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  • 光刻胶分为:半导体光刻胶/LCD光刻胶/PBC光刻胶 光刻胶的种类: 光刻胶的主要成分有光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质,是用来 将其它材料聚合在一起的粘合剂;光刻胶的粘附...

    光刻胶分为:半导体光刻胶/LCD光刻胶/PBC光刻胶

    光刻胶的种类:

    光刻胶的主要成分有光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质,是用来 将其它材料聚合在一起的粘合剂;光刻胶的粘附性、胶膜厚度等特性都是由树脂决定的。感光剂是光刻胶的核 心部分,它对光形式的辐射能,特别是在紫外区光的辐射能会发生反应;曝光时间、光源所发射光线的强度都 和感光剂的特性直接相关。溶剂是光刻胶中容量较大的成分;因为感光剂和添加剂都是固态物质,为了将他们 均匀地涂覆,要将它们加入溶剂进行溶解,形成液态物质,且使之具有良好的流动性,可以通过旋转方式涂布 在晶圆表面。添加剂可以用以改变光刻胶的某些特性,如可以通过添加染色剂来改善光刻胶,使其发生反射。

    光刻胶的品种多种多样,基于感光树脂的化学结构,按技术可分为光聚合型、光分解型、光交联型三种。另外,正性和负性光刻胶是光刻胶的两个重要品类,光照后形成可溶物质的为正性胶,形成不可溶物质的为负 性胶。由于性能较优,正性光刻胶应用更广,但由于光刻胶需求量大,负性胶仍有一定的应用市场。

    光刻胶的组成部分:

    光刻胶较为重要的技术指标包括分辨度、对比度、敏感度。优秀的光刻胶必须具备高分辨度、高敏感度和 高对比度,以保证能将精密的图像从掩模版转移到硅片上。另外,光刻胶的技术要求高,所有的技术指标都必 须达标,因此除上述三个硬性指标外,好的光刻胶还必须具有强蚀刻阻抗性、高纯度、低溶解度、高粘附性、 小的表面张力、低成本、长寿命周期以及较高的玻璃化转换温度。

    光刻胶有以下主要技术参数:

    光刻胶应用领域宽阔,半导体光刻胶尤为重要

    光刻胶经过几十年不断的发展和进步,应用领域不断扩大。在光刻胶不断发展进步的过程中,衍生出非常 多的种类,按照应用领域不同,光刻胶可以划分为半导体用光刻胶、液晶显示(LCD)用光刻胶、印刷电路板(PCB) 用光刻胶、其他用途光刻胶。其中,PCB 光刻胶壁垒相对较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术较先进水平。

    1-丙烯酸金刚烷酯 121601-93-2

    1-金刚烷基甲基丙烯酸酯 16887-36-8

    丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯 7398-56-3

    4-乙酰氧基苯乙烯 2628-16-2

    1,3-金刚烷二醇单丙烯酸酯 216581-76-9

    2-甲基-2-金刚烷醇丙烯酸酯 249562-06-9

    2-乙基-2-金刚烷基丙烯酸酯 303186-14-3

    1,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯 81665-82-9

    2-氧代六氢-2H-3,5-亚甲基环戊二烯并[b]呋喃-6-基甲基丙烯酸酯 254900-07-7

    甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯 34759-34-7

    2-异丙基-2-金刚烷丙烯酸甲酯 297156-50-4

    2-异丙基-2-金刚烷醇丙烯酸酯 251564-67-7

    gamma-丁内酯-3-基异丁烯酸酯 130224-95-2

    N-异丙基甲基丙烯酰胺 13749-61-6

    (9H-芴-9,9-二基)双(亚甲基)二丙烯酸酯 583036-99-1

    (5-氧代四氢呋喃-2-基)甲基丙烯酸甲酯 156938-09-9

    1-乙基环戊基甲基丙烯酸酯 266308-58-1

    1-异丙基-1-环己醇甲基丙烯酸酯 811440-77-4

    2-甲基-2-丙烯酸4-羟基苯基酯 31480-93-0

    n-butyl2-(bromomethyl)prop-2-enoate 170216-64-5

    2-(溴甲基)丙烯酸甲酯 4224-69-5

    甲基丙烯酸-9-蒽甲酯 31645-35-9

    2-oxo-2-((2-oxohexahydro-2H-3,5-methanocyclopenta[b]furan-6-yl)oxy)ethylmethacrylate[ 347886-81-1

    2-乙烯基萘 827-54-3

    2-环己基丙烷-2-基甲基丙烯酸酯 186585-56-8

    2-甲基-丙烯酸2-氧代-四氢-呋喃-3-基酯 195000-66-9

    丙烯酸甲基环戊酯 178889-49-1

    丙烯酸1-乙基环戊酯 326925-69-3

    2-氧代四氢呋喃-3-基丙烯酸酯 328249-37-2

    4-叔丁氧基苯乙烯 95418-58-9

    4-(4-(丙烯酰氧基)丁氧基)苯甲酸 69260-42-0

    甲基丙烯酸-2,2,3,3,4,4,4-七氟代-丁酯 13695-31-3

    3-(4-vinylphenyloxy)-1-propene 16215-47-7

    acetic acid,4-ethenylbenzene-1,2-diol 57142-64-0

    1-(1-乙氧基乙氧基)-4-乙烯基苯 157057-20-0

    1-甲基环己基甲基丙烯酸酯 76392-14-8

    2-氧代-2-(2,2,3,3,3-五氟丙氧基)乙基甲基丙烯酸酯 1176273-16-7

    2,5-二甲基己烷-2,5-二基双(2-甲基丙烯酸酯) 131787-39-8

    1-甲基环戊基甲基丙烯酸酯 178889-45-7

    1-乙基环己基甲基丙烯酸酯 274248-09-8

    4-异丙基苯酚 4286-23-1

    (2-oxo-1,3-dioxolan-4-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate 13818-44-5

    乙酸-2-乙烯基苯基酯 63600-35-1

    2-(金刚烷-1-基)丁-2-基甲基丙烯酸酯 325991-26-2

    1-ethoxyethyl 2-methylprop-2-enoate 51920-52-6

    甲基丙烯酸四氢呋喃-2-基酯 15895-80-4

    oxan-2-yl 2-methylprop-2-enoate 52858-59-0

    6-methacryloyl-6-azabicyclo[3.2.0]heptan-7-one 1267624-16-7

    3-叔丁氧基苯乙烯 105612-79-1

    2-丙烯酸3-(二乙氧基甲基甲硅烷基)丙基酯 13732-00-8

    2,3-二羟基丙烯酸丙酯 10095-20-2

    2-[(4-乙烯基苯氧基)甲基]环氧乙烷 2653-39-6

    3,5-二乙酰氧基苯乙烯 155222-48-3

    2-(2,2-二氟乙烯基)双环[2.2.1]庚烷 123455-94-7

    二苯基碘酰氯 1483-72-3

    双[4-(1,1-二甲基乙基)苯基]碘鎓与三氟甲磺酸的盐 84563-54-2

    全氟丁基磺酸三苯基锍盐 144317-44-2

    双(4-叔丁基苯基)氯化碘鎓 5421-53-4

    TBPDPS-PFBS 258872-05-8

    1二(4-叔丁基苯基)碘鎓全氟代丁烷磺酸盐 194999-85-4

    (4-苯基硫代苯基)二苯基锍三氟甲磺酸 111281-12-0

    N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸 85342-62-7

    wyf 01.26

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  • 半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种,分别是紫外全谱(300~450nm)、 G 线(436nm)、 I 线(365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(EUV),相对应于各曝光波 长的...

    光刻胶有 G 线光刻胶、I 线光刻胶、KrF 光刻胶和 ArF 光刻胶四种

    半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种,分别是紫外全谱(300~450nm)、 G 线(436nm)、 I 线(365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(EUV),相对应于各曝光波 长的光刻胶也应运而生。不同的光刻胶中,根据不同的需求,关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等 也有所不同,使得光刻胶有不同的性能,进而能够满足相应的需求。

    目前主要的光刻胶有 G 线光刻胶、I 线光刻胶、KrF 光刻胶和 ArF 光刻胶四种,其基本信息如下所示。

    半导体光刻胶类型:

    为满足更高集成度更精密的集成电路制造,必须采用更短波长的光源,半导体光刻胶也需做出适应性改变。 随着 IC 集成度的提高,世界集成电路的制程工艺水平已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。光的波长对图形精细化转移有着至关重要的作用,因为它会影响感光材料分辨率。波长越短,则分辨率越高。为适应集成电路线宽不断缩小的要求,光刻胶的波长由紫外宽谱向 G 线(436nm)→I 线(365nm)→KrF(248nm)→ ArF(193nm)→F2(157nm)→EUV(<13.5nm)的方向转移,并通过分辨率增强技术不断提升光刻分辨率。

     

    I 线光刻胶和 ArF 光刻胶市场仍将保持增长。根据 SEMI 数据,2018 年全球半导体用光刻胶市场,G 线&I 线、KrF、ArF&液浸 ArF 三类光刻胶三分天下,占比分别占 24%、22%、42%。其中,ArF/液浸 ArF 光刻胶主 要对应目前先进 IC 制程。随着双/多重曝光技术的使用,光刻胶使用次数增加,ArF 光刻胶市场需求将加速扩大。在 EUV 技术成熟之前,ArF 光刻胶仍将是主流。未来,随着功率半导体、传感器、LED 市场的持续扩大,I 线 市场将持续增长。而随着精细化需求增加,I 线光刻胶将被 KrF 光刻胶替代,KrF 光刻胶市场需求将不断增加。

    高端光刻胶亟待国产化。目前市场上正在使用的 KrF 和 ArF 光刻胶基本被日本和美国企业所垄断,包括陶 氏化学、JSR、信越化学、东京应化等企业。目前 KrF 和 ArF 还未在我国实现量产,但上海新阳、南大光电、 晶瑞股份等光刻胶龙头已开始以募资或合作方式加大对以上两种光刻胶的研发力度,高端光刻胶投产指日可待。

    LCD 光刻胶

    在 LCD 面板制造领域,光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象不同,可分为 RGB 胶(彩色胶)、BM 胶(黑色胶)、OC 胶、PS 胶、TFT 胶等。光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准曝光、显影、坚膜、 显影检查、刻蚀、剥离、较终检查等步骤,以实现图形复制转移,制造特定微结构。

    下面通过彩色 LCD 面板的显示原理来说明 LCD 光刻胶在 LCD 屏中是如何应用的。

    由于 LCD 是非主动发光器件,因此其色彩显示必须由本身的背光系统或外部的环境光提供光源,通过驱动 器与控制器形成灰阶显示,再利用彩色滤光片产生红、绿、蓝三基色,依据混色原理形成彩色显示画面。然而,彩色滤光片的产生,必须由光刻胶来完成。

    彩色滤光片是由玻璃基板、黑色矩阵、颜色层、保护层及 ITO 导电膜构成。其中,颜色层(Color)主要由 三原色光刻胶分别经涂布、曝光、显影形成,是彩色滤光片较主要的部分。黑色矩阵(Black Matrix,简称 BM) 是由黑色光刻胶作用形成的模型,作用为防止漏光。光刻胶质量的好坏将直接影响到滤光片的显色性能。

    除了彩色光刻胶和黑色光刻胶之外,TFT Array正性光刻胶也非常重要,其主要用于TFT-LCD制程中的Array 段,主导 TFT 设计的图形转移,其解析度、热稳定性、剥膜性、抗蚀刻能力都优于负性光刻胶。

    目前 LCD 光刻胶市场基本被日韩公司所占领。平板显示器领域,TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是 市场的主流,彩色滤光片是 TFT-LCD 实现彩色显示的关键器件,占面板成本的 15%左右;彩色光刻胶和黑色光 刻胶是制备彩色滤光片的核心材料,占彩色滤光片成本的 27%左右。TFT-LCD 用光刻胶技术壁垒较高,市场基 本被如 JSR、住友化学、三菱化学等日韩公司占领,占有率可达 90%。

    六氟二酐(6FDA) 1107-00-2

    9,9-双(3-氟-4-氨基苯基)芴 (FFDA) 127926-65-2

    9,9-双(4-氨基苯基)芴 (FDA) 15499-84-0

    4,4’-二氨基-2,2’-二甲基联苯 (M-Tolidine) 84-67-3

    2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基) 六氟丙烷 83558-87-6

    1,3-双(3-氨基苯氧基)苯 (APB) 10526-07-5

    4,4'-双(4-氨苯氧基)联苯(BAPB) 13080-85-8

    1,3-双(4-氨苯氧基)苯 2479-46-1

    4,4-二氨基联苯-2,2-二羧酸 17557-76-5

    2,2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基苯基醚 344-48-9

    ODA 4,4'-二氨基二苯醚 101-80-4

    BAPP 2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷 13080-86-9

    TPE-Q 1,4-双(4-氨基苯氧基)苯 3491/12/1

    BPADA 双酚A型二醚二酐 38103-06-9

    BTDA 3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐 2421-28-5

    BPDA 3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐 2420-87-3

    CBDA 环丁烷四甲酸二酐 4415-87-6

    DABA 3,5-二氨基苯甲酸 535-87-5

    TFMB 2,2'-双(三氟甲基)二氨基联苯 341-58-2

    A-BPDA 2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐 36978-41-3

    BOAFL 9,9-二[(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴 47758-37-2

    TCA 四氢-1H-5,9-甲烷吡喃并[3,4-d]噁英-1,3,6,8(4H)-四酮 6053-46-9

    ODPA 4,4'-氧双邻苯二甲酸酐 1823-59-2

    A-ODPA 3,4'-氧双邻苯二甲酸酐 50662-95-8

    HFBAPP 2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷 69563-88-8

    4-溴-N-苯基咔唑 1097884-37-1

    3,6-二溴-9-(2-乙基己基)-9h-咔唑 173063-52-0

    N-(2-萘基)-3-溴咔唑 934545-80-9

    1-溴-N-苯基咔唑 1333002-37-1

    3,6-二叔丁基咔唑 37500-95-1

    3,6-二溴咔唑 6825-20-3

    1-溴咔唑 16807-11-7

    2-溴咔唑 3652-90-2

    2-氯咔唑 10537-08-3

    2-羟基咔唑 86-79-3

    3-溴咔唑 1592-95-6

    3,6-二苯基-9H-咔唑 56525-79-2

    4-溴-9H-咔唑 3652-89-9

    3-苯基-9H-咔唑 103012-26-6

    11,12-二氢-12,12-二甲基茚并[1,2-a]咔唑 1329054-41-2

    9-(4-溴苯基)咔唑 57102-42-8

    10-溴-7H-苯并[c]咔唑 1698-16-4

    9-(3-溴苯基)-9H-咔唑 185112-61-2

    9-(2-溴苯基)-9H-咔唑 902518-11-0

    3-溴-N-苯基咔唑 1153-85-1

    3,6-二溴-9-苯基咔唑 57103-20-5

    3-碘-9-苯基咔唑 502161-03-7

    9-(1-萘基)-3-溴咔唑 934545-83-2

    3-(4-溴苯基)-9-苯基-9H-咔唑 1028647-93-9

    2-溴-9-苯基-9H-咔唑 94994-62-4

    2-(2-氯苯基)-1H-苯并咪唑 3574-96-7

    3,3'-联咔唑 1984-49-2

    3,9'-联咔唑 18628-07-4

    吲哚并[3,2-b]咔唑 241-55-4

    吲哚并[3,2-b]咔唑 6336-32-9

    5,11-二氢-11,11-二甲基茚并[1,2-b]咔唑 1260228-95-2

    5,7-二氢-7,7-二甲基-茚并[2,1-b]咔唑 1257220-47-5

    9-(4'-溴联苯-4-基)-9H-咔唑 212385-73-4

    4,4'-二(9-咔唑)联苯 58328-31-7

    5,12-二氢-12,12-二甲基茚并[1,2-c]咔唑 1346645-54-2

    5,7-二氢-吲哚并[2,3-b]咔唑 111296-90-3

    吲哚并[2,3-a]咔唑 60511-85-5

    9H-咔唑-3-硼酸频哪醇酯 855738-89-5

    9-(4-苯基苯基)咔唑 6299-16-7

    14H-苯并[c]苯并[4,5]噻吩并[2,3-a]咔唑 1313395-18-4

    9-(2-萘基)-3,6-二溴咔唑 1221237-83-7

    2,7-二溴咔唑 36630-39-2

    2-苯基-9H-咔唑 88590-00-5

    咔唑 86-74-8

    9H-咔唑-3,6-二甲腈 57103-03-4

    3,6-二碘咔唑 57103-02-3

    3-氰基咔唑 57102-93-9

    9,9'-二([1,1'-联苯]-4-基)-3,3'-联-9H-咔唑 57102-51-9

    3-氯咔唑 2732-25-4

    N-(3-联苯基)-N-(4-联苯基)-3,3-双咔唑 1643479-47-3

    5,7-二氢-5-苯基吲哚[2,3-b]咔唑 1448296-00-1

    9'-苯基-9H,9H'-3,3'-咔唑 1060735-14-9

    3,6-二乙氧基咔唑 1707264-12-7

    9-苯基-9H,9H-3,3-咔唑 10607435-14-9

    9-乙烯卡唑 1484-13-5

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  • 光刻胶作为光刻曝光的核心材料,其分辨率是光刻胶实现器件的关键尺寸(如器件线宽) 的衡量值,光刻胶分辨率越高形成的图形关键尺寸越小。对比度是指光刻胶从曝光区到非 曝光区过渡的陡度,对比度越高,形成图形的...
  • 半导体光刻胶是光刻工艺较重要的一种耗材 光刻胶——高精度光刻的关键 在半导体制造领域,上游微电子材料和设备是支撑该行业的关键部分。上游微电子材料包括半导体制造过 程中用到的所有化学材料,包括硅片、光刻...

    半导体光刻胶是光刻工艺较重要的一种耗材

    光刻胶——高精度光刻的关键

    在半导体制造领域,上游微电子材料和设备是支撑该行业的关键部分。上游微电子材料包括半导体制造过 程中用到的所有化学材料,包括硅片、光刻胶及辅助材料、光掩模、CMP 抛光材料、工艺化学品、溅射靶材、 特种气体等。其中,光刻胶是占据极其重要地位的关键原材料。

    光刻是将电路图形由掩膜版转移到硅片上,为后续刻蚀工艺做准备的过程。光刻是 IC 制造过程中耗时较长、 难度较大的工艺之一,耗时占 IC 制造 50%,成本占 IC 制造 1/3。在一次芯片制造中,往往要对硅片进行上十次 光刻,其主要流程为清洗、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀、光刻胶剥离、离子注入等。在光刻 过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线曝光后,光刻胶的化学性质发生变化,通过显影后,被曝光的光刻胶将被去除,电路图形由掩膜版转移到光刻胶上,再经过刻蚀工艺,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。

    光刻胶是光刻工艺较重要的耗材,光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用,因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺,可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低,但是技术壁垒高,不可替代,难以保存。

    光刻过程示意图

    光刻胶按照应用场景不同可分为半导体光刻胶、LCD 光刻胶、PCB 光刻胶。光刻胶处于半导体产业链的 材料环节,上游为基础化工材料和精细化学品行业,中游为光刻胶制备环节,下游为半导体制造,较后市场是 电子产品应用终端。

    厚胶 Thick Resist SU-8 GM10xx系列 g/h/i-Line 负性 0.1um 0.1-200 具有较大的高宽比,透明度高,垂直度极好。
    SU-8 Microchem g/h/i-Line 负性 0.5um 0.5-650 具有较大的高宽比,透明度高,垂直度极好。
      g/h/i-Line 正性 1um 1—30 可用于选择性电镀电镀,深硅刻蚀等工艺。
    NR26-25000P g/h/i-Line 负性   20-130 厚度大,相对容易去胶。
    电子束光刻胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度(um) 适用范围
    SU-8 GM1010 电子束 负性 100nm 0.1-0.2 可用于做高宽比较大的纳米结构。
    HSQ 电子束 负性 6nm 30nm~180nm 分辨率较好的光刻胶,抗刻蚀。
    XR-1541-002/004/006
    HSQ Fox-15/16 电子束 负性 100nm 350nm~810nm 分辨率较好的光刻胶,抗刻蚀。
    PMMA(国产) 电子束 正性 \ \ 高分辨率,适用于各种电子束光刻工艺,较常用的电子束光刻正胶。
    PMMA(进口) 电子束 正性 \ \ MicroChem,各种分子量,适用于各种电子束光刻工艺,较常用的电子束光刻正胶。
    薄胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度(um) 适用范围
    S18xx系列 g-Line 正性 0.5um 0.4-3.5 较常用的薄光刻胶,分辨率高,稳定可靠。
    SPR955系列 i-Line 正性 0.35um 0.7-1.6 进口高分辨率(0.35um)光刻胶,稳定可靠。
    BCI-3511 i-Line 正性 0.35um 0.5-2 国产0.35um光刻胶,已经在量产单位规模使用。
    NRD6015 248nm 负性 0.2um 0.7-1.3 国产深紫外光刻胶,已经在量产单位规模使用。
    Lift off光刻胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度(μm) 适用范围
    KXN5735-LO g/h/i-Line 负性 4μm 2.2-5.2 负性光刻胶;倒角65-80°,使用普通正胶显影液显影。
    LOL2000/3000 g/h/i-Line / NA 130nm-300nm 非感光性树脂,可以被显影液溶解,作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。
    ROL-7133 g/h/i-Line / 4um 2.8-4 负性光刻胶,倒角75~80°,使用普通正胶显影液。
    光刻胶配套试剂 品名 主要成分 包装 应用 / /
    正胶显影液 TMAH 2.38% 4LR/PC 正胶显影液 / /
    正胶稀释剂 PGMEA 4LR/PC 稀释剂 / /
    SU8 显影液 PGMEA 4L/PC 显影SU8光刻胶 / /
    RD-HMDS HMDS 500ml/PC 增粘剂 / /
    OMNICOAT 见MSDS 500ml/PC SU-8增粘剂 / /

    wyf 01.26

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  • 光刻胶紫外正性光刻胶/负性光刻胶/电子束及深紫外光刻胶 光刻胶 光刻胶紫外正性光刻胶 光刻胶紫外负性光刻胶 电子束及深紫外光刻胶 二手CMP研磨系统 CMP研磨系统 进口CMP系统 进口CMP系统 涂覆...

    光刻胶紫外正性光刻胶/负性光刻胶/电子束及深紫外光刻胶

    光刻胶 光刻胶紫外正性光刻胶
    光刻胶紫外负性光刻胶
    电子束及深紫外光刻胶
    二手CMP研磨系统 CMP研磨系统
    进口CMP系统 进口CMP系统
    涂覆保护产品 旋涂玻璃(SOG )
    旋涂掺杂( SOD )

    在集成电路制造领域,如果说光刻机是推动制程技术进步的“引擎”,光刻胶就是这部“引擎”的“燃料”。下图展示了光刻胶如何在一个NMOS三极管的制造工艺中发挥作用。NMOS三级管是半导体制程工艺中常用的集成电路结构之一。

    一种 NMOS 三极管集成电路结构的制造过程

    在这样一个典型例子中,步骤1中的绿色部分代表红色部分多晶硅材料被涂上了一层光刻胶。在步骤2的光刻曝光过程中,黑色的掩膜遮挡范围之外的光刻胶被都被光刻光源照射,发生了化学性质的改变,在步骤3中表现为变成了墨绿色。在步骤4里,经过显影之后,红色表征的多晶硅材料上方只有之前被光罩遮挡的地方留下了光刻胶材料。

    于是,光罩(掩模版)上的图形就被转移到了多晶硅材料上,完成了“光刻”的过程。在此后的步骤5到步骤7里,基于“光刻”过程在多晶硅材料上留下的光刻胶图形,“多晶硅层刻蚀”、“光刻胶清洗”和“N+离子注入”工艺共同完成了一个NMOS 三极管的构造。

    上图步骤1中的光刻胶涂胶过程也是一种重要的半导体工艺。其目的就是在晶圆表面建立轻薄,均匀且没有缺陷的光刻胶膜。一般来说,光刻胶膜厚度从0.5um到1.5um 不等,厚度的误差需要在正负0.01um以内。半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法,具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。

    静态旋转法涂胶过程示意图

    静态旋转法:先把光刻胶通过滴胶头堆积在硅片的中心,然后低速旋转使得光刻胶铺开,再以高速旋转甩掉多余的光刻胶。在高速旋转的过程中,光刻胶中的溶剂会挥发一部分。这个过程可以如图表16中所示。静态涂胶法中的光刻胶堆积量非常关键,量少了会导致光刻胶不能充分覆盖硅片,量大了会导致光刻胶在硅片边缘堆积甚至流到硅片的背面,影响工艺质量。

    合格与不合格的静态涂胶过程示意图

    动态喷洒法:随着硅片尺寸越来越大,静态涂胶已经不能满足新的硅片加工需求。相对静态旋转法而言,动态喷洒法在光刻胶对硅片进行浇注的时刻就开始以低速旋转帮助光刻胶进行初的扩散。这种方法可以用较少量的光刻胶形成更均匀的光刻胶铺展,终以高速旋转形成满足厚薄与均匀度要求的光刻胶膜。

    1-丙烯酸金刚烷酯 121601-93-2

    1-金刚烷基甲基丙烯酸酯 16887-36-8

    丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯 7398-56-3

    4-乙酰氧基苯乙烯 2628-16-2

    1,3-金刚烷二醇单丙烯酸酯 216581-76-9

    2-甲基-2-金刚烷醇丙烯酸酯 249562-06-9

    2-乙基-2-金刚烷基丙烯酸酯 303186-14-3

    1,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯 81665-82-9

    2-氧代六氢-2H-3,5-亚甲基环戊二烯并[b]呋喃-6-基甲基丙烯酸酯 254900-07-7

    甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯[ 34759-34-7

    2-异丙基-2-金刚烷丙烯酸甲酯 297156-50-4

    2-异丙基-2-金刚烷醇丙烯酸酯 251564-67-7

    gamma-丁内酯-3-基异丁烯酸酯 130224-95-2

    N-异丙基甲基丙烯酰胺 13749-61-6

    (9H-芴-9,9-二基)双(亚甲基)二丙烯酸酯 583036-99-1

    (5-氧代四氢呋喃-2-基)甲基丙烯酸甲酯 156938-09-9

    1-乙基环戊基甲基丙烯酸酯 266308-58-1

    1-异丙基-1-环己醇甲基丙烯酸酯 811440-77-4

    2-甲基-2-丙烯酸4-羟基苯基酯 31480-93-0

    n-butyl2-(bromomethyl)prop-2-enoate 170216-64-5

    2-(溴甲基)丙烯酸甲酯 4224-69-5

    甲基丙烯酸-9-蒽甲酯 31645-35-9

    2-oxo-2-((2-oxohexahydro-2H-3,5-methanocyclopenta[b]furan-6-yl)oxy)ethylmethacrylate[ 347886-81-1

    2-乙烯基萘 827-54-3

    2-环己基丙烷-2-基甲基丙烯酸酯 186585-56-8

    2-甲基-丙烯酸2-氧代-四氢-呋喃-3-基酯 195000-66-9

    丙烯酸甲基环戊酯 178889-49-1

    丙烯酸1-乙基环戊酯 326925-69-3

    2-氧代四氢呋喃-3-基丙烯酸酯 328249-37-2

    4-叔丁氧基苯乙烯 95418-58-9

    4-(4-(丙烯酰氧基)丁氧基)苯甲酸 69260-42-0

    甲基丙烯酸-2,2,3,3,4,4,4-七氟代-丁酯 13695-31-3

    3-(4-vinylphenyloxy)-1-propene 16215-47-7

    acetic acid,4-ethenylbenzene-1,2-diol 57142-64-0

    1-(1-乙氧基乙氧基)-4-乙烯基苯 157057-20-0

    1-甲基环己基甲基丙烯酸酯 76392-14-8

    2-氧代-2-(2,2,3,3,3-五氟丙氧基)乙基甲基丙烯酸酯 1176273-16-7

    2,5-二甲基己烷-2,5-二基双(2-甲基丙烯酸酯) 131787-39-8

    1-甲基环戊基甲基丙烯酸酯 178889-45-7

    1-乙基环己基甲基丙烯酸酯 274248-09-8

    4-异丙基苯酚 4286-23-1

    (2-oxo-1,3-dioxolan-4-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate 13818-44-5

    乙酸-2-乙烯基苯基酯 63600-35-1

    2-(金刚烷-1-基)丁-2-基甲基丙烯酸酯 325991-26-2

    1-ethoxyethyl 2-methylprop-2-enoate 51920-52-6

    甲基丙烯酸四氢呋喃-2-基酯 15895-80-4

    oxan-2-yl 2-methylprop-2-enoate 52858-59-0

    6-methacryloyl-6-azabicyclo[3.2.0]heptan-7-one 1267624-16-7

    3-叔丁氧基苯乙烯 105612-79-1

    2-丙烯酸3-(二乙氧基甲基甲硅烷基)丙基酯 13732-00-8

    2,3-二羟基丙烯酸丙酯 10095-20-2

    2-[(4-乙烯基苯氧基)甲基]环氧乙烷 2653-39-6

    3,5-二乙酰氧基苯乙烯 155222-48-3

    2-(2,2-二氟乙烯基)双环[2.2.1]庚烷 123455-94-7

    二苯基碘酰氯 1483-72-3

    双[4-(1,1-二甲基乙基)苯基]碘鎓与三氟甲磺酸的盐 84563-54-2

    全氟丁基磺酸三苯基锍盐 144317-44-2

    双(4-叔丁基苯基)氯化碘鎓 5421-53-4

    TBPDPS-PFBS 258872-05-8

    1二(4-叔丁基苯基)碘鎓全氟代丁烷磺酸盐 194999-85-4

    (4-苯基硫代苯基)二苯基锍三氟甲磺酸 111281-12-0

    N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸 85342-62-7

    wyf  01.22

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    2019-08-21 00:35:30
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空空如也

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半导体光刻胶