出去时才写入主存,而本题想要强调的是写回法至少要有的标记是脏位有效位
    主存按字节编址,块的大小为 32 * 4 = 16B 块内地址占 4 位 cache的存储容量为4K字,则块地址为10位 主存字块标记占 32 - 4 - 10 = 18位
    cache的总容量包括存储容量和标记阵列容量,cache行标记共有 主存字块标记18 + 脏位1 + 有效位1 = 20 位, 因为有1K行,所以标记阵列容量共有1K *20 = 20K 而存储容量为 4K(个字) *32(每个字占的位数) = 128K 所以总容量的位数至少是 128K + 20K = 148K

    磁表面存储器存储容量 = n(存放信息的盘面数) * k(每个盘面的磁道数) * s(每条磁道上记录的二进制代码数)

    每个磁道的存储容量均相同

    每个扇区的存储容量也相同

    现在的缓存可分为片载缓存片外缓存,并将指令缓存和数据缓存分开设置

    某存储系统中,主存容量是Cache的4096倍,Cache被分为64个块,当主存地址和Cache地址采用直接映射方式时,标记阵列(又称地址映射表)的大小为( 64 * 13bit ) (假设不考虑一致维护和替换算法)
    Cache被分为64个块,直接映射方式下,Cache每个块存储1个映射标记和1个有效位。主存容量是Cache的4096倍,则主存地址比Cache的地址多12位,则每块的映射标记多12位。 12 + 1 = 13bit, Cache的标记阵列共 64*13bit

    Cache用标记记录与某缓存块建立了对应关系的主存块,Cache的命中率与Cache的容量块长有关

    Cache-主存系统的效率 是用 cache的存储周期 除以 cache-主存系统的平均访问时间

    第6章

    把数字保存到计算机当中,需要考虑三个方面,包括符号小数点位置数值部分

    在计算机中,所谓的机器字长一般是指寄存器的位数

    在小数定点机中,只有补码能表示-1

    在整数定点机中,三种机器数均可表示-1

    两补码相加,采用1位符号位,则当最高有效位产生的进位和符号位产生的进位异或结果为1时,表示结果溢出

    设浮点数的阶码采用移码表示,位数用原码表示,判断浮点数是否为规格化数的方法是尾数的最高位为1,其余位任意

    把符号数字化的数称为机器数

    把带**+,-**符号的数称为真值

    总线宽度: 数据线的根数
    总线带宽: = 总线宽度(位)/ 8 * 总线时钟频率

    增加总线宽度, 提高总线工作频率, 支持突发传输可提高同步总线数据传输速率

    半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有才电源不掉电时所存信息是不易失的

    存储器带宽 = 存储字长 * 存储周期

    有些计算机将一部分软件永恒的存于只读存储器中,称之为固件

    算术逻辑单元 控制单元 主存储器 合称为 主机

    CPU地址线数量与内存容量密切相关

    字长一般与运算器的数据位相同
    字长一般与通用寄存器的位数相同

    系统信息不是在公共通路上传送的

    主存通过总线类型来识别信息是地址还是数据

    采用信号线复用技术不能提高总线带宽

    BS信号的建立者是获得总线控制权的设备

    同步通信方式中,系统采用一个统一的时钟信号来协调发送和接收双方的传送定时关系,而不是由各设备提供时钟信号

    按数据传送方式不同,总线可以分为并行传输总线,和串行传输总线

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  • 易失性存储DRAM详解

    2020-12-09 15:35:32
    DRAM是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理,相比之下在SRAM存储芯片...

    DRAM是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理,相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。

    DRAM存储原理
    DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”,则电容被充电:若写入位为“0”,则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电,则该位为“1”;若电容没有被充电,则该位为“O”。
    在这里插入图片描述

    由于电容存在漏电阻,因此每个位单元都必须不断地、周期性地对进行充电,以维持原来的数据不丢失,此行为称之为刷新。

    DRAM特点
    由于每个存储位仅用一个晶体管和小电容,因此集成度比较高。就单个芯片的存储容量而言,DRAM可以远远超过SRAM;就相同容量的芯片而言,DRAM的价格也大大低于SRAM。这两个优点使DRAM成为计算机内存的主要角色。DRAM的行列地址分时复用控制和需要刷新控制,使得它比SRAM的接口要复杂一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。

    DRAM推荐型号
    在这里插入图片描述
    SRAM与DRAM的区别
    SRAM
    1.速度快
    2.不需要刷新可保持数据
    3.无需MCU带特殊接口
    4.容量小,256Kb-16Mb
    5.集成度低,单位容量价格高
    6.静态功耗低,运行功耗大

    DRAM
    1.速度较慢
    2.需要刷新来保持数据
    3.需要MCU带外部存储控制器
    4.容量大,16Mb-4Gb
    5.集成度高,单位容量价格低
    6.运行功耗低

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  • 易失性存储器 非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。常见的设备如电脑硬盘、TF卡、SD卡、U盘等。 易失性存储器 易失存储器是指在系统停止供电的时候数据丢失。常见的设备如电脑内存、高速缓存、...

    存储器概况
    存储器是计算机系统中的记忆设备,主要是用来存放程序和数据。存储器按存储特性可分为非易失和易失两大类。目前常见的多为半导体存储器。

    非易失性存储器
    非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。常见的设备如电脑硬盘、TF卡、SD卡、U盘等。

    易失性存储器
    易失存储器是指在系统停止供电的时候数据丢失。常见的设备如电脑内存、高速缓存、显示器显存等。

    易失性存储器-RAM
    易失性存储器主要是指随机访问存储器RAM。RAM是计算机中用来存放数据、程序及运算结果,直接与CPU进行信息交换的场所。

    易失性存储器按存储电路的性质,可分为静态随机存取存器SRAM和动态随机存取储存器DRAM。

    易失性存储器-SRAM

    SRAM存储原理
    SRAM采用双稳态触发器来作存储元件,不存在电容的刷新问题,只要电源正常供电,触发器就能稳定地存储数据,因此称为静态随机存取储存器。其存储单元的每一位都是由双稳触发器和选通门电路组成的;而整个存储器由存储单元组成的阵列和控制电路组成。
    在这里插入图片描述
    SRAM特点
    连接使用方便(不需要刷新电路)、工作稳定、存取速度快(约为动态随机存取储存器DRAM的3~5倍)、使用简单;

    由于每一位的存储,都用好几个晶体管,因此单片的存储容量不易做得很高,集成度较低且价格较贵;由于价格相对较高,计算机主存用得很少,主要用作高速缓冲存储器(Cache)。

    SRAM推荐型号
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    典型电路示例—IS61wV25616异步SRAM 256K ×16
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  • MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写...
  • 如何选择非易失性SRAM

    2021-01-11 16:01:56
    这里讨论一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器:非易失性SRAM(NVSRAM)。 为解决SRAM的数据保存问题,国外著名半导体公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列产品,国内也有同类产品相继问世...
  • 易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电...
  • 易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。...
  • FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据...
  • 设计使用了业界的非易失FPGA工艺,莱迪思与代工伙伴富士通合作开发了90纳米嵌入式闪存工艺,LatticeXP2具有“瞬时”性能,缩小了早期莱迪思非易失器件的尺寸,还增强了设计安全RAM备份,以及现场更新能力。...
  • 易失性NV-SRAM简介

    2020-09-09 16:14:44
    尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统,但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。...当工程师谈论RAM时,它们的意思是易失性半导体存储器,只要加电,就可以无限期地对其进行读写
  • 易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation最近宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上...
  • 为解决这些问题,大量研究为探索自转扭矩RAM(STT-RAM),相变存储器(PCM) ,电阻RAM(RRAM)和域壁内存(DWM)新型新型插入性存储器(非易失性存储器,NVM)架构缓存的方法,对比了其与传统存储器件的物理特性,...
  • 设计使用了业界最先进的非易失FPGA工艺,莱迪思与代工伙伴富士通合作开发了90纳米嵌入式闪存工艺,LatticeXP2具有“瞬时”性能,缩小了早期莱迪思非易失器件的尺寸,还增强了设计安全RAM备份,以及现场更新能力...
  • 半导体存储器(ROM、RAM

    千次阅读 2020-06-11 10:50:24
    半导体存储器 从存取功能上可以分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM) 只读存储器在正常工作状态下只能从中读取数据,不能快速地随时修改或重新写入数据。 ROM的优点:电路结构简单,而且在断电以后数据不会丢失。...
  • RAM和ROM: RAM(random access memory)即随机存储内存,这种存储器在断电...ROM(Read-Only Memory)即只读内存,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。只能随机读出而不能写入,并且其内容断电之后仍可保
  • 一、RAM RAM(Random-Access Memory,随机访问内存)包括SRAM和DRAM两大类。 SRAM在存储结构上以寄存器为基本...另外SRAM具有易失性,掉电后信息丢失。 DRAM的基本存储结构为场效应管和电容,由于电容的放电效应,...
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  • 常用存储器介绍

    千次阅读 2020-02-06 17:36:59
    二、易失性存储器 ---RAM 存储器 1、易失性存储器 ---RAM 存储器 ---动态随机存储器 DRAM (1)动态随机存储器SDRAM (2)动态随机存储器DDR SDRAM 2、易失性存储器 ---RAM 存储器 ---静态随机存储器 SRAM 3、...
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空空如也

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半导体ram是易失性ram