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  • 通过伏安特性理解半导体器件开关特性.pdf
  • 半导体书籍,个人读过的比较不错的一本。对于各种开关过程,描述的十分详细。
  • 这一节的知识有好多都和模拟电路的知识有关,但是由于我是自学不太清楚顺序,所以没有学模拟电路。于是理所应当的这节课的内容我听的满吃力的,课件刷了三遍才大概搞懂了。还好我昨天就已经开始着手去学这节了,不然...

    这一节的知识有好多都和模拟电路的知识有关,但是由于我是自学不太清楚顺序,所以没有学模拟电路。于是理所应当的这节课的内容我听的满吃力的,课件刷了三遍才大概搞懂了。还好我昨天就已经开始着手去学这节了,不然今天肯定就完不成任务了。笔者周二和周四都是满课,早八到晚九的那种。今天的内容是课上偷偷摸鱼弄出来的,所以全都是笔记的形式了,还望海涵。(虽然也没啥人看就是了。。。。)
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    从电脑上来看,图片还是满清晰的,但是以后最好还是弄成文档形式吧

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  • 由于半导体二极管具有单向导电的特性,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻很小,约为几十至几百欧;在反向偏压下,则呈截止状态,其电阻很大,一般硅二极管在10MΩ以上,锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一...
  • 半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。
  • 门电路:用来实现逻辑代数中的逻辑关系电子电路 门电路和逻辑关系相对应,类型有:与门,或门,非门,与非门,或...获取高低电平的方法是利用:电子开关取代机械开关,即二极管,三极管,mos管的开关特性来实现的(...

    门电路:用来实现逻辑代数中的逻辑关系电子电路

    门电路和逻辑关系相对应,类型有:与门,或门,非门,与非门,或非门,异或门等

    信号地 1,0用电位中的高低电平来表示,此处高低电平只是范围不是准确值

    2-8V高电平

    0-0.8V低电平

    正逻辑:高电平表示1,低电平表示0。相反的就是负逻辑

    获取高低电平的方法是利用:电子开关取代机械开关,即二极管,三极管,mos管的开关特性来实现的(半导体器件的开关特性)

    分立元件门电路:

      二极管共阳接法可以实现与门

      二极管共阴接法可以实现或门

      三极管可以实现非门

    分立元件构成的电路缺点很大:

      1.体积庞大,性能不稳定,带负载能力差

      2.在多个门串接使用时,会出现电平偏离的情况

    所有这种电路只会用于某些单元电路中

     

    转载于:https://www.cnblogs.com/wanjn/p/7731814.html

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  • 还是新型功率半导体器件,如:门极关断晶闸管(GTO)、门极换流晶闸管(GCT)、集成门极换流晶闸管(IGCT)等,甚至是绝缘栅双极晶体管(IGBT),都属于双极注入器件,所以它们的通态特性最后都可以归结到PiN功率...
  • GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的,三层半导体材料的结构形式可以是PNP,也可以是NPN。大多数双极型功率晶体管是在重掺质的N+硅衬底上,用外延生长法在N+上生长一层N漂移层,然后在漂移层上扩散P基区,接着扩散N...
  • 完整英文版 IEC 60747-16-4:2017 Semiconductor devices - Part 16-4:Microwave integrated circuits - Switches(半导体器件 - 第16-4部分:微波集成电路 - 开关)。IEC 60747-16-4:2004+A1:2009+A2:2017规定了新的...
  • DCT1401功率器件参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。...

    DCT1401

    功率器件参数测试仪系统

    DCT1401功率器件参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。

    测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类如BJT、MOSFET、IGBT”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

    高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)

    控制极/栅极电压40V,栅极电流10mA

    分辨率最高至1mV / 1nA,精度最高可至0.5%

    DCT1401功率器件参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”,支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

    第一部分:规格&环境

    1.1、产品信息

    产品型号:DCT029-87309001

    产品名称:功率器件参数测试仪系统

    1.2、物理规格

    主机尺寸:深660*宽430*高210(mm)

    主机重量:<35kg

    主机颜色:白色系

    1.3、电气环境

    主机功耗:<300W

    海拔高度:海拔不超过 4000m;

    环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

    相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);

    大气压力:86Kpa~106Kpa;

    防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

    电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

    工作时间:连续;

    第二部分:应用场景和产品特点

    一、应用场景

    1、测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试主要功能为功率器件测试

    2、失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

    3、选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

    4、来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

    5、量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

    6、替代进口(DCT1401功率器件参数测试仪系统可替代同级别进口产品

    二、产品特点

    1、程控高压源10~1400V,提供2000V选配;

    2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A选配;

    3、驱动电压10mV~40V

    4、控制极电流10uA~10mA;

    5、16位ADC,100K/S采样速率;

    6、自动识别器件极性 NPN/PNP

    7、功率器件测试,四线开尔文连接保证加载测量的准确

    8、通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验

    9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器(如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等)

    10、功率器件参数测试仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等);

    11、功率器件参数测试仪系统能实现功率器件测试(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) )

    12、结电容参数也可以测试,诸如Cka,Ciss,Crss,Coss;

    13、脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需外挂升温装置;

    14、Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin),连接分选机最高效率1h/9000个;

    15、功率器件参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用;

    第三部分:产品介绍

    3.1、产品介绍

    DCT1401功率器件参数测试仪系统 是由我公司技术团队结合半导体功率器件测试的多年经验,以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后,完全自主开发设计的全新一代“功率器件参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

    功率器件参数测试仪系统脉冲信号源输出方面,高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)栅极电压40V,栅极电流10mA,分辨率最高至1mV / 30pA,精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写,填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

    产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

    功率器件参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本方便快捷的完成功率器件测试。

    3.2、人机界面(DCT1401功率器件参数测试仪系统)

     

     

    第四部分:功能配置

    4.1、配置选项

    DCT1401功率器件参数测试仪系统的功能配置如下

    4.2、适配器选型

    DCT1401功率器件参数测试仪系统的适配器有如下

    4.3、测试种类及参数

    DCT1401功率器件参数测试仪系统的测试种类和参数如下

    (1)二极管类:二极管  Diode

    Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);

    (2)二极管类:稳压二极管  ZD(Zener Diode)

    Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;

    (3)二极管类:稳压二极管  ZD(Zener Diode)

    Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;

    (4)二极管类:三端肖特基二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)

    Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);

    (5)二极管类:瞬态二极管  TVS

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;

    (6)二极管类:整流桥堆

    Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;

    (7)二极管类:三相整流桥堆

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;

    (8)三极管类:三极管

    Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts(选配)、Value_process;

    (9) 三极管类:双向可控硅

    Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;

    (10)三极管类:单向可控硅

    Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm;

    (11)三极管类:MOSFET

    Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ;

    (12)三极管类:双MOSFET

    Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss;

    (13)三极管类:JFET

    Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss;

    (14)三极管类:IGBT

    Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;

    (15)三极管类:三端开关功率驱动器

    Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;

    (16)三极管类:七端半桥驱动器

    Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;

    (17)三极管类:高边功率开关

    Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt;

    (18)保护类:压敏电阻

    Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

    (19)保护类:单组电压保护器

    Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

    (20)保护类:双组电压保护器

    Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

    (21)稳压集成类:三端稳压器

    Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk;

    (22)稳压集成类:基准IC(TL431)

    Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;

    (23)稳压集成类:四端稳压

    Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk;

    (24)稳压集成类:开关稳压集成器

    选配;

    (25)继电器类:4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

    Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配);

    (26)光耦类:4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

    Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;

    (27)传感监测类:

    电流传感器(ACS712XX系列、CSNR_15XX系列)(选配);

    霍尔器件(MT44XX系列、A12XX系列)(选配);

    电压监控器(选配);

    电压复位IC(选配);

    功率器件测试

    第五部分:性能指标

    DCT1401功率器件参数测试仪系统的性能指标如下

    5.1电流/电压源VIS自带VI测量单元

    1加压(FV)

    量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV

    量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV

    量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV

    量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV

    量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV

    2加流(FI)

    量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA

    量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA

    量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA

    量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA

    量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA

    量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA

    量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA

    说明:电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出,脉宽范围:300us-1000us可调

    3电流测量(MI)

    量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

    量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

    量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

    量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

    量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

    量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

    量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

    4电压测量(MV)

    量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

    量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

    量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

    5.2数据采集部分VM

    16位ADC,100K/S采样速率

    1电压测量(MV)

    量程±2000V分辨率1.22mV精度±1%读数值±20mV

    量程±100V分辨率122uV精度±0.5%读数值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV精度±0.5%读数值±200uV

    量程±1V分辨率1.22uV精度±0.5%读数值±20uV

    2漏电流测量(MI)

    量程±100mA分辨率30uA精度±1%读数值±30uA

    量程±10mA分辨率3uA精度±1%读数值±3uA

    量程±1mA分辨率300nA精度±1%读数值±300nA

    量程±100uA分辨率30nA精度±1%读数值±30nA

    量程±10uA分辨率3nA精度±1%读数值±10nA

    量程±1uA 分辨率300pA精度±1%读数值±10nA

    量程±100nA分辨率30pA精度±1%读数值±5nA

    3电容容量测量(MC)

    量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

    量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

    5.3高压源HVS(基本)12位DAC

    1加压(FV)

    量程1400V/5mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    2加流(FI):

    量程10mA分辨率4.88uA 精度±2%设定值±10uA

    量程2mA分辨率488nA精度±1%设定值±2uA

    量程200uA分辨率48.8nA精度±1%设定值±200nA

    量程20uA分辨率4.88nA精度±1%设定值±20nA

    量程2uA分辨率488pA精度±2%设定值±10nA

    DCT1401功率器件参数测试仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂......

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  • 半导体三极管的功能及用途可分为放大管、开关管、复合管(达林顿管)和高反压管等;若按半导体三极管的工作频率来分,则有低频管、高频管及超高频管等,具体分类如图一所示。  图一 半导体三极管的分类  
  • 关于半导体器件开关特性的探究 1· 猜想,半导体是介于导体和绝缘体之间的电介质,开关是否像灯泡开关一样,半导体作为开关是如何控制的,又是为什么可以作为开关。 2· 首先需要解决半导体和二极管、三极管和...

      关于半导体器件的开关特性的探究

    1· 猜想,半导体是介于导体和绝缘体之间的电介质,开关是否像灯泡开关一样,半导体作为开关是如何控制的,又是为什么可以作为开关。

    2· 首先需要解决半导体和二极管、三极管和MOS管的关系。

    书上说半导体材料是“硅”“锗”它们都是第4主族元素,外层有4个电子,锗是金属元素,知道第4主族的元素容易形成晶体结合成8个电子的稳定结构,而为什么会使电子运动形成半导体呢?书上说在零下273摄氏度的情况下,晶体结构是稳定的,而常温下容易形成不稳定的价电子,也就是说,共价的电子容易发生移动,这么说,如果电子容易移动,这就不会形成稳定的晶体了。查资料看共4个电子的晶体碳、硅和锗形成了什么?书上说在常温下,在电场力的作用下,纯净的晶体半导体(称为本征半导体)容易把共价的电子形成自由电子,这就是这些半导体形成的原因,那么说他们共同的8个电子,只有几个可以形成自由电子,才形成半导体的吧。自由电子移动后形成的空位叫做空穴,在电场的作用下,电子不断的失去和填补空穴而形成电荷的移动,从而形成了半导体。

    根据以上分析,纯净的半导体导电性能是比较差的,为了提高导电性能而加入杂质(那么我想,想要提高导电性能为什么不直接使用金属导体呢 ,猜想是要把导电性控制到金属和本征半导体之间),那么掺入什么杂质合适呢?书上说的是加入外层3个电子的硼和外层5个电子的磷,之后会有什么效果呢?猜想如果加入硼会少一个电子,不容易形成稳定的结构,那么会有电子来补充形成半导体,如果加入磷,会多一个电子,电子的移动形成半导体。

    书上说,由于加入磷后形成一个自由电子的移动,电子带负电(negative electricity)所以叫N型半导体,由于加入硼后少一个电子,空穴带正电(positive electricity),所以称为P型半导体。那么二极管和三极管还有MOS管是如何形成的呢?

    3· 制成了两种含杂质的半导体有什么用,可以作为开关使用吗?只能限制电流的流通,不能作为开关啊,除非是电流小断开,电流大关闭,可是半导体不能调节电流,那么半导体开关指的是什么呢?书上说的是把P型半导体和N型放在一起使用,那么,多一个电子的N型半导体的电子会向P型少一个电子的半导体运动,那么就会形成由NP的电子运动,利用这一点,书上说PN形成的半导体具有单向导电性,猜想,如果外加电压也是让电子由N型跑到P型,则会导通,也就是说N型一端加负电压,P型一端加正向电压,半导体内外电压方向一致就会导通,反之,如果P型加负电压,N型加正电压,会导致半导体内外电压相反,则会不导通,难道是用这个方式来形成开关的吗?如果是利用这个来做开关,对于直流电来说,要么导通要么不导通,对于交流电来说,方向不停地变,不会作为开关,那么作为开关的半导体是什么呢?

    4· 由PN型半导体构成的叫做二极管,分析PN型二极管的伏安特性:(1)外电场和内电场一致:当外电场非常小的时候,电流很小,外电场几乎不发生作用,当外电场较大的时候电流立即增大,呈现指数规律增大,为了保护二极管,所加的外电压通常为一个固定的值,硅为0.7V,锗为0.2V,(2)外电场和内电场反向的时候,如果外电场较小于内电场,会处于不导通状态,如果外电场很大,会击穿内电场造成二极管的损坏。 可见,无论是正向还是反向的外电场,在外电场较大的时候都会造成二极管的损坏,所以,使用二极管的时候,两端要加上固定大小的正向电压。(猜想:二极管利用加上固定的小电压来导通,利用反向小电压来不导通,是利用这个特性来作为开关的吗?)

    5· 二极管是由PN型半导体形成,那么三极管是由什么组成的呢?书上说用两个PN型半导体组合在一起就形成了三极管。猜想会有两种三极管,两个N型半导体,中间P型半导体,还有两个P型半导体,中间N型半导体。对两种类型的三极管分别进行分析:对于PNP型的三极管,P型半导体少一个电子,N型半导体多一个电子,如果用PNP型三极管,则中间的电子会往两边P型的移动,那么就形成了两个反方向的内电场,此时如果加一个方向的外电场,则会有一个方向相同,有一个方向相反,也就是说一个是电流呈现指数变大,另一个呈现不导通状态,经过分析可以知道,如果把PNP型半导体或者NPN型半导体的两端接在电源两端,则会有一端不导通,另一端电流放大,由于为导通,最终的结果是电路无导通,可见三极管不能直接将电源接在两侧,那么电源的两端应该接在哪里?如果利用PN型的特性来接,显然是行不通的,那么该如何接三极管的三个半导体和电源的两极?

    6· 看书上的接线我觉得很神奇,因为按照我的分析来说,一个电路回路是按二极管的正常接法,另一个是不导通的接法,现在看书上的分析。

    结论是:I(3)=I(1)+I(2);当管子制成以后,I2)和I1)的比例是确定的,称为电流的放大系数;I(3)=I(1)+I(2)

    在这里,有反向电压,为什么没有发挥二极管的不导通作用,书上是这样说的(集电结加反向电压且截面积较大),即使这样解释,三极管只有电流的放大作用,怎么可以作为开关的作用呢?

    ·那什么是MOS管呢?书上说MOS管类似于三极管,比三极管的性能要高出很多,好吧。。。

    ·通过上面的分析可以知道,二极管有单向导电性,可以根据电流方向来作为导通或者不导通的电路开关,而三极管只有电流放大作用,如何作为开关使用呢?

    书上这样说的,当V1非常小的时候,I1)约为0I2)是I1)的倍数,因此I2)也是约为0,此时相当于三极管断开,当V1增大使I1)不为0的时候,I2)也开始有放大电流,此时相当于三极管的闭合。那么根据这说法,二极管利用了单向导电性来体现开关的特性,三极管使用左边的控制电压来体现三极管的开关特性。

    ·总结:二极管和三极管都属于含两种杂质的半导体器件,MOS管是性能较高的三极管,二极管利用单向导电性来作为开关,三极管利用一端电路电压来控制另一端的开关特性。

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半导体器件开关特性