TTL:双极型器件，一般电源电压5V，速度快（几ns），功耗大（mA级），负载大，不用端多数不用处理。
 CMOS：单级型器件，一般电源电压15V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载能力小，不用端必须要处理。
 
CMOS和TTL的主要区别在于输入转换电平。
 CMOS：转换电平时电压的1/2，因为CMOS的输入是互补的，保证了转换电平时电源电压的1/2。
 TTL：由于它的输入多涉及晶体管结构，决定了转换电平是2倍的PN结正向压降，约为1.4V。TTL电压只有5V的，而且输入电流的方向是向外的。
 
CMOS电路应用最广，具有输入阻抗高，扇输出能力强，电源电压宽，静态功耗低，抗干扰能力强，温度稳定性好，但工作速度多数低于TTL电路。
 
驱动问题
 TTL驱动CMOS：要考虑电平的接口，TTL可直接驱动74HCT型的CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。
 CMOS驱动TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT型CMOS可直接驱动74/74LS型TTL，除此之外都需要电平转换。
 由于CMOS得输入阻抗都比较大，一般容易捕捉到干扰脉冲，所以NC脚尽量接个上拉电阻，而且CMOS有电流闩锁效应，所以输入端电流尽量不要太大，最好加限流电阻。
 TTL:Transistor-Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑(电路)
 CMOS:互补金属氧化物半导体
 
 

1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路）
 
2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作
 
3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差
 
4、CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）
 
5、CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当
 
6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大
 
7、通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。
 
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 扩展资料：
 
CMOS使用注意事项
 
1、COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
 
2、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
 
3、当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
 
4、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
 
5、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
 
什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别
 (一)TTL高电平3.65V，低电平0V2.4V
 CMOS电平Vcc可达到12V
 CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为
 0.1Vcc。
 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平
 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
 用TTL电平他们就可以兼容
 (二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
 因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
 (三)TTL电平标准
 输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。
 输入 L： <1.2V ； H：>2.0V
 TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。
 
CMOS电平：
 输出 L： <0.1Vcc ； H：>0.9Vcc。
 输入 L： <0.3Vcc ； H：>0.7Vcc.
 
TTL和COMS电路比较：
 1、TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
 2、TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
 COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25–50ns),但功耗低。
 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
 3、COMS电路的锁定效应：
 COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生
 锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
 防御措施：
 (1)、在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
 (2)、芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
 (3)、在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
 (4)、当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电
 源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
 
4、COMS电路的使用注意事项
 (1)、COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉
 电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
 (2)、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
 (3)、当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
 (4)、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
 (5)、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
 
参考：百度

TTL和CMOS的区别
 
区别
 
相关概念
 
 
TTL电平：
 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平
 是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是
 0.4V。
 
 
CMOS电平：
 逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
 
 
电平转换电路：
 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需
 要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈
 
 
OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
 将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
 动门电路。
 
 
TTL和COMS电路比较：
 
 
TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
 COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
COMS电路的锁定效应：
 COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
 防御措施： 
  
在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
 
 
 
COMS电路的使用注意事项
 
  
COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以
 ，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的
 电流限制在1mA之内。
当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是
 外界电容上的电压。
COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
 
 
TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
 
 
 
悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
 
 
在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
 
 
TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。
 
OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
 
主要区别
 
TTL高电平3.6V到5V，低电平0V到2.4V
 CMOS电平Vcc可达到12V
 CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为
 0.1Vcc。
 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平
 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
 用TTL电平他们就可以兼容
TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
 因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
TTL电平标准
 输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。
 输入 L： <1.2V ； H：>2.0V
 TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。
 CMOS电平：
 输出 L： <0.1Vcc ； H：>0.9Vcc。
 输入 L： <0.3Vcc ； H：>0.7Vcc.
CMOS电路的功耗要比TTL电路低,CMOS电路怕静电
 
区分方法
 
 
CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成。
 
 
COMS的逻辑电平范围比较大，一般在5V～15V，TTL只能在5V下工作。
 
 
CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 。
 
 
CMOS功耗很小，TTL功耗较大，一般在1～5mA/门。
 
 
CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
 
 
TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
 
 
TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
 
 
ttl和cmos的区别有很多，通过上面的七种方法就可以把两者区分开，是非常实用的方法。

TTL 与CMOS 定义
 
1、什么是TTL 电平
 TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
 
2、什么是CMOS电平
 COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体（Compiementary symmetry metal oxide semicoductor）集成电路的英文缩写，电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，静态功耗很小。COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5–+15V均能正常工作，电压波动允许±10，当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1，输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0，扇出数为10–20个COMS门电路.
 
TTL 与CMOS 区别
 
一)TTL高电平3.65V，低电平0V2.4V
 CMOS电平Vcc可达到12V
 CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平
 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
 用TTL电平他们就可以兼容
 (二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
 因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
 (三)TTL电平标准
 输出 L： <0.4V ； H：>2.4V。
 输入 L： <0.8V ； H：>2.0V
 TTL器件输出低电平要小于0.4V，高电平要大于2.4V。输入，低于0.8V就认为是0，高于2.0就认为是1。
 
CMOS电平：
 输出 L： <0.1Vcc ； H：>0.9Vcc。
 输入 L： <0.3Vcc ； H：>0.7Vcc.
 
LV CMOS 和 LV TTL
 
 
可以参考的资料
 
https://blog.xuite.net/jesonchung/scienceview/93544954-%E5%B8%B8%E7%94%A8%E9%82%8F%E8%BC%AF%E9%9B%BB%E4%BD%8D%E6%A8%99%E6%BA%96%28TTL%E3%80%81CMOS%E3%80%81LVTTL%E3%80%81LVCMOS%E3%80%81ECL%E3%80%81PECL%E3%80%81LVPECL%E3%80%81RS232%29