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  • 半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。
  • 一、二极管的电容效应  二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。  1.势垒电容CB(Cr)  前面已经讲过,PN结内缺少导电的载流子,其电导率很低,相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率...
  • 开关二极管是半导体二极管的一种,是为在电路上进行“开”、“关”而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短,常见的有2AK、2DK等系列,主要用于电子计算机、脉冲和...
  • 数电3_1——半导体二极管门电路

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    半导体二极管门电路2.1 半导体二极管开关特性2.1.1 稳态特性2.1.2 动态特性图解开关时间2.2 二极管门电路举例2.2.1 二极管与门2.2.2 二极管或门二极管构成门电路的缺点: 1. 概述 1.1 门电路 ...

    1. 概述

    1.1 门电路

    实现基本逻辑运算和复合运算单元电路称为门电路,常用门电路有非门、与非门、或非门、异或门、与或非门等

    1.2 正负逻辑系统

    1. 在二值逻辑中,如果用高电平表示逻辑“1” ,低电平表示逻辑“0” ,在这种规定下的逻辑关系称为正逻辑;如果用高电平表示逻辑“0” ,低电平表示逻辑“1” ,在这种规定下的逻辑关系称为负逻辑。如图所示
      在这里插入图片描述
    2. 正负逻辑式互为对偶式,即若给出一个正逻辑的逻辑式,则对偶式即为负逻辑的逻辑式,如正逻辑为或门,即Y=A+BY=A+B对偶式YDABY^{D} =AB。正负逻辑的使用依个人的习惯,但同一系统中采用一种逻辑关系,本课程采用正逻辑
      在这里插入图片描述

    例子:正逻辑对应的是或门时,负逻辑对应的是与门

    正负逻辑 A的电平 B的电平 输出电平
    正逻辑 1 1 1
    负逻辑 0 0 0
    正逻辑 0 1 1
    负逻辑 1 0 0
    正逻辑 1 0 1
    负逻辑 0 1 0
    正逻辑 0 0 0
    负逻辑 1 1 1

    1.3 高低电平的实现

    1.3.1 开关电路实现高低电平

    在数字电路中,输入输出都是二值逻辑,其高低电平用“0”和“1”表示。其高低电平的获得是通过开关电路来实现,如二极管或三极管电路组成。如图所示
    在这里插入图片描述
    原理:当开关S断开时,输出电压voVccv _{o}=V cc ,为高电平“1”;当开关闭合时,输出电压vo0v_{o} =0,为低电平“0”;若开关由三极管构成,则控制三级管工作在截止和饱和状态,就相当开关S的断开和闭合

    1.3.2 互补开关电路

    单开关电路,在导通的时候,因为会有电流通过,所以功耗较大,所以采用下图的互补开关电路,用另外一个管子(开关)代替电阻,节省功耗
    在这里插入图片描述
    原理: 开关S1S_{1}S2S_{2} 受同一输入信号v I 的控制,而且导通和断开的状态相反。当S1S_{1}闭合时,S2S_{2}断开,输出为高电平“1”;相反当S1S_{1} 断开时,S2S_{2}闭合,输出为高电平“0”。

    优点:互补开关电路由于两个开关总有一个是断开的,流过的电流为零,故电路的功耗非常低,因此在数字电路中得到广泛的应用

    1.4 数字电路概述

    1. 优点:在数字电路中由于采用高低电平,并且高低电平都有一个允许的范围,故对元器件的精度和电源的稳定性的要求都比模拟电路要低抗干扰能力也强
    2. 分类:可分为分立元件逻辑门电路和集成逻辑门电路
      ·分立元件逻辑门电路是由半导体器件、电阻和电容连接而成。
      ·集成逻辑门电路是将大量的分立元件通过特殊工艺集成在很小的半导体芯片上

    2. 半导体二极管门电路

    将开关换成二极管,得到以下电路:
    在这里插入图片描述
    对于图所示二极管开关电路,由于二极管具有单向导电性,故它可相当受外加电压vIv_{I}控制的开关

    2.1 半导体二极管开关特性

    2.1.1 稳态特性

    • 将电路处于相对稳定状态(没有剧烈变化)下,晶体二极管所呈现的开关特性称为稳态开关特性
    在这里插入图片描述
    viv_{i}的高电平为VIHVCCV_{IH} =V_{CC}viv_{i}的低电平为VIL0V_{IL} =0,且D为理想元件,即正向导通电阻为0,反向电阻无穷大,稳态时:

    • 当vI=VIHVCCv_{I}=V_{IH} =V_{CC}时,D截止,输出电压voVOHVCCv_{o} =V _{OH} = V_{CC}
    • 当vVIL0v_{} =V_{IL} =0时,D导通,输出电压voVOL0v_o = V_{OL} =0

    即可以用输入电压v i 的高低电平控制二极管的开关状态,并在输出端得到相应的高低电平

    2.1.2 动态特性

    图解

    当电路处于动态状态,即二极管两端电压突然反向时,半导体二极管所呈现的开关特性称为动态开关特性(简称动态特性),二极管的动态特性如图所示
    在这里插入图片描述
    • 由于在输入电压转换状态的瞬间,二极管由反向截止到正向导通时,内电场的建立需要一定的时间,所以二极管电流的上升是缓慢的
    • 当二极管由正向导通到反向截止时,二极管的电流迅速衰减并趋向饱和电流也需要一定的时间.

    因为时间很短,在示波器一般无法看到。在输入信号的频率较低时,导通和截止的转换时间可以认为是瞬间完成,但是频率太高时,就不能忽略( 因为我的电流还没变化完成,你电压又有变化

    开关时间

    将二极管由截止转向导通所需的时间称为 正向恢复时间(开通时间) tont_{on}
    二极管由导通转向截止所需的时间称为 反向恢复时间(关断时间) tret_{re}
    两者统称为二极管的开关时间,一般tont_{on} << tret_{re} (覆水难收)
    在这里插入图片描述

    2.2 二极管门电路举例

    2.2.1 二极管与门

    1. 电路与工作原理——并联作开关
      在这里插入图片描述在这里插入图片描述
      A,B两个二极管,只要有一个是低电平(0V),那么电路就会导通,Y输出低电平(0.7V);只有两个二极管同时为高电平3V,电路截止,Y输出高电平
    2. 输入输出真值表
      在这里插入图片描述

    2.2.2 二极管或门

    1. 电路与工作原理——并联充当电源
      在这里插入图片描述
      在这里插入图片描述
      A,B两个二极管,只要有一个是高电平(3V),那么电路就会导通,Y输出高电平(2.3V);只有两个二极管同时为低电平0V,电路截止,Y输出低电平0V

    2. 输入输出真值表
      在这里插入图片描述

    二极管构成门电路的缺点:

    电平有偏移:输出的高低电平数值与输入的高低电平数值相差一个二极管的压降,后级的二极管门电路电平偏移,甚至使得高电平下降到门限值以下
    带负载能力差:由于这种二极管门电路的输出电阻比较低,故带负载能力差,输出电平会随负载的变化而变化

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  • 半导体二极管的结构1.定义:在PN结两端分别引出一个电极,外加引线和管壳就构成半导体二极管。2,二极管结构: a特性:具有单向导电性 b符号:D(文字符号) c二极管的极性: 3.二极管的分类: 材料:硅二报管,锗二极管,...

    半导体二极管的结构

    1.定义:在PN结两端分别引出一个电极,外加引线和管壳就构成半导体二极管。

    2,二极管结构:

    a特性:具有单向导电性

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    b符号:D(文字符号)

    c二极管的极性:

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    3.二极管的分类: 材料:硅二报管,锗二极管,

    用途:整流,稳压、开关、普通二极管

    结构:工艺、点接触型,面接触型,平面型

    a点接触型二报管特点:

    PN结面积小,结电容小,不能通过较大电流,高频性能好

    b.面接触型二极管特点:

    PN结面积大,结电容大,可通过较大电流,工作频率较低

    用途:用于低频电路,大电流的整流电路,脉冲数字电路开关

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    二极管的伏安特性

    定义:二极管的伏安特性是表示二极管两端的电压和流过它的电流之间关系的曲线,可用来说明二极的工作情况

    1. 反向电流由少子形成,因此反向电流人般很小

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    2.反向击穿特性

    当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这种现象称为二极管的反向击穿,此时加在二极管两端的电压叫做反向击穿电压;

    二极管的主要参数

    二极管是非线性元件,二极管具有单向导电性

    1.最大整流电流IF。

    是指二极管长时间连续使用时,允许通过的最大正向平均电流

    2.反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM

    反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值

    3反向饱和电流IR

    指没有发生反向击穿时的反向电流值,反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好,其大小受温度影响较大。

    4最高工作效率

    指二极管所能承受的最高频率,主要由N结的结电容大小决定;

    半导体三极管

    1半导体三极管的结构.

    半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管),是电子线路中最常用的半导体器件,它在电路中主要起放大和电子开关作用

    定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类

    晶体三极管有集电区,基区和发射区三个区域

    集电区与基区之间的PN结称为集电结,基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向,

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    发射结正向偏置、使电结反向偏置。

    2半导体三极管的电流分配及放大作用

    一、三极管的放大作用

    1.外部条件:发射结正偏,集电结反偏

    2.内部条件:基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度

    3.IE、IB、Ic之间关系':IE=IB+Ic.

    3晶体三极管的特性曲线

    一. 定义:指三极管各电极电压和电流之间的关系曲线,主要包括:输入和输出特性曲线。

    二. 输入特性曲线

    定义:当集电极和发射极之间的电压UCE保持一定时,晶体三极管的输入电流IB(基极电流)与输入电压UBE(基极和发射极之间的电压之间的关系曲线)

    :IB=f(UBE)

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    三. 输出特性曲线

    1.定义:当基极电流IB为某一常数时,晶体三极管的输出电流Ic(集电极电流)与输出电压UCE之间的关系式:IC=f(UCE)

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    半导体三极管的主要参数

    一,共射极电流放大倍数

    1:电流放大倍数又称电流放大系数。

    ①直流放大倍数:在共射极接法下,静态无变化信号输入时,集电极电流与基极电流的比值。

    ②交流放大倍数:在交流工作状态下,晶体三极管集电极电流变化量与基极电流变化量的比值

    ③放大倍数越大,稳定性越差

    二.集电极和发报之间的穿透电流ICEO

    1定义:当IB=0时,集电极上流过的电流

    2由少数载流子的漂移运动形成的

    3常温下,值很小,硅管一般为uA级,锗达mA级易受温度影响,温度升高,ICEO明显增大。

    三.集电极最大允许耗散率PCM

    1定义:保证三极管能正常工作而不致烧坏的最大工作功率,PCM

    2.集电级电流流过集电结时所生的功率损耗

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  • 半导体二极管

    2017-07-25 10:56:00
    半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性 性能 编辑 半导体...

    半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流传导性

    性能

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    半导体二极管
    二极管的伏安特性 阳极:由P区引出的电极为阳极。
    阴极:由N区引出的电极为阴极。
    点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路。
    面接触型二极管,结面积大,电流大,结电容大,适用于低频整流电路
    平面型二极管,结面积较大时可以通过较大电流,适用于大功率整流,结面积较小时,可作为数字电路中的开关管。
    开启电压Uon :使二极管开始导通的临界电压称为开启电压Uon。
    反向电流:当二极管所加反向电压的数值足够大时,产生反向电流为IS。
    在环境温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下。如图所示。
    温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C,反向电流约增大一倍。
    结论:二极管对温度很敏感。

    分类特征

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    按材料分有砷化镓;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后,出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。

    主要参数

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    二极管

    最大整流电流IF:指二极管长期工作,允许通过的最大直流电流
    最高反向工作电压UR:指二极管正常使用允许加的最高反向电压
    稳压管稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。

    稳压管

    ★稳定电压UZ:UZ是在规定电流下稳压管反向击穿电压
    ★稳定电流IZ: IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。只要不超过稳压管的额定功率,电流愈大,稳压效果愈好。
    ★额定功耗PZM:PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积。稳压管超过此值时,会因结温升高而损坏。
    ★动态电阻rZ:rZ为稳压管工作在稳压区时,稳压管电压的变化量与电流变化量之比,即 。rZ愈小,电流变化时UZ的变化愈小,稳压性能愈好。
    温度系数 : 表示温度每变化1°C稳压值的变化量,即 = 。
    限流电阻稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流,从而保证稳压管正常工作,故称这个电阻为限流电阻。

    其它类型

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    发光二极管具有单向导电性。只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才发光,正向电流愈大,发光愈强。

      
    发光二极管 发光二极管
    光电二极管
    光电二极管是远红外线接收管,是一种光能与电能进行转换的器件。
    光电二极管的工作原理:它是利用PN结外加反向电压时,在光线照射下,改变反向电流和反向电阻,当没有光照射时,反向电流很小,反向电阻很大;当有光照射时,反向电阻减小,反向电流加大。
    暗电流:光电二极管在无光照射时的反向电流称为暗电流。
    明电流:有光照射时的电流称为明电流。
    光电二极管 光电二极管

    识别方法

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    a、目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.
    b、用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.
    c、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
    变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。

    参数符号

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    半导体二极管参数符号解释
    Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
    Cjv---偏压结电容
    Co---零偏压电容
    Cjo---零偏压结电容
    Cjo/Cjn---结电容变化
    Cs---管壳电容或封装电容
    Ct---总电容
    CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
    Cvn---标称电容
    IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流 管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
    IF(AV)---正向平均电流
    IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流发光二极管极限电流
    IH---恒定电流、维持电流
    Ii--- 发光二极管起辉电流
    IFRM---正向重复峰值电流
    IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流
    Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
    IF(ov)---正向过载电流
    IL---光电流或稳流二极管极限电流
    IB2---单结晶体管中的基极调制电流
    IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
    IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
    ICM---最大输出平均电流
    IFMP---正向脉冲电流
    IP---峰点电流
    IV---谷点电流
    IGT---晶闸管控制极触发电流
    IGD---晶闸管控制极不触发电流
    IGFM---控制极正向峰值电流
    IR(AV)---反向平均电流
    IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
    IRM---反向峰值电流
    IRR---晶闸管反向重复平均电流
    IDR---晶闸管断态平均重复电流
    IRRM---反向重复峰值电流
    IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流
    Irp---反向恢复电流
    Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流
    Izk---稳压管膝点电流
    IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
    IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
    iF---正向总瞬时电流
    iR---反向总瞬时电流
    ir---反向恢复电流
    Iop---工作电流
    Is---稳流二极管稳定电流
    f---频率
    n---电容变化指数;电容比
    Q---优值(品质因素)
    δvz---稳压管电压漂移
    di/dt---通态电流临界上升率
    dv/dt---通态电压临界上升率
    PB---承受脉冲烧毁功率
    PFT(AV)---正向导通平均耗散功率
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向导通总瞬时耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---门极平均功率
    PGM---门极峰值功率
    PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

    转载于:https://www.cnblogs.com/suway/p/7232849.html

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  • 由于半导体二极管具有单向导电的特性,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻很小,约为几十至几百欧;在反向偏压下,则呈截止状态,其电阻很大,一般硅二极管在10MΩ以上,锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一...
  • 关于半导体器件的开关特性的探究 1· 猜想,半导体是介于导体和绝缘体之间的电介质,开关是否像灯泡开关一样,半导体作为开关是如何控制的,又是为什么可以作为开关。 2· 首先需要解决半导体二极管、三极管和...

      关于半导体器件的开关特性的探究

    1· 猜想,半导体是介于导体和绝缘体之间的电介质,开关是否像灯泡开关一样,半导体作为开关是如何控制的,又是为什么可以作为开关。

    2· 首先需要解决半导体和二极管、三极管和MOS管的关系。

    书上说半导体材料是“硅”“锗”它们都是第4主族元素,外层有4个电子,锗是金属元素,知道第4主族的元素容易形成晶体结合成8个电子的稳定结构,而为什么会使电子运动形成半导体呢?书上说在零下273摄氏度的情况下,晶体结构是稳定的,而常温下容易形成不稳定的价电子,也就是说,共价的电子容易发生移动,这么说,如果电子容易移动,这就不会形成稳定的晶体了。查资料看共4个电子的晶体碳、硅和锗形成了什么?书上说在常温下,在电场力的作用下,纯净的晶体半导体(称为本征半导体)容易把共价的电子形成自由电子,这就是这些半导体形成的原因,那么说他们共同的8个电子,只有几个可以形成自由电子,才形成半导体的吧。自由电子移动后形成的空位叫做空穴,在电场的作用下,电子不断的失去和填补空穴而形成电荷的移动,从而形成了半导体。

    根据以上分析,纯净的半导体导电性能是比较差的,为了提高导电性能而加入杂质(那么我想,想要提高导电性能为什么不直接使用金属导体呢 ,猜想是要把导电性控制到金属和本征半导体之间),那么掺入什么杂质合适呢?书上说的是加入外层3个电子的硼和外层5个电子的磷,之后会有什么效果呢?猜想如果加入硼会少一个电子,不容易形成稳定的结构,那么会有电子来补充形成半导体,如果加入磷,会多一个电子,电子的移动形成半导体。

    书上说,由于加入磷后形成一个自由电子的移动,电子带负电(negative electricity)所以叫N型半导体,由于加入硼后少一个电子,空穴带正电(positive electricity),所以称为P型半导体。那么二极管和三极管还有MOS管是如何形成的呢?

    3· 制成了两种含杂质的半导体有什么用,可以作为开关使用吗?只能限制电流的流通,不能作为开关啊,除非是电流小断开,电流大关闭,可是半导体不能调节电流,那么半导体开关指的是什么呢?书上说的是把P型半导体和N型放在一起使用,那么,多一个电子的N型半导体的电子会向P型少一个电子的半导体运动,那么就会形成由NP的电子运动,利用这一点,书上说PN形成的半导体具有单向导电性,猜想,如果外加电压也是让电子由N型跑到P型,则会导通,也就是说N型一端加负电压,P型一端加正向电压,半导体内外电压方向一致就会导通,反之,如果P型加负电压,N型加正电压,会导致半导体内外电压相反,则会不导通,难道是用这个方式来形成开关的吗?如果是利用这个来做开关,对于直流电来说,要么导通要么不导通,对于交流电来说,方向不停地变,不会作为开关,那么作为开关的半导体是什么呢?

    4· 由PN型半导体构成的叫做二极管,分析PN型二极管的伏安特性:(1)外电场和内电场一致:当外电场非常小的时候,电流很小,外电场几乎不发生作用,当外电场较大的时候电流立即增大,呈现指数规律增大,为了保护二极管,所加的外电压通常为一个固定的值,硅为0.7V,锗为0.2V,(2)外电场和内电场反向的时候,如果外电场较小于内电场,会处于不导通状态,如果外电场很大,会击穿内电场造成二极管的损坏。 可见,无论是正向还是反向的外电场,在外电场较大的时候都会造成二极管的损坏,所以,使用二极管的时候,两端要加上固定大小的正向电压。(猜想:二极管利用加上固定的小电压来导通,利用反向小电压来不导通,是利用这个特性来作为开关的吗?)

    5· 二极管是由PN型半导体形成,那么三极管是由什么组成的呢?书上说用两个PN型半导体组合在一起就形成了三极管。猜想会有两种三极管,两个N型半导体,中间P型半导体,还有两个P型半导体,中间N型半导体。对两种类型的三极管分别进行分析:对于PNP型的三极管,P型半导体少一个电子,N型半导体多一个电子,如果用PNP型三极管,则中间的电子会往两边P型的移动,那么就形成了两个反方向的内电场,此时如果加一个方向的外电场,则会有一个方向相同,有一个方向相反,也就是说一个是电流呈现指数变大,另一个呈现不导通状态,经过分析可以知道,如果把PNP型半导体或者NPN型半导体的两端接在电源两端,则会有一端不导通,另一端电流放大,由于为导通,最终的结果是电路无导通,可见三极管不能直接将电源接在两侧,那么电源的两端应该接在哪里?如果利用PN型的特性来接,显然是行不通的,那么该如何接三极管的三个半导体和电源的两极?

    6· 看书上的接线我觉得很神奇,因为按照我的分析来说,一个电路回路是按二极管的正常接法,另一个是不导通的接法,现在看书上的分析。

    结论是:I(3)=I(1)+I(2);当管子制成以后,I2)和I1)的比例是确定的,称为电流的放大系数;I(3)=I(1)+I(2)

    在这里,有反向电压,为什么没有发挥二极管的不导通作用,书上是这样说的(集电结加反向电压且截面积较大),即使这样解释,三极管只有电流的放大作用,怎么可以作为开关的作用呢?

    ·那什么是MOS管呢?书上说MOS管类似于三极管,比三极管的性能要高出很多,好吧。。。

    ·通过上面的分析可以知道,二极管有单向导电性,可以根据电流方向来作为导通或者不导通的电路开关,而三极管只有电流放大作用,如何作为开关使用呢?

    书上这样说的,当V1非常小的时候,I1)约为0I2)是I1)的倍数,因此I2)也是约为0,此时相当于三极管断开,当V1增大使I1)不为0的时候,I2)也开始有放大电流,此时相当于三极管的闭合。那么根据这说法,二极管利用了单向导电性来体现开关的特性,三极管使用左边的控制电压来体现三极管的开关特性。

    ·总结:二极管和三极管都属于含两种杂质的半导体器件,MOS管是性能较高的三极管,二极管利用单向导电性来作为开关,三极管利用一端电路电压来控制另一端的开关特性。

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半导体二极管开关特性