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  • 半导体中的电子状态 电子共有化运动是指原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠电子不再完全局限在某一原子上,可以由一个原子转移到相邻的原子上去,因而电子将可以在整个晶体运动。 当原子相互靠近结合成晶体后,...

    半导体中的电子状态

    • 电子共有化运动是指原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠电子不再完全局限在某一原子上,可以由一个原子转移到相邻的原子上去,因而电子将可以在整个晶体中运动。
    • 当原子相互靠近结合成晶体后,每个电子都要受到周围电子势场的作用,一个能级分裂成彼此相距很近的若干能级,这些能级组成一个能带
    • 能级分裂成的每一个能带都称为允带。允带与允带之间没有能级的称为禁带。绝对零度时,下面的能带填满电子,称为满带价带,上面的能带是空的,没有电子称为导带,导带和价带之间是禁带。
    • 波矢是波数矢量,记为k,大小为波数(2π/波长),方向与波面法线平行于波的传播方向。描述电子的运动状态。
    • 布里渊区表示周期性势场中电子的E(k)与k的关系。其中禁带出现在k等于nπ/a处。因为E(k)与k具有周期性,可把其他区域迁移到第一布里渊区称为简约布里渊区
    • 引进有效质量的意义在于,它概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律是可以不涉及半导体内部势场的作用。有效质量可以通过实验测定。
    • 价带中的电子被激发到导带后,在价带上留下了空态未被电子占据,称为空穴,可模拟为正电荷在共价键之间导电。电子有效质量为正,空穴有效质量为负。引入空穴的意义是,可以把价带中大量电子对电流的贡献,用少量的空穴表达出来。
    • k空间是为说明半导体在不同方向的特性,由相互正交的三个方向的电子运动波矢k构成三个坐标轴所形成的三维空间。
    • 等能面是k空间中具有相等能值的点连接起来形成的封闭面。
    • 直接带隙半导体指电子从价带最大能量处,跃迁到导带最低能量处是可能的,跃迁中不涉及波矢k的变化,过程中的能量变化只有光子的吸收和发射。例如GaAs。
    • 间接带隙半导体,电子不能从价带顶跃迁到导带底,跃迁中波矢k变化,能量变化有热或热和光。例如Si Ge。
    • Si Ge的能带特征:间接带隙半导体。导带最低点与价带不在同一布里渊区。价带分为三个子能带,重空穴带轻空穴带,第三分裂能带。
    • GaAs的能带特征:直接带隙半导体,导带底最低点与价带在同一部布里渊区。导带中有最小极值点和次低能谷,价带中有一个重空穴带一个轻空穴袋和第三能带。
    • 宽禁带半导体指禁带宽度大于或等于2.3电子伏特的半导体材料。代表有碳化硅,金刚石,二族氧化物,二族硫化物,硒化物,三族氮化物合金。
    • 同质多象是指在不同的物理化学环境下能够形成两种或者两种以上的晶体,各自有一定的形态构造及物理性质,例如碳化硅。
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  • 共发射极电路的输人电流是基极电流IB,输出电流是集电极电流IC,电流放大倍数β=△IC/△IB,通常β是较大的。  共基极电路的输人电流是发射极电流IE,输出电流是集电极电流IC,电流放大倍数α=△IC/△IE。...
  • Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式 Enhancement MOS 增强性 MOS Entefic (低)共溶的 Environmental test 环境测试 Epitaxial 外延的 Epitaxial layer 外延层 Epitaxial ...

    A

    Abrupt junction 突变结
    Accelerated testing 加速实验
    Acceptor 受主
    Acceptor atom 受主原子
    Accumulation 积累、堆积
    Accumulating contact 积累接触
    Accumulation region 积累区
    Accumulation layer 积累层
    Active region 有源区
    Active component 有源元
    Active device 有源器件
    Activation 激活
    Activation energy 激活能
    Active region 有源(放大)区
    Admittance 导纳
    Allowed band 允带
    Alloy-junction device
    合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝
    Aluminum – oxide 铝氧化物
    Aluminum passivation 铝钝化
    Ambipolar 双极的
    Ambient temperature 环境温度
    Amorphous 无定形的,非晶体的
    Amplifier 功放 扩音器 放大器
    Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃
    Anneal 退火
    Anisotropic 各向异性的
    Anode 阳极
    Arsenic (AS) 砷
    Auger 俄歇
    Auger process 俄歇过程
    Avalanche 雪崩
    Avalanche breakdown 雪崩击穿
    Avalanche excitation雪崩激发

    B

    Background carrier 本底载流子
    Background doping 本底掺杂
    Backward 反向
    Backward bias 反向偏置
    Ballasting resistor 整流电阻
    Ball bond 球形键合
    Band 能带
    Band gap 能带间隙
    Barrier 势垒
    Barrier layer 势垒层
    Barrier width 势垒宽度
    Base 基极
    Base contact 基区接触
    Base stretching 基区扩展效应
    Base transit time 基区渡越时间
    Base transport efficiency基区输运系数
    Base-width modulation基区宽度调制
    Basis vector 基矢
    Bias 偏置
    Bilateral switch 双向开关
    Binary code 二进制代码
    Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
    Bipolar 双极性的
    Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
    Bloch 布洛赫
    Blocking band 阻挡能带
    Blocking contact 阻挡接触
    Body - centered 体心立方
    Body-centred cubic structure 体立心结构
    Boltzmann 波尔兹曼
    Bond 键、键合
    Bonding electron 价电子
    Bonding pad 键合点
    Bootstrap circuit 自举电路
    Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器
    Boron 硼
    Borosilicate glass 硼硅玻璃
    Boundary condition 边界条件
    Bound electron 束缚电子
    Breadboard 模拟板、实验板
    Break down 击穿
    Break over 转折
    Brillouin 布里渊
    Brillouin zone 布里渊区
    Built-in 内建的
    Build-in electric field 内建电场
    Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收
    Bulk generation 体产生
    Bulk recombination 体复合
    Burn - in 老化
    Burn out 烧毁
    Buried channel 埋沟
    Buried diffusion region 隐埋扩散区

    C

    Can 外壳
    Capacitance 电容
    Capture cross section 俘获截面
    Capture carrier 俘获载流子
    Carrier 载流子、载波
    Carry bit 进位位
    Carry-in bit 进位输入
    Carry-out bit 进位输出
    Cascade 级联
    Case 管壳
    Cathode 阴极
    Center 中心
    Ceramic 陶瓷(的)
    Channel 沟道
    Channel breakdown 沟道击穿
    Channel current 沟道电流
    Channel doping 沟道掺杂
    Channel shortening 沟道缩短
    Channel width 沟道宽度
    Characteristic impedance 特征阻抗
    Charge 电荷、充电
    Charge-compensation effects 电荷补偿效应
    Charge conservation 电荷守恒
    Charge neutrality condition 电中性条件
    Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
    Chemmical etching 化学腐蚀法
    Chemically-Polish 化学抛光
    Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片
    Chip yield 芯片成品率
    Clamped 箝位
    Clamping diode 箝位二极管
    Cleavage plane 解理面
    Clock rate 时钟频率
    Clock generator 时钟发生器
    Clock flip-flop 时钟触发器
    Close-packed structure 密堆积结构
    Close-loop gain 闭环增益
    Collector 集电极
    Collision 碰撞
    Compensated OP-AMP 补偿运放
    Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
    Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
    Common-mode gain 共模增益
    Common-mode input 共模输入
    Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
    Compatibility 兼容性
    Compensation 补偿
    Compensated impurities 补偿杂质
    Compensated semiconductor 补偿半导体
    Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路
    Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
    互补金属氧化物半导体场效应晶体管
    Complementary error function 余误差函数
    Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制

    Compound Semiconductor 化合物半导体
    Conductance 电导
    Conduction band (edge) 导带(底)
    Conduction level/state 导带态
    Conductor 导体
    Conductivity 电导率
    Configuration 组态
    Conlomb 库仑
    Conpled Configuration Devices 结构组态
    Constants 物理常数
    Constant energy surface 等能面
    Constant-source diffusion恒定源扩散
    Contact 接触
    Contamination 治污
    Continuity equation 连续性方程
    Contact hole 接触孔
    Contact potential 接触电势
    Continuity condition 连续性条件
    Contra doping 反掺杂
    Controlled 受控的
    Converter 转换器
    Conveyer 传输器
    Copper interconnection system 铜互连系统
    Couping 耦合
    Covalent 共阶的
    Crossover 跨交
    Critical 临界的
    Crossunder 穿交
    Crucible坩埚
    Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶

    Current density 电流密度
    Curvature 曲率
    Cut off 截止
    Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享
    Current Sense 电流取样
    Curvature 弯曲
    Custom integrated circuit 定制集成电路
    Cylindrical 柱面的
    Czochralshicrystal 直立单晶
    Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J)

    D

    Dangling bonds 悬挂键
    Dark current 暗电流
    Dead time 空载时间
    Debye length 德拜长度
    De.broglie 德布洛意
    Decderate 减速
    Decibel (dB) 分贝
    Decode 译码
    Deep acceptor level 深受主能级
    Deep donor level 深施主能级
    Deep impurity level 深度杂质能级
    Deep trap 深陷阱
    Defeat 缺陷
    Degenerate semiconductor 简并半导体
    Degeneracy 简并度
    Degradation 退化
    Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度
    Delay 延迟 Density 密度
    Density of states 态密度
    Depletion 耗尽
    Depletion approximation 耗尽近似
    Depletion contact 耗尽接触
    Depletion depth 耗尽深度
    Depletion effect 耗尽效应
    Depletion layer 耗尽层
    Depletion MOS 耗尽MOS
    Depletion region 耗尽区
    Deposited film 淀积薄膜
    Deposition process 淀积工艺
    Design rules 设计规则
    Die 芯片(复数dice)
    Diode 二极管
    Dielectric 介电的
    Dielectric isolation 介质隔离
    Difference-mode input 差模输入
    Differential amplifier 差分放大器
    Differential capacitance 微分电容
    Diffused junction 扩散结
    Diffusion 扩散
    Diffusion coefficient 扩散系数
    Diffusion constant 扩散常数
    Diffusivity 扩散率
    Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉
    Digital circuit 数字电路
    Dipole domain 偶极畴
    Dipole layer 偶极层
    Direct-coupling 直接耦合
    Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体
    Direct transition 直接跃迁
    Discharge 放电
    Discrete component 分立元件
    Dissipation 耗散
    Distribution 分布
    Distributed capacitance 分布电容
    Distributed model 分布模型
    Displacement 位移 Dislocation 位错
    Domain 畴 Donor 施主
    Donor exhaustion 施主耗尽
    Dopant 掺杂剂
    Doped semiconductor 掺杂半导体
    Doping concentration 掺杂浓度
    Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.
    Drift 漂移 Drift field 漂移电场
    Drift mobility 迁移率
    Dry etching 干法腐蚀
    Dry/wet oxidation 干/湿法氧化
    Dose 剂量
    Duty cycle 工作周期
    Dual-in-line package (DIP) 双列直插式封装
    Dynamics 动态
    Dynamic characteristics 动态属性
    Dynamic impedance 动态阻抗

    E

    Early effect 厄利效应
    Early failure 早期失效
    Effective mass 有效质量
    Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
    Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器
    Electrode 电极
    Electrominggratim 电迁移
    Electron affinity 电子亲和势
    Electronic -grade 电子能
    Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
    Electron gas 电子气
    Electron-grade water 电子级纯水
    Electron trapping center 电子俘获中心
    Electron Volt (eV) 电子伏
    Electrostatic 静电的
    Element 元素/元件/配件
    Elemental semiconductor 元素半导体
    Ellipse 椭圆
    Ellipsoid 椭球
    Emitter 发射极
    Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑
    Emitter-coupled pair 发射极耦合对
    Emitter follower 射随器
    Empty band 空带
    Emitter crowding effect 发射极集边(拥挤)效应
    Endurance test =life test 寿命测试
    Energy state 能态
    Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图
    Enhancement mode 增强型模式
    Enhancement MOS 增强性
    MOS Entefic (低)共溶的
    Environmental test 环境测试
    Epitaxial 外延的
    Epitaxial layer 外延层
    Epitaxial slice 外延片
    Expitaxy 外延
    Equivalent curcuit 等效电路
    Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子
    Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取(编程)存储器
    Error function complement 余误差函数
    Etch 刻蚀
    Etchant 刻蚀剂
    Etching mask 抗蚀剂掩模
    Excess carrier 过剩载流子
    Excitation energy 激发能
    Excited state 激发态
    Exciton 激子
    Extrapolation 外推法
    Extrinsic 非本征的
    Extrinsic semiconductor 杂质半导体

    F

    Face - centered 面心立方
    Fall time 下降时间
    Fan-in 扇入
    Fan-out 扇出
    Fast recovery 快恢复
    Fast surface states 快界面态
    Feedback 反馈
    Fermi level 费米能级
    Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布
    Femi potential 费米势
    Fick equation 菲克方程(扩散)
    Field effect transistor 场效应晶体管
    Field oxide 场氧化层
    Filled band 满带
    Film 薄膜
    Flash memory 闪烁存储器
    Flat band 平带
    Flat pack 扁平封装
    Flicker noise 闪烁(变)噪声
    Flip-flop toggle 触发器翻转
    Floating gate 浮栅
    Fluoride etch 氟化氢刻蚀
    Forbidden band 禁带
    Forward bias 正向偏置
    Forward blocking /conducting正向阻断/导通
    Frequency deviation noise频率漂移噪声
    Frequency response 频率响应
    Function 函数

    G

    Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
    Gamy ray r 射线
    Gate 门、栅、控制极
    Gate oxide 栅氧化层
    Gauss(ian) 高斯
    Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布
    Generation-recombination 产生-复合
    Geometries 几何尺寸
    Germanium(Ge) 锗
    Graded 缓变的
    Graded (gradual) channel 缓变沟道
    Graded junction 缓变结
    Grain 晶粒
    Gradient 梯度
    Grown junction 生长结
    Guard ring 保护环
    Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型
    Gunn - effect 狄氏效应

    H

    Hardened device 辐射加固器件
    Heat of formation 形成热
    Heat sink 散热器、热沉
    Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
    Heavy saturation 重掺杂
    Hell - effect 霍尔效应
    Heterojunction 异质结
    Heterojunction structure 异质结结构
    Heterojunction Bipolar Transistor(HBT)异质结双极型晶体
    High field property 高场特性
    High-performance MOS.( H-MOS)高性能
    MOS. Hormalized 归一化
    Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器
    Hot carrior 热载流子
    Hybrid integration 混合集成

    I

    Image - force 镜象力
    Impact ionization 碰撞电离
    Impedance 阻抗
    Imperfect structure 不完整结构
    Implantation dose 注入剂量
    Implanted ion 注入离子
    Impurity 杂质
    Impurity scattering 杂志散射
    Incremental resistance 电阻增量(微分电阻)
    In-contact mask 接触式掩模
    Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物
    Induced channel 感应沟道
    Infrared 红外的
    Injection 注入
    Input offset voltage 输入失调电压
    Insulator 绝缘体
    Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅
    FET Integrated injection logic集成注入逻辑
    Integration 集成、积分
    Interconnection 互连
    Interconnection time delay 互连延时
    Interdigitated structure 交互式结构
    Interface 界面
    Interference 干涉
    International system of unions国际单位制
    Internally scattering 谷间散射
    Interpolation 内插法
    Intrinsic 本征的
    Intrinsic semiconductor 本征半导体
    Inverse operation 反向工作
    Inversion 反型
    Inverter 倒相器
    Ion 离子
    Ion beam 离子束
    Ion etching 离子刻蚀
    Ion implantation 离子注入
    Ionization 电离
    Ionization energy 电离能
    Irradiation 辐照
    Isolation land 隔离岛
    Isotropic 各向同性

    J

    Junction FET(JFET) 结型场效应管
    Junction isolation 结隔离
    Junction spacing 结间距
    Junction side-wall 结侧壁

    L

    Latch up 闭锁
    Lateral 横向的
    Lattice 晶格
    Layout 版图
    Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟
    /晶格缺陷/晶格畸变
    Leakage current (泄)漏电流
    Level shifting 电平移动
    Life time 寿命
    linearity 线性度
    Linked bond 共价键
    Liquid Nitrogen 液氮
    Liquid-phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术
    Lithography 光刻
    Light Emitting Diode(LED) 发光二极管
    Load line or Variable 负载线
    Locating and Wiring 布局布线
    Longitudinal 纵向的
    Logic swing 逻辑摆幅
    Lorentz 洛沦兹
    Lumped model 集总模型

    M

    Majority carrier 多数载流子
    Mask 掩膜板,光刻板
    Mask level 掩模序号
    Mask set 掩模组
    Mass - action law质量守恒定律
    Master-slave D flip-flop主从D触发器
    Matching 匹配
    Maxwell 麦克斯韦
    Mean free path 平均自由程
    Meandered emitter junction梳状发射极结
    Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间
    Megeto - resistance 磁阻
    Mesa 台面
    MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET
    Metallization 金属化
    Microelectronic technique 微电子技术
    Microelectronics 微电子学
    Millen indices 密勒指数
    Minority carrier 少数载流子
    Misfit 失配
    Mismatching 失配
    Mobile ions 可动离子
    Mobility 迁移率
    Module 模块
    Modulate 调制
    Molecular crystal分子晶体
    Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
    Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管
    Multiplication 倍增
    Modulator 调制
    Multi-chip IC 多芯片IC
    Multi-chip module(MCM) 多芯片模块
    Multiplication coefficient倍增因子

    N

    Naked chip 未封装的芯片(裸片)
    Negative feedback 负反馈
    Negative resistance 负阻
    Nesting 套刻
    Negative-temperature-coefficient 负温度系数
    Noise margin 噪声容限
    Nonequilibrium 非平衡
    Nonrolatile 非挥发(易失)性
    Normally off/on 常闭/开
    Numerical analysis 数值分析

    O

    Occupied band 满带
    Officienay 功率
    Offset 偏移、失调
    On standby 待命状态
    Ohmic contact 欧姆接触
    Open circuit 开路
    Operating point 工作点
    Operating bias 工作偏置
    Operational amplifier (OPAMP)运算放大器
    Optical photon =photon 光子
    Optical quenching光猝灭
    Optical transition 光跃迁
    Optical-coupled isolator光耦合隔离器
    Organic semiconductor有机半导体
    Orientation 晶向、定向
    Outline 外形
    Out-of-contact mask非接触式掩模
    Output characteristic 输出特性
    Output voltage swing 输出电压摆幅
    Overcompensation 过补偿
    Over-current protection 过流保护
    Over shoot 过冲
    Over-voltage protection 过压保护
    Overlap 交迭
    Overload 过载
    Oscillator 振荡器
    Oxide 氧化物
    Oxidation 氧化
    Oxide passivation 氧化层钝化

    P

    Package 封装
    Pad 压焊点
    Parameter 参数
    Parasitic effect 寄生效应
    Parasitic oscillation 寄生振荡
    Passination 钝化
    Passive component 无源元件
    Passive device 无源器件
    Passive surface 钝化界面
    Parasitic transistor 寄生晶体管
    Peak-point voltage 峰点电压
    Peak voltage 峰值电压
    Permanent-storage circuit 永久存储电路
    Period 周期
    Periodic table 周期表
    Permeable - base 可渗透基区
    Phase-lock loop 锁相环
    Phase drift 相移
    Phonon spectra 声子谱
    Photo conduction 光电导
    Photo diode 光电二极管
    Photoelectric cell 光电池
    Photoelectric effect 光电效应
    Photoenic devices 光子器件
    Photolithographic process 光刻工艺
    (photo) resist (光敏)抗腐蚀剂
    Pin 管脚
    Pinch off 夹断
    Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎(效应)
    Planar process 平面工艺
    Planar transistor 平面晶体管
    Plasma 等离子体
    Plezoelectric effect 压电效应
    Poisson equation 泊松方程
    Point contact 点接触
    Polarity 极性
    Polycrystal 多晶
    Polymer semiconductor聚合物半导体
    Poly-silicon 多晶硅
    Potential (电)势
    Potential barrier 势垒
    Potential well 势阱
    Power dissipation 功耗
    Power transistor 功率晶体管
    Preamplifier 前置放大器
    Primary flat 主平面
    Principal axes 主轴
    Print-circuit board(PCB) 印制电路板
    Probability 几率
    Probe 探针
    Process 工艺
    Propagation delay 传输延时
    Pseudopotential method 膺势发
    Punch through 穿通
    Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse
    Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
    Punchthrough 穿通
    Push-pull stage 推挽级

    Q

    Quality factor 品质因子
    Quantization 量子化
    Quantum 量子
    Quantum efficiency量子效应
    Quantum mechanics 量子力学
    Quasi – Fermi-level准费米能级
    Quartz 石英

    R

    Radiation conductivity 辐射电导率
    Radiation damage 辐射损伤
    Radiation flux density 辐射通量密度
    Radiation hardening 辐射加固
    Radiation protection 辐射保护
    Radiative - recombination辐照复合
    Radioactive 放射性
    Reach through 穿通
    Reactive sputtering source 反应溅射源
    Read diode 里德二极管
    Recombination 复合
    Recovery diode 恢复二极管
    Reciprocal lattice 倒核子
    Recovery time 恢复时间
    Rectifier 整流器(管)
    Rectifying contact 整流接触
    Reference 基准点 基准 参考点
    Refractive index 折射率
    Register 寄存器
    Registration 对准
    Regulate 控制 调整
    Relaxation lifetime 驰豫时间
    Reliability 可靠性
    Resonance 谐振
    Resistance 电阻
    Resistor 电阻器
    Resistivity 电阻率
    Regulator 稳压管(器)
    Relaxation 驰豫
    Resonant frequency共射频率
    Response time 响应时间
    Reverse 反向的
    Reverse bias 反向偏置

    S

    Sampling circuit 取样电路
    Sapphire 蓝宝石(Al2O3)
    Satellite valley 卫星谷
    Saturated current range电流饱和区
    Saturation region 饱和区
    Saturation 饱和的
    Scaled down 按比例缩小
    Scattering 散射
    Schockley diode 肖克莱二极管
    Schottky 肖特基
    Schottky barrier 肖特基势垒
    Schottky contact 肖特基接触
    Schrodingen 薛定厄
    Scribing grid 划片格
    Secondary flat 次平面
    Seed crystal 籽晶
    Segregation 分凝
    Selectivity 选择性
    Self aligned 自对准的
    Self diffusion 自扩散
    Semiconductor 半导体
    Semiconductor-controlled rectifier 可控硅
    Sendsitivity 灵敏度
    Serial 串行/串联
    Series inductance 串联电感
    Settle time 建立时间
    Sheet resistance 薄层电阻
    Shield 屏蔽
    Short circuit 短路
    Shot noise 散粒噪声
    Shunt 分流
    Sidewall capacitance
    边墙电容 Signal 信号
    Silica glass 石英玻璃
    Silicon 硅
    Silicon carbide 碳化硅
    Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅
    Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅
    Silicon On Insulator 绝缘硅
    Siliver whiskers 银须
    Simple cubic 简立方
    Single crystal 单晶
    Sink 沉
    Skin effect 趋肤效应
    Snap time 急变时间
    Sneak path 潜行通路
    Sulethreshold 亚阈的
    Solar battery/cell 太阳能电池
    Solid circuit 固体电路
    Solid Solubility 固溶度
    Sonband 子带
    Source 源极
    Source follower 源随器
    Space charge 空间电荷
    Specific heat(PT) 热
    Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的
    Spin 自旋 Split 分裂
    Spontaneous emission 自发发射
    Spreading resistance扩展电阻
    Sputter 溅射 Stacking fault 层错
    Static characteristic 静态特性
    Stimulated emission 受激发射
    Stimulated recombination 受激复合
    Storage time 存储时间
    Stress 应力
    Straggle 偏差
    Sublimation 升华
    Substrate 衬底
    Substitutional 替位式的
    Superlattice 超晶格
    Supply 电源 Surface 表面
    Surge capacity 浪涌能力
    Subscript 下标
    Switching time 开关时间
    Switch 开关

    T

    Tailing 扩展
    Terminal 终端
    Tensor 张量 Tensorial 张量的
    Thermal activation 热激发
    Thermal conductivity 热导率
    Thermal equilibrium 热平衡
    Thermal Oxidation 热氧化
    Thermal resistance 热阻
    Thermal sink 热沉
    Thermal velocity 热运动
    Thermoelectricpovoer 温差电动势率
    Thick-film technique 厚膜技术
    Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路
    Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体
    Threshlod 阈值
    Thyistor 晶闸管
    Transconductance 跨导
    Transfer characteristic 转移特性
    Transfer electron 转移电子
    Transfer function 传输函数 Transient 瞬态的
    Transistor aging(stress) 晶体管老化
    Transit time 渡越时间
    Transition 跃迁
    Transition-metal silica 过度金属硅化物
    Transition probability 跃迁几率
    Transition region 过渡区
    Transport 输运 Transverse 横向的
    Trap 陷阱 Trapping 俘获
    Trapped charge 陷阱电荷
    Triangle generator 三角波发生器
    Triboelectricity 摩擦电
    Trigger 触发
    Trim 调配 调整
    Triple diffusion 三重扩散
    Truth table 真值表
    Tolerahce 容差
    Tunnel(ing) 隧道(穿)
    Tunnel current 隧道电流
    Turn over 转折
    Turn - off time 关断时间

    U

    Ultraviolet 紫外的
    Unijunction 单结的
    Unipolar 单极的
    Unit cell 原(元)胞
    Unity-gain frequency 单位增益频率
    Unilateral-switch单向开关

    V

    Vacancy 空位 Vacuum 真空
    Valence(value) band 价带 Value band edge 价带顶
    Valence bond 价键 Vapour phase 汽相
    Varactor 变容管 Varistor 变阻器
    Vibration 振动 Voltage 电压

    W

    Wafer 晶片
    Wave equation 波动方程
    Wave guide 波导
    Wave number 波数
    Wave-particle duality 波粒二相性
    Wear-out 烧毁
    Wire routing 布线
    Work function 功函数
    Worst-case device 最坏情况器件

    Y

    Yield 成品率

    Z

    Zener breakdown 齐纳击穿
    Zone melting 区熔法

    展开全文
  • 7 series FPGA 7 系列 FPGA A Absolute Maximum Rating 绝对最大额定 academic 学术 accelerated flow 加速流程 acceleration 加速 accelerator 加速器 accelerator card 加速器卡 acceptance filter 验收过滤器 ...
    英语中文

    1-9

     
    10 gigabit10 Gb
    1st Nyquist zone第一奈奎斯特区域
    3D full‑wave electromagnetic solver3D 全波电磁解算器
    3-state三态
    4th generation segmented routing第四代分层布线技术
    5G commercialization5G 商用
    7 series FPGA7 系列 FPGA

    A

     
    Absolute Maximum Rating绝对最大额定值
    academic学术
    accelerated flow加速流程
    acceleration加速
    accelerator加速器
    accelerator card加速器卡
    acceptance filter验收过滤器
    Access lounge用户访问专区
    Accessible方便易用
    accumulator累加器
    activation激活
    active clock edge有效时钟沿
    active cooling主动散热
    Active Cooling主动散热
    active I/O termination有源 I/O 终端
    active interconnect有源互连 (Active Interconnect)
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    Active Power有功功耗
    Active State Power Manager (ASPM)活动状态功耗管理器 (ASPM)
    active-High高电平有效
    active-Low低电平有效
    adaptable打造灵活
    Adaptable Computing Acceleration Platform自适应计算加速平台
    adaptation time调整时间
    Adaptive Computing自适应计算
    adaptive delay自适应延迟
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    adder-chain加法链
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    AXI coherency extension (ACE)AXI 一致性扩展 (ACE)

    B

     
    Back Pressure反压
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    Best Practice最佳实践
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    Big Endian大字节序
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    boot image启动镜像
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    Bus Functional Model总线功能模型
    bus functional model总线功能模型
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    bus-width detection pattern总线宽度探测码形|总线宽度检测位
    Bypass旁路
    byte字节
    byte- and word-wide configurations单字节及多字节宽度配置
    Byte Memory Planner字节存储计划器

    C

     
    cable电缆
    cache高速缓存
    Cache Coherent Interconnect高速缓存一致性互连
    Cache Coherent Interconnect for Accelerators加速器缓存一致性互连
    cache flush缓存刷新
    cache hit缓存命中
    cage外壳
    calibration校准
    cancel取消
    capacitance电容
    capacitor电容器
    capture edge捕获沿
    carousel数据轮播
    carrier card载卡
    Carrier Class Ethernet Services电信级以太网业务
    carrier signal载波信号
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    carry logic进位逻辑
    carry propagation进位传递
    cascadable可级联的
    cascade级联
    cascade connection级联连接
    cascade-integrator-comb级联积分梳状 (CIC)
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    cell bloating单元膨胀
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    ceramic BGA陶瓷 (Ceramic) BGA|Ceramic BGA
    ceramic Brazed CQFP陶瓷铜焊 (Ceramic Brazed) CQFP|Ceramic Brazed CQFP
    ceramic DIP陶瓷 (Ceramic) DIP|Ceramic DIP
    Ceramic Packaging and Pinout Specifications陶瓷封装和管脚规范
    ceramic PGA陶瓷 (Ceramic) PGA|Ceramic PGA
    ceramic quad陶瓷方形 (Ceramic Quad)|Ceramic Quad
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    channel matrix inversion信道矩阵求逆
    channel reordering信道重新排序
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    characterization data特性描述数据
    Characterization Kit特性描述套件
    Characterization Kit特性描述套件
    check box复选框
    checklist检查表
    checkpoint检查点
    checkpoint verification检查点验证
    checksum offloading卸载校验和|卸载校验和运算
    cheksum校验和
    Chinese (Simplified)简体中文
    chip芯片
    chroma keying色度键控
    cipher block chaining密码分组链接
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    Circuitry电路
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    clamshell蛤壳
    click单击
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    clock buffer时钟缓存
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    clock crossing跨时钟
    clock cycle时钟周期
    clock domain时钟域
    clock domain crossing|clock-domain-crossing时钟域交汇
    clock edge时钟沿
    clock enable时钟使能
    clock frequency时钟频率
    clock gating时钟门控
    clock input divide时钟输入分频
    clock interaction时钟相关性
    Clock Management时钟管理|时钟控制
    Clock Management Tile时钟管理模块
    clock net时钟信号线
    clock net时钟信号线
    clock network时钟网络
    clock network时钟网络
    clock pessimism removal (CPR)时钟消极因素移除 (CPR)
    clock phase时钟相位
    clock planning时钟规划
    clock polarity时钟极性
    clock rate时钟速率
    clock region时钟区域
    clock root时钟根
    clock sense时钟敏感
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    CNN pruningCNN 剪枝
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    coherent mesh network一致性网状网络
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    color space色彩空间
    command命令
    command-line命令行
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    common-mode voltage共模电压
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    communication link通信链路
    Community Relations社区关系
    commutative property交换律
    Company Fact Sheet公司情况说明
    comparator比较器
    compatibility兼容性
    compilation编译
    compile编译
    compile order list编译次序列表
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    complex conjugate number共轭复数
    complex exponential复指数
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    compression压缩
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    computationally intensive计算密集型
    compute计算
    compute intensive计算密集型
    compute unit计算单元
    computer计算机
    computer peripheral计算机外设
    concatenate path连接通路
    concurrent assertion并发断言
    concurrent processing并发处理
    conduction-cooled传导式散热
    cone
    confidence可信度
    confidence level信心级别
    config配置
    configurable logic block可配置逻辑块
    configuration配置|设置
    Configuration Status Register (CSR)配置状态寄存器 (CSR)
    configuration storage device配置存储器件
    configure配置|设置
    conformal LEC保形 LEC
    congestion拥塞
    connection联通|连接
    connection automation自动连接
    connectivity连接
    Connectivity Card连接功能卡
    Connectivity Card连接功能卡
    Connectivity Kit连接功能套件
    Connectivity Kit连接功能套件
    connector连接器
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    constant恒定
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    constraint randomization约束随机化
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    constructor构造函数
    consumer消费类|消费者
    consumer function使用者函数
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    Contention争用
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    controlled impedance受控阻抗
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    controller控制器
    convergent rounding收敛的(无偏)舍入
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    conversion-free免转换
    converter转换器
    conveyer belt输送带
    convolutional interleaver卷积交织
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    core
    core inserter核插入器
    correct-by-construction自动建构校正
    correlator相关器
    co-simulation协同仿真
    cost function成本函数
    cost-optimized成本优化
    counter计数器
    Course Description课程介绍
    course schedule课程安排
    coverage覆盖率
    Create Import Peripheral创建和导入外设 (CIP)
    criteria标准
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    cross probing|cross-probing交叉探测
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    cross-compiled交叉编译
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    crosspoint switch交叉点交换机
    Crosstalk串扰
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    crystal resonator晶体谐振器
    current draw电流汲取
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    custom IP development定制 IP 开发
    customer客户
    customer case study客户案例研究
    Customer Notice客户通知
    customer notification客户通知
    customize自定义
    cycle周期|循环
    cyclic prefix insertion周期前缀插入
    Cyclic Redundancy Check循环冗余校验

    D

     
    data数据
    data beat数据节拍
    data bit location数据比特位置
    Data Cable数据线缆
    Data Cable数据线缆
    data center数据中心
    data center数据中心
    data communication数据通信
    data flow数据流
    data hungry需要大量数据的
    data line数据线
    data mask数据掩码
    data path|datapath数据路径
    data preamble数据前同步码
    data regeneration controller数据再生控制器
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    data sheet|datasheet数据手册
    data starvation数据不足
    database数据库
    data-bus turnaround penalty数据总线转换损耗
    dataflow数据流
    datapath width数据路径宽度
    Daughter Card子卡
    Daughter Card子卡
    DC and AC Switching CharacteristicDC 和 AC 开关特性
    DC and Switching Characteristics直流及开关特性
    DC blocking capacitor隔直电容
    deassert|de-assert无效|解除有效
    deblocker去块效应
    deblocking filter去块滤波器
    debug调试
    Debug Card调试卡
    debug channel调试通道
    debug core调试核
    debugger调试器
    debugging调试
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    decimating filter抽取滤波器
    decimation抽取
    decision feedback equalization判定反馈均衡
    decoder解码器
    decompose分解
    decomposition分解
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    decryption解密
    dedicated fallback  reconfiguration logic专用的回读重配置逻辑
    deep深|深度
    Deep-learning Processing Unit (DPU)深度学习处理器 (DPU)
    Defect Detection缺陷检测
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    defense-grade军用级
    definition定义
    degrade劣化
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    Delay Locked Loop (DLL)延迟锁相环 (DLL)
    delineation界定
    demanding signal-processing高强度信号处理
    demapper解映射器
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    demoboard|demo board演示板
    demodulator解调器
    de-mosaic解拼
    density器件密度|容量
    dependency相依性
    dependency property相关属性
    deployment部署
    depth深|深度
    de-puncturing去穿孔
    derandomizer解随机函数发生器
    descrambler解扰器
    description描述|说明
    deserializer解串器
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    Design Advisory设计咨询
    design automation设计自动化
    design closure设计收敛
    design closure设计收敛
    design cycle设计周期
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    O

     
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    PD (Plastic DIP)塑料双列直插封装 (Plastic DIP)
    Peak Cancellation Crest Factor Reduction (PC-CFR)波峰削减-波峰系数削减 (PC-CFR)
    per-bit deskew逐比特去歪斜
    performance性能
    performance margin性能极限
    performance per watt单位功耗性能
    period周期
    peripheral外设
    Peripheral Component InterconnectPCI(外围部件互连)
    personality module connector个性化模块接插件
    perspective透视图
    pessimism消极因素
    PetaLinux tool setPetaLinux 工具包
    phase相位|阶段
    phase acquisition time相位捕获时间
    phase alignment相位对齐
    Phase Error相位误差
    phase factor width相位因子宽度
    phase frequency detector相位频率检测器
    phase locked-loop|Phase-locked loop锁相环
    phase shift相移
    Phased Lock Loop锁相环
    phase-noise mask相位噪声屏蔽
    phase-shift timing increment相位的步进时间
    Physical Coding Sublayer物理编码子层
    physical database物理数据库
    physical layer物理层
    Physical Layer (PHY)物理层 (PHY)
    physical medium attachment物理介质连接
    physical synthesis物理综合
    picture图像
    picture enhancement图像增强
    pin管脚
    pin compatibility tool引脚兼容检查工具
    pin grid array (PGA)针脚栅格阵列 (PGA)
    pin metal quad flat pack针脚金属方形平面封装
    pin planning管脚分配
    pinout管脚
    pinout table管脚表
    pinout|pin-out管脚分配
    pip|PIP
    pipeline流水线
    pipelined function用流水线实现的功能
    pipelining流水打拍
    place布局|放置在
    place and route布局布线
    placement布局
    planar electromagnetic (EM)平面电磁性 (EM)
    plastic DIP塑料 (Plastic)|Plastic DIP
    platform平台
    Platform Cable平台电缆
    Platform Cable平台电缆
    Platform diagram平台框图
    Platform Management Unit平台管理单元
    Platform Management Unit (PMU)平台管理单元 (PMU)
    PLCC塑料无引线芯片载体封装 (PLCC)
    pluggable可插拔
    plugin|plug-in插件
    pointer指针
    polling mode轮询模式
    Polygon List Builder多边形列表生成器
    polyphase interpolating多相插值
    port端口
    port mapping端口映射
    portable便携式
    positive正|上升沿
    post-detection后检波
    Posted transaction转发传输事务
    post-processing后处理
    power电源|功耗
    power analysis功耗分析
    Power cable电源线缆
    power consumption功耗
    power disspation功耗损耗
    power distribution配电
    power domain功耗域
    power down掉电
    power estimate功耗估计
    power estimation功耗估算
    power integrity功耗完整性
    power island电源岛
    power management功耗管理
    power margin功耗裕度
    power penalty功耗代价
    power rail电源供电线
    power rail电源轨
    power regulator电源调节器
    power report功耗报告
    power supply电源
    Power Supply Ramp Time电源缓升时间
    power supply rejection ratio (PSRR)电源电压抑制比 (PSRR)
    power-on上电
    power-saving circuit节能电路
    power-saving technology节能技术
    power-sensitive节能应用
    power-up上电
    PP (Plastic PGA)塑料插脚栅格阵列
    PQ (PQFP)塑料四方扁平封装
    pragma编译指示
    preamble前导码
    preamble detector前导检测器
    pre-compiled预先编译完成的
    predefined预定义
    predistortion filter预校正滤波器
    pre-emphasis预加重
    preempt traffic抢占流量
    Preemption抢占
    pre-engineered预制
    Pre-engineered packaging technology for proven  superior signal integrity确实可实现优异信号完整性的预制封装技术
    Prefetchable可预取
    pre-preg预浸材料
    pre-processing预处理
    preset预置
    pretested intellectual property预先测试过的 IP核
    primary clock基准时钟
    primitive原语
    privacy policy信息保密条款
    privileged特权
    probe探测|探针
    process进程|处理|工艺
    process corner工艺角
    process dependency进程依赖性
    processing处理
    processing system处理器系统
    processor处理器
    processor configuration access port处理器配置访问端口
    processor IP处理器 IP
    processor local bus处理器本机总线 (PLB)
    processor sub-system design处理器子系统设计
    producer function生产者函数
    product产品
    product  selection guide产品选型指南
    product brief产品简介
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    product guide产品指南
    product specifications产品规格
    production量产
    production board量产板
    production qualified (PQ) card量产合格 (PQ) 卡
    production ready量产
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    profiling剖析|profiling
    profiling analysis特性分析
    program程序|编程
    Programmable carrier spacing and position可编程载波间距与位置
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    Programmed Power Manager (PPM)编程功耗管理器 (PPM)
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    provider logic partition提供商逻辑分区
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    public cloud公有云
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    Q

     
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    QR factorizationQR 分解法
    Quadrature Modulation Correction正交调制校正
    qualified server认证服务器
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    Quality of Results结果质量
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    quick reference guide快捷参考指南
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    R

     
    race condition争用条件
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    Radiated & Conducted Emissions辐射放射性与传导放射性
    radiation effect辐射效应
    radiation hardened抗辐射加固
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    real-time window monitoring实时窗口监控
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    reconfigure重新配置
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    S

     
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    static power静态功耗
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    store存储
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    synchronous同步
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    synthesis综合
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    synthesize综合
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    T

     
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    tampering篡改
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    Timing Analyzer时序分析器
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    transistor晶体管
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    transmit发射
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    troubleshoot问题解答
    true differential termination on-chip真正的差分片上终端
    True-Dual RAM真双口 RAM
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    turnkey交钥匙
    tutorial教程
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    U

     
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  • 半导体

    2019-02-11 21:49:40
    半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可...

    半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。

     

    定义

    物质存在的形式多种多样,固体液体气体等离子体

    半导体半导体

    等。我们通常把导电性差的材料,如煤、人工晶体琥珀陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可

    本征半导体:不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下,半导体的价带满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴。空穴导电并不是实际运动,而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动 [1]  。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子- 空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大,实际应用不多。

    分类

    半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导

    半导体半导体

    体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

    半导体的分类,按照其制造技术可以分为:集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类,虽然不常用,但还是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

    相关短语

    半导体Semiconductor;intrinsic semiconductor

    有机半导体[电子] organic semiconductor;TCNQ;OSTS

    半导体晶体[电子] semiconductor crystal;[电子] semiconducting crystal;[电子] crystal semiconducting;[电子] Crystal Semiconductor

    纯半导体intrinsic semiconductor;pure semiconductor

    半导体玻璃semiconducting glass;semiconductorglass

    半导体整流semiconductor rectifier;semiconductor rectifier,semiconductor rectifier

    离子半导体ionic semiconductor

    半导体芯片semiconductor chips;conductor chip;semiconductor pellet;semiconductor chip,semiconductor chip

    半导体制冷semiconductor refrigeration;Semi-conductor refrigerant;Semiconductor Cooling;

    晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格

    共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。

    自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子

    空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。

    电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。

    空穴电流:自由电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。

    本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。

    载流子:运载电荷的粒子称为载流子。

    导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。

    本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。

    本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。

    复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合。

    动态平衡:在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,达到动态平衡。

    载流子的浓度与温度的关系:温度一定,本征半导体中载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时,热运动加剧,挣脱共价键束缚的自由电子增多,空穴也随之增多(即载流子的浓度升高),导电性能增强;当温度降低,则载流子的浓度降低,导电性能变差。

    结论:本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性,可制作热敏和光敏器件,又造成半导体器件温度稳定性差的原因。

    杂质半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,可得到杂质半导体。

    P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。

    多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子。

    少数载流子:P型半导体中,自由电子为少数载流子,简称少子。

    受主原子:杂质原子中的空位吸收电子,称受主原子。

    P型半导体的导电特性:它是靠空穴导电,掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。

    N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。

    多子:N型半导体中,多子为自由电子。

    少子:N型半导体中,少子为空穴。

    施主原子:杂质原子可以提供电子,称施主原子。

    N型半导体的导电特性:掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能也就越强。

    结论:

    多子的浓度主要决定于杂质浓度。

    少子的浓度主要决定于温度。

    PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,

    PN结的形成过程PN结的形成过程

    在它们的交界面就形成PN结。

    PN结的形成过程:如图所示,在无外电场和其它激发作用下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成PN结。

    扩散运动:物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。

    空间电荷区:由于扩散运动使得PN结交界面产生一片复合区域,可以说这里没有多子,也没有少子。因为刚刚扩散过来就会立刻与异性复合,此运动不断发生着(此处请专家斟酌)。P区一侧出现负离子区,N区出现正离子区,它们基本上是固定的,称为空间电荷区。

    电场形成:空间电荷区形成内电场。

    空间电荷加宽,内电场增强,其方向由N区指向P区,阻止扩散运动的进行。

    漂移运动:在电场力作用下,载流子的运动称漂移运动。

    电位差:空间电荷区具有一定的宽度,形成电位差Uho,电流为零。

    耗尽层:绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少,在分析PN结时常忽略载流子的作用,而只考虑离子区的电荷,称耗尽层。

    PN结的特点:具有单向导电性。

    发展历史

    半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

    1833年,英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

    不久,1839法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征。

    1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应,(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到194712月才由贝尔实验室完成。

    1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

    很多人会疑问,为什么半导体被认可需要这么多年呢?主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料,很多与材料相关的问题就难以说清楚。如果感兴趣可以读一下Robert W.Cahn的The coming of Materials Science中关于半导体的一些说明 [2]  。

    特点

    半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。

    ★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。

    ★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。

    特性曲线

    伏安特性曲线:加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示:

    PN伏安特性PN伏安特性

    正向特性:u>0的部分称为正向特性。

    反向特性:u<0的部分称为反向特性。

    反向击穿:当反向电压超过一定数值U(BR)后,反向电流急剧增加,称之反向击穿。

    势垒电容:耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

    变容二极管:当PN结加反向电压时,Cb明显随u的变化而变化,而制成各种变容二极管。如下图所示。

    平衡少子:PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

    非平衡少子:PN结处于正向偏置时,从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

    扩散电容:扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同,这种电容效应称为Cd。

    结电容:势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。

    杂质

    简介

    半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时,杂质原子作为晶格的一分子,其五个价电子中有四个与周围的锗(或硅)原子形成共价结合,多余的一个电子被束缚于杂质原子附近,产生类氢能级杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主,相应能级称为施主能级。施主能

    N型半导体结构图N型半导体结构图

    级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多(图2)。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时,杂质原子与周围四个锗(或硅)原子形成共价结合时尚缺少一个电子,因而存在一个空位,与此空位相应的能量状态就是杂质能级,通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位,使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时,在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小,半导体热敏电阻光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体,导电载流子主要是导带中的电子,属电子型导电,称N型半导体(图3)。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电,称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对,故N型半导体中可存在少量导电空穴,P型半导体中可存在少量导电电子,它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中,少数载流子常扮演重要角色。

    PN结

    P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用电偶层中电场的作用达到平衡时,P区和N区之间形成一定的电势差,称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合,而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合,这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层,故电偶极层也叫阻挡层,阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。

    PN结具有单向导电性,半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势,称光生伏打效应,可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。

    PN结的单向导电性

    P端接电源的正极,N端接电源的负极称之为PN结正偏。此时PN结如同一个开关合上,呈现很小的电阻,称之为导通状态。

    P端接电源的负极,N端接电源的正极称之为PN结反偏,此时PN结处于截止状态,如同开关打开。结电阻很大,当反向电压加大到一定程度,PN结会发生击穿而损坏。

    掺杂

    半导体之所以能广泛应用在今日的数位世界中,凭借的就是其能借由在其晶格中植入杂质改变其电性,这个过程称之为掺杂(doping)。掺杂进入本质半导体(intrinsic semiconductor)的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响。而掺杂过的半导体则称为外质半导体(extrinsic semiconductor)。

    掺杂物

    哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物(dopant)需视两者的原子特性而定。一般而言,掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主(donor)与受主(acceptor)。施主原子带来的价电子(valence electrons)大多会与被掺杂的材料原子产生共价键,进而被束缚。而没有和被掺杂材料原子产生共价键的电子则会被施主原子微弱地束缚住,这个电子又称为施主电子。和本质半导体的价电子比起来,施主电子跃迁传导带所需的能量较低,比较容易在半导体材料的晶格中移动,产生电流。虽然施主电子获得能量会跃迁至传导带,但并不会和本质半导体一样留下一个电洞,施主原子在失去了电子后只会固定在半导体材料的晶格中。因此这种因为掺杂而获得多余电子提供传导的半导体称为n型半导体(n-type semiconductor),n代表带负电荷的电子。

    和施主相对的,受主原子进入半导体晶格后,因为其价电子数目比半导体原子的价电子数量少,等效上会带来一个的空位,这个多出的空位即可视为电洞。受主掺杂后的半导体称为p型半导体(p-type semiconductor),p代表带正电荷的电洞

    以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响。硅有四个价电子,常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。当只有三个价电子的三价元素如硼(boron)掺杂至硅半导体中时,硼扮演的即是受主的角色,掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体。反过来说,如果五价元素如磷(phosphorus)掺杂至硅半导体时,磷扮演施主的角色,掺杂磷的硅半导体成为n型半导体。

    一个半导体材料有可能先后掺杂施主与受主,而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中,受主带来的电洞浓度较高或是施主带来的电子浓度较高,亦即何者为此外质半导体的“多数载子”(majority carrier)。和多数载子相对的是少数载子(minority carrier)。对于半导体元件的操作原理分析而言,少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位。

    载子浓度

    掺杂物浓度对于半导体最直接的影响在于其载子浓度。在热平衡的状态下,一个未经掺杂的本质半导体,电子与电洞的浓度相等,如下列公式所示:

    n=p=ni其中n是半导体内的电子浓度、p则是半导体的电洞浓度,ni则是本质半导体的载子浓度。ni会随着材料或温度的不同而改变。对于室温下的硅而言,ni大约是1×10 cm。

    通常掺杂浓度越高,半导体的导电性就会变得越好,原因是能进入传导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加。掺杂浓度非常高的半导体会因为导电性接近金属而被广泛应用在今日的集成电路制程来取代部份金属。高掺杂浓度通常会在n或是p后面附加一上标的“+”号,例如n代表掺杂浓度非常高的n型半导体,反之例如p则代表轻掺杂的p型半导体。需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体“退化”(degenerate)为导体,掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大。以一个有晶格结构的硅本质半导体而言,原子浓度大约是5×10 cm,而一般集成电路制程里的掺杂浓度约在10 cm至10 cm之间。掺杂浓度在10 cm以上的半导体在室温下通常就会被视为是一个“简并半导体”(degenerated semiconductor)。重掺杂的半导体中,掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一,而轻掺杂则可能会到十亿分之一的比例。在半导体制程中,掺杂浓度都会依照所制造出元件的需求量身打造,以合于使用者的需求。

    掺杂对结构的影响

    掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同,本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶,而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂原子进入硅,则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特,远小于硅本身的能隙1.12电子伏特,所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化(ionize)。

    掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值,这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说,一个p-n接面(p-n junction)的能带会弯折,起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同,但是形成p-n接面后其费米能阶必须保持在同样的高度,造成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都会被弯曲以配合接面处的能带差异。

    上述的效应可以用能带图(band diagram)来解释,。在能带图里横轴代表位置,纵轴则是能量。图中也有费米能阶,半导体的本质费米能阶(intrinsic Fermi level)通常以Ei来表示。在解释半导体元件的行为时,能带图是非常有用的工具

    贝尔实验室

    贝尔实验室(1张)

    半导体材料的制造

    为了满足量产上的需求,半导体的电性必须是可预测并且稳定的,因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。常见的品质问题包括晶格的错位(dislocation)、双晶面(twins),或是堆栈错误(stacking fault)都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体元件而言,材料晶格的缺陷通常是影响元件性能的主因。

    目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为裘可拉斯基制程(Czochralski process)。这种制程将一个单晶的晶种(seed)放入溶解的同材质液体中,再以旋转的方式缓缓向上拉起。在晶种被拉起时,溶质将会沿着固体和液体的接口固化,而旋转则可让溶质的温度均匀。

    半导体与集成电路的关系

    半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。我们知道,电路之所以具有某种功能,主要是因为其内部有电流的各种变化,而之所以形成电流,主要是因为有电子在金属线路和电子元件之间流动(运动/迁移)。所以,电子在材料中运动的难易程度,决定了其导电性能。常见的金属材料在常温下电子就很容易获得能量发生运动,因此其导电性能好;绝缘体由于其材料本身特性,电子很难获得导电所需能量,其内部很少电子可以迁移,因此几乎不导电。而半导体材料的导电特性则介于这两者之间,并且可以通过掺入杂质来改变其导电性能,人为控制它导电或者不导电以及导电的容易程度。这一点称之为半导体的可掺杂特性。

    前面说过,集成电路的基础是晶体管,发明了晶体管才有可能创造出集成电路,而晶体管的基础则是半导体,因此半导体也是集成电路的基础。半导体之于集成电路,如同土地之于城市。很明显,山地、丘陵多者不适合建造城市,沙化土壤、石灰岩多的地方也不适合建造城市。“建造”城市需要选一块好地,“集成”电路也需要一块合适的基础材料——就是半导体。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓(化合物),其中应用最广的、商用化最成功的当推“硅”。

    那么半导体,特别是硅,为什么适合制造集成电路呢?有多方面的原因。硅是地壳中最丰富的元素,仅次于氧。自然界中的岩石、砂砾等存在大量硅酸盐或二氧化硅,这是原料成本方面的原因。硅的可掺杂特性容易控制,容易制造出符合要求的晶体管,这是电路原理方面的原因。硅经过氧化所形成的二氧化硅性能稳定,能够作为半导体器件中所需的优良的绝缘膜使用,这是器件结构方面的原因。最关键的一点还是在于集成电路的平面工艺,硅更容易实施氧化、光刻、扩散等工艺,更方便集成,其性能更容易得到控制。因此后续主要介绍的也是基于硅的集成电路知识,对硅晶体管和集成电路工艺有了解后,会更容易理解这个问题。

    除了可掺杂性之外,半导体还具有热敏性、光敏性、负电阻率温度可整流等几个特性,因此半导体材料除了用于制造大规模集成电路之外,还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途;利用微电子的超微细加工技术,还可以制成MEMS(微机械电子系统),应用在电子、医疗领域。

    应用

    最早的实用“半导体”是「电晶体Transistor)/二极体Diode)」。

    一、在无线电收音机(Radio)及电视机(Television)

    半导体半导体

    中,作为“讯号放大器/整流器”用。

    二、发展「太阳能(Solar Power)」,也用在「光电池(Solar Cell)」中。

    三、半导体可以用来测量温度,测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域,有较高的准确度和稳定性,分辨率可达0.1℃,甚至达到0.01℃也不是不可能,线性度0.2%,测温范围-100~+300℃,是性价比极高的一种测温元件。

    四、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

    命名

    中国半导体器件型号命名方法

    半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

    第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

    第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器

    半导体半导体

    件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

    第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

    第四部分:用数字表示序号

    第五部分:用汉语拼音字母表示规格号

    例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

    日本半导体分立器件型号命名方法

    日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:

    第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

    第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

    第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

    第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是最新产品。

    第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

    美国半导体分立器件型号命名方法

    美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

    第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

    第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

    第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

    第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

    第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

    国际电子联合会半导体型号命名方法

    德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:

    第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

    第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

    第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

    第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

    除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

    1.稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

    2.整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。

    3.晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

    如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

    五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

    欧洲有些国家命名方法

    第一部分:O-表示半导体器件

    第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

    第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。

    第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

    未来发展

    以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中,蓝色发光二极管LED率先实现商品化生产 成功开发蓝光LED和LD之后,科研方向转移到GaN紫外光探测器上 GaN材料在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件,这种电子开关可以提供平稳、无间断电源 [2]  。

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