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  • 三星OBP Nand Flash的TLC编程规则

    千次阅读 2016-04-07 20:56:31
    OBP Nand Flash即为三星与其他一些flash厂商共用的TLC协议,其TLC部分的编程规则与常规ONFI协议和东芝的ED3协议有着明显的区别,在这里根据K9ADGD8U0D的Datasheet,说一下OBP的TLC编程规则。 下表为该Nand Flash的...

    OBP Nand Flash即为三星与其他一些flash厂商共用的TLC协议,其TLC部分的编程规则与常规ONFI协议和东芝的ED3协议有着明显的区别,在这里根据K9ADGD8U0D的Datasheet,说一下OBP的TLC编程规则。

    下表为该Nand Flash的Datasheet当中的指令表


    SLC操作与普通SLC和MLC操作没太大区别,就只用在开头的命令前面加一个DA表示SLC模式即可。而在所有需要TLC操作的读写命令之前,都要加一个0xDF表示进入TLC模式。

    在OBP TLC模式中,与普通模式编程最大的区别首先就是编程顺序,TLC Page分为分组地址(Grouped Page Address)和编程地址(Program Order Address)。



    分组地址指的就是3字节行地址中的页地址,而编程地址则指示了在编程操作中需要遵循的编程顺序。下面就根据Datasheet上所列出的栗子来说明一下


    常规编程的时候,一般的命令都是先发一个0x80,后面接5个字节的行列地址,然后发送数据,最后以0x10结尾,等待RB拉高后,一个Page的数据就被编程进去了。但是在OBP规则中,通常一个Page需要被编程三次(不是所有Page都需要)之后,才能够确保数据的稳定性,保证正确的把数据读出。但是把一个页编程三次并不是指简单的重复对一个页发送三次80 10命令就可以了,这时候就需要按照上图中的编程地址顺序来逐一编程。


    上图是Datasheet中所列举的栗子,但是有些地方没有说明,在这里详细的说明一下。

    一开始,进入第一次页编程(1st Page Data Setup), 此时的行地址一定是属于Group Page Address图中Group A中的某一个页的行地址,结尾的编程命令不是0x10而是0xC0,Add所代表的地址如下图所示


    现在我们假设是在Plane0当中进行编程,那么此时Add所代表的命令自然就是0x11啦。接下来就进入了第二次页编程(2nd Page Data Setup),命令与第一次类似,这里面的行地址代表Group Page Address图中Group B中的跟第一次编程中的页同一个Word Line的页的行地址,然后发送0xC0 和0x12,。第三次编程与前两次一样,行地址属于图中Group C中的第一次编程中的页同一个Word Line的页的行地址。最后是Program Confirm Part,0x8B后面所代表的地址不是刚刚任何一个页的行地址,而是指Program Order Address中的Order Address。


    当初我看完这个的时候是一脸懵逼的,所以还是根据一个比较具体的实例来说明比较容易理解。


    就拿一个Block中的第一个Page开始。假设是第0个Block,那么第一个页的行地址自然是0x000000,先看Group Page Address,是属于Group A。好,那么开始编程,按照GroupA的规则,发命令0x80,发两个字节列地址0x00,0x00 再发3个字节行地址0x00,0x00,0x00,发0xC0,和1st Data input的命令 0x11,然后就准备发Confirm Part命令了。

    等等,上面不是说要编程了三个页之后才要发Confirm Part吗?在OBP中,不是每一个Word Line当中都有三个页,因此刚刚上面所说的是一般情况下的编程规则,在OBP当中,前几个World Line和最后几个Word Line都稍微有一点特殊,需要特殊处理一下。

    继续回到刚刚的Confirm Part命令,发送命令0x8B 然后是Order Address,此时根据Group Page Address当中Page 0对应的位置查看Program Order Address对应的值,一看,也是0,好吧,那么Order Address就是0x00,0x00,0x00,0x00,0x00 五个0,最后发送0x10,第一个Word Line就编程结束了,此时Page 0的数据可以正确读出。

    继续第二个Word Line编程,根据Order Address当中的0x01的位置,对应到Group Page Address,可以看出这个页是Page 1。发送命令0x80,列地址0x00,0x00,行地址0x01,0x00,0x00,发送命令0xC0,然后是地址0x11。然后跳过了第二次编程,直接开始第三次编程,因为参照Group Page Address,第二个Word Line是没有Group B的页,就如同第一个Word Line中只有Group A的页一样。但是根据Group Page Address,此时编程的页还是Page 2,因此行地址是0x02,0x00,0x00,0xC0后面跟的是0x13。接下来又到了Confirm Part了,此时的Order Address就是0x01。那么Confirm Part的地址就是0x00,0x00,0x01,0x00,0x00,最后0x10编程结束。但是注意,由于这个Word拥有两个Page,但是此时该Word line只编程了一次,因此数据还不能正确读出。


    好,到了第三个Word Line了。为啥是第三个Word Line,不应该还是第二个Word Line吗。No No No,在OBP TLC编程当中,编程的顺序要按照Order Address,所以,此时看Order Address的表,0x02所表示的Page在第三个Word Line,所以此时是编程第三个Word Line中Group A的Page,根据Group Page Address可以看到就是Page 3!开始发送命令0x80,,然后是5字节地址0x00,0x00,0x03,0x00,0x00,发完数据然后0xC0,0x11,下面是Group C的Page,0x80,0x00,0x00,0x04,0x00,0x00,0xC0,0x13,最后的Confirm Part,发送命令0x8B,Order地址0x00,0x00,0x02,0x00,0x00,最后发送0x10。


    下面再次根据Order Address,看向0x03所代表的Page。呦呵,又跑回第二个Word Line去了,那么此时就重复刚刚的第二个Word Line的编程,命令0x80,地址0x00,0x00,0x01,0x00,0x00,命令0xC0跟地址0x11,。后面0x80, 地址0x00,0x00,0x02,0x00,0x00,命令0xC0跟地址0x13。但是这个是,Confirm Part中的地址不一样了,发送完0x8B后,Order地址为0x00,0x00,0x03,0x00,0x00,最后发0x10。这个真的是最后的命令,此时编程完代表这个Word line已经编程结束,Page 1和Page 2的数据已经可以正常读出了。

    这几个编程做完可以发现,OBP中TLC的编程顺序是一个斜线的顺序,后面的编程按照刚刚的规律操作即可全部完成,在Datasheet中只有一段话稍微说明了一下



    Nand Flash的基础概念在这里就不说了,已经有了很多资料,或者可以参考文献《Inside NAND Flash Memories》

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  • 目前,市场上将3D TLC NAND flash主要分为两代: 第一代为32-48 layer 3D TLC NAND flash; 第二代为64-72 layer 3D TLC NAND flash; 第一代3D TLC NAND已经比较成熟,凭借容量和单GB成本优势...


    目前,市场上将3D TLC NAND flash主要分为两代:

    • 第一代为32-48 layer 3D TLC NAND flash;

    • 第二代为64-72 layer 3D TLC NAND flash;


    第一代3D TLC NAND已经比较成熟,凭借容量和单GB成本优势,顺利取代2D NAND成为市场主导。其P/E cycle Endurance虽然比2D MLC差点,加上主控的优化,也足够可以满足消费市场和部分企业级市场的需要。不过,要想将3D TLC NAND大量用在企业级,需要企业级SSD主控有更加优异的优化措施。想必这点应该不足为虑,因为企业级SSD市场巨大利润空间,各大主控厂商都在各显神通,争取多分一杯羹。


    第一代3D TLC NAND目前都正式量产,可以称为CS level。而很多SSD厂商拿到的第二代3D TLC NAND基本都是ES level。ES level是原厂验证等级,ES验证达标之后才会放产CS level. 


    接下来,结合实验数据来比较一下第一代3D TLC NAND与第二代3D TLC NAND的差异。有一点需要声明一下,实验数据中的第一代3D TLC NAND颗粒是CS level,第二代3D TLC NAND颗粒是ES level. 以下对比主要基于四部分内容:P/E Cycle Endurance, Program/Read/Erase Time, Post Cycle Data Retention, Post Cycle Read Cycling.


    P/E Cycle Endurance

    图注: 横坐标是BER(Bit Error Ratio), 纵坐标是PE Cycle次数

    (实验结果基于市场表现优异的颗粒,IBM并没有注明原厂名称)

    从P/E Cycle来看,第二代ES level颗粒与第一代CS level颗粒之间没有太大差异。但是,第二代ES level颗粒随着P/E Cycle的增加,BER会比第一代CS level颗粒稍高。 不过,小编相信,后续面向市场的第二代CS level颗粒一定比第二代ES level颗粒具有更强的P/E Cycle能力。


    Program/Read/Erase Time

    图注: 横坐标是Read时间, 纵坐标是PE Cycle次数

    图注: 横坐标是Program时间, 纵坐标是PE Cycle次数

    结果显示,不管是在program或者read时间方面,相比第一代CS level颗粒,第二代ES level颗粒均有约25%的提升。同样,后续面向市场的第二代CS level颗粒一定比第二代ES level颗粒在读写方面也会有所提升。


    图注: 横坐标是Erase时间, 纵坐标是PE Cycle次数

    在Erase时间方面,相比第一代CS level颗粒,第二代ES level颗粒有近33%~50%的提升。


    Post Cycle Data Retention 

    从实验数据来看,在Post Cycle Data Retention方面,第二代ES level颗粒与第一代CS level颗粒相差不大.


    在这里,小编想多说两句。NAND可靠性包括Read Disturb, Program Disturb, Erase Disturb, Data Retention等(详细见"NAND闪存可靠性概览")。不过,小编觉得最让SSD厂商头疼就是Data Retention. 某些Data Retention特别严重的颗粒,即使SSD主控启动LDPC soft/hard decode,RAID,以及NAND read retry等一系列纠正措施,都无法弥补Data Retention带来的恶果,如下图,即为某原厂颗粒的TLC NAND data retention fail Vth分布图。


    Post Cycle Read Cycling

    从实验数据来看,在Post Cycle Read Cycling方面,第二代ES level颗粒与第一代CS level颗粒平分秋色.


    总结:

    第二代ES level颗粒与第一代CS level颗粒对比中,除了Program/Read/Erase时间有明显提升以外,其他方面均没有特别大的差异。


    致谢: 本文采用的实验数据来自IBM研究院,非常感谢!

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    更多精彩内容,敬请关注公众号: 存储随笔,Memory-logger.


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  • NAND Flash底层原理,SLC MLC TLC比较

    千次阅读 2019-03-28 17:13:16
    NAND-Flash 的存储原理  固态硬盘最小单元的基本架构如下:  我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据。 (1)...

    转载:https://www.cnblogs.com/Christal-R/p/7246415.html

    NAND-Flash 的存储原理

      固态硬盘最小单元的基本架构如下:

      我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据。

    (1)写入数据

      在 NAND-Flash 中,当我们需要写入数据时,会在图中的控制闸(Control Gate)施加高电压,然后允许源极(Source)与汲极(Drain)间的 N信道(N-Channel)流入电子,等到电流够强,电子获得足够能量时,便会越过浮置闸(Floating Gate)底下的二氧化硅层(SiO2)为单元所捕获,这个过程我们称之为穿隧效应(Tunnel Effect);

    (2)数据稳定

      一旦电子进入了浮置闸,即使移除电源,只要没有足够能量,电子是无法逃离底下的二氧化硅层的,捕获电子的状态便会一直维持下去,时间可以长达十数年之久,视用来绝缘的二氧化硅层耗损状况而定。

    (3)读取数据

      读取数据时,我们同样会在控制闸施加电压,好吸住浮置闸里的电子,但不用到穿隧注入(Tunnel Injection)电子时那么高,同时让 N通道流过电流,利用电流来感应浮置闸里电子捕获量的多寡,靠感应强度转换为二进制的 0与1,最后输出成数据。

    (4)擦除数据

      假如我们需要擦除数据,就必须靠释放浮置闸里头的电子来达成,此时我们不会对控制闸施加任何电压,而是反过来对单元底下的 P型半导体(P-Well)施加电压,源极与汲极间的电流流过二氧化硅层底下的 N通道时会反向让浮置闸里的电子再次穿越二氧化硅层被吸引出来,我们称之为穿隧释出(Tunnel Release)。

    SLC MLC TLC 简单分析

    1、SLC MLC TLC介绍

      SLC Single-Level Cell,意味着每个存储单元只存放 1bit讯息,靠浮置闸里电子捕获状态的有或无来输出成数据(即使在 0的状态浮置闸里其实还是有电子,但不多),也就是最简单的 0与1;

      MLC Multi-Level Cell,意味着每个存储单元可存放 2bit讯息,浮置闸里电子的量会分为高、中、低与无四种状态,转换为二进制后变成 00、01、10、11;

      TLC Triple-Level Cell ,更进一步将浮置闸里的电子捕获状态分成八种,换算成二进制的 000、001、010、011、100、101、110、111,也就是3bit。

    2、SLC与MLC的比较

      SLC 与 MLC 的比较主要可以分为寿命、成本、功耗、效能与出错率五个面向。

    (1)比较寿命

    • 原理说明

      固态硬盘存储数据主要靠单元中浮置闸所捕获电子的量,电子要进入或离开浮置闸都得藉由穿隧效应进出用来阻挡电子的二氧化硅层。而二氧化硅层其实只有10nm左右厚度,在每一次的穿隧注入电子或释出时,二氧化硅的原子键会一点一点地被破坏。因此,数据的擦除工作会愈来愈慢,因为电子会慢慢占据原本用来绝缘的二氧化硅层,抵销掉施加在控制闸上的电压,导致需要更高电压才能完成工作,而这会让氧化物更快被击穿,等到整个二氧化硅层被电子贯穿,该单元也就正式寿终正寝啦。

    • 得出结论

       SLC 只有有或无两种状态,MLC 却有四种电压状态,为了达到这四种状态,电子得频繁出入二氧化硅层,加速单元的耗竭,这也就是为什么 SLC 可以有十万次擦写寿命而 MLC 却只有一万次的原因。

      当然啦,TLC更惨,平均只有五百到一千次擦写寿命,所以主要拿来做市售的亲民价随身碟。

    (2)比较速度、功耗、稳定性、出错率、成本

      SLC因为只有两种状态,最容易辨识,所以在同一种主控芯片与计算逻辑下速度最快,功耗也最低,状态稳定,以现代技术而言出错率几乎可以忽略不计。

      SLC的一个Cell只存1bit数据,MLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据,但芯片的体积并没增加,等于压缩存储了数据,这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大,自然价格就便宜了。

      MLC与 TLC都十分仰赖 ECC,一有出错就会导致倍数以上的数据损失,好的是,截至 2012年底,各大厂 ECC技术其实都已经相当成熟。

    (3)比较存储容量

      截止2017-08-01有对于单颗Flash,SLC最大支持512GB,MLC最大支持4TB,TLC最大支持6TB。

    内存颗粒等级释疑

      上面这张图就是所谓的晶圆,刚出厂切割完就长这样,上面每一个小方块都可以拿做成一张记忆卡。问题是,就像内存颗粒即使刚出厂都会有坏块一样,刚出厂的晶圆上也不是每片颗粒都是优等生,就英特尔、镁光(Intel、Micron这两家公司的晶圆由共同合资的IMFT,IM Flash Technology生产)来讲,

    (1)有些可以拿来做最高等级的同步颗粒;

    (2)有些修复校验后可以拿来当次等的同步颗粒;

    (3)而有些不管怎样折腾都是鸡肋,食之无味,弃之可惜,但还是可以卖,就拿来做最低阶的异步颗粒,主要用在国民价记忆卡上。

    所以,千万不要看到打上英特尔或镁光就以为是什么极品,没那么神,还要对照颗粒表面的编码才能判定质量良窳。

    同步与异步

      颗粒的同步/异步,主要是两个管脚的定义不同,同步模式下,颗粒不需要告诉主控“我准备好了,可以读/写了”,而是随时ready的状态,这样可以省下一个时钟周期。

      用英特尔 25nm颗粒的分级表来总结,给您个清晰的轮廓。

    【科普】【SSD/U盘】SLC MLC TLC 傻傻也能分清【转】图片6

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  • Nand flash 三种类型SLC,MLC,TLC

    万次阅读 多人点赞 2018-03-16 17:36:05
    转载自:http://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html 从前,大家谈TLC色变;如今,TLC攻占SSD半壁江山。是的,这个世界就是这么奇妙。 虽然TLC早已占据主流地位,... 固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据...

    转载自:http://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html


            从前,大家谈TLC色变;如今,TLC攻占SSD半壁江山。是的,这个世界就是这么奇妙。

            虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了、百度多了,不少消费者还是抱有“怕”的态度,下面我们就来详细了解TLC。


    TLC是什么?

            固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的,这点类似于我们常见的U盘。NAND Flash根据存储原理分为三种,SLC、MLC、TLC。



            SLC = Single-Level Cell,即1 bit per cell,1个存储器储存单元可存放1 bit的数据,只存在0和1两个充电值。以此类推,TLC = Triple-Level Cell,即3 bit per cell,1个存储器储存单元可存放3 bit的数据。



            单位容量的存储器,可以存储更多的数据,所以TLC每百万字节生产成本是最低的。


    TLC工作原理:




            小编尽量用通俗语言解释。根据NAND的物理结构,NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据,需要施加电压并形成一个电场,这样电子就可以通过绝缘体进入到存储单元,此时完成写入数据。如果要删除存储单元(数据),则要再次施加电压让电子穿过绝缘层,从而离开存储单元。


            所以,NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据。



            由于TLC的1个存储器储存单元可存放3 bit的数据,为了区分,必须使用不同电压来实现。除了能够实现和SLC一样的000(TLC)=0(SLC)和111(TLC)=1(SLC)外、还有另外六种数据格式必须采用其他不同的电压来区分,让不同数量的电子进入到存储单元,实现不同的数据表达。这样,才能让TLC实现单位存储单元存放比SLC、MLC更多数据的目的。


    为什么TLC的性能在三种介质中最差?



            由于数据写入到TLC中需要八种不同电压状态, 而施加不同的电压状态、尤其是相对较高的电压,需要更长的时间才能得以实现(电压不断增高的过程,直到合适的电压值被发现才算完成)。


      所以,在TLC中数据所需访问时间更长,因此传输速度更慢。经过实测,同等技术条件下,TLC的SSD性能是比不上MLC SSD的。


    为什么以前TLC不流行?



            为什么没有机械结构的SSD还是出现寿命问题?因为按照工作原理,闪存单元每次写入或擦除的施加电压过程都会导致绝缘体硅氧化物的物理损耗。这东西本来就只有区区10纳米的厚度,每进行一次电子穿越就会变薄一些。

            也正因为如此,硅氧化物越来越薄,电子可能会滞留在二氧化硅绝缘层,擦写时间也会因此延长,因为在达到何时的电压之前需要更长时间、更高的加压。主控制器是无法改变编程和擦写电压的。如果原本设计的电压值工作异常,主控就会尝试不同的电压,这自然需要时间,也会给硅氧化物带来更多压力,加速了损耗。


      最后,主控控制编程和擦写一个TLC闪存单元所需要的时间也越来越长,最终达到严重影响性能、无法接受的地步,闪存区块也就废了。

            同时,传统的2D闪存在达到一定密度之后每个电源存储的电荷量会下降,损耗后的TLC绝缘层,相邻的存储单元也会产生电荷干扰,发展到20nm工艺之后,Cell单元之间的干扰现象更加严重,如果数据长时间不刷新的话就会出现像之前三星840 Evo那样的读取旧文件会掉速的现象。

      所以,新主控等新技术开发之前,厂商一直不敢将TLC SSD推出市场,不可避免地出现可靠性问题,毕竟数据大于一切。


    人们为什么会担心寿命?

                                                                                       P/E寿命对比


            由于TLC采用不同的电压状态,加上存储容量多,击穿绝缘层次数也比其他介质多,于是加速了绝缘层的损耗过程。所以,TLC SSD的寿命比SLC、MLC短得多。

                                                                  以前TLC的P/E寿命低时,用几年就有报废风险


            一开始TLC的P/E寿命只有不到1000次,但是经过厂商改进算法以及优化主控,提升到1000到2000次。相比之下,MLC有3000到10000次擦写寿命。如果用户的PC只有TLC SSD,那么在日常使用环境下,如果一个120GB SSD的P/E寿命只有不到1000次,并且每天写入60GB的数据,那么不到五年,SSD就会报废。在目前性能过剩时代,这寿命是十分吓人的,所以以前人们十分担心TLC SSD的寿命问题。


    最近TLC SSD为何“倒行逆施”般井喷?

            三星 850 EVO、东芝 Q300、英睿达BX200……我们耳熟能详的SSD厂商都在2015年大规模推出了TLC SSD,气势磅礴。既然我们之前说了TLC那么多的不足,为何厂商依然推广呢?不是搬石头砸自己脚吗?


                           东芝 TC58NC1000GSB主控支持Smart ECC、Smart Flush0等技术。

      这一年来,SSD厂商最大的功劳就是解决了TLC的P/E寿命问题,让TLC SSD的寿命上升到我们使用一台电脑正常周期上。主控算法的好坏会对性能和寿命造成非常大的影响,目前SSD厂商在主控技术上进行了很大的改进,信号处理,更强的ECC算法、扩大备用区域的容量增加预留空间等技术应用,从TLC的500--1000次P/E提升到目前的1000到2000次,一定程度上保证了可靠性与寿命。

      我们知道TLC的性能比较差,尤其写入性能上,SSD厂商就通过SLC Cache的运用,只要制造一个大容量的缓冲区用户很多时候就不会感觉得到写入速度慢,而且SLC Cache玩得好还有延长寿命的作用。


            另外,SSD厂商对于TLC SSD的质保提升到与MLC SSD基本一致的水平,比如三星 TLC SSD的质保一般为五年,让消费者在这五年的使用中高枕无忧。加上TLC天生的价格优势,以及金字招牌,的确有很大的吸引力。越来越多的厂商参与到TLC SSD的竞争中,价格不断走低,让不少对SSD感兴趣的朋友尝鲜一把,助长了TLC SSD的壮大。


    TLC的未来?

            TLC的逆袭就是扬长避短的道理。有市场,就有进步,相信厂商会对TLC技术进行更多的研究,保证物美价廉的TLC继续生存下去。


                                                                     3D NAND闪存对比2D有着寿命优势


      比如三星3D NAND闪存就是TLC的一个重要方向。3D NAND是不再追求缩小Cell单元,而是通过3D堆叠技术封装更多Cell单元,所以我们不必要追求更先进的制程,毕竟制程约先进,寿命反而越差。所以,可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存,使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升,而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。

                                                                 3D NAND闪存结构


      未来的3D NAND可能都会做成可以MLC与TLC工作模式相互切换,也就是用TLC屏蔽一半容量、来充当MLC,也就是各种所谓的3bit MLC技术创新。类似地,东芝的Q300和OCZ TRION 100用的还是更长寿稳定的企业级eTLC听起来SLC、MLC、TLC不再是泾渭分明。


    未来会怎样发展呢?我们拭目以待吧!


    面对TLC,我们应该怎么做?

            根据行业的消息可知,入门与主流已经是TLC的天下,MLC则继续在高端领域发挥它作用。厂商是产品与技术的推动者,我们作为消费者只能被动接受别人的游戏规则。


                                                                  TLC SSD趋势不能阻挡


            虽然TLC SSD的性能比不过用MLC的SSD,但再糟糕都比HDD要好得多。所以我们要有这个观念。第二,在TLC的推动下,240GB的SSD已经不用400元就能入手,性价比十分不错。总之,TLC不再是吴下阿蒙,所以我们不必再担心TLC的种种顾虑,尽情使用吧!毕竟质保放在这呢。
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    美光(Micron)nandflash的datasheet,32G,64G,128G MLC大容量的nandflash。
  • cell的编码,好像这个跟每家的NAND设计有关系,MLC的编码 L0: 11 L1: 01 L2: 00 L3: 10 这个是采用格雷码编码的方式得出的编码值,格雷码与二进制编码不同的地方就是格雷码相邻的编码只有一个bit不一样。 这样有的...
  • 这是一个nand flash的指令操作表 这是一个TLC的写的指令操作流程图 这个表对应了C0h后跟的Add 这个表对应了流程图中的Program Order Address地址, 也就是顺序地址。这个地址决定了WL,也就是Grouped page Address的...
  • 三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。在各设备当中...
  • SLC/MLC/TLC、EEPROM/NANDFLASH原理及区别

    千次阅读 2018-10-24 17:11:12
    TLC利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】。 除了主控芯片和缓存芯片以外, PCB板 上其余的大部分位置都是NAND Flash 闪存芯片 了。...
  • TLC1543-en.PDF

    2020-04-19 20:56:38
    TLC1543 是 CMOS 、 10 位开关电容逐次逼近模数转换器。 这些器件有三个输入端和一个 3 态输出端[片选( CS )、 输入/输出时钟( I/O CLOCK )、 地址输入( ADDRESS )和数据输出( DATA OUT )], 这样就和主...
  • 英特尔 QLC 3D NAND 数据存储 NAND是什么 由于SSD固态硬盘的普及,NAND这个词逐渐进入用户们的视线。许多厂商都在产品宣传中提到3D NAND颗粒等词汇,对于普通用户来讲,完全不知道这个词是什么意思,只是有一种不明...
  • 行业分类-物理装置-一种面向TLCNAND+Flash的阈值电压获取方法.zip
  • Marvell近日宣布推出超薄型基于PCI Express (PCIe) 的 Marvell 88NV8120 NAND 闪存控制器。该控制器是在计划的固态存储控制器范围内推出的首款 Marvell 产品。  Marvell 88NV8120 控制器旨在用于个人电脑 (PC) ...
  • 转自:... ...    从前,大家谈TLC色变;如今,TLC攻占SSD半壁江山。是的,这个世界就是这么奇妙。 ... 虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了、百度多了,不少消费...
  • NAND Flash底层原理,SLC MLC TLC比较 NAND-Flash 的存储原理  固态硬盘最小单元的基本架构如下:   我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供...

空空如也

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