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    3-state三态
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    A

     
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    Active Cooling主动散热
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    B

     
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    C

     
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    Connectivity Kit连接功能套件
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    D

     
    data数据
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    Daughter Card子卡
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    embedded system development嵌入式系统开发
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    emulation仿真
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    Extra Packages for Enterprise Linux (EPEL)Linux 附加安装包 (EPEL)
    Extra Packages for Enterprise Linux (EPEL)企业级 Linux 附加安装包 (EPEL)

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    Platform Cable平台电缆
    Platform diagram平台框图
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    public cloud公有云
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    Q

     
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    R

     
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    tampering篡改
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    Timing Analyzer时序分析器
    timing arc时序 arc
    timing baselining时序基线检查
    timing calculation时序计算
    timing closure时序收敛
    timing constraint时序约束
    timing exception时序例外
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    timing report时序报告
    timing simulation时序仿真
    timing slack时序裕量
    timing-driven时序驱动的
    timstamp时间戳
    toggle翻转
    toggle rate翻转率
    token标识
    tolerance容限
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    toolchain|tool chain工具链
    top-level顶层
    top-level design module顶层设计模块
    top-level file顶层文件
    top-level hierarchy顶层层级
    top-level module顶层模块
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    Total Negative Slack总体时序负裕量
    Total Pulse Width Slack总体脉冲宽度时序裕量
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    trace追踪|走线
    track轨道
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    trade-off折衷|均衡|平衡
    tradeshow展览会
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    traffic scheduler流量调度器
    train训练
    transaction传输事务|数据传输
    transaction pending传输事务待处理
    transaction poisoning传输事务投毒
    transceiver收发器
    trans-coding转码
    transfer传输
    transform变换
    transistor晶体管
    transistor晶体管
    translate转换
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    transmission (TX)发射 (TX)
    transmission line传输线
    transmit发射
    transmitter发射器
    transparent clock透明时钟
    tree traversal structure遍历树结构
    trig function三角函数
    trigger触发|触发器
    trigger sequencer触发定序器
    tri-mode三态
    trip脱扣
    trip count循环次数
    triple module redundancy三重模块冗余
    triple-oxide三栅极氧化层
    triple-rate三倍速率
    Triple-timer counter三重定时器计数器
    troubleshoot问题解答
    true differential termination on-chip真正的差分片上终端
    True-Dual RAM真双口 RAM
    Trust (Supply Chain Security)信任(供应链安全)
    Trusted Execution Environment (TEE)可信执行环境 (TEE)
    tuple元组
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    Turbo Convolutional CodeTurbo 卷积码
    Turbo Product CodeTurbo 乘积码
    turnkey交钥匙
    tutorial教程
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    Two-tone, third-order inter-modulation distortion双音三阶互调失真

    U

     
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    ultimate system integration platform终极系统集成平台
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    wrapper封装文件
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    X

     
    XCITE digitally controlled I/O impedenceXCITE 数控 I/O 阻抗
    XFI electrical specificationXFI 电气接口规范

    Y

     
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    Z

     
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  • 参照清华大学录制课程的时序电路部分的相关总结

    1.Memory Device中LOAD的存在意义

    在数字系统中并非时时刻刻线上的信号都是有效信号,当组合电路计算完毕后,认定为有效信号后,在给出LOAD信号存入数字,该数在之后的运算中才能认定为有效信号。由于LOAD的存在使得Memory Device和Combinational Logic之间存在配合,是一个按拍来的信号。拍越长,越会使得在运算结束后存入信号;拍越短,电路的工作频率越高。会短到传输延迟时间。整个电路处理周期会按照拍来计算。
    在这里插入图片描述

    2.SR锁存器(Set-Reset Latch)

    在这里插入图片描述
    状态表为

    S D S_{D} SD(Set:置1端,D表示Direct) R D R_{D} RD(Reset:置0端,D表示Direct) Q Q Q(电路上一时刻的状态:初态) Q ∗ Q^{*} Q(电路当前的状态:次态)
    0000
    0011
    1001
    1011
    0100
    0110
    1100
    1110

    表格中最后两项0被标红的原因是:当 S D S_{D} SD R D R_{D} RD 同时为1时是一种不合理,且不被期望出现的状态。当两者同时为1时Q *为0,但是 当SD,RD同时消失时会出现问题 此时Q *为不定态。重点是同时消失时。
    例:
    在这里插入图片描述

    注意两个输入为入0有效,且粉红标出的两处为SD,RD同时为1,此时Q于Q’同时为1。在SD,RD同时消失时Q *不定但Q于Q’的状态一定是相反的。此外该元件任何时刻的输入都会影响输出,根据第一个问题他缺少了LOAD端(存在使用的问题)。

    3.电平触发类型

    电平触发SR触发器

    电平触发SR触发器(在有效电平到达时输入才会起作用)。在 SR锁存器的基础上添加LOAD端(即时钟端clock)得到电平触发SR触发器。clock叫做触发端。
    状态表为

    C L K CLK CLK(输入的时钟信号LOAD) S S S(Set:置1端) R R R(Reset:置0端) Q Q Q(电路上一时刻的状态:初态) Q ∗ Q^{*} Q(电路当前的状态:次态)
    0xx00
    0xx11
    10000
    10011
    11001
    11011
    10100
    10110
    11100
    11110

    例:
    在这里插入图片描述
    CLOCK高电平区域内S,R有效,在CLOCK为低时无论S,R如何变化都始终保持上个状态,因为SR锁存器部分输入为0保持状态。

    电平触发D触发器

    为了避免SR触发器出现的不定态,将S和R取反接在一块取名为D。这样就避免了SR同时为1时出现的不定态。
    在这里插入图片描述
    状态表为

    C L K CLK CLK(输入的时钟信号LOAD) D D D(输入端) Q Q Q(电路上一时刻的状态:初态) Q ∗ Q^{*} Q(电路当前的状态:次态)
    0x00
    0x11
    1000
    1010
    1101
    1111

    但这样虽然避免了同时为1的不定态,但是也付出了代价。

    • 多出了一个非门的成本
    • 无法通过同时置0保持原来的值

    电平触发存在的问题

    在设计实例时,无法通过精准按下开关的时间长短来控制高电平的时间,人无法做到将一个高电平的时间控制在纳秒级,因此引入脉冲触发。

    4.脉冲触发类型

    主从SR触发器

    由高速公路收费站入口作为引入,采用异步结构串联两个电平触发SR触发器,并 将两者时钟做取反的操作。得到主从SR触发器。
    在这里插入图片描述
    得到的新结构任然具有S,R,CLK三个输入,Q,Q’两个输出。S,R于Q的逻辑关系并没有改变,但S,R信号起作用的时间点发生了变化。由于非门(G9)的位置,当CLK由1变为0时从触发器接收到S,R并使Q,Q’发生变化。因此上图为下降沿触发的主从SR触发器。
    在这里插入图片描述
    “7”字符号代表该触发器是主从结构的脉冲触发器。
    在这里插入图片描述
    该位置没有非门表示主触发器的CLK就是输入的CLK(当CLK由1变为0时从触发器接收到S,R并使Q,Q’发生变化)为下降沿触发。
    状态转化表

    C L K CLK CLK(输入的时钟信号LOAD) S S S(Set:置1端) R R R(Reset:置0端) Q Q Q(电路上一时刻的状态:初态) Q ∗ Q^{*} Q(电路当前的状态:次态)
    xxxxQ*
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)0000
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)0011
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)1001
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)1011
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)0100
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)0110
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)1101
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)1111

    需要注意的是:此时标红的两个1同样表示约束条件。但不同的是,由于主从结构,在S,R同时输入1且CLK由1变为0的瞬间,主触发器输出的 S s S_{s} Ss R s R_{s} Rs的状态是不确定的,因此从触发器输出的Q与Q*更加无法确定。即标红的两个``1```可以为任意值。
    例:
    在这里插入图片描述

    在这里插入图片描述
    根据封装上的
    在这里插入图片描述
    判断是脉冲触发。
    根据
    在这里插入图片描述
    没有非门判断是下降沿触发。
    因此需要关注的是下降沿前的高电平(粉红标出)中CLK的首次改变,以及下降沿(蓝色虚线标出)。
    在这里插入图片描述
    需要解释的是CLK第二个下降沿到来时前的高电平中包含两次变化。在S=0,R=1后的时刻中存在一个短暂的S=0,R=0(保持上一个状态)由于主从结构此时保持的并非是Q的状态,而应该是 Q m , Q m ′ , S s , R s Q_{m},Q'_{m},S_{s},R_{s} Qm,Qm,Ss,Rs的状态。
    通过举的例子能够看出,脉冲触发器仍然需要考虑CLK为高电平时的状态改变,并不能给我们的分析带来便利。引入脉冲触发的初衷是希望能够屏蔽有效电平期间数据的影响,但实际上并不能。

    主从D触发器

    由于解除约束条件的同时丢失了SR同时为0的保持功能,因此不会受有效电平期间数据的影响。但不依赖CLK的保持功能十分重要,因此引入主从JK触发器。

    主从JK触发器

    解除约束条件的同时具有保持功能。
    在这里插入图片描述
    与主从SR触发器的区别在于引入了两根反馈线。
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    此时JK同为1时,会将S置0,R为1,起到解除约束。即JK同为1时Q取反。状态转换表为:
    信号在高电平区间只能翻转一次

    C L K CLK CLK(输入的时钟信号LOAD) J J J(置1端) K K K(置0端) Q Q Q(电路上一时刻的状态:初态) Q ∗ Q^{*} Q(电路当前的状态:次态)
    xxxxQ*
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)0000
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)0011
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)1001
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)1011
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)0100
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)0110
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)1101
    1 → 0 1\rightarrow0 10(下降沿)1110

    例:
    在这里插入图片描述

    在这里插入图片描述
    根据之前的判断方法,是下降沿有效的脉冲触发,主从JK触发器。
    第二个下降沿到来时J=K=0,应该为保持状态(保持高电平),由于第二个高电平期间出现过J=0,K=1的置0状态(置为低电平),又因为只能够翻转一次所以最终保持为低电平。
    第三个下降沿到来时同理。
    与主从SR触发器相同,引入脉冲触发的初衷是希望能够屏蔽有效电平期间数据的影响,(避免干扰)但实际上并不能。

    因此引入边沿触发。

    5.边沿触发类型

    用两个电平触发的D触发器组成的边沿触发器

    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    同时表示上升沿触发的边沿D触发器。

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  • 文章:CMP在半导体制造作用 编号:JFKJ-21-284 作者:炬丰科技 介绍 1.1一般背景 电子工业过去三十年里发展迅速。集成电路或更多的设备一个芯片上,现在可以上面制造半导体基板或晶圆以降低成本和...

    书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

    文章:CMP在半导体制造中的作用

    编号:JFKJ-21-284

    作者:炬丰科技

    介绍  

    1.1一般背景  

      电子工业在过去三十年里发展迅速。集成电路或更多的设备在一个芯片上,现在可以在上面制造半导体基板或晶圆以降低成本和提高性能电子产品。图1.1显示了金属氧化物半导体(MOS)存储芯片上组件数量的增长。 

     

     

    CMP过程的起源与演变

     

     

     

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  • 什么叫芯片芯片,别称微电路(microcircuit)、微芯片...芯片(chip)便是半导体元器件商品的通称。是集成电路(IC,integratedcircuit)的质粒载体,由圆晶切分而成。硅单晶是一块不大的硅,含有集成电路,它是电子计算机...

    什么叫芯片

    芯片,别称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(英文:integratedcircuit,IC)。就是指含有集成电路的硅单晶,容积不大,经常是电子计算机或别的电子产品的一部分。芯片(chip)便是半导体元器件商品的通称。是集成电路(IC,integratedcircuit)的质粒载体,由圆晶切分而成。硅单晶是一块不大的硅,含有集成电路,它是电子计算机或是别的电子产品的一部分。

    什么叫半导体

    半导体(semiconductor),指常温状态导电率能接近电导体(conductor)与导体和绝缘体(insulator)中间的原材料。半导体在录音机、电视及其温度测量上拥有

    普遍的运用。如二极管便是选用半导体制做的元器件。半导体就是指一种导电率可受操纵,范畴可从导体和绝缘体至电导体中间的原材料。不管从高新科技或者社会经济发展的视角看来,半导体的必要性全是十分极大的。今天绝大多数的电子设备,如电子计算机、移动手机或者大数字收录机之中的关键模块都和半导体拥有

    极其紧密的关联。普遍的半导体原材料有硅、锗、砷化镓等,而硅也是各种各样半导体原材料中,在商业服务运用上最具备知名度的一种。化学物质存有的方式各种各样,固态、液體、汽体、等离子技术等。人们一般

    把导电率差的原材料,如煤、人工晶体、琥铂、瓷器等称之为导体和绝缘体。而把导电率比较好的金属材料如金、银、铜、铁、锡、铝等称之为电导体。能够

    简易的把接近电导体和导体和绝缘体中间的原材料称之为半导体。

    什么叫集成电路

    集成电路(integratedcircuit)是一种小型电子元器件或构件。选用一定的加工工艺,把一个电路中常需的三极管、电阻、电容器和电感器等元器件及走线互联一起,制做在一小块或几一小块半导体芯片或物质基片上,随后封裝在一个列管式内,变成具备所需电路作用的小型构造;在其中全部元器件结构类型已构成一个总体,使电子元器件朝着微实用化、低能耗、智能化系统和销售电价层面迈入了一大步。它在电路选用英文字母“IC”表达。集成电路发明人为钱猫小编·基尔比(根据锗(Ge)的集成电路)和约翰逊·诺伊思(根据硅(Si)的集成电路)。现如今半导体工业生产大部分运用的是根据硅的集成电路。是二十世纪50年代中后期一六十年代发展趋势起來的一种新式半导体元器件。它是历经空气氧化、光刻、外扩散、外延性、蒸铝等半导体生产制造加工工艺,把组成具备一定作用的电路需要的半导体、电阻、电容器等元器件及他们中间的联接输电线所有集成化在一小块硅单晶上,随后电焊焊接封裝在一个列管式内的电子元器件。其封裝机壳有圆壳式、偏平式或双排直插入式等形式多样。集成电路技术性包含芯片生产技术与设计方案技术性,关键反映在生产设备,制作工艺,封装测试,大批量生产及设计方案自主创新的工作能力上。

    芯片和集成电路有什么不同?

    要表述的着重点不一样。

    芯片便是芯片,一般就是指你人眼可以见到的爬满了许多脚丫的或是脚看不见,可是很显著的正方形的那片物品。可是,芯片也包含各式各样的芯片,例如基带芯片的、工作电压变换的这些。

    CPU更注重作用,指的便是那块实行解决的模块,能够 说成MCU、CPU等。

    集成电路范畴要广多了,把一些电阻电容器二极管集成化到一起就算是集成电路了,可能是一块数字信号变换的芯片,也可能是一块逻辑性操纵的芯片,可是总的来说,这一定义更为偏重于最底层的物品。

    集成电路就是指构成电路的有源器件、无源元件以及互联一起制做在半导体衬底上或绝缘层基片上,产生构造上密切联系的、內部有关的例证电子器件电路。它可分成半导体集成电路、膜集成电路、混和集成电路三个关键支系。芯片(chip)便是半导体元器件商品的通称。是集成电路(IC,integratedcircuit)的质粒载体,由圆晶切分而成。

    半导体集成电路和半导体芯片有什么关系和不一样?

    芯片是集成电路一种通称,实际上芯片一词的真实含意就是指集成电路封裝內部的一点点大的半导体芯片,也就是芯管。严苛讲芯片和集成电路不可以交换。集成电路便是根据半导体技术性,塑料薄膜技术性和厚膜分离技术生产制造的,但凡把一定作用的电路实用化后做在一定封裝的电路方式下的,都能够称为集成电路。半导体是一种接近优良电导体和非优良电导体(或说导体和绝缘体)中间的化学物质。

    半导体集成电路包含半导体芯片及外场有关电路。

    ·半导体集成电路·

    半导体集成电路是将三极管,二极管这些有源元件和电阻器,电力电容器等无源元件,依照一定的电路互连,“集成化”在一块半导体多晶硅上面,进而进行特殊的电路或是系统功能。

    ·半导体芯片·在半导体塑胶板材上开展腐蚀,走线,做成的能完成某类作用的半导体元器件。不只是硅芯片,普遍的还包含砷化镓(砷化镓有害,因此一些伪劣电路板不必好奇心溶解它),锗等半导体原材料。半导体也像小车有时尚潮流。二十世纪七十年代,因特尔等美国企业在动态性随机存取运行内存(D-RAM)销售市场掌握主动。但因为大型计算机的出現,必须性能卓越D-RAM的二十世纪八十年代,日企遥遥领先。

    先说半导体

    半导体说的是硅单质,加工厂把硅纯化之后变为一个园盘,称之为晶元(wafer)。PS:我还记得这些没脑子修真小说全是能吃晶元长功底的,是否去吃一块,这一块很贵。

    三极管

    学过模电的都了解,MOS管根据各种各样离子注入而造成的。那麼加工厂根据各种各样离子注入到晶元wafer里边,就可以在芯片上产生一个MOS管。

    电阻

    电阻公式计算都了解是R正比例于长短L,反比于总宽S,那麼在晶元上做电阻就非常简单了。随意能在晶元上出現的物品,制成一个长方形,便是一个电阻咯。因此在晶元上,电阻有十分多的类型能够

    选。金属材料电阻,POLY电阻等,他们精密度不一样,电阻的量级也不一样。

    电容器

    2个极片平行面置放就能组成电容器,因此这一也非常容易做。一些寄生电容效用,乃至MOS管全是能做等效电路电容器的。

    电感器

    电感器也是能够

    做的,但是有一个难题,做电感器太耗板图总面积,而如今流片(便是把搞好的电路板图给加工厂生产加工出去)十分贵,因此室内设计师只有让步,把电感器保证片外,或是想到他方法。假如非得做进来,第二天会被老板请去和现磨咖啡?元器件中间的联接用金属材料联接,全部芯片也有双层金属材料。

    封裝

    用塑胶把全部刻好的包含硅,引入的电离,金属材料等,包起來,引出来输出脚位。便是见到的芯片了。

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半导体在电路中的作用