精华内容
下载资源
问答
  • EG1165 是一款高压桥PWM 控制芯片,内部集成5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能,非常适合高压大功率场合应用,配合外部高压MOS 管最高能支持600V 电源电压输入。
  •  该电路采用NMOS场效应管作为功率输出器件, 设计并实现了较大功率的直流电机H 桥驱动电路,并对额定电压为24 伏, 额定电流为3.8A 的25D60-24A 直流电机进行闭环控制, 电路的抗干扰能力强,在工业控制领域具有较...
  • 半桥驱动芯片FAN73933为例说明自举原理

    下面两幅图分别为半桥驱动芯片FAN73933的典型应用电路和内部功能框图,图中R_Boot、D_Boot以及C_Boot分别为自举电阻、二极管和自举电容。
    这里写图片描述

    这里写图片描述

    假定自举电容C_Boot在上桥开关管关断期间已经充到足够的电压(约15V),当HIN高电平时,VM1开通、VM2关断,自举电容上的电压直接加到上桥开关管的门极和发射极,自举电容通过VM1、R1和上桥开关管的门极-集电极电容放电(上桥开关管的门极-集电极电容被充电),此时,自举电容的电压可以看做一个电压源。

    当HIN低电平时,VM2开通、VM1关断,上桥开关管门极的电荷通过R1和VM2迅速释放,上桥开关管关断。

    经过短暂的死区时间之后,LIN为高电平,下桥开关管开通,15V电源通过R_Boot、D_Boot和下桥开关管给C_Boot充电,迅速为C_Boot补充能量。如此循环反复。

    作者注:驱动电阻的选取直接关系到开关管的开通和关断速度,进而影响到其开关损耗(开通损耗和关断损耗),进一步地影响功率模块的温升。

    展开全文
  • 导读:本文介绍了电路采用NMOS场效应管作为功率输出器件, 设计并实现了较大功率的直流电机H 桥驱动电路,并对额定电压为24 伏, 额定电流为3.8A 的25D60-24A 直流电机进行闭环控制, 电路的抗干扰能力强,在工业...
  •  该电路采用NMOS场效应管作为功率输出器件, 设计并实现了较大功率的直流电机H 桥驱动电路,并对额定电压为24 伏, 额定电流为3.8A 的25D60-24A 直流电机进行闭环控制, 电路的抗干扰能力强,在工业控制领域具有较...
  • The HIP4081A is a high frequency, medium voltage Full Bridge N-Channel FET driver IC, available in 20 lead plastic SOIC and DIP packages. The HIP4081A can drive every possible switch combination ...
  • 十种H桥芯片选型-2018

    2018-09-14 13:00:10
    超过十种选型,涵盖供电电压范围:7-50V;包含驱动电流范围1-5A.我觉得总有一款比较适合你,是英文文档,介意不要下载哦
  • SS8841有两路H桥驱动,每个H桥可提供最大峰值电流2.5A和均方根电流1.75A(在24V和Ta=25°C适当散热条件下),可驱动两个刷式直流电机,或者一个双极步进电机,或者螺线管或者其它感性负载。双极步进电机可以以整步、...
  • 亲自开发的低成本半桥MOS管输出器,使用良好。避免采用专用芯片驱动MOS管的高成本和复杂性。比如IR2110电路复杂、UCC27211成本...可用于大功率开关电源,开关功放、电机驱动、LED照明驱动等场合!两个半桥可构成全桥。
  •  IR2130正常工作时,从脉冲形成部分输出的6路脉冲信号,经3个输人信号处理器,按真值表处理后,变为6路输出脉冲,其对应的驱动3路低电压侧功率MOS管的信号,经3路输出驱动器放大后,直接送往被驱动功率MOS器件的栅...
  • 此电机驱动模块以双全桥驱动芯片L298N为核心,实现较高电压、较电流的电机驱动要求。集成了可选5V稳压电路、电机驱动端口保护电路、工作状态指示灯、电机电流测试端口、丰富的功能接口等。 产品特点: 工作电压:5V ...
  • 电机驱动芯片IRS2101

    2019-03-21 11:03:11
    电机驱动芯片IR2101是双通道、栅极驱动、高压高速功率驱动器,该器件采用了高度集成的电平转换技术,大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求,同时提高了驱动电路的可靠性。同时上管采用外部自举电容上电,使驱动...
  • 电路首先,单片机能够输出直流信号,但是它的驱动才能也是有限的,所以单片机普通做驱动信号,驱动功率管如Mos管,来产生电流从而驱动电机,且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速...
  • MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

    千次阅读 2019-09-26 23:58:02
    1 引言  MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等...由于下MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动MOSFET成了设...

    1 引言

      MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示。由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键。半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路、外围元器件少、驱动能力强、可靠性高等优点在MOSFET驱动电路中得到广泛应用。

      2 桥式结构拓扑分析

      图1所示为驱动三相直流无刷电机的桥式电路,其中LPCB、 LS、LD为直流母线和相线的引线电感,电机为三相Y型直流无刷电机,其工作原理如下。

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      直流无刷电机通过桥式电路实现电子换相,电机工作模式为三相六状态,MOSFET导通顺序为Q1Q5→Q1Q6→Q2Q6→Q2Q4→Q3Q4→Q3Q5。

      系统通过调节上桥MOSFET的PWM占空比来实现速度调节。Q1、Q5导通时,电流(Ion)由VDD经Q1、电机线圈、Q5流至地线,电机AB相通电。Q1关闭、Q5导通时,电流经过Q5,Q4续流(IF),电机线圈中的电流基本维持不变。Q1再次开通时,由于Q3体二极管的电荷恢复过程,体二极管不能很快关断,因此体二极管中会有反向恢复电流(Irr)流过。由于Irr的变化很快,因此在Irr回路中产生很高的di/dt。

      3 半桥驱动电路工作原理

      图2所示为典型的半桥驱动电路。

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      半桥驱动电路的关键是如何实现上桥的驱动。图2中C1为自举电容,D1为快恢复二极管。PWM在上桥调制。当Q1关断时,A点电位由于Q2的续流而回零,此时C1通过VCC及D1进行充电。当输入信号Hin开通时,上桥的驱动由C1供电。由于C1的电压不变,VB随VS的升高而浮动,所以C1称为自举电容。每个PWM周期,电路都给C1充电,维持其电压基本保持不变。D1的作用是当Q1关断时为C1充电提供正向电流通道,当Q1开通时,阻止电流反向流入控制电压VCC。D2的作用是为使上桥能够快速关断,减少开关损耗,缩短MOSFET关断时的不稳定过程。D3的作用是避免上桥快速开通时下桥的栅极电压耦合上升(Cdv/dt)而导致上下桥穿通的现象。

      4. 自举电容的计算及注意事项

      影响自举电容取值的因素

      影响自举电容取值的因素包括:上桥MOSFET的栅极电荷QG、上桥驱动电路的静态电流IQBS、驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS、自举电容的漏电流ICBS(leak)。

      计算自举电容值

      自举电容必须在每个开关周期内能够提供以上这些电荷,才能保持其电压基本不变,否则VBS将会有很大的电压纹波,并且可能会低于欠压值VBSUV,使上桥无输出并停止工作。

      电容的最小容量可根据以下公式算出:

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      其中,VF为自举二极管正向压降,VLS为下桥器件压降或上桥负载压降,f为工作频率。

      5 应用实例

      图3所示为直流无刷电机驱动器半桥驱动芯片上桥的自举电压(CH1: VBS)和驱动电压(CH2: VGS)波形,使用的MOSFET为AOT472。

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      驱动器采用调节PWM占空比的方式实现电机无级调速。

      通过公式1算出电容值应为1μF左右,但在实际应用中存在这样的问题,即当占空比接近100%(见图3a)时,由于占空比很大,在每次上桥关断后Vs电压不能完全回零,导致自举电容在每个PWM周期中不能完全被充电。但此时用于每个PWM周期开关MOSFET的电荷并未减少,所以自举电压会出现明显的下降(图3a中左侧圈内部分),这将会导致驱动IC进入欠压保护状态或MOSFET提前失效。而当占空比为100%时,由于没有开关电荷损耗,每个换相周期内自举电容的电压并未下降很多(图3a中右侧圈内部分)。如果选用4.7μF的电容,则测得波形如图3(b)所示,电压无明显下降,因此在驱动电路设计中应根据实际需求来选取自举电容的容量。

      6. 相线振铃的产生及抑制

      在图1中,线路的引线电感(LPCB+LS+LD)及引线电阻RPCB与MOSFET的输出电容COSS形成了RLC串联回路,如图4(a)所示,对此回路进行分析如下:

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      4. 选择具有较小Qrr和具有较软恢复特性的MOSFET作为续流管;

      5. 由于增加串联回路的电阻会耗散很大的功率,所以增加串联电阻的方法在大部分应用中不可行。

      振铃的危害

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      图5 振铃干扰半桥芯片正常工作的波形

      图5所示为一半桥驱动MOSFET工作时的波形,当上桥逻辑输入为高时,上桥MOSFET开通,此时可以看到相线(CH2)上产生了振铃,这样的振铃通过线路的杂散电容耦合到上桥自举电压,造成上桥的VBS电压(CH4)过低而使驱动芯片进入欠压保护(图5中VBS的电压已跌至5V)。由图5可以看出,当Hin(CH1)有脉冲输入时,由于振铃的影响, MOSFET有些时候不能正常打开,原因是驱动IC进入了欠压保护。欠压保护并不是每个周期都会出现,因此在测试时应设置适当的触发方式来捕获这样的不正常工作状态。当然如果振铃振幅很大,则驱动器将不能正常工作,导致电机不能启动。因此自举电容最好为能滤除高频的陶瓷电容,即使是使用电解电容也要并联陶瓷电容来去耦。

      7. 最小化相线负压

      在设计MOSFET半桥驱动电路时还应该注意相线上的负压对驱动芯片的危害。当上桥关断后,线圈电流会经过相应的下桥续流,一般认为下桥体二极管会将相线电压钳位于-0.7V左右,但事实并非完全如此。上桥关断前,下桥的体二极管处于反向偏置状态,当上桥突然关断,下桥进入续流状态时,由于下桥体二极管由反向偏置过渡到正向偏置需要电荷漂移的过程,因此体二极管并不能立即将电压钳位在-0.7V,而是有几百纳秒的时间电压远超过0.7V,因此会出现如图6所示的相线负压。线路主回路中的寄生电感及快速变化的电流(Ldi/dt)也会使相线负压增加。

      MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

      要使相线负压变小,可通过减缓上桥关断的速度从而减小回路中的di/dt或减小主回路寄生电感的方式来实现。

      8. 小结

      在设计半桥驱动电路时,应注意以下方面:

      1. 选取适当的自举电容,确保在应用中有足够的自举电压;

      2. 选择合适的驱动电阻,电阻过大会增加MOSFET的开关损耗,电阻过小会引起相线振铃和相线负压,对系统和驱动IC造成不良影响;

      3. 在芯片电源处使用去耦电容;

      4. 注意线路的布线,尽量减小驱动回路和主回路中的寄生电感,使di/dt对系统的影响降到最小;

      5. 选择适合应用的驱动IC,不同IC的耐压及驱动电流等诸多参数都不一样,所以应根据实际应用选择合适的驱动IC。

    转载于:https://www.cnblogs.com/isAndyWu/p/9690497.html

    展开全文
  • 摘 要:根据大功率LED的供能要求,从EMI滤波、功率因素校正、半桥谐振转换三个方面着手,以FAN6961和FSFR2100为控制芯片,设计了一款大功率的高效率LED驱动电路,在90~264VAC的线路输入和满载下,功率因数高于93%,...
  • 采用LM5035芯片半桥式电源供应器适用于多种不同的电子系统,其中包括电信系统、数据通信设备以及功率密度及效率要求同样严格的工业控制系统。 国半电源管理产品部策略市场总监Paul Greenland表示:“部分竞争对
  • 传统的注塑机加热方法是利用电阻丝加热,这种方法的特点是通过热传递加热,热量损耗,热效率低。中频感应加热技术是利用被加热工件在交变磁场中产生的涡流进行加热,使得在感应磁场范围内的工件温度急速上升,达到...
  • THB6064H大功率高细分两相混合式步进电机驱动芯片.pdf
  • 直流电机驱动芯片

    万次阅读 多人点赞 2019-02-17 22:55:34
    本文汇总了自己用过的几个电机驱动芯片及其注意事项等等,以后有机会还会继续修正增加等。大家有其他的方案也欢迎交流。 芯片种类BTN7960/BTN7971A4950TBS1260MOS BTN7960/BTN7971 这个芯片是我最开始做智能车的...

    由于单片机属于信息类电路,带负载能力极差,不可能直接用来控制电机的运动。因此电机的驱动就显得尤为重要。本文汇总了自己用过的几个电机驱动芯片及其注意事项等等,以后有机会还会继续修正增加等。大家有其他的方案也欢迎交流。

    驱动原理

    直流电机驱动多种多样,但是驱动原理却是恒定不变的。电机速度的调控总的来说有三种:弱磁升速,调压调速和串电阻调速。而降压调速兼顾平滑无级调速和调压范围广的优点使之称为小型直流电机中最为常用的速度调控方式。而H桥电路作为一个天才般的发明,可以使得电机既得到正向电流也可以得到反向电流。H桥电路
    H桥电路的设计完美的解决了电机的四象限运动,让电流可以正向流动也可以反向流动。前面我们说了小型直流电机最好调速方式是调压调速,那么进行调压的技术就是脉宽调制技术,又称为PWM技术。PWM技术让峰值允许的情况下直流调压称为可能,借助现在性能良好的控制全控原件,PWM技术正发挥着越来越重大的作用。PWM调制原理

    BTN7960/BTN7971

    这个芯片是我们最开始做智能车的时候使用的芯片,相当耐用,一般不会有什么问题。但是无奈单片价格不太友好,不太建议使用。但是如果对芯片性能要求不高的话,这个芯片也是一个不错的选择。
    BTN7971是BTN7960的升级版,性能相对而言更加稳定,但是功能和驱动方式等等没有任何区别,你可以直接拿BTN7971的芯片放到BTN7960的板子上面,完全不会有任何问题。更不友好的是:BTN7971是一个半桥型驱动芯片,驱动一个电机需要两个BTN及相应的外置芯片。
    驱动原理
    该芯片的应用也较为简单,使用起来没有太多的要求,大家按照电路图进行连接即可使用。在这里插入图片描述
    因为BTN7971是一个半桥驱动,所以驱动一个电机就需要一个两块BTN进行驱动,并且加上相应的电阻和滤波电容(图上没有,数据手册上面有,但实际测试不适用也没有太大影响。高频情况下)相关原件就有数十个。

    BTN7971数据手册

    A4950

    A4950可以属于单芯片内部集成MOS全桥电路,因此可以使用一个芯片控制电机的正反转,相对于BTN7971的半桥电路要稳定好多。价格上也相对而言较低,可以接受。
    A4950应用电路
    A4950体积较小,因此工作时会有较多的热量产生,因此需要在设置PCB的时候注意在芯片下方留一定数量的通孔用来散热。芯片上部的散热片如果有可能的话建议贴上去,但是不贴似乎也不会有太大影响。
    A4950散热孔
    A4950的应用电路就相对而言较为简单,但是有一个比较特备的要求就是需要一个R250功率电阻,用来释放多余的功率成分。应用电路上图已经标识,不再单独画出来了。
    A4950数据手册

    TB6612

    TB6612是一个双 电机驱动,一个电机可以同时控制两个电机,但是相对而言性能不够优秀,现在有渐渐被淘汰的趋势,建议使用A4950代替TB6612二者使用元件数目几乎一致,但A4950各方面性能都稍稍好一点。
    TB6612应用电路
    应用电路可以依靠上面的原理图进行来制作,外部连接器件较少,也没有额外的其他要求,使用起来比较简便。
    TB6612数据手册

    IR2101

    IR2101并不是一个电机驱动芯片,只能算是一个全桥控制器,但是相对于其他芯片而言,也算是另一种驱动方式吧
    IR2101驱动电路原理
    IR2101属于自行利用MOS管搭建H桥电路,因此使用起来所需要的单独原件较多,但是性能相对而言更好,带负载能力也稍强,驱动电流较大的电机的时候自行搭建H桥较好。注意,下图只是半桥驱动电路,如果要驱动电机需要构成全桥驱动,还需要这样相同的电路才能构成驱动电路。应用电路
    IR2101数据手册

    L298N

    这个是一个比较常用的电机驱动芯片,这个芯片是我们老师推荐我们使用的,因此我觉得可能是一个比较经典的应用,使用起来也的确有点复杂,不如前面的那些电路应用简单。所以也不太推荐使用。基本的原理图应用如下:
    L298N应用电路
    L298N应用电路,L298N应用方法
    应用电路
    L298N数据手册

    展开全文
  • 摘 要:根据大功率LED的供能要求,从EMI滤波、功率因素校正、半桥谐振转换三个方面着手,以FAN6961和FSFR2100为控制芯片,设计了一款大功率的高效率LED驱动电路,在90~264VAC的线路输入和满载下,功率因数高于93%,...
  • HR8833芯片描述  HR8833为玩具、打印机和其它电机... 每一个桥的功率输出模块由N通道功率MOSFET组成,叫作H桥驱动器。每个桥包含整流电路和限流电路。  内部关断功能包含过流保护,短路保护,欠压锁定保护和过温...

    HR8833芯片描述
           HR8833为玩具、打印机和其它电机一体化应用提供一种双通道电机驱动方案。HR8833有两路H桥驱动,可以驱动两路刷式
    直流电机,或者一个双极步进电机,或者螺线管或者其它感性负载。
           每一个桥的功率输出模块由N通道功率MOSFET组成,叫作H桥驱动器。每个桥包含整流电路和限流电路。
           内部关断功能包含过流保护,短路保护,欠压锁定保护和过温保护,并提供一个错误输出管脚。
           HR8833提供三种封装,一种是带有裸露焊盘的TSSOP-16封装,另一种是带裸焊盘的QFN16封装,能有效改善散热性能,且是无铅产品,引脚框采用100%无锡电镀。还有一种装为SOP16,不带裸露焊盘。
    应用
     锂电池供电玩具
     POS 打印机
     安防相机
     办公自动化设备
     游戏机
     机器人
    型号选择
    Part Number                  Package
    HR8833MTE              TSSOP16 with exposed thermal pad
    HR8833SQ                QFN16 with exposed thermal pad
    HR8833SP                  SOP16
    特点
    ●双通道H桥电流控制电机驱动器
    ●驱动两路直流电机或者一个步进电机
    ●低RDS(ON)电阻
    ●1.5A驱动输出(TSSOP16、QFN16封装)
    1.4A驱动输出(SOP16封装)
    ●输出可以并用,最大提供3A驱动输出
    ●宽电压供电,2.7V-12.8V
    ●PWM电流整流/限流
    ●过温关断电路
    ●短路保护
    ●欠压锁定保护
    封装形式

     

    展开全文
  • 绿达同步整流芯片GR8387适用于LLC/QR大功率电源,脚位兼容于IR1167  GR8387简介  GR8387 是一同步整流芯片,用于Flyback电源中次级电路 N通道MOS管同步整流的控制,GR8387 可以控制一个或多个并联的整流MOS管, ...
  • H桥驱动芯片IR2110功能简介

    万次阅读 2013-08-04 16:36:43
    1.1 驱动芯片IR2110功能简介 在功率变换装置中,根据主电路的结构,起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器,兼有光耦隔离和电磁隔离的优点,是中小功率变换装置中驱动...
  • 本驱动采用大功率驱动芯片BTS7960组成的全H桥驱动模块,具有过热过流保护功能。双BTS7960 H桥驱动电路,具有强劲的驱动和刹车效果,有效隔离单片机与电机驱动!大电流43A! 电机驱动模块BTS7960实物展示: 特点: 1、...
  • 几个常用的H桥芯片资料,可以从中选择用于驱动直流电机,有不同的功率型号
  • 在上一篇的文章 硬件知识:电机驱动芯片——DRV8833、TB6612、A4950、L298N的详解与比较 介绍的都是低电压低功率的电机...IR2110是单桥驱动芯片,所以需要2片IR2110+4个NMOS管来驱动电机,下图为IR2110内部框图 ...
  • 有刷直流电机驱动电路可以说有太多太多的经典电路了,而基于MOS管的H桥驱动电路更普遍的应用到电机驱动中,而基于MOS的H桥驱动电路类有两种设计方案: (1)、上桥臂采用PMOS管,下桥臂用NMOS管; (2)、上桥臂...
  • THB7128 高细分、大功率两相混合式步进电机驱动芯片 双全MOSFET驱动,低导通电阻Ron=0.53Ω 最高耐压40VDC,大电流3.3 A(峰值) 多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128) 自动流锁定功能 ...

空空如也

空空如也

1 2 3 4 5 ... 20
收藏数 2,015
精华内容 806
关键字:

半桥驱动芯片大功率