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  • TTL非门电路工作原理

    万次阅读 多人点赞 2018-04-29 23:24:14
    分立元件门电路虽然结构简单,但是存在着体积大、工作可靠性差、工作速度慢等许多缺点。1961年美国德克萨斯仪器公司率先将数字电路的元器件和连线制作在同一硅片上,制成了集成电路。由于集成电路体积小、质量轻...

     

    分立元件门电路虽然结构简单,但是存在着体积大、工作可靠性差、工作速度慢等许多缺点。1961年美国德克萨斯仪器公司率先将数字电路的元器件和连线制作在同一硅片上,制成了集成电路。由于集成电路体积小、质量轻、工作可靠,因而在大多数领域迅速取代了分立元件电路。随着集成电路制作工艺的发展,集成电路的集成度越来越高。

    按照集成度的高低,将集成电路分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路。根据制造工艺的不同,集成电路又分为双极型和单极型两大类。TTL门电路是目前双极型数字集成电路中用的最多的一种。

    TTL门电路中用的最普遍的是与非门电路,下面以TTL与非门为例,介绍TTL电路的基本结构、工作原理和特性。

    (1)TTL与非门的基本结构

    图1是TTL与非门的电路结构。可以看出,TTL与非门电路基本结构由3部分构成:输入级、中间级和输出级。因为电路的输入端和输出端都是三极管结构,所以称这种结构的电路为三极管---三极管逻辑电路。

    图1 TTL与非门电路的基本结构

    输入级:输入级是一个与门电路结构。T1是多发射极晶体管,可以把它的集电结看成一个二极管,把发射结(三个发射结)看成是与前者背靠背的3个二极管,如图2所示。由此看出,输入级就是一个与门电路:Y=A·B·C。

    (a)多发射极晶体管(b)多发射极晶体管的等效二级管电路
    图2 多发射极晶体管的等效电路

    中间级:由三极管T2和电阻RC1、RE2组成。在电路的开通过程中利用T2的放大作用,为输出管T3提供较大的基极电流,加速了输出管的导通。所以,中间级的作用是提高输出管的开通速度,改善电路的性能。

    输出级:由三极管T3、T4、二极管D和电阻RC4组成。如图3所示,图3(a)是前面讲过的三极管非门电路,图3(b)是TTL与非门电路中的输出级。从图中可以看出,输出级由三极管T3实现逻辑非的运算。但在输出级电路中用三极管T4、二极管D和RC4组成的有源负载替代了三极管非门电路中的RC,目的是使输出级具有较强的负载能力。

    图3 晶体管非门电路与TTL与非门输出级

    (2)工作原理

    在下面的分析中假设输入高、低电平分别为3.6V和0.3V,PN结导通压降为0.7V。

    ①输入全为高电平3.6V(逻辑1)

    如果不考虑T2的存在,则应有UB1=UA+0.7=4.3V。显然,在存在T2和T3的情况下,T2和T3的发射结必然同时导通。而一旦T2和T3导通之后,UB1便被钳在了2.1V(UB1=0.7×3=2.1V),所以T1的发射结反偏,而集电结正偏,称为倒置放大工作状态。由于电源通过RB1和T1的集电结向T2提供足够的基极电位,使T2饱和,T2的发射极电流在RE2上产生的压降又为T3提供足够的基极电位,使T3也饱和,所以输出端的电位为UY=UCES=0.3V, UCES为T3饱和压降。

    可见实现了与非门的逻辑功能之一:输入全为高电平时,输出为低电平。

    ②输入低电平0.3V(逻辑0)

    当输入端中有一个或几个为低电平0.3V(逻辑0)时,T1的基极与发射级之间处于正向偏置,该发射结导通,T1的基极电位被钳位到UB1=0.3+0.7=1V。T2和T3都截止。由于T2截止,由工作电源VCC流过RC2的电流仅为T4的基极电流,这个电流较小,在RC2上产生的压降也小,可以忽略,所以UB4≈VCC=5v,使T4和D导通,则有:UY=VCC-UBE4-UD=5-0.7-0.7=3.6V。

    可见实现了与非门的逻辑功能的另一方面:输入有低电平时,输出为高电平。

    综合上述两种情况,该电路满足与非的逻辑功能,是一个与非门。

    转载地址:http://www.diangon.com/wenku/rd/dianzi/201505/00023581.html

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  • 六管单元TTL非门

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    集成电路(Integrated Circuit 简称IC):即把电路中半导体器件,电阻,电容以及连线等制作在一块半导体基片上构成一个完整的电路,并封装到一个管壳内

    集成电路的有点:体积小,重量轻,可靠性高,功耗低。

    集成度:一个封装内含有等效逻辑门的个数或元器件的个数。

    双极型TTL反相器:由三极管——三极管构成的逻辑电路(实现非门的功能),具体的电路图很复杂,了解下就好了

    将多个反相器集成在一块基片上构成所谓的芯片。芯片引脚含义出厂就规定了,哪个输入哪个输出从而实现对应的逻辑关系

    以下俩个概念是为了解释在不太稳定的电路下集成电路为什么能正常工作的。

    电压传输特性:当输入的电平由低到高连线变化时,反相器工作在截止区和饱和区,并响应输出低电平和高电平

    输入端噪声容限:在保证输出高低电平范围基本不变的条件下(保证结果正确的条件下),输入电平允许波动的范围

    转载于:https://www.cnblogs.com/wanjn/p/7732006.html

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  • TTL反相器的电路结构和工作原理 TTL电路是三极管-三极管逻辑的简称,在数电中,我们也经常利用三极管的开关特性 在数电中,我们想让三极管工作在截止区或者饱和区 工作在截止区时,就有:uBE<uonu_{BE} ...


    TTL门电路是三极管-三极管逻辑的简称,在数电中,我们也经常利用三极管的开关特性
    在这里插入图片描述
    在数电中,我们想让三极管工作在 截止区或者 饱和区
    工作在截止区时,就有: u B E < u o n u_{BE} < u_{on} uBE<uon,为了使三极管深度截止,我们一般令 u B E − > 0 u_{BE} -> 0 uBE>0
    工作在饱和区时: i B ≥ i B S i_B ≥ i_{BS} iBiBS -> u C E ≈ 0 u_{CE} ≈ 0 uCE0,我们一般令 u B E u_{BE} uBE为高电平

    下面,我们先来看看三极管的开关等效电路,然后再分析其他东西:

    当三极管截止时,我们就可以看看(a)图,相当于开关与b, c极都不接触
    当三极管饱和导通时,就是(b), (c )图,(b)图用于定量计算,(c )用于定性分析:当三极管饱和导通时,BE之间的电压就是发射结的导通电压0.7V,然后,C极和E极我们近似看成是由一个开关直接相连了因此,在定性分析时,当三极管导通,我们认C,E等电位

    1.1 三极管反相器

    接下来,我们看看三极管反相器:

    1. 输入端 v I v_I vI为低电平时,三极管截止,说明 v 0 v_0 v0的电压就等于 V C C V_{CC} VCC,即输出为高电平
    2. 当输入端 v I v_I vI为高电平时,三极管饱和导通,BE的电压为0.7V,C,E之间相当于用开关直接连接,那么, v 0 v_0 v0 = 0V,输出为低电平

    1.1.1 双极性三极管反相器的动态开关特性

    1.1.2 (重要!)TTL反相器的电路结构和工作原理

    我们先来看看该电路的结构:

    在这里插入图片描述
    我们可以知道,该电路分为了输入级,倒向级还有输出级。

    设电源电压 V C C V_{CC} VCC = 5V,输入信号的高,低电平分别为 V I H V_{IH} VIH = 3.4V, V I L V_{IL} VIL =
    0.2V,三极管的开启电压为 V O N V_{ON} VON = 0.7V

    下面我们来分析一下:

    1. 当输入信号 v I v_I vI为低电平0.2V时,由于T1的基极是高电平,所以T1导通了,那么由上面的分析知:T1的C,E两级相当于直接相连,那么T1的C极的电位就等于T1E极的电位等于0.2V.但是,对于T2,问题来了,T2的基极电位为0.2V,如果T2想导通,由于开启电压为0.7V,那么T2基极的电压就一定要比0.9V还要大才行,换句话说,T1的集电极电压不足以驱动T2导通,因此,T2,T5都截止,又由于T4的基极是高电位,因此,T4导通,那么, v 0 v_0 v0即输出为高电平
    2. 当输入信号 v I v_I vI为高电平3.4V时,由于一开始T1的基极是直接和 V C C V_{CC} VCC相连的,因此,在一开始的阶段T1的基极电位还是会高于T1的发射极电位的,所以现在T1暂时导通,那么所以T1的C极电位就等于3.4V,3.4V是足以驱动T2,T5导通的。
      但是,当T2,T5导通之后,T2,T5的BE之间的电压都等于了0.7V,这就导致T1集电极的电位被钳在了1.4V,因此,T1反向导通(大家还记得三极管工作时集电结,也就是BC那个PN结是反偏的,原因就是C极的电压大于B极的电压,但是如果B极电压反过来大于了C极电压,就说明这个PN结正偏导通,三极管反向导通),那么此时,T1的B,C极之间的电压为0.7V,那么,T1的基极电位就被钳在了:0.7V +1.4V = 2.1V
      大家有没有发现:在一开始T1的基极电压是大于发射极的,现在基极电压2.1V却小于发射极电压3.4V了,说明T1最终还是截止了!
      这个是一方面,另一方面,由于T2,T5还是导通了,T2的 u C E u_{CE} uCE = 0.3V(虽然之前说在定性分析的时候可以看成C,E等电位,但现在我们要做定量计算),T5的 u B E u_{BE} uBE = 0.7V,所以,T4的基极电位就等于0.3V + 0.7V = 1.0V
      但是:
      T4要想导通,它的基极电压要是多大呢?假设T4导通,那么电流流过D2(0.7V),还有T5的 u C E u_{CE} uCE = 0.3V,因此T4基极的电压至少为:0.7V + 0.7V + 0.3V = 1.7V
      很显然,现在T4的基极电压是达不到标准的,因此,T4截止
      所以, v 0 v_0 v0输出低电平

    对于上面这个电路,我们不难发现,T4和T5总有一个是截止,一个是导通的

    1.1.3 电压传输特性

    1. AB段(截止区):T4导通,T2,T5截止,输出高电平
    2. BC段(线性区):T5截止,但T2导通,并且工作在放大区
    3. CD段:T4截止,T2,T5同时导通
    4. DE段(饱和区)

    CMOS门短路的传输特性比TTL门电路的要好一些

    1.1.4 TTL反相器的输入端负载特性(重要!)

    对于一般的TTL门电路来说,当输入端通过负载接地时:

    1. 若负载≤0.7KΩ;则相当于这个输入端输入为低电平
    2. 若负载≥1.5KΩ;则相当于这个输入端输入为高电平

    特别注意:CMOS门电路不存在这种特性!!!

    小练习:写出下面TT门电路的逻辑关系式:

    在这里插入图片描述
    Y1 = (AB0)’ = 1
    Y2 = (AB1)’ = (AB)’
    Y3 = ((0A)+ (B1))’ = (0 + B)’ = B’

    1.2 其他类型的TTL门电路

    1.2.1 TTL与非门电路

    设输入的低电平电压为0.2V,输出的高电平电压为3.4V
    我们来分析一下:

    1. 当A,B均为低电平时,T1显然导通;同时,T2B极的电位为0.2V,这将导致T2和T5均截止,又由于T4的基极为高电位,因此T4导通,输出为高电平
    2. 然后,我们发现:只要A和B任意一个输入为低电平,T1都会导通,然后得到一样的结果
    3. 最后,如果A和B均为高电平3.4V,我们来看看,由于一开始T1的基极电压还是高于3.4V的,因此在一开始,T1正向导通,那么T2基极的电位就等于3.4V,这足以驱动T2和T5导通。但是,当T2和T5导通之后,T2基极的电位就被钳在了0.7V+0.7V = 1.4V,此时,T1的基极电位高于了T1集电极的电位,因此T1反向导通,这将导致T1基极的电位被钳在了1.4V + 0.7V = 2.1V < 3.4V,最终T1截止
      由于T2,T5导通,导致T4基极的电位被钳在了0.3V + 0.7V = 1V,不足以驱动T4和D3共同导通,换句话说,也即是上面的支路断了,输出低电平

    因此,真值表为:

    ABY
    001
    011
    101
    110

    表示为Y = (AB)’

    说明:在习题中遇到像上图这种多发射极三极管的情况,只要输入端有一个为低电平输入,那么该三极管就会导通,只有当输入全是高电平时,三极管会截止(但是注意一开始是导通的,同时注意反向导通的情况)另外,大家要记得TTL与非门的两个输入端是相关的!

    1.2.3 TTL或非门电路

    我们来分析一下:

    1. 当A为高电平时,B暂且不看哈:由于T1的基极和 V C C V_{CC} VCC连接,所以B极电压还是会高于A的电压,所以T1暂时导通,这就使得T2的基极电位等于3.4V,T2导通,使得T2的C和E极相通,由于T2的C极连着 V C C V_{CC} VCC,所以是高电平,因此,顺着E极传下来之后使得T5的基极电位为高电平,T5导通,输出为低电平
    2. 当B为高电平时,A暂且不看:同理,由于T1’的基极和 V C C V_{CC} VCC连接,所以B极电压还是会高于B的电压,所以T1’暂时导通,这就使得T2’的基极电位等于3.4V,T2’导通,由于T2‘的C极和 V C C V_{CC} VCC相连,所以导致T2’的E极也是高电平,使得T5的基极为高电平,T5导通,输出为低电平
    3. 当A,B同时为低电平时,T1和T1‘同时导通,使得T2的基极,T2’的基极均为低电平,T2和T2‘均截止,但是我们看到,由于T4的基极和 V C C V_{CC} VCC相连,所以T4的基极为高电平,T4导通,而T5的基极连着T2和T2’的发射极,为低电平,所以T5截止,输出为高电平

    真值表为:

    ABY
    100
    010
    110
    001

    逻辑表达式为Y = (A + B)’

    Tips:对比上面TTL与非门来看,TTL或非门两个输入端是互不相关的

    1.2.4 TTL与或非门电路

    有了之前的分析基础,这一次我们不打算逐个情况的分析,而是换一种更加灵活快捷的思维去分析一下:(我们惊喜地发现这个电路的输入端和TTL与非门很接近)
    我们发现A,B只要至少有一个输入是低电平,那么就会导致T1的导通,进而导致T2截止,T5截止,输出为高电平
    恰巧C和D的关系也是这样
    因此,只有当AB全是高电平或者CD全是低电平的情况下,T2或者T2‘才会导通,进而T5才会导通,输出低电平
    那么,这就是TTL与或非门:Y = (AB + CD)’

    1.2.5 TTl异或门电路

    这里我们也来分析一下:我们发现输入端是一个双发射极三极管,A与B之间只要有一个是低电平,那么T1导通,我们假设A = 1,B = 0,(低电平电压为0.2V,高电平电压为3.4V)
    那么此时,T3导通,导致T5基极为高电平,T5和下方二极管导通;之后T5的集电极也就是T7的基极电位就被钳位在0.3V+0.7V = 1.0V但是1.0V的电压不足以驱动T7和T9同时导通,因此T7截止,又T1导通,T6的基极电位变为低电平,T6也截止,因此最终T9也截止,T8导通,输出高电平
    A = 0,B = 1的分析类似
    而当A = 1,B = 1时,T6和T9同时导通,然后使得T8的基极电位被钳位在1.0V,不足以导通T8和下面的二极管,因此,T8截止,输出低电平

    ABY
    000
    011
    101
    110

    1.2.6 集电极开路输出的门电路(OC门)

    单个的OC门的逻辑功能相当于与非门,它正常工作时,需要在Y端接电源 V C C 2 V_{CC2} VCC2以及上拉电阻 R L R_L RL

    另外,多个OC门并联可以实现线与的功能:

    直接将输出端连起来就相当于“与”的功能
    上图的逻辑表达式可以写成:Y = (AB)’(CD)’ = (AB + CD)’

    下面,我们来看看上拉电阻范围的计算:

    与非门在计算上拉电阻时,电流流出的数目要看与非门的数目而不是端的数目!!

    在TTL门电路中计算 R L R_L RL,都是以电压作为方程的驱动:
    【1】当输出为高电平时,电流的流向如下图所示:

    我们想要求我们输出的电压比输出高电平的最低电压还要高,因此有: V C C − R L ( n I O H + m I I H ) ≥ V O H ( m i n ) 即 R L ≤ V C C − V O H ( m i n ) n I O H + m I I H V_{CC} - R_L(nI_{OH} + mI_{IH}) ≥ V_{OH(min)}\\ 即R_L ≤ \frac{V_{CC} - V_{OH(min)}}{nI_{OH} + mI_{IH}} VCCRL(nIOH+mIIH)VOH(min)RLnIOH+mIIHVCCVOH(min)
    其中,n是输出端的数目,m是负载的数目(例如一个与非门有两个输入端)
    【2】输出为低电平的情况:

    当输出为低电平时,我们想要输出的低电平比输出低电平的最高电平要小,我们考虑极端情况,假设所有电流都从一个与非门流入:
    V C C − R L ( I O L − m ′ I I L ) ≤ V O L ( m i n ) 即 : R L ≥ V C C − V O L ( m i n ) I O L − m ′ I I L V_{CC} - R_L(I_{OL} - m'I_{IL}) ≤ V_{OL(min)}\\ 即:R_L ≥ \frac{V_{CC} - V_{OL(min)}}{I_{OL} - m'I_{IL}} VCCRL(IOLmIIL)VOL(min)RLIOLmIILVCCVOL(min)
    特别注意:上式子中的m’是输出端与非门的个数

    1.2.7 三态输出门电路(TS门)

    该电路的输出状态,除了高低电平外,还有一种高阻态情况
    T1管只要有一个输入为低电平,那么T1就会导通。当EN’ = 1时,经过反向变成低电平0.2V,T1导通,使得T2的基极变为低电平,T2和T5截止;然后由于二极管D导通,因此T4的基极就被钳位在0.2V+0.7V = 0.9V,而0.9V不足以驱动T4和它下面的二极管同时导通,因此,T4和T5同时截止,处于高阻态状态

    Tips:EN’表示该三态门是低电平有效(即EN‘为低电平时,不影响电路的正常工作状态(与非门)
    EN表示三态门是高电平有效

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  • cmos与非门电路、或非门电路

    万次阅读 多人点赞 2019-09-16 15:53:48
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    cmos与非门电路
    cmos与非门简介
    与非门是与门和非门的结合,先进行与运算,再进行非运算。与非运算输入要求有两个,如果输入都用0和1表示的话,那么与运算的结果就是这两个数的乘积。如1和1(两端都有信号),则输出为0;1和0,则输出为1;0和0,则输出为1。与非门的结果就是对两个输入信号先进行与运算,再对此与运算结果进行非运算的结果。简单说,与非与非,就是先与后非。

    电工学里一种基本逻辑电路,是与门和非门的叠加,有两个输入和一个输出。CMOS电路中的逻辑门有非门、与门、与非门、或非门、或门、异或门、异或非门,施密特触发门、缓冲器、驱动器等。与非门则是当输入端中有1个或1个以上是低电平时,输出为高电平;只有所有输入是高电平时,输出才是低电平

    与非门芯片:74ls系列:74ls00、74LS20,CMOS系列:CD4011

    cmos与非门电路原理知识
    CMOS反相器具有以下的特点:MT28F320J3RG-11MET静态功耗低,动态功耗接近逻辑摆:幅约为UD,具南较大悄、逻辑于LSUL电路(低功耗肖特基电路);摆幅;电路抗干扰能力强;工作速度快,高速CMOS电路的工作速度接近于LSTTL电路;工作电压范围宽,4000系列的电源电压范围为3N18V,74HC系列的电源电压范围为2—6V;工艺复杂,成本高。

    以CMOS反相器为基础,构成的CMOS与非门电路如图1所示。它由两个P沟道MOS管和两个N沟道MOS管构成。负载管P沟道MOS管VT3与VT4并联,驱动管N沟道MOS管VT1与Vrl3串联。该电路具有与非功能,逻辑表达式为F= (AB)’。

    以CMOS反相器为基础,构成的CMOS或非门电路如图2所示。它由两个P沟道MOS管和两个N沟道MOS管构成。负载管P沟道MOS管VT3与VT4串联,驱动管N沟道MOS管VT1与Vrl2并联。该电路具有或非功能,逻辑表达式为F=(A+B)’。
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    由于组成门电路的MOS管的串并联关系,会导致MOS管导通电阻的变化,破坏了CMOS电路的对称性,引起电路噪声容限的降低,输出波形不对称。为了解决这些问题.在上述基本CMOS门电路的基础上,在电路输入、A输出端增加反相器,从而构成了带缓冲的CMOS门电路。

    CMOS与非门电路输入管
    输入端CMOS与非门电路,其中包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为低电平时,就会使与它相连的NMOS管截止,与它相连的PMOS管导通,输出为高电平;仅当A、B全为高电平时,才会使两个串联的NMOS管都导通,使两个并联的PMOS管都截止,输出为低电平。
    在这里插入图片描述
    因此,这种电路具有与非的逻辑功能,即在这里插入图片描述,n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。

    cmos与非门电路真值表、逻辑符号及如何实现
    1、真值表

    在这里插入图片描述

    2、逻辑符号

    在这里插入图片描述

    3、如何实现
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    附录:
    根据CMOS门写最简表达式
    在这里插入图片描述
    修改:正确输出为Y=AB
    在这里插入图片描述
    修改:汇聚在一点的信号是线与,并且
    最后的结果是L=(A+B)(AB)’ =A异或B

    总结:串联的是N沟道,则是与非
    串联的是P沟道,则是或非

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  • TTL电路的逻辑功能和特性测试 在系统电路设计时,往往要用到一些门电路,而门电路的一些特性参数的好坏,在很大程度上影响整机工作的可靠性。
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  • TTL与CMOS电路小结

    2021-03-21 16:20:44
    目录简介噪声容限TTL电路CMOS电路CMOS集成电路的性能及特点功耗低工作电压范围宽逻辑摆幅大抗干扰能力强输入阻抗高温度稳定性能好扇出能力强抗辐射能力强可控性好接口方便器件使用建议OC/OD门参考文献 简介 TTL—...
  • TTL电路与CMOS门电路

    千次阅读 多人点赞 2017-04-26 00:00:50
    TTL和CMOS门电路的区别:  1. TTL和带缓冲的TTL信号 输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V,输入低电平  2. CMOS电平:   1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。   3. ...
  • TTL三态输出与非门

    千次阅读 2020-11-03 21:15:56
    电路如下,当EN‾\overline{EN}EN=0时,EN=1,Y=AB‾\overline{AB}AB;当EN‾\overline{EN}EN=1时,EN=0,T4T_4T4​、D3D_3D3​、T5T_5T5​均处于截止状态,Y=Z。
  • TTL电路

    千次阅读 2020-03-22 23:43:20
    TTL: 三极管逻辑电路(Transistor-Transistor-Logic) 开启电压: 硅管NPN、锗管PNP:0.5V~0.7V 锗管NPN、硅管PNP:0.2V~0.3V ...【 2.TTL反相器的电路结构和工作原理】 - 电路结构 - 电压传输特性 - 输入噪...
  • 数电3_2——TTL电路1.... TTL反相器2.1 电路结构与工作原理2.2 静态输入输出特性2.3 动态特性3. 其他类型的TTL电路 1. 三极管开关特性 三极管,全称半导体三极管,也叫作双极型晶体管,晶体三极管。主要的作...
  • 文章目录A TTL集成门电路A.a TTL集成门电路的结构A.a.a 典型输入级形式A.a.b 典型中间级形式A.a.c 典型输出级形式A.b 几种典型...非门A.b.e TTL集成异或门A.c 集电极开路(OC)门电路原理及特点A.c.a OC门电路工作原理...
  • 本内容包括二极管或单路门组成的门电路,与或非门应用等。
  • CMOS、TTL电路基础

    2021-04-25 21:36:59
    CMOS门电路TTL电路基础CMOS门电路简介MOS管简介合理的创建标题,有助于目录的生成如何改变文本的样式插入链接与图片如何插入一段漂亮的代码片生成一个适合你的列表创建一个表格设定内容居中、居左、居右...
  • 电子之TTL和CMOS门电路的区别

    千次阅读 2016-03-06 16:24:59
    电子之TTL和CMOS门电路的区别  1. TTL和带缓冲的TTL信号 输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V,输入低电平,噪声容限是0.4V。  2. CMOS电平:  1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且...
  • 今天牟浩给大家带来数电系列的仿真,用Multisim仿真数电TTL电路(对于真值表的种情况进行仿真) 在这里插入图片描述
  • TTL兼容的施密特触发器电路

    千次阅读 2015-05-16 15:46:20
    摘要: 1所示为用两个TTL门构成的施密特触发器电路中 G1为与非门,G2为反相器,vⅠ通过电阻R1和R2来控制门的状态。因为R1R2值不能取很大,因此串接二极管D,防止vO=VOH时,G2的负载电流过大。 1 两级TTL门构成 ...
  • 高阻态:既不是高电平也不是低电平,如果高阻态再输入下一级电路的话,对下级电路无任何影响,和没接一样,如果用万用表测的话有可能是高电平也有可能是低电平,随它后面接的...上图为三态门输出门电路原理图。在...
  • TTL电路TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V,Uil≤...
  •  74HC00 是TTL2 输入端四与非门,高电平4V,低电平1V,与非门电路经常用来实现组合逻辑的运算。  (1)74HC00引脚  74HC00引脚,如1所示。引脚功能,如表1所示。  (2) 74HC00功能表  74HC00功能...
  • 电路常识性概念(4)-TTL与CMOS电平 / OC门 一.TTL  TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol  ...
  • Multisim数字电路实验:实验二--组合逻辑电路分析,实验内容丰富规范,适合教师指导教学,希望对各位有用
  • TTL逻辑门电路

    2020-11-06 10:35:00
    目录 BJT 开关工作原理 开关特性 反相器 电路组成 工作原理 电压传输特性 输入负载特性 带负载特性 集成电路【74LS04】 与非门电路 集成电路【74LS00】 或非门电路 与或非门电路 OC门 TSL门 BJT 开关工作原理 由NPN...
  • ttl和cmos电路的理解

    千次阅读 2020-11-15 00:47:27
    TTL电路以双极型晶体管为开关元件,所以又称双极型集成电路。双极型数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件。 它具有速度高(开关速度快)、驱动能力强等优点,但其功耗较大,集成度...
  • TTL与CMOS 高低电平 电路区别比较

    千次阅读 2013-11-08 23:59:15
    TTL与CMOS 高低电平 电路区别比较 来源:互联网 作者: 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低...
  • 基本门电路有3种:与门(AND)、或门(OR)和非门(NOT)。 与门 电路结构 只有两个开关AB都闭合时,指示灯才会亮; 逻辑与(逻辑相乘):决定事物结果的全部条件同时具备时,结果才发生。 真值表 真值表:用来...

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