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    发生薄膜干涉的厚度要求

    李池

    【摘

    要】

    人教社全日制普通高级中学教科书《物理·必修加选修》第三册第二十

    章第一节是"光的干涉"

    .

    教材在讲到薄膜干涉的应用时有这样一段话:"光的

    干涉现象在技术中有重要应用

    .

    例如

    ,

    在磨制各种镜面或其他精密的光学平面时

    ,

    可以用干涉法检查平面的平整程度

    .

    如图

    1

    (

    a

    )所示

    ,

    【期刊名称】

    物理通报

    【年

    (

    ),

    期】

    2011(040)012

    【总页数】

    2

    【关键词】

    薄膜干涉

    ;

    厚度

    ;

    光学平面

    ;

    干涉现象

    ;

    光的干涉

    ;

    高级中学

    ;

    教科书

    ;

    全日

    人教社全日制普通高级中学教科书《物理·必修加选修》第三册第二十章第一节

    是“光的干涉”.教材在讲到薄膜干涉的应用时有这样一段话:“光的干涉现象在

    技术中有重要应用

    .

    例如,在磨制各种镜面或其他精密的光学平面时,可以用干

    涉法检查平面的平整程度

    .

    如图

    1(a)

    所示,在被测平面上放一个透明的样板,在

    样板的一端垫一个薄片,使样板的标准平面和被测平面之间形成一个楔形空气

    薄层

    .

    用单色光从上面照射,空气层的上下两个表面反射的两列光波发生干涉

    .

    气层厚度相同的地方,两列波的路程差相同,两列波叠加时相互加强或削弱的

    情况也相同

    .

    所以,如果被测表面是平的,干涉条纹就是一组平行的直线

    [

    1(b)]

    ;如果干涉条纹发生弯曲,就表明被测表面不平

    [

    1(c)]”.

    学生对这段话产生了疑惑:为什么偏偏只是空气层的上下两个表面反射的两列

    光波发生干涉,而样板上表面反射的光波就不和它们发生干涉呢?

    展开全文
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    氧化与ALD

    常见氧化过程

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    常见氧化设备

    多片加工

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    单片加工

    上述的氧化炉,热预算比较大,一般需要半小时加热;为减小热预算,使用碘钨灯进行单片加热,加热时间很短,通常以秒计算,降低热预算,如下图;
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    氧化速度

    结论:在起初的氧化膜形成厚度为线性,随着氧化膜变厚,后续氧化的速度主要取决于氧气在SiO2中的扩散,厚度逐渐趋近于抛物线;干氧氧化与湿氧氧化相比,湿氧更快,因为水汽更易扩散过SiO2膜,所以反应速率更快;
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    氧化的其他问题

    1. 杂质与界面的问题

    碱金属控制,需要严格的清洗;氧化时通少量HCl ,
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    2. B穿透问题

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    栅氧化层厚度研究

    栅氧化层厚度与Gate 长度的关系:
    要求:抑制短沟道效应,需要增大栅电容;同时又不减小物理厚度;
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    ALD

    ALD介绍

    ALD: Atomic layer depositon,原子层沉积;原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法;是一种特殊的CVD技术,与常规CVD的差异是:ALD的反应物都是通过气体供应进来的;

    ALD方法

    制备High K 层的方法:ALD; 一个 cycle 只能生产一层原子层,需要反复多次才能生成一层High K膜,一般3nm的膜也就是几十层原子;
    ALD的特点:台阶覆盖性非常好,但生长速度较慢;
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    小结

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空空如也

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厚膜技术与薄膜技术