精华内容
下载资源
问答
  • 1.从开始介绍存储器的基本概念,到现在介绍半导体存储器芯片这一过程。我可以得出两点信息,一是介绍的半导体存储器,二是介绍的存储器芯片。 这么仔细一想,发现为什么介绍的是半导体材质的存储器?因为在整个第四...

    前记:在学习的过程中,对于每一部分的知识点,我们要理顺上下结构,将知识点串成一个体系。只有系统地学习和记忆,才能加深影响。

    1.从开始介绍存储器的基本概念,到现在介绍半导体存储器芯片这一过程。我可以得出两点信息,一是介绍的半导体存储器,二是介绍的存储器芯片。

    这么仔细一想,发现为什么介绍的是半导体材质的存储器?因为在整个第四章节的存储器中,将整个存储器体系分为三部分来讲解:主存,缓存,以及辅存。

    在这里优先讲解地就是主存,从存储器这个大的概念往下讲就是存储器芯片,而且交代了主存的材质是半导体。这样采用的是自上而下的讲述方法。

    2.前面的布局我们说了,采用的是自上而下的方式。接下来自然地就开始详细地描述半导体存储器芯片。

    3.关于半导体存储器芯片的讲解,我大概地看了一下,它主要是从芯片的结构和译码驱动方式两个角度来讲解。(译码驱动方式我可以理解为芯片的工作原理)

    讲解完结构后,讲解如何工作的。

    4.整个一块完整的内存半导体存储芯片是用大规模集成电路制备的。芯片的结构,我认为有两大类,一类是具有记忆功能的存储矩阵,另一类是与外部相关的部件,如译码驱动电路,读写控制电路。

    上面的理解稍有误差,存储器的结构有内部和外部之分。内部的结构是三部分,存储矩阵,译码驱动电路,读写控制电路。外部的结构是为了和主机内其他部件进行交流,自然是三种总线,数据线,控制线,地址线,这三种线链接了芯片内部的不同构建,比如地址线链接着译码驱动电路,数据线链接着读写控制电路,控制线则形成片选线...

    5.整个半导体存储器芯片的切入点有两个,结构和工作原理(如何启动)。但是还有一点是无论如何无法忽视的,作为存储元件,它最重要的功能是存储。因此,存储容量也是本节的重要知识点,而且随着而来的是如何依据存储容量来对存储元件的布局进行安排。

    6.本节的知识点有三个:芯片结构,译码驱动方式,存储容量的计算与布局。

    7.本节没有更为深入地讲解,只是围绕着如何工作以及功能进行了讲述,具体内部细节的描述,基本单元电路都放在下面的章节进行讲解。

    8.说起来,讲解半导体存储器芯片是从三个角度切入的,外部结构,存储容量和工作原理。但实质上,三者是相互依存,相互影响的。

    首先,我们从芯片的外部结构切入,讲解三种总线,地址线,数据线,以及控制线。

    外部器件通过地址线向芯片单向地传输信号,启动了译码驱动电路,地址线的根数决定着存储单元的个数,自然也影响着存储器的容量。

    数据线决定了存储单元的位数,或者说存储元件的个数,和读写控制电路相连接。这自然也影响着存储器的容量。这里还有一点存在疑问,芯片内部,数据线控制的存储元件是如何在存储单元内分布的?

    控制线是两类,片选线和读写控制线。

    9.芯片的译码驱动方式有两种,线选法,和重合法。译码驱动电路翻译地址线传来的信息,启动的是芯片里的存储器单元。启动之后,是读还是写,则由读写控制电路来决定的。在这之前,先由片选线激活,选择该芯片才行。

    线选法和重合法,如果都作为矩阵来看的话,一个是列矩阵,一个是多行多重矩阵。

    这里还有一点需要思考的是,为什么会同时诞生两种译码驱动方式?任何事物的存在并不是无缘无故的,为什么要发展出一种新的译码驱动方式,这必然重合法有着比线选法过人的地方。在学习地址总线的时候,我们说N根地址线,可以对2N个存储单元进行寻址,这是2-4译码器的升级版,这必然带来2N根指向存储单元的线,来进行寻址。这就是说,虽然地址线看着没那么多,但是芯片内部指向存储单元的线很多,(在寻址空间比较大的情况下)。如果采用线选法,那么指向存储单元的线一根都不能少。但是换做重合法的话,线数会减少很多。也可以说,重合法可以提高芯片的集成度。

    10.最后我们讨论容量问题。

    从存储芯片的结构来看,芯片的存储容量是由地址线和数据线共同决定的。这里有个问题,存储元件在芯片内部到底是如何排布的?

    现实中,存储器是由很多存储器芯片组成的。这样一来,存储器的容量就是由这些芯片共同决定的。

    转载于:https://www.cnblogs.com/wsw-bk/p/7102548.html

    展开全文
  • 性能/价格比半导体存储器芯片的基本结构典型半导体存储器介绍1、SRAM2、DRAM3、MROM4、PROM5、EPROM6、闪速存储器存储芯片的扩展 存储器是计算机的重要组成部分,计算机要执行的指令以及待处理的数据等都要事先存储...


    存储器是计算机的重要组成部分,计算机要执行的指令以及待处理的数据等都要事先存储在存储器中,以实现计算机自动的、连续的工作。

    存储器的分类

    按存取速度和用途可以把存储器分为两类:

    内存储器(简称内存)

    内存:通过系统总线直接与CPU相连、具有一定容量、存取速度快的存储器。

    CPU可以直接对内存进行访问,计算机要执行的程序和要处理的数据等都必须事先调入内存后方可被CPU读取并执行。

    外存储器

    外存:通过接口电路与系统相连、存储容量大而速度较慢的存储器。

    外存用来存放当前暂不被CPU处理的程序或数据,以及一些需要永久性保存的信息。

    通常将外存并入计算机外部设备,外存中存放的信息必须调入内存后才能被CPU使用。

    半导体存储器的分类

    半导体存储器的分类

    随机读写存储器RAM

    RAM是可读、可写的存储器,CPU可以对RAM的内容随机地读写访问,RAM中的信息断电后即丢失。

    随机读写存储器RAM分为:双极型、MOS型

    双极型存储器:存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高等特点,适用于对速度要求较高的高速缓冲存储器;

    MOS型存储器:集成度高、功耗低、价格便宜等特点,适用于内存储器。

    MOS型存储器又分为:

    静态RAM(Static RAM,简称SRAM):SRAM存储电路以双稳态触发器为基础,状态稳定,只要不掉电,信息不会丢失。
        优点是不需要刷新,控制电路简单,但集成度较低。
        适用于不需要大存储容量的计算机系统
    
    动态RAM(Dynamic RAM,简称DRAM):DRAM存储单元以电容为基础,电路简单,集成度高,但也存在问题,即电容中的电荷由于漏电会逐渐丢失,因此DRAM需要定时刷新
        它适用于大存储容量的计算机系统。  
    
    只读存储器ROM

    ROM的内容只能随机读出而不能写入,断电后信息不会丢失,常用来存放不需要改变的信息(如某些系统程序),信息一旦写入就固定不变了

    只读存储器ROM又分为:

      掩膜式ROM:用户不可对其编程,其内容已由厂家设定好,不能更改;
      可编程ROM(简称PROM):用户只能对其进行一次编程,写入后不能更改;
      可擦除的PROM(简称EPROM):其内容可用紫外线擦除,用户可对其进行多次编程;
     电擦除的PROM(简称EEPROM或E2PROM):能以字节为单位擦除和改写。
    

    半导体存储器的主要技术指标

    1.存储容量 :

    存储容量越大,所能存储的信息越多,计算机系统的功能便越强

       (1)用字数x位数表示,以位为单位。
           常用来表示存储芯片的容量,如1 Kx4位,表示该芯片有1 K个单元(1 K=1024),每个存储单元的长度为4位。
       (2) 用字节数表示容量,以字节为单位,如128 B,表示该芯片有 128个单元,每个存储单元的长度为8位。
           现代计算机存储容量很大,常用KB、MB、GB和TB为单位表示存储容量的大小。
    
    2.存取时间

    存取时间越小,存取速度越快

    存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。

     eg:读出时间是指从CPU向存储器发出有效地址和读命令开始,直到将被选单元的内容读出为止所用的时间。
    
    3.存储周期

    一般情况下,存储周期略大于存取时间

    是衡量主存储器工作速度的重要指标

    连续启动两次独立的存储器操作(如连续两次读操作)所需要的最短间隔时间称为存储周期。

    4.功耗

    功耗反映了存储器耗电的多少,同时也反映了其发热的程度。

    5.可靠性

    MTBF越长,可靠性越高,存储器正常工作能力越强

    可靠性一般指存储器对外界电磁场及温度等变化的抗干扰能力。

    存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量,MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。

    6.集成度

    集成度指在一块存储芯片内能集成多少个基本存储电路,每个基本存储电路存放一位二进制信息,所以集成度常用位/片来表示。

    7.性能/价格比

    性能/价格比(简称性价比)是衡量存储器经济性能好坏的综合指标,它关系到存储器的实用价值。其中性能包括前述的各项指标,而价格是指存储单元本身和外围电路的总价格。

    半导体存储器芯片的基本结构

    半导体存储器芯片一般由存储体和外围电路两大部分组成,如图所示

    半导体存储器组成框图
    1、存储体由大量的基本存储电路组成

    2、 外围电路主要包括:

    (1)地址译码电路

     存储芯片中的地址译码电路对CPU从地址总线发来的n位地址信号进行译码,经译码产生的选择信号可以惟一地选中片内某一存储单元,在读/写控制电路的控制下可对该单元进行读/写操作。 
    
    芯片内部的地址译码方式主要有两种:
    (1)单译码方式:适用于小容量的存储器芯片
    (2)双译码方式:适用于容量较大的存储器芯片
    

    (2)三态数据缓冲器

    (3)控制逻辑两部分组成的读/写控制电路

    典型半导体存储器介绍

    1、SRAM

    (1)SRAM的基本存储电路
    静态RAM的基本存储电路通常由6个MOS管组成,如图为六管SRAM存储电路:
    在这里插入图片描述

    写操作

    如果要写入“1”,则在I/O线上加上高电平,在I/O线上加上低电平,并通过导通的V5、V6、V7、V8  4个晶体管,把高、低电平分别加在A、B点,即A=“1”,B=“0”,使V1管截止,V2管导通。当输入信号和地址选择信号(即行、列选通信号)消失以后,V5、V6、V7、V8管都截止,V1和V2管就保持被强迫写入的状态不变,从而将“1”写入存储电路。此时,各种干扰信号不能进入V1和V2管。所以,只要不掉电,写入的信息不会丢失。

    写入“0”的操作与其类似,只是在I/O线上加上低电平,在I/O线上加上高电平
    读操作

    若该基本存储电路被选中,则V5、V6、V7、V8管均导通,于是A、B两点与位线D和D相连,存储的信息被送到I/O与I/O线上。读出信息后,原存储信息不会被改变。

    缺点:故集成度较低,静态RAM的功耗比较大
    优点:不需要刷新电路,简化了外围电路 
    

    (2)Intel 2114 SRAM 芯片

    Intel 2114 SRAM芯片的容量为1 Kx4位,18脚封装,+5 V电源,有4096个基本存储电路
    在这里插入图片描述
    Intel 2114 芯片中,将4096个基本存储电路排成64行x64列的存储矩阵,每根列选择线同时连接4位列线,对应于并行的4位(位于同一行的4位应作为同一单元的内容被同时选中),从而构成了64行x16列=1 K个存储单元,每个单元有4位。1 K个存储单元应有A0~A9 10个地址输入端,2114片内地址译码采用双译码方式,A3~A8 6根用于行地址译码输入,经行译码产生64根行选择线,A0、A1、A2和A9 4根用于列地址译码输入,经过列译码产生16根列选择线。

     地址输入线A0~A9送来的地址信号分别送到行、列地址译码器,经译码后选中一个存储单元(有4个存储位)。
       
       当片选信号CS=0且WE=0时,数据输入三态门打开,I/O电路对被选中单元的4位进行写入;
       当CS=0且WE=1时,数据输入三态门关闭,而数据输出三态门打开,I/O电路将被选中单元的4位信息读出送数据线;
       当CS=1即CS无效时,不论WE为何种状态,各三态门均为高阻状态,芯片不工作
    
    2、DRAM

    动态RAM的基本存储电路利用电容存储电荷的原理来保存信息,由于电容上的电荷会逐渐泄漏,因而对动态RAM必须定时进行刷新,使泄漏的电荷得到补充。

    动态RAM的基本存储电路主要有六管、四管、三管和单管

    单管动态存储电路
    在这里插入图片描述
    四管动态存储电路
    在这里插入图片描述
    2、Intel 2164A 内部结构

    在这里插入图片描述
    2164A的读/写操作由WE信号来控制:

    读操作时,WE为高电平,选中单元的内容经三态输出缓冲器从DOUT引脚输出;
    写操作时,WE为低电平,DIN引脚上的信息经数据输入缓冲器写入选中单元。
    2164A没有片选信号,实际上用行地址和列地址选通信号RAS和CAS作为片选信号,可见,片选信号已分解为行选信号与列选信号两部分。 
    
    3、MROM

    MROM的内容是由生产厂家按用户要求在芯片的生产过程中写入的,写入后不能修改。

    MROM采用二次光刻掩膜工艺制成,首先要制作一个掩膜板,然后通过掩膜板曝光,在硅片上刻出图形。制作掩膜板工艺较复杂,生产周期长,因此生产第一片MROM的费用很大,而复制同样的ROM就很便宜了,所以适合于大批量生产,不适用于科学研究。

    MROM有: 双极型MOS型

    4、PROM

    可编程只读存储器出厂时各单元内容全为0,用户可用专门的PROM写入器将信息写入,这种写入是破坏性的,即某个存储位一旦写入1,就不能再变为0,因此对这种存储器只能进行一次编程。

    根据写入原理PROM可分为两类:结破坏型和熔丝型

    5、EPROM

    根据擦除芯片内已有信息的方法不同,可擦除、可再编程ROM可分为两种类型:

    (1)紫外线擦除PROM(简称EPROM)

    (2)电擦除PROM(简称EEPROM或E^2PROM)。

    EPROM芯片有多种型号,常用的有2716(2 Kx8)、2732(4 Kx8)、2764(8 Kx8)、27128(16 Kx8)、27256(32 K x 8)等。

    2716 EPROM芯片采用NMOS工艺制造,双列直插式24引脚封装。其内部结构如图6.16所示
    在这里插入图片描述

    1)  2716的内部结构和外部引脚
       A0~A10:11条地址输入线。其中7条用于行译码,4条用于列译码。
       O0~O7:8位数据线。编程写入时是输入线,正常读出时是输出线。 
       CS:片选信号。当CS=0时,允许2716读出。
       PD/PGM:待机/编程控制信号,输入。
       VPP:编程电源。在编程写入时,VPP=+25 V;正常读出时,VPP=+5 V。
       VCC:工作电源,为+5 V。
    
    1. 2716的工作方式
      在这里插入图片描述

        (1) 读出方式:当CS=0时,此方式可以将选中存储单元的内容读出。
        (2) 未选中:当CS=l时,不论PD/PGM的状态如何,2716均未被选中,数据线呈高阻态。
        (3) 待机(备用)方式:当PD/PGM=1时,2716处于待机方式。这种方式和未选中方式类似,但其功耗由525 mW下降到132 mW,下降了75%,所以又称为功率下降方式。这时数据线呈高阻态。
        (4) 编程方式:当VPP=+25 V,CS=l,并在PD/PGM端加上52 ms宽的正脉冲时,可以将数据线上的信息写入指定的地址单元。数据线为输入状态。
        (5) 校验编程内容方式:此方式与读出方式基本相同,只是VPP=+25 V。在编程后,可将2716中的信息读出,与写入的内容进行比较,以验证写入内容是否正确。数据线为输出状态。
        (6) 禁止编程方式:此方式禁止将数据总线上的信息写入2716。 
      
    6、闪速存储器
     Flash存储器既有MROM和RAM两者的性能,又有MROM、DRAM一样的高密度、低成本和小体积。
     目前惟一具有大容量、非易失性、低价格、可在线改写和较高速度几个特性共存的存储器。
     同DRAM比较,F1ash存储器有两个缺点:可擦写次数有限和速度较慢。所以从目前看,它还无望取代DRAM,但它是一种理想的文件存储介质,特别适用于在线编程的大容量、高密度存储领域。
    

    存储芯片的扩展

    对存储芯片进行扩展与连接时要考虑两方面的问题:一是如何用容量较小、字长较短的芯片,组成满足系统容量要求的存储器;另一个是存储器如何与CPU连接。

    这里仅总结了存储芯片的扩展方法:

    (1)位扩展

        位扩展是指存储芯片的字(单元)数满足要求而位数不够,需对每个存储单元的位数进行扩展
    

    (2)字扩展

        字扩展用于存储芯片的位数满足要求而字数不够的情况,是对存储单元数量的扩展
    

    (3)字位同时扩展

    在实际应用中,往往会遇到字数和位数都需要扩展的情况。

        若使用lxk位存储器芯片构成一个容量为MxN位(M>l,N>k)的存储器,那么这个存储器共需要(M/l)x(N/k)个存储器芯片。连接时可将这些芯片分成(M/l)个组,每组有(N/k)个芯片,组内采用位扩展法,组间采用字扩展法。
    
    展开全文
  • 半导体存储器芯片,按照读写功能可分为随机读写存储器(Random Access Memory,RAM)和只读存储器(Read Only Memory,ROM)两大类。RAM可以读取也可以写入,但断电时其中所存储信息会丢失;ROM则是只能读出其中内容...

    7fef0fd2c3236f3dc3ecc256ad461903.png

    半导体存储器芯片,按照读写功能可分为随机读写存储器(Random Access Memory,RAM)和只读存储器(Read Only Memory,ROM)两大类。

    RAM可以读取也可以写入,但断电时其中所存储的信息会丢失;ROM则是只能读出其中的内容,不能写入,但断电不会导致信息丢失,可永久保存。

    RAM

    广泛使用的RAM(半导体随机读写存储器)是MOS半导体存储器。按保存数据的机理,RAM还可分为静态存储器(Static RAM,SRAM)和动态存储器(Dynamic RAM,DRAM)。

    1、静态存储器(即SRAM)

    SRAM利用双稳态触发器来保存信息,不断电信息就不会丢失。SRAM的集成度低、成本高、功耗较大,通常作为Cache的存储体。

    2、动态存储器(即DRAM)

    DRAM利用MOS电容存储电荷来保存信息,使用时需要不断给电容充电才能保持信息。DRAM电路简单、集成度高、成本低、功耗小,但使用时需要反复进行刷新操作,所以速度较慢,适合作为主存储器的主体部分。

    刷新操作(Refresh):为防止DRAM存储的信息电荷泄漏而丢失信息,由外界按一定规律不断地给栅极进行充电,补足栅极的信息电荷。

    DRAM存储器的刷新需要有硬件线路的支持,这些控制线路可以集成在一个半导体芯片上,形成DRAM控制器。借助于DRAM控制器,可以把DRAM当作SRAM一样使用,从而为系统设计带来很大的方便。

    ROM

    ROM(只读存储器)是一种存储固定信息的存储器,在正常工作状态下只能读取数据,不能即时修改或重新写入数据。

    这种存储器电路结构简单,且存放的数据在断电后不会丢失,特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据,比如计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。

    ROM的最大优点是具有不易失性。

    ROM有不可重写只读存储器(MROM、PROM)和可重写只读存储器(EPROM、EEPROM、闪速存储器等)两大类。

    a2b9a481164a4b02afdd85b364560175.png

    6314e3e5e02b8651b41d17ffd1477aa1.png

    展开全文
  • 半导体存储器RAM

    2020-07-24 21:18:08
    半导体存储器RAM 1.半导体存储芯片的基本结构 2.半导体随机存取存储器 3.DRAM的刷新 4.SRAM的读周期 5.SRAM的写周期 6.总结

    半导体存储器RAM

    1.半导体存储芯片的基本结构
    在这里插入图片描述
    2.半导体随机存取存储器
    在这里插入图片描述
    3.DRAM的刷新
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    4.SRAM的读周期
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    5.SRAM的写周期
    在这里插入图片描述
    6.总结
    在这里插入图片描述

    展开全文
  • 半导体存储器主要性能指标 1) 存储容量 :一个半导体存储器芯片的存储容量是指存储器可以容纳的二进制信息量,以存储器中存储地址寄存器 MAR 的编址数与存储字位数的乘积表示。2) 存储速度 3) 可靠性 4) 性能/价格比 ...
  • 3.2 半导体存储器RAM

    2020-09-19 23:23:03
    1.半导体存储芯片的基本结构 [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-vaSPnQGl-1600528961353)(img_CC/3.5.png)] 2.半导体随机存取存储器 1.SRAM(Static Random Access Memory)...
  • 半导体存储器基本原理简介

    千次阅读 2019-03-24 09:07:00
    基本结构    地址线:单向  数据线:双向  片选线:一般表示为/CS或者/CE,低电平有效表示选中此片芯片  读/写控制线:可以一根也可以两根,一根时表示为/WE,低电平写高电平读,两根时表示为/OE允许写和/...
  • 针对主存储器的逻辑结构,如下图 需要明确一些概念 存储矩阵 由大量相同位存储单元阵列够成 译码驱动将来自地址总线地址信号,翻译成对应存储单元选通信号,该信号在读写电路配合下完成对被选中单元读...
  • 半导体存储芯片的基本结构半导体随机存取存储器(RAM): DRAM的刷新: SRAM的读周期: (注:CS代表片选线,上面有横线表示低电平有效。) 0/1的信号通过地址线传过来后不能马上读取,因为都是通过不同的线...
  • 半导体存储芯片的基本结构 1,存储矩阵:由大量存储单元构成 2,译码驱动:提供一行数据的电源 3,读写电路:为存储矩阵提供控制信息 4,片选线:是否选中这个芯片,用于容量扩充 5,地址线:外部信号选通那一行的...
  • 半导体存储器 —— 译码驱动方式

    千次阅读 2019-07-21 09:47:16
    一、半导体存储芯片的基本结构 二、74138译码器 A、B、C为译码地址输入端;G1、G2A、G2BG_1、G_{2A}、G_{2B}G1​、G2A​、G2B​ 为选通端,Y0 Y7Y_0~Y_7Y0​ Y7​ 为译码输出端(低电平有效)。当选通...
  • ⭐一.概述 1.主存的基本组成 Mar:保存了访问的存储单元的地址 MDR:保存了读出或写入的数据 2.主存与cpu之间的联系 3.主存中储存单位地址...1.半导体存储芯片的基本结构 存储芯片片选线多作用 2.半导体存储芯片的
  • 存储系统的基本概念一、存储芯片的基本结构二、SRAM、DRAM的工作原理1.DRAM的刷新 一、存储芯片的基本结构 存储矩阵:大量存储单位组成的列阵 译码驱动:把地址信号翻译成选择的存储单元的位置 读写电路;用来...
  • 一分钟理解系列—半导体存储芯片的知识点总结

    千次阅读 多人点赞 2020-04-01 22:09:47
    在计算机的存储器中,按存储介质进行分类的话,可...半导体存储芯片的基本结构 半导体存储芯片由译码驱动电路、存储矩阵、读写电路、地址线、数据线、控制线、片选线组成。其中,译码驱动电路、存储矩阵、读写电路...
  • 文章目录1 主存简单模型及寻址的概念1.1 主存储器1.1.1 存储器芯片的基本结构1.1.2 寻址2 半导体存储器2.1半导体随机存取存储器2.1.1 DRAM的刷新2.1.2 SRAM的读周期2.1.3 SRAM的写周期2.1.4 RAM-易失性存储器2.1.6 ...
  • 在计算机的存储器中,按存储介质进行分类...半导体存储芯片的基本结构半导体存储芯片由译码驱动电路、存储矩阵、读写电路、地址线、数据线、控制线、片选线组成。其中,译码驱动电路、存储矩阵、读写电路属于核心结...
  • 3.3 半导体随即存储器

    2019-08-30 19:58:28
    半导体存储芯片内集成有存储矩阵,译码驱动电路和读写电路等,如下图的基本结构 存储矩阵:大量相同的位存储单元列阵构成。 译码驱动:将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号,这个信号在读写...
  • 存储器

    2020-03-29 14:51:47
    缓存 主存层次和主存 辅存层次主存储器概述主存的基本组成主存和CPU的关系主存中存储单元地址的分配主存的技术指标半导体存储芯片简介半导体存储芯片的基本结构高速缓冲存储器辅助存储器 概述 存储器分类 按存储...
  • 003存储器

    2020-07-06 21:11:05
    概述 存储器分类 按存储介质分类: 半导体存储器: TTL、MOS (易失) 磁表面存储器: 磁头、载磁体 ...半导体存储芯片的基本结构: 存储芯片片选线的作用: 半导体存储芯片的译码驱动方式: 线选法: 缺点
  • 文章目录存储器概述存储器分类存储器的层次结构主存储器存储器——概述主存的基本组成主存与 CPU 之间的联系主存中存储单元地址的分配半导体存储芯片简介半导体存储芯片的基本结构半导体存储芯片的译码驱动方式...
  • 文章目录存储器概述存储器分类按存储介质区分按存取方式分按存储器读写功能分按信息的可保存性分按在计算机系统中的作用分存储器分级结构高速缓冲存储器(CACHE)主存储器外存储器存储器的基本构成半导体存储器芯片...
  • 存储器

    2017-08-22 09:56:46
    存储器基本组成 存储体->读写电路->MDR->数据总线 存储体->驱动器->译码器->MAR->地址总线 主存储器的技术指标 存储容量 ...基本结构 译码驱动 存储矩阵 读写电路 地址线:单向 数据线:双向 片选
  • 【笔记】存储器(一)

    千次阅读 2018-02-19 00:26:38
    半导体存储芯片的基本结构 半导体存储芯片的译码驱动方式 随机存取存储器 动态RAM的刷新 动态RAM和静态RAM的比较 只读存储器 存储器与CPU的连接 存储容量的扩展 存储器与CPU的连接 存储器...
  • 第三章 存储器3.1 半导体存储器概述3.1.1 半导体存储芯片基本结构其中片选信号是 或 ,表示 chip select 或者 chip enable。读/写控制线中 表示低电平写,高电平读; 表示允许读, 表示允许写。3.1.2 半导体芯片的...
  • 计算机组成原理 主存储器1

    千次阅读 2019-09-24 12:41:21
    一、半导体存储芯片的基本结构 二、半导体存储芯片的译码驱动方式 1、线选法 2、重合法 2.3 随机存取存储器(RAM) 一、静态RAM(SRAM) 1、静态RAM基本电路 2、静态RAM芯片举例 二、动态R...
  • 文章目录第三章 存储器3.1 半导体存储器概述3.1.1 半导体存储芯片基本结构3.1.2 半导体芯片的译码驱动3.1.3 主存的技术指标3.1.4 存储器分类3.2 静态随机存储器(Cache)3.2.1 MOS 管3.2.2 基本单元电路3.2.3 基本...
  • 文章目录1 概述1.1 主存的基本组成1.2 主存和 CPU 的联系1.3 主存中存储单元地址的分配1.4 主存的技术指标2 半导体存储芯片简介2.1 半导体存储芯片的基本结构2.2 半导体存储芯片的译码驱动方式3 随机存取存储器(RAM...
  • 存储器4.1 概述存储器分类存储器的层次结构4.2 主存储器概述半导体存储芯片简介随机存取存储器 ( RAM )只读存储器(ROM)存储器与CPU连接存储器容量拓展连接要点(重点)存储器的校验提高访存速度措施(了解...
  • 存储器 概述 主存的基本组成 主存和 CPU 的联系 ...主存中存储单元地址的分配(存 12345678H ) ...存储器的带宽 ...存取时间:存储器的访问...半导体芯片简介 基本结构 结构 存储容量 片选和控制 片选线:CS
  • 存储器1.概述1.1 存储器的分类1.2 存储器的层次结构2....高速缓冲存储器(Cache)3.1 概述3.2 Cache的基本结构3.2.1 Cache存储体3.2.2 地址映射变换机构3.2.3 替换机构3.2.4 Cache读写操作3.3 Cache的改进4.辅助存储器

空空如也

空空如也

1 2 3 4 5
收藏数 81
精华内容 32
关键字:

半导体存储器芯片的基本结构