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  • 关于半导体器件的开关特性的探究 1· 猜想,半导体是介于导体和绝缘体之间的电介质,开关是否像灯泡开关一样,半导体作为开关是如何控制的,又是为什么可以作为开关。 2· 首先需要解决半导体和二极管、三极管和...

      关于半导体器件的开关特性的探究

    1· 猜想,半导体是介于导体和绝缘体之间的电介质,开关是否像灯泡开关一样,半导体作为开关是如何控制的,又是为什么可以作为开关。

    2· 首先需要解决半导体和二极管、三极管和MOS管的关系。

    书上说半导体材料是“硅”“锗”它们都是第4主族元素,外层有4个电子,锗是金属元素,知道第4主族的元素容易形成晶体结合成8个电子的稳定结构,而为什么会使电子运动形成半导体呢?书上说在零下273摄氏度的情况下,晶体结构是稳定的,而常温下容易形成不稳定的价电子,也就是说,共价的电子容易发生移动,这么说,如果电子容易移动,这就不会形成稳定的晶体了。查资料看共4个电子的晶体碳、硅和锗形成了什么?书上说在常温下,在电场力的作用下,纯净的晶体半导体(称为本征半导体)容易把共价的电子形成自由电子,这就是这些半导体形成的原因,那么说他们共同的8个电子,只有几个可以形成自由电子,才形成半导体的吧。自由电子移动后形成的空位叫做空穴,在电场的作用下,电子不断的失去和填补空穴而形成电荷的移动,从而形成了半导体。

    根据以上分析,纯净的半导体导电性能是比较差的,为了提高导电性能而加入杂质(那么我想,想要提高导电性能为什么不直接使用金属导体呢 ,猜想是要把导电性控制到金属和本征半导体之间),那么掺入什么杂质合适呢?书上说的是加入外层3个电子的硼和外层5个电子的磷,之后会有什么效果呢?猜想如果加入硼会少一个电子,不容易形成稳定的结构,那么会有电子来补充形成半导体,如果加入磷,会多一个电子,电子的移动形成半导体。

    书上说,由于加入磷后形成一个自由电子的移动,电子带负电(negative electricity)所以叫N型半导体,由于加入硼后少一个电子,空穴带正电(positive electricity),所以称为P型半导体。那么二极管和三极管还有MOS管是如何形成的呢?

    3· 制成了两种含杂质的半导体有什么用,可以作为开关使用吗?只能限制电流的流通,不能作为开关啊,除非是电流小断开,电流大关闭,可是半导体不能调节电流,那么半导体开关指的是什么呢?书上说的是把P型半导体和N型放在一起使用,那么,多一个电子的N型半导体的电子会向P型少一个电子的半导体运动,那么就会形成由NP的电子运动,利用这一点,书上说PN形成的半导体具有单向导电性,猜想,如果外加电压也是让电子由N型跑到P型,则会导通,也就是说N型一端加负电压,P型一端加正向电压,半导体内外电压方向一致就会导通,反之,如果P型加负电压,N型加正电压,会导致半导体内外电压相反,则会不导通,难道是用这个方式来形成开关的吗?如果是利用这个来做开关,对于直流电来说,要么导通要么不导通,对于交流电来说,方向不停地变,不会作为开关,那么作为开关的半导体是什么呢?

    4· 由PN型半导体构成的叫做二极管,分析PN型二极管的伏安特性:(1)外电场和内电场一致:当外电场非常小的时候,电流很小,外电场几乎不发生作用,当外电场较大的时候电流立即增大,呈现指数规律增大,为了保护二极管,所加的外电压通常为一个固定的值,硅为0.7V,锗为0.2V,(2)外电场和内电场反向的时候,如果外电场较小于内电场,会处于不导通状态,如果外电场很大,会击穿内电场造成二极管的损坏。 可见,无论是正向还是反向的外电场,在外电场较大的时候都会造成二极管的损坏,所以,使用二极管的时候,两端要加上固定大小的正向电压。(猜想:二极管利用加上固定的小电压来导通,利用反向小电压来不导通,是利用这个特性来作为开关的吗?)

    5· 二极管是由PN型半导体形成,那么三极管是由什么组成的呢?书上说用两个PN型半导体组合在一起就形成了三极管。猜想会有两种三极管,两个N型半导体,中间P型半导体,还有两个P型半导体,中间N型半导体。对两种类型的三极管分别进行分析:对于PNP型的三极管,P型半导体少一个电子,N型半导体多一个电子,如果用PNP型三极管,则中间的电子会往两边P型的移动,那么就形成了两个反方向的内电场,此时如果加一个方向的外电场,则会有一个方向相同,有一个方向相反,也就是说一个是电流呈现指数变大,另一个呈现不导通状态,经过分析可以知道,如果把PNP型半导体或者NPN型半导体的两端接在电源两端,则会有一端不导通,另一端电流放大,由于为导通,最终的结果是电路无导通,可见三极管不能直接将电源接在两侧,那么电源的两端应该接在哪里?如果利用PN型的特性来接,显然是行不通的,那么该如何接三极管的三个半导体和电源的两极?

    6· 看书上的接线我觉得很神奇,因为按照我的分析来说,一个电路回路是按二极管的正常接法,另一个是不导通的接法,现在看书上的分析。

    结论是:I(3)=I(1)+I(2);当管子制成以后,I2)和I1)的比例是确定的,称为电流的放大系数;I(3)=I(1)+I(2)

    在这里,有反向电压,为什么没有发挥二极管的不导通作用,书上是这样说的(集电结加反向电压且截面积较大),即使这样解释,三极管只有电流的放大作用,怎么可以作为开关的作用呢?

    ·那什么是MOS管呢?书上说MOS管类似于三极管,比三极管的性能要高出很多,好吧。。。

    ·通过上面的分析可以知道,二极管有单向导电性,可以根据电流方向来作为导通或者不导通的电路开关,而三极管只有电流放大作用,如何作为开关使用呢?

    书上这样说的,当V1非常小的时候,I1)约为0I2)是I1)的倍数,因此I2)也是约为0,此时相当于三极管断开,当V1增大使I1)不为0的时候,I2)也开始有放大电流,此时相当于三极管的闭合。那么根据这说法,二极管利用了单向导电性来体现开关的特性,三极管使用左边的控制电压来体现三极管的开关特性。

    ·总结:二极管和三极管都属于含两种杂质的半导体器件,MOS管是性能较高的三极管,二极管利用单向导电性来作为开关,三极管利用一端电路电压来控制另一端的开关特性。

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    门电路:用来实现逻辑代数中的逻辑关系电子电路

    门电路和逻辑关系相对应,类型有:与门,或门,非门,与非门,或非门,异或门等

    信号地 1,0用电位中的高低电平来表示,此处高低电平只是范围不是准确值

    2-8V高电平

    0-0.8V低电平

    正逻辑:高电平表示1,低电平表示0。相反的就是负逻辑

    获取高低电平的方法是利用:电子开关取代机械开关,即二极管,三极管,mos管的开关特性来实现的(半导体器件的开关特性)

    分立元件门电路:

      二极管共阳接法可以实现与门

      二极管共阴接法可以实现或门

      三极管可以实现非门

    分立元件构成的电路缺点很大:

      1.体积庞大,性能不稳定,带负载能力差

      2.在多个门串接使用时,会出现电平偏离的情况

    所有这种电路只会用于某些单元电路中

     

    转载于:https://www.cnblogs.com/wanjn/p/7731814.html

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  • 这一节知识有好多都和模拟电路知识有关,但是由于我是自学不太清楚顺序,所以没有学模拟电路。于是理所应当这节课内容我听满吃力,课件刷了三遍才大概搞懂了。还好我昨天就已经开始着手去学这节了,不然...

    这一节的知识有好多都和模拟电路的知识有关,但是由于我是自学不太清楚顺序,所以没有学模拟电路。于是理所应当的这节课的内容我听的满吃力的,课件刷了三遍才大概搞懂了。还好我昨天就已经开始着手去学这节了,不然今天肯定就完不成任务了。笔者周二和周四都是满课,早八到晚九的那种。今天的内容是课上偷偷摸鱼弄出来的,所以全都是笔记的形式了,还望海涵。(虽然也没啥人看就是了。。。。)
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    从电脑上来看,图片还是满清晰的,但是以后最好还是弄成文档形式吧

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  • 半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。半导体器件...

    半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。

    半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。

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    半导体器件(semiconductor device)通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两 类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。

    此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战等系统中已得到广泛的应用 。

    分类

    晶体二极管

    晶体二极管的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处,由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时,空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄,电流很快上升。如果把电源的方向反过来接,则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚,同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此,PN结具有单向导电性。

    此外,PN结的偶极层还起一个电容的作用,这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时,偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种应用领域内制成的二极管有:整流二极管、检波二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管(曾讷二极管)、崩越二极管(碰撞雪崩渡越二极管)和俘越二极管(俘获等离子体雪崩渡越时间二极管)等。此外,还有利用PN结特殊效应的隧道二极管,以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管等。

    双极型晶体管

    它是由两个PN结构成,其中一个PN结称为发射结,另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在应用时,发射结处于正向偏置,集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里,这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流,只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数。在共发射极电路中,微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化,这就是双极型晶体管的电流放大效应。双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两类。

    场效应晶体管

    它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

    根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种:

    ①结型场效应管(用PN结构成栅极);

    ②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统);

    ③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极);其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。

    在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD),它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息,控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等;配上光电二极管列阵,可用作摄像管。

    命名方法

    中国半导体器件型号命名方法

    半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

    第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

    第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

    第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

    第四部分:用数字表示序号

    第五部分:用汉语拼音字母表示规格号

    例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

    日本半导体分立器件型号命名方法

    日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:

    第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

    第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

    第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

    第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是产品。

    第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

    美国半导体分立器件型号命名方法

    美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

    第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

    第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

    第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

    第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

    第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

    国际电子联合会半导体器件型号命名方法

    德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:

    第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

    第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

    第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

    第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

    除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

    1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

    2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。

    3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

    如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

    集成电路

    把晶体二极管、三极管以及电阻电容都制作在同一块硅芯片上,称为集成电路。一块硅芯片上集成的元件数小于 100个的称为小规模集成电路,从 100个元件到1000 个元件的称为中规模集成电路,从1000 个元件到100000 个元件的称为大规模集成电路,100000 个元件以上的称为超大规模集成电路。集成电路是当前发展计算机所必需的基础电子器件。许多工业先进国家都十分重视集成电路工业的发展。集成电路的集成度以每年增加一倍的速度在增长。每个芯片上集成256千位的MOS随机存储器已研制成功,正在向1兆位 MOS随机存储器探索。

    光电器件

    光电探测器

    光电探测器的功能是把微弱的光信号转换成电信号,然后经过放大器将电信号放大,从而达到检测光信号的目的。光敏电阻是最早发展的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。此外,光电二极管、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号,可以用雪崩光电二极管来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下,微弱光信号所激发的少量载流子通过接近雪崩的强场区,由于碰撞电离而数量倍增,因而得到一个较大的电信号。除了光电探测器外,还有与它类似的用半导体制成的粒子探测器。

    半导体发光二极管

    半导体发光二极管的结构是一个PN结,它正向通电流时,注入的少数载流子靠复合而发光。它可以发出绿光、黄光、红光和红外线等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。

    半导体激光器

    如果使高效率的半导体发光管的发光区处在一个光学谐振腔内,则可以得到激光输出。这种器件称为半导体激光器或注入式激光器。最早的半导体激光器所用的PN结是同质结,以后采用双异质结结构。双异质结激光器的优点在于它可以使注入的少数载流子被限制在很薄的一层有源区内复合发光,同时由双异质结结构组成的光导管又可以使产生的光子也被限制在这层有源区内。因此双异质结激光器有较低的阈值电流密度,可以在室温下连续工作。

    光电池

    当光线投射到一个PN结上时,由光激发的电子空穴对受到PN结附近的内在电场的作用而向相反方向分离,因此在PN结两端产生一个电动势,这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。最先应用的日光电池都是用硅单晶制造的,成本太高,不能大量推广使用。国际上都在寻找成本低的日光电池,用的材料有多晶硅和无定形硅等。

    其它

    利用半导体的其他特性做成的器件还有热敏电阻、霍耳器件、压敏元件、气敏晶体管和表面波器件等。

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    2020-01-04 13:35:27
    文章目录14.1 半导体的导电特性14.1.1本征半导体14.1.2 N型半导体和P型半导体练习与思考14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 半导体, 导电能力介于导体和绝缘体间。 硅、锗、硒及大多数金属...
  • §4.1 金半接触 §4.2 肖特基势垒二极管 §4.3 欧姆接触 §4.4 结型场效应晶体管 §4.5 肖特基栅场效应晶体管 §4.6 异质结MESFET 简介 单极型器件是指基本上只有一种类型载流子参与导电过程的半导体器件。...
  • 半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来,使光和电互相转化新型半导体器件。光电器件主要有,利用半导体光敏特性工作光电导器件,利用半导体光伏打效应工作光电池和半导体发光器件等。这一节中简略地向...
  • 半导体器件失效分析

    2018-07-11 12:52:14
    电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移...所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。
  • 共发射极电路电流、电压和功率放大...共基极电路频率特性最好,因而它在高频电路中使用得最多;共集电极电路有着输入阻抗高、输出阻抗低特点,常用来作阻抗变换器使用。  下表列出了这三种电路主要特性:  
  • 由于必须解决器件的长度尺度问题,以及半导体物理现象的非线性特性,对三维半导体器件进行建模具有一定的挑战性,往往需要进行计算量非常大的仿真工作。本文我们将通过一个使用 COMSOL Multiphysics® 建立的三维...
  •  所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。  电阻器失效模式与机理  失效模式:各种失效的现象及其表现的形式。  失效机理:是...
  • 用模拟测量的方法,对阵列器件和组成它的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单元器件的一致性(均匀性)紧密相关。均匀性不好的器件的电压饱和特性也不好。
  •  半导体器件的检测方法 用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方法是:将...
  • 有机半导体器件有序薄膜制备方法,庄浩,周乾豪,有机半导体是一类新型半导体材料,它结合了无机半导体材料传统特性和有机材料可塑性好,易加工和结构可调等无机材料所不具备
  • 半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来,使光和电互相转化新型半导体器件。光电器件主要有,利用半导体光敏特性工作光电导器件,利用半导体光伏打效应工作光电池和半导体发光器件等。这一节中简略地向...
  •  半导体器件的检测方法 用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方法是:将...
  • 另一种是PN结的特性变差,用万用表R×1k测 ,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方法是:将...
  • 其中MOS全称是Matel Oxide Semiconductor,即金属氧化物半导体。这种晶体管结构简单,几何尺寸可以做得很小,输入阻抗高,功耗低,性能稳定,易于大规模集成。MOS管结构 以N沟道横向MOS管为例,其结构如下图所示...
  • 双极型与MOS半导体器件原理

    热门讨论 2009-10-09 18:28:23
    双极型与MOS半导体器件原理 1.半导体器件的物理基础 2.p-n结 3.晶体管的直流特性 4.晶体管的频率特性和功率特性 5.晶体管的开关特性 6.半导体表面特性及MOS电容 ...9.小尺寸MOS器件的特性 欢迎大家共享资源。

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半导体器件的特性