精华内容
下载资源
问答
  • 随着功能的日益增多,商用电子...解决这个难题的办法之一是充分利用在MOS管技术和封装上的进步。通过在更小尺寸的封装内采用更高性能的MOS管,业内的一个趋势是从SO-8等标准引线封装向带有底面漏极焊盘的功率封装转变。
  • 用于参加恩智浦智能车大赛的电机驱动板,双电mos管机驱动,相较于BTN79xx系列驱动,mos驱动的输出更大,驱动能力更强,反应也更为快速。 使用器件 半桥驱动器 IR2184S资料 mos管 IRLR7843资料 升压 B0512S-1W资料 ...
  • 基于反激变压器功率MOS管互补谐振驱动pdf,基于反激变压器功率MOS管互补谐振驱动
  •  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不...

     

      在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。

      下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。

      MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到的NMOS,或者PMOS就是指这两种。

           

      至于为什么不适用号耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。

      对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS,下面的介绍中,也多以NMOS为主。

      MOS管的三个管教之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的,寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。

      在MOS管原理图上可以看到漏极和源极之间有一个寄生二极管,这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。

            

      MOS管导通特性

      导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

      NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适用于源极接地的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

      PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适用于源极接Vcc的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便的用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是用NMOS。

      MOS开关管损失

      不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样点电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗,现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫伏左右,几豪欧的也有。MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失时电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。

      导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失,降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

            

      MOS管驱动

      跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。

      在MOS管的结构中可以看到,在GS、GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

      第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压和漏极电压(Vcc)相同,所以这是栅极电压要比Vcc大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比Vcc大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

      上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。

            

      MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799matchingMOSFETDriverstoMOSFETs,讲述得很详细,所以不打算多写了。

      MOS管应用电路

      MOS管最显着的特性是开关特性好,所以被广泛应用于需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动电路,也有照明调光。

      现在的MOS驱动,有几个特别的需求:

      1.低压应用

      当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be只有0.7V左右的压降,导致实际最终加载gate上的电压只有4.3V,这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

            

      2.宽电压应用

      输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

      为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。

      同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS管工作良好,而输入电压降低的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。

            

      3.双电压应用

      在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或3.3V数字电压,而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

      这就提出一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管,同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2提到的问题。

      在这三种情况下,图腾柱结构无法满足输出需求,而很多现成的MOS驱动IC,似乎也没有包含gate电压限制的结构。

            

    展开全文
  • MOS管的驱动电路

    千次阅读 2020-10-23 00:08:53
    MOS管的驱动电路一、驱动电路的介绍二、mos驱动电路的分类1 非隔离驱动1.1 直接驱动1.2 自举电路2 隔离驱动2.1 变压器隔离2.2 光耦隔离 一、驱动电路的介绍 在电源或者硬件设计中,无论是三极管BJT,还是mos管,都...

    一、驱动电路的介绍

    在电源或者硬件设计中,无论是三极管BJT,还是mos管,都需要驱动电路。这是为什么呢?为何不能直接将脉冲波形加在开关管上?驱动电路的作用主要有以下几点:

    • 提供足够的驱动能力。由于驱动信号往往从控制器如DSP,单片机给出,驱动电压和电流不足以使开关管导通,所以需要驱动电路进行驱动能力匹配
    • 保证开关管良好的开关状态。在一个电路中,开关管不能太快或者太慢,太快EMI过不了,太慢开关损耗又太大。
    • 保证器件的可靠性,避免过压和过流。由于开关器件寄生参数的存在,在导通或者关断时,往往产生很大的电压电流尖峰,这会影响电路的性能和器件的可靠性。

    驱动电路一般分为电流驱动型和电压驱动型。
    BJT等电流控制型器件需要电流驱动型电路。这种电路需要在BJT导通时提供足够大的持续电流。
    在这里插入图片描述

    而mos管和IGBT等电压驱动型器件,由于输入电阻很大,所以不需要太大的连续驱动电流,但是为保证一定开关速度,峰值电流需要保证。所以电压驱动电路一方面提供足够的驱动电压,另一方面提供一定的峰值电流。

    在这里插入图片描述
    因mos管开关速度高,导通阻抗小,在开关电源中应用广泛,下面对mos管的驱动电路进行详细介绍。

    介绍之前,想先简单介绍下mos管的开通过程,关断过程反过来,也就不详细介绍了。
    我们知道mos管包含三个寄生电容Cgs,Cgd,Cds,如下图所示:
    在这里插入图片描述

    在mos管的datasheet中,并未给出以上三个电容,而是给出了Ciss,Coss,Crss
    在这里插入图片描述
    Ciss:输入电容,Ciss=Cgs+Cgd
    Coss:输出电容,Coss=Cgd+Cds
    Crss:反向传输电容,即米勒电容,Crss=Cgd
    Cgd随电压是变化的,这就导致了米勒平台的产生。
    开通过程包括以下几个阶段:
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    1. 当Vgs小于Vth时,驱动电压主要给Cgs充电,这是因为此时Cgd承受正压所以容量很小,能存储的电荷也小,所以电荷大部分都跑到Cgs上。
    2. 当Vgs>Vth时,mos管开始导通,iD产生,此时Cgd增大,所以驱动电流一部分往Cgd走,当mos完全导通后,iD保持不变,所以Vgs不变,驱动电流大部分往Cgd走,进入米勒平台区。Vds在这个时期一直减小。
    3. 当Cgd增加到与Cgs差不多时(在Vds下降到等于此时的Vgs-Vg(th)这个值的时候,此时Cgd有低阻抗通路,相当于与Cgs并联),驱动电压又分别给两者充电,所以Vgs又上升。
      米勒平台的危害主要时增加mos管的交叉损耗,所以时间越短越好。

    二、mos驱动电路的分类

    1 非隔离驱动

    非隔离驱动指的是,控制电路不需要与主电路进行隔离。

    1.1 直接驱动

    驱动芯片可以与开关管共地,可使用直接驱动电路。
    直接驱动电路简化图如下:
    在这里插入图片描述
    Rgs主要是用来给Cgs放电。
    Rg是驱动电阻,用来控制开关速度和抑制电流尖峰。
    下面分别讨论两个参数对驱动电压的影响。
    Rgs的影响
    在开机无驱动时,若不加Rgs,mos会误导通,甚至击穿mos。
    从下面的仿真可以看到,不加驱动时,Vgs接近4V,而且整个电路上有电流,说明mos管导通。
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    原因是由于Cgs,Cgd的存在,两者会对输入电压进行分压,分压跟电容成反比,导致Vgs>Vth,所以mos管导通,所以整个回路存在电流。
    在这里插入图片描述

    加上Rgs后,电路不加驱动时,Vgs上不在有电压。Rgs一般选择10-20k,太大,Cgs放电慢,但太小,电阻功耗大
    在这里插入图片描述在这里插入图片描述
    Rg的影响
    电路加驱动时,由于PCB引线或者mos寄生电感的存在,驱动等效电路为LC电路,会产生谐振,所以需要加入Rg来增加阻尼。
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    对驱动电路进行仿真,发现驱动电阻需要选取合适,太大,驱动能力减弱,太小,起不到阻尼的作用,Rg一般选择5-10Ω
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    1.2 自举电路

    自举的意思是利用电容电压不能突变的原理,mos管改变开关状态时,能自动将电压抬升起来,从而将高压mos导通。主要应用在mos不能与驱动IC共地的情况下,如buck电路。
    下面以buck芯片tps50601进行说明。
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    自举电路工作过程如下
    (1)低压mos导通,Cboot充电,但其上电压<Vth,高压mos不能导通(若导通s端电压为Vin>g端电压,导致高压mos关闭)
    在这里插入图片描述
    (2)低压mos关断,Cboot电压抬升,但其上电压为Vin+Vboot>Vth,高压mos导通
    在这里插入图片描述
    自举电容需要选取的合适,太大,电荷泵充电时,电流过大,而太小,自举电压维持不住。在buck芯片的datasheet中,Cboot一般选择0.1uF。

    2 隔离驱动

    考虑到可靠性(高压电路和低压电路之间需要隔离),控制电路需要与主电路隔离。

    2.1 变压器隔离

    基本变压器隔离电路如下图所示。
    C1为隔直电容,其上的平均电压为D*Vin。
    在这里插入图片描述
    但此电路有如下缺点:

    • 驱动电压减小,且有负值
    • 占空比D越大,驱动电压越小
      在这里插入图片描述
      在这里插入图片描述
      改进的变压器隔离电路如下:
      副边增加了隔直电容和续流二极管。
      在这里插入图片描述
      下面的波形可以看到,mos的Vgs可以很好的跟随驱动波形。
      在这里插入图片描述而且即使D变得很大如0.9,Vgs也不会变得很小
      在这里插入图片描述
      关于设计:
    • 变压器按照正激变压器设计,不能让其饱和
    • 隔直电容一般选择几百nF
    • 续流二极管选择快恢复二极管

    2.2 光耦隔离

    变压器容易受寄生参数的影响,且易饱和,而光耦隔离就很好的解决了这一问题,但是光耦受自身参数的影响,频率不能做的很高,且在恶劣条件下,寿命和可靠性降低。
    下面是光耦驱动的电路,这里不详细介绍了,注意光耦需要足够的驱动电流才能导通。
    在这里插入图片描述

    展开全文
  • MOS管应用介绍

    千次阅读 2019-10-08 13:49:56
    1、 MOS管的分类 1) MOS管从类型看:分为NMOS和PMOS; 2) 从功率等级上看:分为逻辑MOS和功率MOS。逻辑MOS的特点是VGS门级导通电压较低,以2N7002为例,初始导通电压为1V~3V,一般参与数字电路、驱动电路等小功率...

    一、MOS管的分类
    1) MOS管从类型看:分为NMOS和PMOS;
    2) 从功率等级上看:分为逻辑MOS和功率MOS。逻辑MOS的特点是VGS门级导通电压较低,以2N7002为例,初始导通电压为1V~3V,一般参与数字电路、驱动电路等小功率场合,一般封装也较小,常见的封装为SOT-23。
    3) 增强型和耗尽型的区别:增强型,栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在,也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0;耗尽型,栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在,也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0。目前的应用中,所有大批量应用的MOS管均为增强型,耗尽型的MOS管更多的只是停留在理论中。
    二、MOS管驱动电路设计注意事项
    1) 驱动电路是MOS管设计中非常重要的一个环节,目前市场上的驱动芯片也较为成熟,类型众多。
    单个MOS管的驱动芯片,设计可以支持上桥臂或下桥臂代表芯片为FAN73711
    半桥驱动芯片,可以同时支持上下半桥的驱动,代表芯片有FAN7842
    三相桥臂驱动芯片,可以同时实现三个半桥驱动,一般用于直流无刷电机、交流电机的驱动电路中,代表芯片有FAN7388
    由于外围器件少,稳定性高,主流的MOS管驱动方案都会选择集成芯片进行驱动。
    在上述的基础上,针对用户不同的需求,还可以在驱动芯片中加入其他辅助功能,如:使能引脚(在MOS管主回路中出现大电流时,可利用该功能实现硬件短路保护)、内置固定死区时间、可调死区时间(通过某个引脚外接电阻或电容来灵活调节死区时间)、内置自举二极管、逻辑诊断(当检测到上下桥臂同时为有效电平时,判定为输入端错误,不执行输出动作)。
    目前国产半桥驱动芯片价格已经做得非常便宜,比较有代表性的是FD2103S,含税价格在0.3元左右,随着国内产品工艺日趋成熟,国产驱动芯片的竞争力将逐年增强,不断侵蚀进口驱动芯片的市场份额(价格是国产同类型芯片的5倍以上)。
    2) 在低压小电流的应用场合也常常使用分立元件驱动电路,半桥电路由6个开关管和若干电阻电容组成,成本较低。但是随着国产驱动芯片的不断推广,分立元件驱动电路的市场空间越来越小。处于学习的目的,同时截图如下:在这里插入图片描述
    三、MOS管选型时需要注意的问题
    在功率电路的设计中,MOS管、滤波电容的选型至关重要,直接关系到产品的稳定性以及性价比。这里先简单分享一下MOS管选型时的一些注意事项:
    1、 耐压:所有的MOS管规格书中都会给出一个VDS值,在设计时,必须保证在任何时刻MOS管的漏源电压都小于该参数(一般情况下,需要预留10%~20%的余量)。
    MOS管在高频开关的过程中,在关断瞬间会承受一定的电压尖峰,该电压尖峰的大小与PCB板上的寄生电感、滤波电容大小及位置、MOS管关断时的速度等参数有关。在设计MOS管驱动电路、Lay-out PCB时都需要注意,需要尽量减小电压尖峰。这样有两个好处(减小MOS管的电压应力、较小EMC辐射)。为了达到这个目的合理的Lay-out布局是非常关键的,需要尽量较小滤波电容与MOS管漏极之间寄生电感。其次是考虑增加MOS管的关断时间,这是一把双刃剑,这样会使得MOS管的开关损耗增加。
    2、损耗:MOS管的损耗分为开关损耗和导通损耗。
    导通损耗比较容易理解,也便于估算。当MOS管的门极电压大于10V,MOS管的沟道就会完全导通,此时MOS管的导通电阻Rds(on)即在规格书中厂家申明的标称值左右,其实际值与MOS管的批次有一定关系,但更多的是和温度有关,随着MOS管结温的上升,Rds(on)也随之上升,呈现负温度特性,这是MOS管与身俱来的一个优点——可以多路并联使用。
    开关损耗,顾名思义就是MOS管在开通和关断时候的损耗,其形成的原理是因为MOS管在开通和关断的过程中存在一小段时间MOS管的DS之间既存在大电压又存在大电流(类似于三极管工作在放大区)。这部分的损耗估算建议采用理论计算与设计测试波形想结合的方式进行。在一些需要MOS管进行高频切换的应用中,会采用一种软开关的技术,该技术可以完全消除开关损耗且降低EMC干扰,在LLC开关电源中较为常见。
    3、 热阻:热阻参数是硬件工程师容易忽略的参数之一,通过热阻、MOS管的功耗P、环境温度Ta、MOS管表面温度Tj,可以大致估算出MOS管的内部结温Tj。
    在使用散热器的场合Rjc比较关键,通过估算单个MOS管的损耗,测量MOS管外表面的工作温度,来估算MOS管的内部结温Tj,具体计算公式:Tj=Tc + PRjc*。
    当MOS管没有外部辅助散热措施时,利用Rja进行温度估算,具体公式为Tj=Ta + PRja*。
    设计时必须保证MOS管在最高环境温度、最大负载条件下,Tj的温度小于规格书中标称的Tj(max),一般需要留有20℃的余量。在很多大功率的应用场合,由于外部散热器的尺寸不可能做的无限大,且散热能力也存在边际效应,此时挑选Rjc较小的MOS管就是一个比较理想的选择,ST、Infineon、NXP、ON的一些MOS管的Rjc可以做到0.8℃/W以下。
    4、 输入电容Ciss:这个参数大家平时并不是很在意,但确实非常重要。MOS管在开通和关断时存在弥勒效应,在进行弥勒效应的过程中,MOS管的寄生电容Cgd进行充放电,如果此时Cgs过小或Cgd的充放电速度过快,就容易在MOS管的门极产生一个瞬时尖峰电压。尤其在MOS管上桥臂开通时,MOS管的下桥臂Cgd充电,由于Cgd与Cgs是串联关系,若下桥臂驱动电路不能很好的泄放Cgd的充电电流,则Ugs会被瞬间抬高,当Ugs大于MOS管的起始导通压降Ugs(th)时,下桥臂MOS管就会出现短暂打通。从而造成半桥上下桥臂MOS管直通,出现大电流,打坏MOS管。为了解决这一问题,需要从以下几个方面入手:1)增加MOS管驱动芯片Push-Pull电流的能力;2)降低MOS管开关速度;3)在MOS管的门极并联陶瓷电容(一般为4.7nF到10nF之间)。
    四、量产注意事项
    1、 安装扭力:在将MOS管固定到散热器时,扭力不宜过大,具体标准需要与MOS管原厂确认,一般情况下不得大于6。如果扭力过大,安装过程中会对MOS管的晶圆造成损伤,从而造成不可逆的故障。
    2、 多路MOS管并联:在多路MOS管并联的场合,需要注意使用同一批次的MOS管,因为同一批次的MOS管Ugs(th)参数比较接近,造成MOS管导通时刻不一致的概率更小,从而降低故障率。
    3、 绝缘导热材料:MOS管的散热臂一般均为带电设计,所以在固定散热器时需要在MOS管散热臂与散热器之间增加绝缘材料,这类材料很多,一般有推荐厚度在0.3mm以上。因为在生产中如果绝缘导热材料的厚度太薄,在MOS管与散热器之间的绝缘特性就会变差,从而出现漏电流,这类漏电流在设计中是不允许出现的。检测的方法是将MOS管固定到散热器之后,在MOS管和散热器之间打耐压,测试漏电流。
    如果大家在工作、学习中遇到一些疑问,欢迎大家一起来讨论。

    展开全文
  • MOS管驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器(光耦合;磁耦合)。由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高,容易被干扰,故驱动电路应具有良好的电气隔离性能,以实现主电路与控制电路之间的隔离,使之具有较...

    0. 概况

    MOS管驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器(光耦合;磁耦合)。由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高,容易被干扰,故驱动电路应具有良好的电气隔离性能,以实现主电路与控制电路之间的隔离,使之具有较强的抗干扰能力,避免功率级电路对控制信号的干扰。

    其中,光耦隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。

    1. 电磁隔离

    采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离,是一种电路简单可靠,又具有电气隔离作用的电路,但其对脉冲的宽度有较大限制,若脉冲过宽,磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大,甚至使其烧毁,而若脉冲过窄,为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。

    2. 光电隔离

    光电隔离,是利用光耦合器将控制信号回路和驱动回路隔离开。该驱动电路输出阻抗较小,解决了栅极驱动源低阻抗的问题,但由于光耦合器响应速度较慢,因而其开关延迟时间较长,限制了适应频率。

    展开全文
  • MOS管及其外围电路设计

    千次阅读 多人点赞 2019-08-12 12:04:38
    常用的mos管驱动电路结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗,一般包含mos管引脚的感抗,PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中,用于放大驱动信号的图腾...
  • FP6298 是一种电流模式(CC 模式),通过 pwm 控制来提高 DC-DC 升压转换器, 内置 0.08ΩMOSFET 使这种调节器具有高功率效率,周边元件少,...3.内置 80mΩ,4.5A,12VMOS 4.最大输出功率 10W 5.PWM固定频率:500KHz
  • MOS管基础知识

    千次阅读 2020-12-10 15:24:04
    场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型,MOSFET应用广泛,结型管(JFET)几乎不用,MOSFET一般称MOS管。 MOSFET有增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两大类,增强型和耗尽型每一类下面都有...
  • 今天泰德兰电子 小编和大家分享主题:什么是MOS管驱动电路,如何理解MOS管驱动电路原理? 作为电子工程师,我们都知道在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等...
  • 各种MOS管介绍

    千次阅读 2018-08-27 15:55:21
    MOS管学习 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。...顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的...
  • MOS管开关电路

    万次阅读 2018-05-10 11:02:16
    MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极...
  • 浅析MOS管开关速度影响因素-KIA MOS管

    千次阅读 2020-08-19 15:10:15
    MOS管快速开关 无论N型或者P型MOS管,其工作原理是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流...
  • MOS管常用电路分析

    千次阅读 2020-09-04 14:24:32
    MOS管(三极管)——一些常用的硬件设计电路分析(转载作者”霁风AI”) 以下文章来源于霁风AI ,作者霁风AI 最近在学习mos管看到一篇经典的文章,为了方便,转载大家一块学习! 概述 芯片的集成度虽然越来越高,...
  • MOS管工作原理的应用驱动电路详解

    千次阅读 2019-01-04 10:13:47
    MOS管应用电路 MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。 现在的MOS驱动,有几个特别的应用 1、低压应用 当使用5V电源,这时候如果...
  • MOS管开关设计知识-(五种MOS管开关电路图方式)

    万次阅读 多人点赞 2019-02-25 16:03:04
    在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不...
  •  在完成MOS管芯片在制作之后,需要给MOS管芯片加上一个外壳,这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用,同时还可为芯片提供电气连接和隔离,从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。    ...
  • 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不...
  • 详述MOS管驱动电路的五大要点

    千次阅读 2018-11-27 14:04:00
     在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不...
  • FP5139 外置MOS大功率升压芯片 FP5139是一顆非同步 DC-DC 升压转换器,通过图腾柱(Totem Pole)输出PWM 信号来推动NMOS 实现升压转换,0.5V 精准参考电压,可编程的软启动和短路保护,85%最大 占空比。 封装为:...
  • FP6293 是一种电流模式(CC 模式),通过 pwm 控制来提高 DC-DC 升压转换器, 内置 0.14ΩMOSFET 使这种调节器具有高功率效率,周边元件少,可...3.内置 0.14Ω,3.5A,18VMOS 4.最大输出功率 8W 5.PWM 固定频率:1MK
  • MOS管驱动电路详解

    千次阅读 2018-09-30 10:00:30
    一、MOS管驱动电路综述 本文引用地址: http://power.21ic.com//ldo/technical/201512/45022.html  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也...
  • 本周在技术交流群中有群友抛出这么一个问题:反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因?这是一个典型的问题,本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振,然而几天后我发现,当时我并没有充分理...
  • MOS管的工作原理浅显易懂

    万次阅读 多人点赞 2017-08-15 22:30:32
    重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创。如有错误还请多多指点!   先上一张图     一、 一句话MOS管工作原理  NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的...
  • MOS管的讲解

    2018-10-29 14:04:43
    MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极...
  • MOS管,三极管基础知识总结

    万次阅读 多人点赞 2017-08-11 15:56:32
    1.MOS管符号箭头指向在所有半导体元件中, 箭头的意义表示p-n结的方向。场效应管是电压控制型元器件,只要对栅极施加电压,DS就会导通。三极管是电流控制型元器件,只要基极B有输入(或输出)电流就可以对这个晶体管...
  • MOS管工作原理

    千次阅读 2017-02-14 09:29:47
    转载自http://www.eepw.com.cn/article/268236.htm 1. MOS管工作原理–MOS管简介 MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,
  •  一、MOS管驱动电路综述  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的...

空空如也

空空如也

1 2 3 4 5 ... 20
收藏数 2,252
精华内容 900
关键字:

双mos管芯片