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  • 压力传感器是检测压力,并将压力信号转换为电信号并成线性输出装置。...深圳沧正拉压力传感器CAZF-LY51应变片式压力传感器测量原理:当压力传感器弹性体在外力的作用下产生形变,附着于弹性体上电阻...

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    压力传感器是检测压力,并将压力信号转换为电信号并成线性输出的装置。压力传感器可分为机械压力传感器和气压(液压)传感器。

    机械压力传感器也就是测力传感器,单位通常为N、KN、KGf等等。

    沧正机械压力传感器为电阻应变片式,主要由弹性体、电阻应变片、测量电路和传输电缆4部分组成。

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    深圳沧正拉压力传感器CAZF-LY51

    应变片式压力传感器测量原理:当压力传感器弹性体在外力的作用下产生形变,附着于弹性体上的电阻应变片随即弯曲,电阻应变片阻值发生变化,再经测量电路将阻值变化转换为电信号(一般为毫伏信号)。

    弹性体:弹性体即压力传感器外壳,主要材质有铝合金、合金钢、不锈钢。

    电阻应变片:电阻应变片压力是传感器最重要的组成部分,常用的应变片基材采用高分子薄膜材料,应变材质通常为高纯度康铜 。电阻应变片通过脱水粘贴在弹性体上,弹性体受力形变,应变片随即跟着形变,从而改变电阻值。

    测量电路:通过惠斯登电桥把电阻应变片的电阻变化转变为毫伏信号输出。

    传输电缆:4芯屏蔽电缆,沧正压力传感器为红黑绿白四线,红:电源+,黑:电源-;绿:信号+,白:信号-。

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  • 随着传感器技术不断成熟和发展,在计算机自动化控制领域也得到了广泛应用,由自动化控制技术为主要控制机械设备,对各个行业都起到了极大推动作用压力传感器构造自动化控制在称量配料、管道压力测试等方面...
  •  1、压阻式力传感器:电阻应变片是压阻式应变传感器的主要组成部分之一。金属电阻应变片的工作原理是吸附在基体材料上应变电阻随机械形变而产生阻值变化的现象,俗称为电阻应变效应。  2、陶瓷压力传感器:陶瓷...
  • 压电效应是压电压力传感器的主要工作原理,压电传感器不能用于静态测量,因为经过外力作用后的电荷,只有在回路具有无限大的输入阻抗时才得到保存。实际的情况不是这样的,所以这决定了压电传感器只能够测量动态的...

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    压电效应是压电压力传感器的主要工作原理,压电传感器不能用于静态测量,因为经过外力作用后的电荷,只有在回路具有无限大的输入阻抗时才得到保存。实际的情况不是这样的,所以这决定了压电传感器只能够测量动态的应力。

    压电传感器主要应用在加速度、压力和力等的测量中。压电式加速度传感器是一种常用的加速度计。它具有结构简单、体积小、重量轻、使用寿命长等优异的特点。压电式加速度传感器在飞机、汽车、船舶、桥梁和建筑的振动和冲击测量中已经得到了广泛的应用,特别是航空和宇航领域中更有它的特殊地位。压电式传感器也可以用来测量发动机内部燃烧压力的测量与真空度的测量。也可以用于军事工业,例如用它来测量枪炮子弹在膛中击发的一瞬间的膛压的变化和炮口的冲击波压力。它既可以用来测量大的压力,也可以用来测量微小的压力。

    现在压电效应也应用在多晶体上,比如现在的压电陶瓷,包括钛酸钡压电陶瓷、PZT、铌酸盐系压电陶瓷、铌镁酸铅压电陶瓷等等。

    压电传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英(二氧化硅)是一种天然晶体,压电效应就是在这种晶体中发现的,在一定的温度范围之内,压电性质一直存在,但温度超过这个范围之后,压电性质完全消失(这个高温就是所谓的“居里点”)。由于随着应力的变化电场变化微小(也就说压电系数比较低),所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。而酒石酸钾钠具有很大的压电灵敏度和压电系数,但是它只能在室温和湿度比较低的环境下才能够应用。磷酸二氢胺属于人造晶体,能够承受高温和相当高的湿度,所以已经得到了广泛的应用。

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  • 另一类是根据半导体压阻效应构成的传感器,这是半导体压力传感器的主要品种。早期大多是将半导体应变片粘贴在弹性元件上,制成各种应力和应变的测量仪器。60年代,随着半导体集成电路技术的发展,出现了...

      半导体压力传感器原理

      半导体压力传感器可分为两类,一类是根据半导体PN结(或肖特基结)在应力作用下,I-υ特性发生变化的原理制成的各种压敏二极管或晶体管。这种压力敏感元件的性能很不稳定,未得到很大的发展。另一类是根据半导体压阻效应构成的传感器,这是半导体压力传感器的主要品种。早期大多是将半导体应变片粘贴在弹性元件上,制成各种应力和应变的测量仪器。60年代,随着半导体集成电路技术的发展,出现了由扩散电阻作为压阻元件的半导体压力传感器。这种压力传感器结构简单可靠,没有相对运动部件,传感器的压力敏感元件和弹性元件合为一体,免除了机械滞后和蠕变,提高了传感器的性能。

      半导体的压阻效应  半导体具有一种与外力有关的特性,即电阻率(以符号ρ 表示)随所承受的应力而改变,称为压阻效应。单位应力作用下所产生的电阻率的相对变化,称为压阻系数,以符号π表示。以数学式表示为 墹ρ/ρ=πσ

      式中σ 表示应力。半导体电阻承受应力时所产生的电阻值的变化(墹R/R),主要由电阻率的变化所决定,所以上述压阻效应的表达式也可写成 墹R/R=πσ

      在外力作用下,半导体晶体中产生一定的应力(σ)和应变(ε),它们之间的相互关系,由材料的杨氏模量(Y)决定,即 Y=σ/ε

      若以半导体所承受的应变来表示压阻效应,则是 墹R/R=Gε

      G 称为压力传感器的灵敏因子,它表示在单位应变下所产生的电阻值的相对变化。

      压阻系数或灵敏因子是半导体压阻效应的基本物理参数。它们之间的关系正如应力与应变之间的关系一样,由材料的杨氏模量决定,即 G=πY

      由于半导体晶体在弹性上各向异性,杨氏模量和压阻系数随晶向而改变。半导体压阻效应的大小,还与半导体的电阻率密切有关,电阻率越低灵敏因子的数值越小。扩散电阻的压阻效应由扩散电阻的晶体取向和杂质浓度决定。杂质浓度主要是指扩散层的表面杂质浓度。

      半导体压力传感器结构

      常用的半导体压力传感器选用N 型硅片作为基片。先把硅片制成一定几何形状的弹性受力部件,在此硅片的受力部位,沿不同的晶向制作四个P型扩散电阻,然后用这四个电阻构成四臂惠斯登电桥,在外力作用下电阻值的变化就变成电信号输出。这个具有压力效应的惠斯登电桥是压力传感器的心脏,通常称作压阻电桥(图1)。压阻电桥的特点是:①电桥四臂的电阻值相等(均为R0);②电桥相邻臂的压阻效应数值相等、符号相反;③电桥四臂的电阻温度系数相同,又始终处于同一温度下。图中R0为室温下无应力时的电阻值;墹RT为温度变化时由电阻温度系数(α)所引起的变化;墹Rδ为承受应变(ε)时引起的电阻值变化;电桥的输出电压为 u=I0墹Rδ=I0RGδ  (恒流源电桥)

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      式中I0为恒流源电流, E为恒压源电压。压阻电桥的输出电压直接与应变(ε)成正比,与电阻温度系数引起的RT无关,这使传感器的温度漂移大大减小。半导体压力传感器中应用最广的是一种检测流体压力的传感器。其主要结构是全部由单晶硅材料构成的膜盒(图2)。膜片制成杯状,杯底是承受外力的部分,压力电桥就制作在杯底上面。用同样的硅单晶材料制成圆环台座,然后把膜片粘结在台座上。这种压力传感器具有灵敏度高、体积小、固体化等优点,已在航空、宇宙航行、自动化仪表和医疗仪器等方面得到广泛应用。

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      (免责声明:素材来自网络,由云汉芯城编搜集网络资料编辑整理,如有问题请联系处理!)

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      半导体压力传感器原理

      半导体压力传感器可分为两类,一类是根据半导体PN结(或肖特基结)在应力作用下,I-υ特性发生变化的原理制成的各种压敏二极管或晶体管。这种压力敏感元件的性能很不稳定,未得到很大的发展。另一类是根据半导体压阻效应构成的传感器,这是半导体压力传感器的主要品种。早期大多是将半导体应变片粘贴在弹性元件上,制成各种应力和应变的测量仪器。60年代,随着半导体集成电路技术的发展,出现了由扩散电阻作为压阻元件的半导体压力传感器。这种压力传感器结构简单可靠,没有相对运动部件,传感器的压力敏感元件和弹性元件合为一体,免除了机械滞后和蠕变,提高了传感器的性能。

      半导体的压阻效应  半导体具有一种与外力有关的特性,即电阻率(以符号ρ 表示)随所承受的应力而改变,称为压阻效应。单位应力作用下所产生的电阻率的相对变化,称为压阻系数,以符号π表示。以数学式表示为 墹ρ/ρ=πσ

      式中σ 表示应力。半导体电阻承受应力时所产生的电阻值的变化(墹R/R),主要由电阻率的变化所决定,所以上述压阻效应的表达式也可写成 墹R/R=πσ

      在外力作用下,半导体晶体中产生一定的应力(σ)和应变(ε),它们之间的相互关系,由材料的杨氏模量(Y)决定,即 Y=σ/ε

      若以半导体所承受的应变来表示压阻效应,则是 墹R/R=Gε

      G 称为压力传感器的灵敏因子,它表示在单位应变下所产生的电阻值的相对变化。

      压阻系数或灵敏因子是半导体压阻效应的基本物理参数。它们之间的关系正如应力与应变之间的关系一样,由材料的杨氏模量决定,即 G=πY

      由于半导体晶体在弹性上各向异性,杨氏模量和压阻系数随晶向而改变。半导体压阻效应的大小,还与半导体的电阻率密切有关,电阻率越低灵敏因子的数值越小。扩散电阻的压阻效应由扩散电阻的晶体取向和杂质浓度决定。杂质浓度主要是指扩散层的表面杂质浓度。

      半导体压力传感器结构

      常用的半导体压力传感器选用N 型硅片作为基片。先把硅片制成一定几何形状的弹性受力部件,在此硅片的受力部位,沿不同的晶向制作四个P型扩散电阻,然后用这四个电阻构成四臂惠斯登电桥,在外力作用下电阻值的变化就变成电信号输出。这个具有压力效应的惠斯登电桥是压力传感器的心脏,通常称作压阻电桥(图1)。压阻电桥的特点是:①电桥四臂的电阻值相等(均为R0);②电桥相邻臂的压阻效应数值相等、符号相反;③电桥四臂的电阻温度系数相同,又始终处于同一温度下。图中R0为室温下无应力时的电阻值;墹RT为温度变化时由电阻温度系数(α)所引起的变化;墹Rδ为承受应变(ε)时引起的电阻值变化;电桥的输出电压为 u=I0墹Rδ=I0RGδ  (恒流源电桥)

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      式中I0为恒流源电流, E为恒压源电压。压阻电桥的输出电压直接与应变(ε)成正比,与电阻温度系数引起的RT无关,这使传感器的温度漂移大大减小。半导体压力传感器中应用最广的是一种检测流体压力的传感器。其主要结构是全部由单晶硅材料构成的膜盒(图2)。膜片制成杯状,杯底是承受外力的部分,压力电桥就制作在杯底上面。用同样的硅单晶材料制成圆环台座,然后把膜片粘结在台座上。这种压力传感器具有灵敏度高、体积小、固体化等优点,已在航空、宇宙航行、自动化仪表和医疗仪器等方面得到广泛应用。

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空空如也

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压力传感器的主要作用