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  • 频率特性参数主要有以下几个。  (1)共基极截止频率fα  共基极截止频率又叫α截止频率。在共基极电路中,电流放大系数α值.在工作频率较低时基本上为一常数。  (2)共发射极截止频率fβ  fα和fβ有下列关系:...
  • 常用半导体制冷器件参数见表1。 表1常用半导体制冷器件参数  
  • 半导体器件失效分析

    2018-07-11 12:52:14
    对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情,比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间,有时甚至炸机。 所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件...
  • 随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因...
  • 基于遗传算法的半导体器件模型参数提取.pdf
  • 功率半导体器件直流参数测试系统的研发.pdf
  • 半导体激光器件,一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率...
  • 功率半导体器件直流参数测试系统的研发 (2).pdf
  • 各种电子元器件都有一个使用极限值要求,对于半导体三极管来讲,它的主要极限参数有以下几个。  (1)集电极最大允许电流ICM  半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM。当集电极电流IC增大到一定程度时,β值便会...
  • BP型半导体应变片可用于应力测量和应力分析,还可以作为各种传感器的力一电转换元件。它们具有灵敏度高、机械滞后小、体积小及耗电少等优点。BP型半导体应变片的主要技术特性... 表:BP型半导体应变片主要技术参数  
  • AF型半导体应变片具有灵敏系数大、机械滞后小、阻值范围大以及横向效应小等特点,主要用于测量应力分布,以及作为各种传感器的为一电转换元件,现已广泛用于机械、航空、船舶... 表:AF型半导体应变片主要技术参数  
  • 半导体器件自适应测试参数调节.pdf
  • DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻...

    DCT1401

    半导体功率器件静态参数测试仪系统

    DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。

    测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类如BJT、MOSFET、IGBT”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

    高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)

    控制极/栅极电压40V,栅极电流10mA

    分辨率最高至1mV / 1nA,精度最高可至0.5%

    DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”,支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

     

    第一部分:规格&环境

    1.1、产品信息

    产品型号:DCT1401@029-87309001

    产品名称:半导体功率器件静态参数测试仪系统

    1.2、物理规格

    主机尺寸:深660*宽430*高210(mm)

    主机重量:<35kg

    主机颜色:白色系

    1.3、电气环境

    主机功耗:<300W

    海拔高度:海拔不超过 4000m;

    环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

    相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);

    大气压力:86Kpa~106Kpa;

    防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

    电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

    工作时间:连续;

    第二部分:应用场景和产品特点

    一、应用场景

    1、测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试主要功能为功率器件测试

    2、失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

    3、选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

    4、来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

    5、量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

    6、替代进口(DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品)

     

    二、产品特点

    1、程控高压源10~1400V,提供2000V选配;

    2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A选配;

    3、驱动电压10mV~40V

    4、控制极电流10uA~10mA;

    5、16位ADC,100K/S采样速率;

    6、自动识别器件极性 NPN/PNP

    7、功率器件测试,四线开尔文连接保证加载测量的准确

    8、通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验

    9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器(如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等)

    10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等);

    11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现功率器件测试(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) )

    12、结电容参数也可以测试,诸如Cka,Ciss,Crss,Coss;

    13、脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需外挂升温装置;

    14、Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin),连接分选机最高效率1h/9000个;

    15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用;

    第三部分:产品介绍

    3.1、产品介绍

    DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统 是由我公司技术团队结合半导体功率器件测试的多年经验,以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后,完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

    半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面,高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)栅极电压40V,栅极电流10mA,分辨率最高至1mV / 30pA,精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写,填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

    产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

    半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本方便快捷的完成功率器件测试。

    3.2、人机界面(DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统)

     

     

    第四部分:功能配置

    4.1、配置选项

    DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下

     

    4.2、适配器选型

    DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下

    *

     

    4.3、测试种类及参数

    DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下

    (1)二极管类:二极管  Diode

    Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);

    (2)二极管类:稳压二极管  ZD(Zener Diode)

    Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;

    (3)二极管类:稳压二极管  ZD(Zener Diode)

    Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;

    (4)二极管类:三端肖特基二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)

    Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);

    (5)二极管类:瞬态二极管  TVS

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;

    (6)二极管类:整流桥堆

    Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;

    (7)二极管类:三相整流桥堆

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;

    (8)三极管类:三极管

    Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts(选配)、Value_process;

    (9) 三极管类:双向可控硅

    Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;

    (10)三极管类:单向可控硅

    Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm;

    (11)三极管类:MOSFET

    Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ;

    (12)三极管类:双MOSFET

    Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss;

    (13)三极管类:JFET

    Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss;

    (14)三极管类:IGBT

    Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;

    (15)三极管类:三端开关功率驱动器

    Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;

    (16)三极管类:七端半桥驱动器

    Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;

    (17)三极管类:高边功率开关

    Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt;

    (18)保护类:压敏电阻

    Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

    (19)保护类:单组电压保护器

    Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

    (20)保护类:双组电压保护器

    Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

    (21)稳压集成类:三端稳压器

    Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk;

    (22)稳压集成类:基准IC(TL431)

    Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;

    (23)稳压集成类:四端稳压

    Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk;

    (24)稳压集成类:开关稳压集成器

    选配;

    (25)继电器类:4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

    Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配);

    (26)光耦类:4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

    Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;

    (27)传感监测类:

    电流传感器(ACS712XX系列、CSNR_15XX系列)(选配);

    霍尔器件(MT44XX系列、A12XX系列)(选配);

    电压监控器(选配);

    电压复位IC(选配);

    功率器件测试

    第五部分:性能指标

    DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下

    5.1电流/电压源VIS自带VI测量单元

    1加压(FV)

    量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV

    量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV

    量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV

    量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV

    量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV

    2加流(FI)

    量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA

    量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA

    量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA

    量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA

    量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA

    量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA

    量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA

    说明:电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出,脉宽范围:300us-1000us可调

    3电流测量(MI)

    量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

    量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

    量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

    量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

    量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

    量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

    量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

    4电压测量(MV)

    量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

    量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

    量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

    5.2数据采集部分VM

    16位ADC,100K/S采样速率

    1电压测量(MV)

    量程±2000V分辨率1.22mV精度±1%读数值±20mV

    量程±100V分辨率122uV精度±0.5%读数值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV精度±0.5%读数值±200uV

    量程±1V分辨率1.22uV精度±0.5%读数值±20uV

    2漏电流测量(MI)

    量程±100mA分辨率30uA精度±1%读数值±30uA

    量程±10mA分辨率3uA精度±1%读数值±3uA

    量程±1mA分辨率300nA精度±1%读数值±300nA

    量程±100uA分辨率30nA精度±1%读数值±30nA

    量程±10uA分辨率3nA精度±1%读数值±10nA

    量程±1uA 分辨率300pA精度±1%读数值±10nA

    量程±100nA分辨率30pA精度±1%读数值±5nA

    3电容容量测量(MC)

    量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

    量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

    5.3高压源HVS(基本)12位DAC

    1加压(FV)

    量程1400V/5mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    2加流(FI):

    量程10mA分辨率4.88uA 精度±2%设定值±10uA

    量程2mA分辨率488nA精度±1%设定值±2uA

    量程200uA分辨率48.8nA精度±1%设定值±200nA

    量程20uA分辨率4.88nA精度±1%设定值±20nA

    量程2uA分辨率488pA精度±2%设定值±10nA

    DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂......

    展开全文
  • 半导体器件参数的分散性.pdf
  • 半导体器件国家标准

    2021-07-07 04:01:57
    本文档的主要内容详细介绍的是半导体器件的GB国家标准免费下载 可控硅器件的技术参数,测试条件和方法。
  • 半导体器件的温度参数与质量等级.pdf
  • 半导体器件静态直流参数能力比对方法.pdf
  • 用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪.pdf
  • 行业分类-物理装置-一种功率半导体器件参数特性检测装置.zip
  • 西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、...

    DCT1401

    半导体分立器件静态参数测试系统

    半导体分立器件静态参数测试系统天光测控DCT1401能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。

    测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

    高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)

    控制极/栅极电压40V,栅极电流10mA

    分辨率最高至1mV / 1nA,精度最高可至0.5%

    DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统能够测试分立器件静态参数还可测试“结电容”,支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

    第一部分:规格&环境

    1.1、产品信息

    产品型号:DCT1401& 029@87309001

    产品名称:半导体分立器件静态参数测试系统

    1.2、物理规格

    主机尺寸:深660*宽430*高210(mm)

    主机重量:<35kg

    主机颜色:白色系

    1.3、电气环境

    主机功耗:<300W

    海拔高度:海拔不超过 4000m;

    环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

    相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);

    大气压力:86Kpa~106Kpa;

    防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

    电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

    工作时间:连续;

    第二部分:应用场景和产品特点(DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统)

    一、应用场景

    1、测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)

    2、失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

    3、选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

    4、来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

    5、量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

    6、替代进口(西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统)

    二、产品特点

    1、程控高压源10~1400V,提供2000V选配;

    2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A选配;

    3、驱动电压10mV~40V

    4、控制极电流10uA~10mA;

    5、16位ADC,100K/S采样速率;

    6、自动识别器件极性 NPN/PNP

    7、四线开尔文连接保证加载测量的准确

    8、通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验

    9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器(如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等)

    10、半导体分立器件静态参数测试系统能测很多电子元器件(如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等);

    11、西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统能测试静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) )

    12、结电容参数也可以测试,诸如Cka,Ciss,Crss,Coss;

    13、脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需外挂升温装置;

    14、Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin),连接分选机最高效率1h/9000个;

    15、西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用;

    第三部分:产品介绍(DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统)

    3.1、产品介绍

    西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统 是由我公司技术团队结合半导体功率器件测试的多年经验,以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后,完全自主开发设计的全新一代“半导体分立器件静态参数测试系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

    西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统脉冲信号源输出方面,高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)栅极电压40V,栅极电流10mA,分辨率最高至1mV / 30pA,精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写,填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

    产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

    西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本。

    3.2、人机界面(DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统)

    第四部分:功能配置(DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统)

    4.1、配置选项

    半导体分立器件静态参数测试系统天光测控DCT1401

    4.2、适配器选型

    半导体分立器件静态参数测试系统天光测控DCT1401

    4.3、测试种类及参数

    半导体分立器件静态参数测试系统天光测控DCT1401的测试种类和参数

    (1)二极管类:二极管  Diode

    Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);

    (2)二极管类:稳压二极管  ZD(Zener Diode)

    Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;

    (3)二极管类:稳压二极管  ZD(Zener Diode)

    Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;

    (4)二极管类:三端肖特基二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)

    Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);

    (5)二极管类:瞬态二极管  TVS

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;

    (6)二极管类:整流桥堆

    Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;

    (7)二极管类:三相整流桥堆

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;

    (8)三极管类:三极管

    Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts(选配)、Value_process;

    (9) 三极管类:双向可控硅

    Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;

    (10)三极管类:单向可控硅

    Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm;

    (11)三极管类:MOSFET

    Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ;

    (12)三极管类:双MOSFET

    Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss;

    (13)三极管类:JFET

    Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss;

    (14)三极管类:IGBT

    Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;

    (15)三极管类:三端开关功率驱动器

    Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;

    (16)三极管类:七端半桥驱动器

    Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;

    (17)三极管类:高边功率开关

    Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt;

    (18)保护类:压敏电阻

    Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

    (19)保护类:单组电压保护器

    Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

    (20)保护类:双组电压保护器

    Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

    (21)稳压集成类:三端稳压器

    Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk;

    (22)稳压集成类:基准IC(TL431)

    Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;

    (23)稳压集成类:四端稳压

    Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk;

    (24)稳压集成类:开关稳压集成器

    选配;

    (25)继电器类:4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

    Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配);

    (26)光耦类:4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

    Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;

    (27)传感监测类:

    电流传感器(ACS712XX系列、CSNR_15XX系列)(选配);

    霍尔器件(MT44XX系列、A12XX系列)(选配);

    电压监控器(选配);

    电压复位IC(选配);

    第五部分:性能指标(DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统)

    半导体分立器件静态参数测试系统天光测控DCT1401的性能指标

    5.1电流/电压源VIS自带VI测量单元

    (1)加压(FV)

    量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV

    量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV

    量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV

    量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV

    量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV

    (2)加流(FI)

    量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA

    量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA

    量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA

    量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA

    量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA

    量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA

    量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA

    说明:电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出,脉宽范围:300us-1000us可调

    (3)电流测量(MI)

    量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

    量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

    量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

    量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

    量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

    量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

    量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

    (4)电压测量(MV)

    量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

    量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

    量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

    5.2数据采集部分VM

    16位ADC,100K/S采样速率

    (1)电压测量(MV)

    量程±2000V分辨率1.22mV精度±1%读数值±20mV

    量程±100V分辨率122uV精度±0.5%读数值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV精度±0.5%读数值±200uV

    量程±1V分辨率1.22uV精度±0.5%读数值±20uV

    (2)漏电流测量(MI)

    量程±100mA分辨率30uA精度±1%读数值±30uA

    量程±10mA分辨率3uA精度±1%读数值±3uA

    量程±1mA分辨率300nA精度±1%读数值±300nA

    量程±100uA分辨率30nA精度±1%读数值±30nA

    量程±10uA分辨率3nA精度±1%读数值±10nA

    量程±1uA 分辨率300pA精度±1%读数值±10nA

    量程±100nA分辨率30pA精度±1%读数值±5nA

    (3)电容容量测量(MC)

    量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

    量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

    5.3高压源HVS(基本)12位DAC

    (1)加压(FV)

    量程1400V/5mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    (2)加流(FI):

    量程10mA分辨率4.88uA 精度±2%设定值±10uA

    量程2mA分辨率488nA精度±1%设定值±2uA

    量程200uA分辨率48.8nA精度±1%设定值±200nA

    量程20uA分辨率4.88nA精度±1%设定值±20nA

    量程2uA分辨率488pA精度±2%设定值±10nA

    DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等......

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  • 内容提要 【了解】半导体的相关知识 【熟悉】二极管(即PN结)的单向导电性及主要参数 【了解】三极管的电流放大原理 【熟悉】三极管输出特性曲线的三个工作区及条件和特点、主要参数 【了解】MOS管的工作原理、相应...
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    2021-07-25 18:07:17
    一、常用半导体器件 一、半导体 1 .半导体中有两种载流子 ;自由电子和空穴 。 P 型半导体的多数载流子 是空穴 ;N 型半导体的多数载流子是自由电子 。 2 .PN 结外加正向电压时 ,正向电阻小 ,表现为导通状态 ...

    一、常用半导体器件

    一、半导体

    1 .半导体中有两种载流子 ;自由电子和空穴 。 P 型半导体的多数载流子
    是空穴 ;N 型半导体的多数载流子是自由电子 。

    2 .PN 结外加正向电压时 ,正向电阻小 ,表现为导通状态 ;加反向电压时 ,
    反向电阻很大 ,表现为截止状态 。 这就是 PN 结的单向导电性 。

    二、晶体二极管

    1 .二极管的结构和符号

    image-20210725163117911

    ​ 2 .二极管的伏安特性

    image-20210725164220248

    硅二极管的死区电压为 0.5V 左右 ,锗二极管的死区电压为 0.2 V 左右。正向导通电压硅管为 0.7 V 左右 ,锗管约为
    0.3 V 左右 。

    3 .二极管的核心是一个 PN 结 ,所以单向导电性是它的基本特性 。 二极
    管的伏安特性分为四个区域 :死区 、正向导通区 、反向截止区和反向击穿区 。
    分析伏安特性时要注意二极管的非线性关系 ,即加在二极管两端的电压和流
    过二极管的电流不成比例关系 。

    4.二极管按照所用的材料不同分为硅管和锗管两种 。 硅管的死区电压和
    正向压降比锗管的大 ,而反向饱和电流( I CEO 、I CBO )要比锗管的小 。 使用二极
    管时要注意最大整流电流和最高反向工作电压不要超过规定值

    5.稳压二极管是一种特殊用途的二极管 。 它工作在伏安特性曲线的反向
    击穿区 。 稳压二极管在使用时应注意限制它的工作电流不要过大 ,否则会因
    管子过热而损坏 。

    三、晶体三极管

    1 .三极管的结构和符号

    image-20210725163648967

    2 .三极管由两个 PN 结组成 ,具有电流放大作用 。 三极管具有放大作用
    的内部条件是 :发射区的掺杂浓度很大 ;基区很薄 ;集电区体积大 。 外部条件
    是 :发射结正向偏置 ,集电结反向偏置 。总结:电流总是从P流向N。

    3.三极管中三个电极电流的关系为 :I E = I B + I C 。 三极管的特性曲线分
    为输入特性曲线和输出特性曲线 。 输入特性曲线和二极管的正向特性曲线相
    似 ;输出特性曲线分为三个区 。 饱和区 :发射结和集电结都正偏 ,I B 对 I C 的影
    响很小 。 截止区 :发射结和集电结都反偏 ,I B = 0 ,I C ≈ I CEO 。 放大区 :发射结
    正偏 、集电结反偏 ,I C 受 I B 的控制 ,并成正比例增长 。 应特别指出三极管的电
    流放大作用并不是将电流放大多少倍 ,而实质是以小的电流对大的电流进行
    控制的作用 。 对以上三个区的特点应重点掌握 。

    4.在使用三极管时要注意它的极限参数 ,以保证管子的安全使用 ;另外也
    要注意晶体管几乎所有的参数都和温度有关系 。

    5.三极管按结构分为 NPN 、PNP 型两种 ,必须要注意两种管子在使用时
    的极性和电流方向的问题 。

    展开全文
  • 功率半导体器件击穿特性及结终端结构参数研究.pdf
  • 描述了用超短光脉冲测量微波器件参数的基本原理和建立的测量系统。用该系统测量了频率高达36 GHz器件的S参数, 并同网络分析仪的测量结果进行了比较, 一致性很好。该系统测量频率可达100 GHz。
  • DCT1401功率器件参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。...

    DCT1401

    功率器件参数测试仪系统

    DCT1401功率器件参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。

    测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类如BJT、MOSFET、IGBT”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

    高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)

    控制极/栅极电压40V,栅极电流10mA

    分辨率最高至1mV / 1nA,精度最高可至0.5%

    DCT1401功率器件参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”,支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

    第一部分:规格&环境

    1.1、产品信息

    产品型号:DCT029-87309001

    产品名称:功率器件参数测试仪系统

    1.2、物理规格

    主机尺寸:深660*宽430*高210(mm)

    主机重量:<35kg

    主机颜色:白色系

    1.3、电气环境

    主机功耗:<300W

    海拔高度:海拔不超过 4000m;

    环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

    相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);

    大气压力:86Kpa~106Kpa;

    防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

    电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

    工作时间:连续;

    第二部分:应用场景和产品特点

    一、应用场景

    1、测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试主要功能为功率器件测试

    2、失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

    3、选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

    4、来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

    5、量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

    6、替代进口(DCT1401功率器件参数测试仪系统可替代同级别进口产品

    二、产品特点

    1、程控高压源10~1400V,提供2000V选配;

    2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A选配;

    3、驱动电压10mV~40V

    4、控制极电流10uA~10mA;

    5、16位ADC,100K/S采样速率;

    6、自动识别器件极性 NPN/PNP

    7、功率器件测试,四线开尔文连接保证加载测量的准确

    8、通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验

    9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器(如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等)

    10、功率器件参数测试仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等);

    11、功率器件参数测试仪系统能实现功率器件测试(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) )

    12、结电容参数也可以测试,诸如Cka,Ciss,Crss,Coss;

    13、脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需外挂升温装置;

    14、Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin),连接分选机最高效率1h/9000个;

    15、功率器件参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用;

    第三部分:产品介绍

    3.1、产品介绍

    DCT1401功率器件参数测试仪系统 是由我公司技术团队结合半导体功率器件测试的多年经验,以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后,完全自主开发设计的全新一代“功率器件参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

    功率器件参数测试仪系统脉冲信号源输出方面,高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)栅极电压40V,栅极电流10mA,分辨率最高至1mV / 30pA,精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写,填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

    产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

    功率器件参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本方便快捷的完成功率器件测试。

    3.2、人机界面(DCT1401功率器件参数测试仪系统)

     

     

    第四部分:功能配置

    4.1、配置选项

    DCT1401功率器件参数测试仪系统的功能配置如下

    4.2、适配器选型

    DCT1401功率器件参数测试仪系统的适配器有如下

    4.3、测试种类及参数

    DCT1401功率器件参数测试仪系统的测试种类和参数如下

    (1)二极管类:二极管  Diode

    Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);

    (2)二极管类:稳压二极管  ZD(Zener Diode)

    Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;

    (3)二极管类:稳压二极管  ZD(Zener Diode)

    Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;

    (4)二极管类:三端肖特基二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)

    Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);

    (5)二极管类:瞬态二极管  TVS

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;

    (6)二极管类:整流桥堆

    Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;

    (7)二极管类:三相整流桥堆

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;

    (8)三极管类:三极管

    Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts(选配)、Value_process;

    (9) 三极管类:双向可控硅

    Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;

    (10)三极管类:单向可控硅

    Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm;

    (11)三极管类:MOSFET

    Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ;

    (12)三极管类:双MOSFET

    Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss;

    (13)三极管类:JFET

    Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss;

    (14)三极管类:IGBT

    Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;

    (15)三极管类:三端开关功率驱动器

    Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;

    (16)三极管类:七端半桥驱动器

    Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;

    (17)三极管类:高边功率开关

    Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt;

    (18)保护类:压敏电阻

    Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

    (19)保护类:单组电压保护器

    Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

    (20)保护类:双组电压保护器

    Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

    (21)稳压集成类:三端稳压器

    Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk;

    (22)稳压集成类:基准IC(TL431)

    Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;

    (23)稳压集成类:四端稳压

    Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk;

    (24)稳压集成类:开关稳压集成器

    选配;

    (25)继电器类:4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

    Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配);

    (26)光耦类:4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

    Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;

    (27)传感监测类:

    电流传感器(ACS712XX系列、CSNR_15XX系列)(选配);

    霍尔器件(MT44XX系列、A12XX系列)(选配);

    电压监控器(选配);

    电压复位IC(选配);

    功率器件测试

    第五部分:性能指标

    DCT1401功率器件参数测试仪系统的性能指标如下

    5.1电流/电压源VIS自带VI测量单元

    1加压(FV)

    量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV

    量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV

    量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV

    量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV

    量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV

    2加流(FI)

    量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA

    量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA

    量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA

    量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA

    量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA

    量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA

    量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA

    说明:电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出,脉宽范围:300us-1000us可调

    3电流测量(MI)

    量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

    量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

    量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

    量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

    量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

    量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

    量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

    4电压测量(MV)

    量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

    量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

    量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

    5.2数据采集部分VM

    16位ADC,100K/S采样速率

    1电压测量(MV)

    量程±2000V分辨率1.22mV精度±1%读数值±20mV

    量程±100V分辨率122uV精度±0.5%读数值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV精度±0.5%读数值±200uV

    量程±1V分辨率1.22uV精度±0.5%读数值±20uV

    2漏电流测量(MI)

    量程±100mA分辨率30uA精度±1%读数值±30uA

    量程±10mA分辨率3uA精度±1%读数值±3uA

    量程±1mA分辨率300nA精度±1%读数值±300nA

    量程±100uA分辨率30nA精度±1%读数值±30nA

    量程±10uA分辨率3nA精度±1%读数值±10nA

    量程±1uA 分辨率300pA精度±1%读数值±10nA

    量程±100nA分辨率30pA精度±1%读数值±5nA

    3电容容量测量(MC)

    量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

    量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

    5.3高压源HVS(基本)12位DAC

    1加压(FV)

    量程1400V/5mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

    2加流(FI):

    量程10mA分辨率4.88uA 精度±2%设定值±10uA

    量程2mA分辨率488nA精度±1%设定值±2uA

    量程200uA分辨率48.8nA精度±1%设定值±200nA

    量程20uA分辨率4.88nA精度±1%设定值±20nA

    量程2uA分辨率488pA精度±2%设定值±10nA

    DCT1401功率器件参数测试仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂......

    展开全文
  • 半导体器件铜线焊接的弹坑问题研究与参数优化,郝兴旺,程秀兰,铜线由于其成本优势被越来越广泛地应用于半导体封装的焊线制程,但由于其硬度大、易氧化在生产过程中容易出现弹坑异常。弹坑异常

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半导体器件的主要参数