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  • 大学物理实验报告 - 半导体热敏电阻温度特性的研究

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  • 中国第半导体行业应用动态与十四五发展格局展望报告2022版 HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS-- 【修订日期】:2021年11月 【搜索鸿晟信合研究院查看官网更多内容!】 第一章 第半导体相关...

    中国第三代半导体行业应用动态与十四五发展格局展望报告2022版
    HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--HS--
    【修订日期】:2021年11月
    【搜索鸿晟信合研究院查看官网更多内容!】 
    第一章 第三代半导体相关概述
     1.1 第三代半导体基本介绍
     1.1.1 基础概念界定
     1.1.2 主要材料简介
     1.1.3 历代材料性能
     1.1.4 产业发展意义
     1.2 第三代半导体产业发展历程分析
     1.2.1 材料发展历程
     1.2.2 产业演进全景
     1.2.3 产业转移路径
     1.3 第三代半导体产业链构成及特点
     1.3.1 产业链结构简介
     1.3.2 产业链图谱分析
     1.3.3 产业链生态体系
     1.3.4 产业链体系分工
     第二章 2019-2021年全球第三代半导体产业发展分析
     2.1 2019-2021年全球第三代半导体产业运行状况
     2.1.1 标准制定情况
     2.1.2 国际产业格局
     2.1.3 市场发展规模
     2.1.4 市场结构分析
     2.1.5 新品研发情况
     2.1.6 研发项目规划
     2.1.7 应用领域格局
     2.1.8 企业发展动态
     2.1.9 企业发展布局
     2.1.10 企业竞争格局
     2.2 美国
     2.2.1 研发支出规模
     2.2.2 产业技术优势
     2.2.3 技术创新中心
     2.2.4 技术研发动向
     2.2.5 战略层面部署
     2.3 日本
     2.3.1 产业发展计划
     2.3.2 研究成果丰硕
     2.3.3 封装技术联盟
     2.3.4 照明领域状况
     2.3.5 研究领先进展
     2.4 欧盟
     2.4.1 研发项目历程
     2.4.2 产业发展基础
     2.4.3 前沿企业格局
     2.4.4 未来发展热点
     第三章 2019-2021年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析
     3.1 政策环境(Political)
     3.1.1 中央部委政策支持
     3.1.2 地方政府扶持政策
     3.1.3 重点支持政策解读
     3.1.4 中美贸易摩擦影响
     3.2 经济环境(Economic)
     3.2.1 宏观经济概况
     3.2.2 工业运行情况
     3.2.3 经济结构升级
     3.2.4 未来经济展望
     3.3 社会环境(Social)
     3.3.1 社会教育水平
     3.3.2 知识专利水平
     3.3.3 研发经费投入
     3.3.4 技术人才储备
     3.4 技术环境(Technological)
     3.4.1 专利技术构成
     3.4.2 科技计划专项
     3.4.3 国际技术成熟
     3.4.4 产业技术联盟
     第四章 2019-2021年中国第三代半导体产业发展分析
     4.1 中国第三代半导体产业发展特点
     4.1.1 企业以IDM模式为主
     4.1.2 制备工艺不追求顶尖
     4.1.3 衬底和外延是关键环节
     4.1.4 各国政府高度重视发展
     4.1.5 军事用途导致技术禁运
     4.2 2019-2021年中国第三代半导体产业发展运行综述
     4.2.1 产业发展现状
     4.2.2 产业整体产值
     4.2.3 产线产能规模
     4.2.4 产业标准规范
     4.2.5 国产替代状况
     4.3 2019-2021年中国第三代半导体市场运行状况分析
     4.3.1 市场发展规模
     4.3.2 细分市场结构
     4.3.3 市场应用分布
     4.3.4 企业竞争格局
     4.3.5 企业发展布局
     4.3.6 产品发展动力
     4.4 2019-2021年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析
     4.4.1 上游金属硅产能释放
     4.4.2 上游金属硅价格走势
     4.4.3 上游氧化锌市场现状
     4.4.4 上游材料产业链布局
     4.4.5 上游材料竞争状况分析
     4.5 中国第三代半导体产业发展问题分析
     4.5.1 产业发展问题
     4.5.2 市场推进难题
     4.5.3 技术发展挑战
     4.5.4 材料发展挑战
     4.6 中国第三代半导体产业发展建议及对策
     4.6.1 产业发展建议
     4.6.2 建设发展联盟
     4.6.3 加强企业培育
     4.6.4 集聚产业人才
     4.6.5 推动应用示范
     4.6.6 材料发展思路
     第五章 2019-2021年第三代半导体氮化镓(GAN)材料及器件发展分析
     5.1 GaN材料基本性质及制备工艺发展状况
     5.1.1 GaN产业链
     5.1.2 GaN结构性能
     5.1.3 GaN制备工艺
     5.1.4 GaN材料类型
     5.1.5 技术专利发展
     5.1.6 技术发展趋势
     5.2 GaN材料市场发展概况分析
     5.2.1 市场发展规模
     5.2.2 材料价格走势
     5.2.3 材料技术水平
     5.2.4 应用市场结构
     5.2.5 应用市场预测
     5.2.6 市场竞争状况
     5.3 GaN器件及产品研发情况
     5.3.1 器件产品类别
     5.3.2 GaN晶体管
     5.3.3 射频器件产品
     5.3.4 电力电子器件
     5.3.5 器件产品研发
     5.4 GaN器件应用领域及发展情况
     5.4.1 电子电力器件应用
     5.4.2 高频功率器件应用
     5.4.3 器件应用发展状况
     5.4.4 应用实现条件与对策
     5.5 GaN器件发展面临的挑战
     5.5.1 器件技术难题
     5.5.2 电源技术瓶颈
     5.5.3 风险控制建议
     第六章 2019-2021年第三代半导体碳化硅(SIC)材料及器件发展分析
     6.1 SiC材料基本性质与制备技术发展状况
     6.1.1 SiC性能特点
     6.1.2 SiC制备工艺
     6.1.3 SiC产品类型
     6.1.4 单晶技术专利
     6.1.5 技术发展趋势
     6.2 SiC材料市场发展概况分析
     6.2.1 材料价格走势
     6.2.2 材料市场规模
     6.2.3 材料技术水平
     6.2.4 市场应用结构
     6.2.5 市场竞争格局
     6.2.6 企业研发布局
     6.3 SiC器件及产品研发情况
     6.3.1 电力电子器件
     6.3.2 功率模块产品
     6.3.3 器件产品研发
     6.3.4 产品发展趋势
     6.4 SiC器件应用领域及发展情况
     6.4.1 应用整体技术路线
     6.4.2 电网应用技术路线
     6.4.3 电力牵引应用技术路线
     6.4.4 电动汽车应用技术路线
     6.4.5 家用电器和消费类电子应用
     第七章 2019-2021年第三代半导体其他材料发展状况分析
     7.1 Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析
     7.1.1 基础概念介绍
     7.1.2 材料结构性能
     7.1.3 材料制备工艺
     7.1.4 主要器件产品
     7.1.5 应用发展状况
     7.1.6 发展建议对策
     7.2 宽禁带氧化物半导体材料发展分析
     7.2.1 基本概念介绍
     7.2.2 材料结构性能
     7.2.3 材料制备工艺
     7.2.4 主要应用器件
     7.3 氧化镓(Ga2O3)半导体材料发展分析
     7.3.1 材料结构性能
     7.3.2 材料制备工艺
     7.3.3 主要技术发展
     7.3.4 器件应用发展
     7.3.5 未来发展趋势
     7.4 金刚石半导体材料发展分析
     7.4.1 材料结构性能
     7.4.2 衬底制备工艺
     7.4.3 主要器件产品
     7.4.4 应用发展状况
     7.4.5 器件研发进展
     7.4.6 未来发展前景
     第八章 2019-2021年第三代半导体下游应用领域发展分析
     8.1 第三代半导体下游产业应用领域发展概况
     8.1.1 下游应用产业分布
     8.1.2 下游产业优势特点
     8.1.3 下游产业需求旺盛
     8.2 2019-2021年电子电力领域发展状况
     8.2.1 全球市场发展规模
     8.2.2 国内市场发展规模
     8.2.3 国内器件应用分布
     8.2.4 国内应用市场规模
     8.2.5 器件厂商布局分析
     8.2.6 器件产品价格走势
     8.3 2019-2021年微波射频领域发展状况
     8.3.1 射频器件市场规模
     8.3.2 射频器件市场结构
     8.3.3 射频器件市场需求
     8.3.4 射频器件价格走势
     8.3.5 国防基站应用规模
     8.4 2019-2021年半导体照明领域发展状况
     8.4.1 发展政策支持
     8.4.2 行业发展规模
     8.4.3 产业链条产值
     8.4.4 应用市场分布
     8.4.5 照明技术突破
     8.4.6 照明发展方向
     8.4.7 行业发展展望
     8.5 2019-2021年半导体激光器发展状况
     8.5.1 市场规模现状
     8.5.2 企业发展格局
     8.5.3 应用研发现状
     8.5.4 主要技术分析
     8.5.5 未来发展趋势
     8.6 2019-2021年5G新基建领域发展状况
     8.6.1 5G建设进程
     8.6.2 应用市场规模
     8.6.3 赋能射频产业
     8.6.4 应用发展方向
     8.6.5 产业发展展望
     8.7 2019-2021年新能源汽车领域发展状况
     8.7.1 行业市场规模
     8.7.2 主要应用场景
     8.7.3 应用市场规模
     8.7.4 企业布局情况
     8.7.5 市场需求预测
     第九章 2019-2021年第三代半导体材料产业区域发展分析
     9.1 2019-2021年第三代半导体产业区域发展概况
     9.1.1 产业区域分布
     9.1.2 重点区域建设
     9.2 京津翼地区第三代半导体产业发展分析
     9.2.1 北京产业发展状况
     9.2.2 顺义产业扶持政策
     9.2.3 保定产业项目动态
     9.2.4 应用联合创新基地
     9.2.5 区域未来发展趋势
     9.3 中西部地区第三代半导体产业发展分析
     9.3.1 四川产业发展状况
     9.3.2 重庆相关领域态势
     9.3.3 陕西产业发展状况
     9.4 珠三角地区第三代半导体产业发展分析
     9.4.1 广东产业发展政策
     9.4.2 广州市产业支持
     9.4.3 深圳产业发展状况
     9.4.4 东莞基地发展建设
     9.4.5 区域未来发展趋势
     9.5 华东地区第三代半导体产业发展分析
     9.5.1 江苏产业发展概况
     9.5.2 苏州产业联盟聚集
     9.5.3 山东产业布局动态
     9.5.4 福建产业发展状况
     9.5.5 区域未来发展趋势
     9.6 第三代半导体产业区域发展建议
     9.6.1 提高资源整合效率
     9.6.2 补足SiC领域短板
     9.6.3 开展关键技术研发
     9.6.4 鼓励地方加大投入
     第十章 2017-2021年第三代半导体产业重点企业经营状况分析
     10.1 三安光电股份有限公司
     10.1.1 企业发展概况
     10.1.2 业务布局动态
     10.1.3 经营效益分析
     10.1.4 业务经营分析
     10.1.5 财务状况分析
     10.1.6 核心竞争力分析
     10.1.7 公司发展战略
     10.1.8 未来前景展望
     10.2 北京赛微电子股份有限公司
     10.2.1 企业发展概况
     10.2.2 相关业务布局
     10.2.3 经营效益分析
     10.2.4 业务经营分析
     10.2.5 财务状况分析
     10.2.6 核心竞争力分析
     10.2.7 公司发展战略
     10.2.8 未来前景展望
     10.3 华润微电子有限公司
     10.3.1 企业发展概况
     10.3.2 经营效益分析
     10.3.3 业务经营分析
     10.3.4 财务状况分析
     10.3.5 核心竞争力分析
     10.3.6 公司发展战略
     10.3.7 未来前景展望
     10.4 湖北台基半导体股份有限公司
     10.4.1 企业发展概况
     10.4.2 经营效益分析
     10.4.3 业务经营分析
     10.4.4 财务状况分析
     10.4.5 核心竞争力分析
     10.4.6 公司发展战略
     10.4.7 未来前景展望
     10.5 华灿光电股份有限公司
     10.5.1 企业发展概况
     10.5.2 经营效益分析
     10.5.3 业务经营分析
     10.5.4 财务状况分析
     10.5.5 核心竞争力分析
     10.5.6 公司发展战略
     10.5.7 未来前景展望
     10.6 闻泰科技股份有限公司
     10.6.1 企业发展概况
     10.6.2 经营效益分析
     10.6.3 业务经营分析
     10.6.4 财务状况分析
     10.6.5 核心竞争力分析
     10.6.6 公司发展战略
     10.6.7 未来前景展望
     10.7 株洲中车时代电气股份有限公司
     10.7.1 企业发展概况
     10.7.2 2021年企业经营状况分析
     10.7.3 2019年企业经营状况分析
     10.7.4 2020年企业经营状况分析
     第十一章 第三代半导体产业投资价值综合评估
     11.1 行业投资背景
     11.1.1 行业投资规模
     11.1.2 投资项目分布
     11.1.3 投资市场周期
     11.1.4 行业投资前景
     11.2 行业投融资情况
     11.2.1 国际投资案例
     11.2.2 国内投资案例
     11.2.3 国际企业并购
     11.2.4 国内企业并购
     11.2.5 企业融资动态
     11.3 行业投资壁垒
     11.3.1 技术壁垒
     11.3.2 资金壁垒
     11.3.3 贸易壁垒
     11.4 行业投资风险
     11.4.1 企业经营风险
     11.4.2 技术迭代风险
     11.4.3 行业竞争风险
     11.4.4 产业政策变化风险
     11.5 行业投资建议
     11.5.1 积极把握5G通讯市场机遇
     11.5.2 收购企业实现关键技术突破
     11.5.3 关注新能源汽车催生需求
     11.5.4 国内企业向IDM模式转型
     11.5.5 加强高校与科研院所合作
     11.6 投资项目案例
     11.6.1 项目基本概述
     11.6.2 投资价值分析
     11.6.3 建设内容规划
     11.6.4 资金需求测算
     11.6.5 实施进度安排
     11.6.6 经济效益分析
     第十二章 2022-2027年第三代半导体产业前景与趋势预测
     12.1 第三代半导体未来发展趋势
     12.1.1 产业成本趋势
     12.1.2 未来发展趋势
     12.1.3 应用领域趋势
     12.2 第三代半导体未来发展前景
     12.2.1 重要发展窗口期
     12.2.2 产业应用前景
     12.2.3 产业发展机遇
     12.2.4 产业市场机遇
     12.2.5 产业发展展望
     12.3 2022-2027年中国第三代半导体行业预测分析
     12.3.1 2022-2027年中国第三代半导体行业影响因素分析
     12.3.2 2022-2027年中国第三代半导体材料市场规模预测
     附录
     附录一:新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策
     附录二:关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施

    图表目录

    图表1 不同半导体材料性能比较(一)
     图表2 不同半导体材料性能比较(二)
     图表3 碳化硅、氮化镓的性能优势
     图表4 半导体材料发展历程及现状
     图表5 第三代半导体产业演进示意图
     图表6 第三代半导体产业链
     图表7 第三代半导体衬底制备流程
     图表8 第三代半导体产业链全景图
     图表9 第三代半导体健康的产业生态体系
     图表10 2016-2021年全球第三代半导体材料市场规模与增长
     图表11 2021年全球第三代半导体材料市场结构
     图表12 2017-2021年全球在售SiC、GaN器件及模块产品数量(款)
     图表13 2021年各国/组织第三代半导体领域研发项目(一)
     图表14 2021年各国/组织第三代半导体领域研发项目(二)
     图表15 2021年各国/组织第三代半导体领域研发项目(三)
     图表16 全球第三代半导体产业格局
     图表17 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员(一)
     图表18 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员(二)
     图表19 日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员(一)
     图表20 日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员(二)
     图表21 欧洲LAST POWER产学研项目成员
     图表22 “十四五”期间中国第三代半导体支持政策汇总(一)
     图表23 “十四五”期间中国第三代半导体支持政策汇总(二)
     图表24 2021年地方政府第三代半导体产业支持政策汇总(一)
     图表25 2021年地方政府第三代半导体产业支持政策汇总(二)
     图表26 2019年地方政府第三代半导体产业支持政策汇总(一)
     图表27 2019年地方政府第三代半导体产业支持政策汇总(二)
     图表28 《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019版)》中第三代半导体相关内容
     图表29 《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》中第三代半导体相关内容
     图表30 2019年中国GDP初步核算数据
     图表31 2016-2021年国内生产总值及增速
     图表32 2016-2021年三次产业增加值占国内生产总值比重
     图表33 2020年GDP初步核算数据
     图表34 2019年主要工业产品产量及其增长速度
     图表35 2016-2021年全部工业增加值及其增长速度
     图表36 2020年主要工业产品产量及其增长速度
     图表37 2016-2021年普通本专科、中等职业教育及普通高中招生人数
     图表38 2019年专利申请、授权和有效专利情况
     图表39 2016-2021年研究与试验发展(R&D)经费支出及其增长速度
     图表40 2020年专利申请、授权和有效专利情况
     图表41 国内高校、研究所与企业的技术合作与转化
     图表42 2019年第三代半导体领域全球专利技术构成
     图表43 2021年度国家重点研发计划重点专项
     图表44 2019年正在实施的第三代半导体国家重点研发计划重点专项
     图表45 中国第三代半导体产业技术创新战略联盟发起单位
     图表46 第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)
     图表47 全球推动第三代半导体产业和技术发展的国家计划
     图表48 《中国制造2025》第三代半导体相关发展目标
     图表49 中方收购国外半导体企业情况
     图表50 2016-2021年中国GaN微波射频产业产值及增速
     图表51 2016-2021年中国SiC、GaN电力电子产业产值及增速
     图表52 2019年中国主要企业SiC、GaN产能
     图表53 第三代半导体产业技术创新战略联盟标准列表
     图表54 2016-2021年中国第三代半导体衬底材料市场规模与增长
     图表55 2019年中国第三代半导体衬底材料市场结构
     图表56 2019年中国SiC、GaN电力电子器件市场应用领域分布
     图表57 衬底研发重点企业盘点
     图表58 国内部分涉及第三代半导体上市公司的产业布局情况(一)
     图表59 国内部分涉及第三代半导体上市公司的产业布局情况(二)
     图表60 2019-2021年中国金属硅产量统计
     图表61 2019-2021年中国金属硅表观消费量统计
     图表62 2017-2021年金属硅价格走势情况
     图表63 氮化镓产业链主要的国际竞争厂商(一)
     图表64 氮化镓产业链主要的国际竞争厂商(二)
     图表65 氮化镓产业链主要的国际竞争厂商(三)
     图表66 氮化镓产业链国内主要企业
     图表67 GaN产业链
     图表68 GaN原子结构
     图表69 典型GaN HEMT结构
     图表70 GaN制备流程
     图表71 HVPE系统示意图
     图表72 GaN外延生长常用方法示意图
     图表73 氮化镓制备技术专利发展路线
     图表74 氮化镓外延技术专利发展路线
     图表75 2019-2030年我国第三代半导体GaN材料关键技术发展路线表
     图表76 2016-2021年中国GaN衬底市场规模及增速
     图表77 中国GaN材料下游应用市场结构
     图表78 GaN功率器件应用领域与市场份额
     图表79 氮化镓产业国内外主要厂商布局
     图表80 GaN半导体器件类别及应用
     图表81 GaN器件主要产品
     图表82 Cascode GaN晶体管
     图表83 EPC的电气参数
     图表84 LGA封装示意图
     图表85 国际上已经商业化的RF GaN HEMT性能
     图表86 2021年国际企业推出GaN射频晶体管产品
     图表87 2021年国际上已经商业化的RF GaN功率放大器性能
     图表88 2021年国际主流厂商商业化RF GaN功率放大器性能(@中国5G频段)
     图表89 2021年国际企业推出GaN射频模块产品(一)
     图表90 2021年国际企业推出GaN射频模块产品(二)
     图表91 2019年国际商业化的GaN RF HEMT器件性能
     图表92 2019年国际企业推出的GaN射频产品
     图表93 2021年国际上已经商业化的Si基GaN HEMT电力电子器件性能
     图表94 2021年国际企业推出GaN电力电子器件产品(一)
     图表95 2021年国际企业推出GaN电力电子器件产品(二)
     图表96 2019年国际上已经商业化的GaN HEMT电力电子器件性能
     图表97 2019年部分主流GaN HEMT产品的导通电阻情况
     图表98 2019年国际企业推出的部分GaN HEMT电力电子产品
     图表99 2020年企业新推出的GaN HEMT产品
     图表100 激光雷达脉冲宽度对距离测量分辨率的影响
     图表101 Si和GaN器件驱动的激光雷达成像分辨率对比图
     图表102 恒定电压供电方式的典型波形
     图表103 包络线跟随供电方式的典型波形
     图表104 ET技术的原理框图
     图表105 DBC方式的硅基器件的热阻发展趋势
     图表106 2020年GaN器件产品电压范围占比预测
     图表107 SiC生长炉炉体示意图
     图表108 液相生长法熔具结构图
     图表109 碳化硅单晶生长技术专利发展路线
     图表110 2019-2030年我国第三代半导体SiC材料关键技术发展路线表
     图表111 2016-2021年中国SiC衬底市场规模与增长
     图表112 2021年中国SiC衬底市场应用结构
     图表113 SiC衬底产品相关企业布局
     图表114 SiC外延产品相关企业布局
     图表115 SiC器件/模块/IDM产品相关企业布局(一)
     图表116 SiC器件/模块/IDM产品相关企业布局(二)
     图表117 英飞凌第三代半导体材料各技术分支专利主题布局
     图表118 碳化硅电力电子器件分类
     图表119 各国重要企业的SiC电子电力器件产品
     图表120 国际上已经商业化的SiC肖特基二极管的器件性能
     图表121 2021年国际企业推出的SiC二极管产品
     图表122 国际上已经商业化的SiC晶体管的器件性能
     图表123 2021年国际企业推出的SiC晶体管产品(一)
     图表124 2021年国际企业推出的SiC晶体管产品(二)
     图表125 2019年国际企业推出的部分SiC器件产品(SBD/MOSFET)
     图表126 2021年国际企业推出全SiC功率模块产品(一)
     图表127 2021年国际企业推出全SiC功率模块产品(二)
     图表128 2019年国际企业推出的部分SiC模块产品
     图表129 2020年企业新推出的SiC SBD产品
     图表130 2020年企业新推出的SiC MOSFET产品
     图表131 2020-2048年SiC器件在电网应用的技术路线
     图表132 2020-2048年电力电子变压器(PET)发展预测
     图表133 2020-2048年灵活交流输电装置(FACTS)发展预测
     图表134 2020-2048年光伏逆变器发展预测
     图表135 2020-2048年采用SiC器件的光伏逆变器市场占比预测
     图表136 2020-2048年固态开关发展预测
     图表137 2018-2050年各类别车辆规模的预测
     图表138 2018-2050年各类别应用装置规模的预测
     图表139 2018-2050年应用装置的功率密度预测
     图表140 2018-2050年应用装置的工作效率预测
     图表141 2018-2050年各种电力电子器件的预测
     图表142 2018-2048年车载OBC和非车载充电桩的效率提升预测
     图表143 三电平拓扑
     图表144 2018-2048年车载和非车载的换流器开关频率提升预测
     图表145 Si IGBT和SiC MOSFET控制器效率对比
     图表146 对车载和非车载的器件要求
     图表147 2018-2025年SiC器件的封装预测
     图表148 2020-2048年电动汽车电机驱动采用SiC器件发展预测
     图表149 2020-2048年电动汽车无线充电设施采用SiC器件发展预测
     图表150 家用消费类电子产品的分类
     图表151 适配器电源产品的能效等级要求
     图表152 欧美主要国家强制实施的能效等级要求
     图表153 不同家用电子产品耗电量分布图
     图表154 空调电气控制系统应用框图
     图表155 开通电压/电流波形对比
     图表156 SiC混合功率模块开关损耗对比
     图表157 2000-2030年功率模块未来发展趋势
     图表158 2020-2048年家用电器和消费类电子采用SiC功率模块发展预测
     图表159 氮化铝晶体结构及晶须
     图表160 氮化铝陶瓷基板的性能优势
     图表161 InGaZnO4晶体结构
     图表162 β-Ga2O3功率器件与其他主要半导体功率器件的理论性能极限
     图表163 金刚石结构
     图表164 金刚石与其他半导体材料特性对比
     图表165 2025第三代半导体材料发展目标
     图表166 2018-2021年全球SiC、GaN在电力电子器件的应用规模
     图表167 2017-2023年SiC vs GaN vs Si在电力电子领域渗透率情况
     图表168 2010-2021年中国半导体分立器件市场规模及增速
     图表169 2015-2024年中国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模
     图表170 2019年中国SiC、GaN电力电子器件应用市场分布
     图表171 2017-2021年SiC SBD的平均价格
     图表172 2018-2021年不同制造商SiC SBD产品价格对比单位(元/A)
     图表173 2018-2021年SiC、GaN晶体管的平均价格
     图表174 2019年国外商业化的SiC晶体管价格
     图表175 2019年国外商业化的Si基GaN HEMT电力电子器件价格
     图表176 2015-2023年中国GaN射频器件应用市场规模及预测
     图表177 2019年我国GaN射频器件各细分市场规模占比
     图表178 2017-2023年全球GaN射频器件需求量预测
     图表179 2017-2021年RF GaN HEMT的平均价格走势
     图表180 2018-2021年地方LED照明产业政策汇总(一)
     图表181 2018-2021年地方LED照明产业政策汇总(二)
     图表182 2016-2021年中国LED半导体照明产业产值
     图表183 LED半导体照明产业链结构
     图表184 2019年中国LED半导体照明产业链产值规模分布
     图表185 2016-2021年中国LED半导体照明产业链上游外延芯片产值规模及增速
     图表186 2016-2021年中国LED半导体照明产业链中游封装产值规模及增速
     图表187 2016-2021年中国LED半导体照明产业链下游应用产值规模及增速
     图表188 2019年中国半导体照明应用领域分布
     图表189 2014-2021年中国LED通用照明产值规模及增速
     图表190 2013-2021年中国半导体激光器市场规模及增长情况
     图表191 半导体激光器细分应用领域
     图表192 2019年全球5G建设进展
     图表193 2013-2021年中国新能源汽车产量及增速
     图表194 2013-2021年中国新能源汽车销量及增速
     图表195 SiC在电动汽车中的应用
     图表196 搭载SiC功率模块的全新丰田MIRAI与原MIRAI性能对比
     图表197 2019年车用第三代半导体领域的国际企业合作动态
     图表198 中国车载IGBT市场规模测算
     图表199 第三代半导体材料企业区域分布
     图表200 2019年国内第三代半导体集聚区建设进展(一)
     图表201 2019年国内第三代半导体集聚区建设进展(二)
     图表202 2019年国内第三代半导体集聚区建设进展(三)
     图表203 2016-2021年北京第三代半导体相关政策
     图表204 2014-2021年重庆第三代半导体相关政策
     图表205 2015-2021年江苏第三代半导体相关政策
     图表206 2015-2021年福建第三代半导体相关政策
     图表207 2017-2021年三安光电股份有限公司总资产及净资产规模
     图表208 2017-2021年三安光电股份有限公司营业收入及增速
     图表209 2017-2021年三安光电股份有限公司净利润及增速
     图表210 2019年三安光电股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
     图表211 2019-2021年三安光电股份有限公司营业收入情况
     图表212 2017-2021年三安光电股份有限公司营业利润及营业利润率
     图表213 2017-2021年三安光电股份有限公司净资产收益率
     图表214 2017-2021年三安光电股份有限公司短期偿债能力指标
     图表215 2017-2021年三安光电股份有限公司资产负债率水平
     图表216 2017-2021年三安光电股份有限公司运营能力指标
     图表217 2017-2021年北京赛微电子股份有限公司总资产及净资产规模
     图表218 2017-2021年北京赛微电子股份有限公司营业收入及增速
     图表219 2017-2021年北京赛微电子股份有限公司净利润及增速
     图表220 2018-2021年北京赛微电子股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
     图表221 2020年北京赛微电子股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
     图表222 2017-2021年北京赛微电子股份有限公司营业利润及营业利润率
     图表223 2017-2021年北京赛微电子股份有限公司净资产收益率
     图表224 2017-2021年北京赛微电子股份有限公司短期偿债能力指标
     图表225 2017-2021年北京赛微电子股份有限公司资产负债率水平
     图表226 2017-2021年北京赛微电子股份有限公司运营能力指标
     图表227 2017-2021年华润微电子有限公司总资产及净资产规模
     图表228 2017-2021年华润微电子有限公司营业收入及增速
     图表229 2017-2021年华润微电子有限公司净利润及增速
     图表230 2019年华润微电子有限公司主营业务分行业、产品、地区
     图表231 2019-2021年华润微电子有限公司营业收入
     图表232 2017-2021年华润微电子有限公司营业利润及营业利润率
     图表233 2017-2021年华润微电子有限公司净资产收益率
     图表234 2017-2021年华润微电子有限公司短期偿债能力指标
     图表235 2017-2021年华润微电子有限公司资产负债率水平
     图表236 2017-2021年华润微电子有限公司运营能力指标
     图表237 2017-2021年湖北台基半导体股份有限公司总资产及净资产规模
     图表238 2017-2021年湖北台基半导体股份有限公司营业收入及增速
     图表239 2017-2021年湖北台基半导体股份有限公司净利润及增速
     图表240 2018-2021年湖北台基半导体股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
     图表241 2020年湖北台基半导体股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
     图表242 2017-2021年湖北台基半导体股份有限公司营业利润及营业利润率
     图表243 2017-2021年湖北台基半导体股份有限公司净资产收益率
     图表244 2017-2021年湖北台基半导体股份有限公司短期偿债能力指标
     图表245 2017-2021年湖北台基半导体股份有限公司资产负债率水平
     图表246 2017-2021年湖北台基半导体股份有限公司运营能力指标
     图表247 2017-2021年华灿光电股份有限公司总资产及净资产规模
     图表248 2017-2021年华灿光电股份有限公司营业收入及增速
     图表249 2017-2021年华灿光电股份有限公司净利润及增速
     图表250 2018-2021年华灿光电股份有限公司营业收入分行业、产品、地区
     图表251 2020年华灿光电股份有限公司主营业务分产品或服务
     图表252 2017-2021年华灿光电股份有限公司营业利润及营业利润率
     图表253 2017-2021年华灿光电股份有限公司净资产收益率
     图表254 2017-2021年华灿光电股份有限公司短期偿债能力指标
     图表255 2017-2021年华灿光电股份有限公司资产负债率水平
     图表256 2017-2021年华灿光电股份有限公司运营能力指标
     图表257 2017-2021年闻泰科技股份有限公司总资产及净资产规模
     图表258 2017-2021年闻泰科技股份有限公司营业收入及增速
     图表259 2017-2021年闻泰科技股份有限公司净利润及增速
     图表260 2019年闻泰科技股份有限公司主营业务分行业、产品、地区
     图表261 2019-2021年闻泰科技股份有限公司营业收入情况
     图表262 2017-2021年闻泰科技股份有限公司营业利润及营业利润率
     图表263 2017-2021年闻泰科技股份有限公司净资产收益率
     图表264 2017-2021年闻泰科技股份有限公司短期偿债能力指标
     图表265 2017-2021年闻泰科技股份有限公司资产负债率水平
     图表266 2017-2021年闻泰科技股份有限公司运营能力指标
     图表267 2017-2021年中车时代电气综合收益表
     图表268 2017-2021年中车时代电气分部资料
     图表269 2017-2021年中车时代电气收入分地区资料
     图表270 2018-2021年中车时代电气综合收益表
     图表271 2018-2021年中车时代电气分部资料
     图表272 2018-2021年中车时代电气收入分地区资料
     图表273 2019-2021年中车时代电气综合收益表
     图表274 2017-2021年SiC和GaN投资情况
     图表275 2015-2021年各区域项目投资分布情况
     图表276 《国民经济和社会发展“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中集成电路发展内容
     图表277 2019年部分国际企业投资扩产情况
     图表278 2019年国内部分重点第三代半导体投资项目
     图表279 2020年国内部分重点第三代半导体投资项目
     图表280 2021年国际第三代半导体行业SiC和GaN领域并购情况(一)
     图表281 2021年国际第三代半导体行业SiC和GaN领域并购情况(二)
     图表282 2019年国际半导体企业并购情况
     图表283 2019年国内部分重点第三代半导体领域并购项目
     图表284 SiC SBD工艺流程图
     图表285 SiC MOSFET工艺流程图
     图表286 拟购置主要设备清单
     图表287 装修及配套设施投入资金表
     图表288 软件投资明细表
     图表289 项目投资预算表(一)
     图表290 项目投资预算表(二)
     图表291 项目计划时间表
     图表292 经济效益测算表
     图表293 2016-2030年中国第三代半导体产业发展预测
     图表294 第三代半导体产业处于最佳窗口期
     图表295 2022-2027年中国第三代半导体材料市场规模预测

    展开全文
  • 半导体基础知识及其特征 一、半导体特征 1.什么是半导体 半导体是导电能力介于绝缘体和导体之间的材料 2. 半导体特性 掺杂特性:掺入杂质则导电率增加几百倍,如:半导体元件 温度特性:温度升高会使导电率大为...

    半导体基础知识及其特征


    一、半导体特征

    1.什么是半导体

    半导体是导电能力介于绝缘体导体之间的材料

    2. 半导体的特性

    • 掺杂特性:掺入杂质则导电率增加几百倍,如:半导体元件
    • 温度特性:温度升高会使导电率大为增加,如:热敏元件
    • 光照特性:光照不仅使导电率大为增加,同时还可以产生电动势,如:光敏元件

    二、本征半导体

    1. 定义:

    完全纯净、结构完整的半导体晶体,其纯度大概在99.9999999%(9个9)

    2. 晶体特征:

    在晶体中,质点排列具有一定的规律

    3. 本征半导体的结构和共价键:

    (1)本征半导体通常使用4价元素,如硅、锗,在简化模型中我们认为这些四价原子由四个价电子和正离子组成,原子之间以共价键相连接

    (2)载流子:

    载流子分为:自由电子空穴

    • 束缚电子:共价键内的电子称为束缚电子
    • 自由电子:在大于热力学零度或外界能量激发的条件下,挣脱原子核束缚的电子成称为自由电子
    • 空穴:电子挣脱束缚后在价带中留下的空位

    因此,自由电子和空穴是成对出现的

    (3)在外加电场的作用下:载流子的定向移动产生了电流

    • 自由电子形成了电子流,在导带内运动,方向与外加电场相反
    • 空穴形成了空穴流,在价带内运动,方向与外加电场相同

    注意:空穴流的产生实际上是因为价电子依次递补空穴而导致的空穴相对移动,而并非空穴本身能够移动

    (4)本征半导体载流子的浓度:

    分为自由电子的浓度和空穴浓度

    • 电子浓度ni:单位体积内的自由电子数

    • 空穴浓度pi:单位体积内的空穴数

      自由电子的浓度公式:(只要求了解,不要求记忆)

    结论:

    1. 本征半导体自由电子浓度只与温度和禁带宽度有关
    2. 本征半导体内自由电子浓度与空穴浓度是始终相同的,因为二者是成对出现的
    3. 当温度一定时,载流子浓度主要取决于温度:温度增加使得导电能力激增

    (5)载流子的产生与复合

    半导体内并不是一个完全静态的过程,而是载流子产生与复合的动态过程


    三、杂质半导体

    1. N型半导体:

    一般指在本征半导体中掺入五价元素,如磷(P),由于五价元素很容易贡献电子,所以将其称之为施主杂质***,而施主杂质原子因提供自由电子而带正电荷变成正离子*。

    ! 注意:

    在N型半导体中,自由电子是多数载流子(多子),空穴是少数载流子(少子)

    2. P型半导体

    一般指在本征半导体中掺入三价元素,如硼(P),由于三价元素的原子留下的空位很容易俘获电子形成负离子,因此我们称之为受主杂质

    ! 注意:

    在P型半导体中,空穴是多数载流子(多子),自由电子是少数载流子(少子)

    3.杂质半导体的载流子浓度

    • 在杂质半导体中,载流子浓度主要取决于多子的浓度,尽管杂质含量很少,但其提供的载流子仍然远比本征半导体本身的载流子多得多(说明杂志提供载流子的能力比热激发提供载流子的能力要强得多)。所以,杂质半导体的导电能力激增。
    • 在杂质半导体中,多子浓度比本征半导体的浓度大得多,而少子浓度比本征半导体的浓度小得多,但是多子浓度和少子浓度的乘积保持不变。

    上一节:模拟电子技术–绪论
    下一节:半导体PN结

    展开全文
  • 用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。...

    霍尔效应法测量磁场的基本原理是什么?

    霍尔效应是磁电效应的一种,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这个电势差就被叫做霍尔电势差.
    导体中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压.正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数.平行电场和电流强度之比就是电阻率.
    因此,对于一个已知霍尔系数的导体,通过一个已知方向、大小的电流,同时测出该导体两侧的霍尔电势差的方向与大小,就可以得出该导体所处磁场的方向和大小.

    DX-100霍尔效应测试系统

    产品特点:
    DX-100霍尔效应测试系统可分为常温,高温,低温,高低温霍尔效应测试系统;用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数;霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
    可测试的样品:
    半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等
    低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等
    高阻抗材料:半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等
    霍尔系统的组成:
    系统由:电磁铁、高精度电源、连接电缆、高精度恒流源、高精度电压表、高斯计、标准样品、样品安装架、系统软件。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。
    在这里插入图片描述
    主要参数:
    磁场强度:大于14000高斯(DX-100),气隙20mm
    电流:0.1mA-50mA(可扩展到1A)
    测量电压:0.1uV-3V
    所提供的标样材料:GaAs, Si等
    磁场最小分辨率:0.01mT
    磁场测量范围:0-3T
    电阻范围:10mΩ-1MΩ
    载流子浓度:103-1023cm-3
    迁移率:0.1-108cm2/voltsec
    系统测量误差:<2%
    用高斯计或数据采集板计算机通信
    I-V曲线和I-R曲线测试
    电阻率范围:10-6-1011ohm
    cm
    电阻范围:10mΩ-1MΩ
    载流子浓度:103-1022cm-3
    迁移率:102-107cm2/volt*sec
    温度调节:0.1k
    温度范围:80k-500k (可选)
    全自动测试,一件处理。

    厦门盈德兴磁电科技有限公司—提供专业的霍尔效应测量系统设备,免费提供磁场测量及磁性材料测试解决方案。
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空空如也

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半导体的三大特性