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  • 双极型晶体管 双极型晶体管一般有三个电极(即三个引出脚),按工作性质可以分为高、低频晶体三极管;大功率、中功率和小功率晶体三极管;用作信号放大用的三极管和用作开关的三极管。按材料分为锗三极管和硅三极管...
  • 固态器件理论(6)双极结型晶体管

    千次阅读 2020-05-30 17:23:50
    晶体管与一对背对背二极管的区别在于基极(中心层)非常薄。这允许来自发射极的多数载流子作为少数载流子通过基极扩散到基极-集电极的耗尽区,在那里强电场将它们收集起来。

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    之所以命名双极结型晶体管(BJT)是因为其工作涉及两个载流子的传导:同一晶体中的电子和空穴。第一个双极晶体管是由威廉·肖克利(William Shockley),沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)和约翰·巴丁(John Bardeen)于1947年在贝尔实验室(Bell Labs)发明的,直到1948年才发布。因此,关于发明日期,有许多不同的文献。 Brattain制造了一个锗点接触晶体管,与点接触二极管有些相似。在一个月内,肖克利有了一个更实用的结型晶体管,我们将在以下段落中进行描述。他们因晶体管而获得1956年的诺贝尔物理学奖。

    下图(a)所示的双极结型晶体管是NPN三层半导体三明治结构,其两端分别具有发射极和集电极,并且在其间具有基极。好像将第三层添加到两层二极管中一样。如果这是唯一的要求,那么我们将只有一对背对背二极管。实际上,构建一对背对背二极管要容易得多。制造双极结型晶体管的关键是使中间层,基极尽可能薄,而又不使外层,发射极和集电极短路。我们不能过分强调薄基区的重要性.

    BJT交界处

    下图(a)中的器件具有一对结,即发射极与基极,基极与集电极以及两个耗尽区。

    在这里插入图片描述

    (a)NPN结双极晶体管。 (b)对集电极基极结施加反向偏压。

    如图(b)所示,通常对双极结型晶体管的基极-集电极结进行反向偏置。请注意,这会增加耗尽区的宽度。反向偏置电压可能在几伏到几十伏之间。对于大多数晶体管,集电极电路中除了漏电流外没有电流流过。

    在下图(a)中,已将电压源添加到发射极基极电路。通常,我们将发射极-基极结正向偏置,以克服0.6 V的势垒。这类似于对结型二极管进行正向偏置。为了使多数载流子(NPN的电子)从发射极流入基极,成为P型半导体中的少数载流子,该电压源需要超过0.6V。

    如果基极区很厚,如一对背对背二极管,则所有流入基极的电流都会流出基极引线。在我们的NPN晶体管示例中,离开基极发射极的电子将与基极中的空穴结合,从而为随着电子离开而在基极的(+)电池端子处产生更多空穴提供了空间。

    但是,基座制造得很薄。实际上,发射器中的少数多数载流子作为少数载流子注入了基体中。参见下图(b)。发射极注入NPN晶体管基极的电子很少会掉入空穴。另外,几乎没有电子进入基极,直接通过基极流向电池正极。电子的大部分发射器电流通过薄基极扩散到集电极中。此外,调制较小的基极电流会产生较大的集电极电流变化。如果对于硅晶体管,基极电压降至约0.6 V以下,则大的发射极-集电极电流将停止流动。

    在这里插入图片描述

    BJT电流放大

    在下图中,我们仔细研究了电流放大机制。 我们放大了NPN结晶体管的放大图,重点是薄基极区。 尽管未显示,但我们假设外部电压源 1)正向偏置发射极-基极结,2)反向偏置基极-集电极结。 电流使发射极流向(-)电池端子。 基本电流对应于从(+)电池端子进入基本端子的电流。

    进入基极的电子的分布:(a)由于与基极空穴复合而丢失。 (b)流出基础引线。 (c)大多数从发射极通过薄基极扩散到基极-集电极耗尽区,(d)被强耗尽区电场迅速扫入集电极。
    在这里插入图片描述

    N型发射极内的多数载流子是电子,进入P型基极时成为少数载流子。这些电子面临进入薄P型基极的四种可能的命运。上图(a)中的一些掉入了基极的空穴中,这些空穴有助于使基极电流流向(+)电池端子。未示出,基极中的空穴可扩散到发射极中并与电子结合,从而贡献基极端电流。 (b)中很少有电流通过基极流向(+)电池端子,就好像基座是电阻器一样。 (a)和(b)都对很小的基本电流有贡献。对于小信号晶体管,基极电流通常为发射极或集电极电流的1%。大多数发射极电子会通过薄的基极(c)扩散到基极-集电极耗尽区。注意在(d)处围绕电子的耗尽区的极性。强电场将电子迅速扫入集电极。电场强度与集电极电池电压成正比。因此,有99%的发射极电流流入集电极。它由基极电流控制,该基极电流是发射极电流的1%。这是潜在的电流增益99,即IC / IB的比率,也称为β。

    仅当基极薄时,才有可能发生这种神奇的现象,即99%的发射极通过基极扩散。 100倍于基极的基极少数载流子的命运是什么?人们会期望电子落入空穴的复合速率更高。也许有99%而不是1%会掉进洞里,再也不会碰到集电极了。第二点是,只有当99%的发射极电流扩散到集电极中时,基极电流才可以控制99%的发射极电流。如果全部流出基极,则无法控制。

    另一个使99%的电子从发射极传递到集电极的功能是,实际的双极结型晶体管使用小的重掺杂发射极。高浓度的发射极电子迫使许多电子扩散到基极中。基极中较低的掺杂浓度意味着更少的空穴扩散到发射极中,这将增加基极电流。载流子从发射极到基极的扩散是非常有利的。

    薄的基极和重掺杂的发射极有助于保持较高的发射极效率,例如99%。这对应于100%的发射极电流在基极(1%)和集电极(99%)之间分配。发射极效率称为α= IC / IE。

    BJT的类型

    双极结型晶体管可用作PNP以及NPN器件。 我们在下图中比较了这两个。 区别在于基极发射极二极管结的极性,如原理图发射极箭头的方向所示。 它沿着电流指向与结型二极管的阳极箭头相同的方向。 参见二极管结,上图。 箭头和棒的点分别对应于P型和N型半导体。 对于NPN和PNP发射器,箭头分别指出和指向底部。 集电极上没有示意图箭头。 但是,与二极管相比,基极-集电极结与基极-发射极结具有相同的极性。 注意,我们说的是二极管,而不是电源,极性。

    在这里插入图片描述
    比较(a)处的NPN晶体管和(b)处的PNP晶体管。 注意发射器箭头的方向和电源极性。

    与NPN晶体管相比,PNP晶体管的电压源是反向的,如上图所示。 在两种情况下,基极-发射极结必须正向偏置。 与NPN的正(a)相比,PNP晶体管的基极偏置为负(b)。 在这两种情况下,基极-集电极结都是反向偏置的。 对于NPN晶体管,PNP集电极电源为负,而正则为负。

    在这里插入图片描述

    双极结型晶体管:(a)分立器件截面,(b)原理图符号,(c)集成电路截面。

    请注意,如上图(a)所示,BJT在发射极中掺杂很重,如N +标记所示。基极具有正常的P掺杂水平。基极比未按比例显示的横截面要薄得多。如N-符号所示,集电极是轻掺杂的。集电极需要轻掺杂,以使集电极-基极结具有高击穿电压。这转化为允许的高集电极电源电压。小信号硅晶体管的击穿电压为60-80V。不过,对于高压晶体管,它可能会达到数百伏。如果晶体管必须处理高电流,则还需要重掺杂集电极以最大程度地减少欧姆损耗。通过在金属接触区域更重地掺杂集电极,可以满足这些矛盾的要求。与发射极相比,靠近基极的集电极要轻掺杂。发射极中的重掺杂使小信号晶体管的发射极基极具有大约7 V的低击穿电压。重掺杂的发射极使发射极-基极结具有齐纳二极管的反向偏置特性。

    BJT芯片是一块切片和切块的半导体晶片,被集电极向下安装到功率晶体管的金属外壳中。即,金属壳电连接至集电极。小信号管芯可以封装在环氧树脂中。在功率晶体管中,铝焊线将基极和发射极连接到封装引线。小信号晶体管管芯可以直接安装到引线。可以在称为集成电路的单个管芯上制造多个晶体管。甚至可以将集电极粘接到引线上而不是外壳上。集成电路可以包含晶体管和其他集成组件的内部布线。如上图(c)所示,集成的BJT比“不按比例绘制”图纸要薄得多。 P +区将单个管芯中的多个晶体管隔离。铝金属化层(未示出)将多个晶体管和其他组件互连。发射极区被重掺杂,与基极和集电极相比,N +重,以提高发射极效率。
    分立的PNP晶体管的质量几乎与NPN晶体管一样高。然而,在同一集成电路芯片中,集成的PNP晶体管不如NPN品种好。因此,集成电路尽可能多地使用NPN。

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    双极晶体管利用同一器件中的电子和空穴传导电流。
    双极晶体管作为电流放大器的工作要求将集电极-基极结反向偏置,并将发射极-基极结正向偏置。
    晶体管与一对背对背二极管的区别在于基极(中心层)非常薄。这允许来自发射极的多数载流子作为少数载流子通过基极扩散到基极-集电极结的耗尽区,在那里强电场将它们收集起来。
    与集电极相比,更重的掺杂提高了发射极效率。发射效率:α= IC / IE,小信号设备为0.99
    电流增益为β= IC / IB,对于小信号晶体管为100至300。

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    FPGA/IC技术交流2020

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  • 三极管分为NPN和PNP,常用的为NPN,以下都以NPN为例。 三极管有三个电极,发射极、基极、集电极,分别位于发射区、基区、集电区。发射区为高掺杂浓度N硅,基极为很薄的P硅,集电区为掺杂浓度较低的N硅,...

    三极管分为NPN型和PNP型,常用的为NPN型,以下都以NPN型为例。

    三极管有三个电极,发射极、基极、集电极,分别位于发射区、基区、集电区。发射区为高掺杂浓度N硅,基极为很薄的P硅,集电区为掺杂浓度较低的N硅,这种结构为三极管能够起到放大作用的基础。

    图中以共基极为例,输入电路为Vee,输出电路为Vcc,通常Vee接有模拟信号源作为输入,通过三极管放大后由Vcc输出。

    想要使三极管起到放大效果,需要使发射结正偏,集电结反偏。即电子由高掺的发射区扩散到基区,形成电流Ien,部分电子在P型的基区与空穴复合形成复合电流Ibn,同时基区的空穴也向发射区扩散,由于发射区电子掺杂浓度高且较厚,扩散过来的空穴基本全部与电子复合形成复合电流Iep。而扩散到基区电子,在外加电场与载流子浓度差的作用下,很容易穿过基区并到达集电区,形成扩散电流Icn。同时,由于基区与集电区的PN结反偏,在内建电场的作用下发生少子的漂移,形成漂移电流Icbo。

    各电流关系如图中所写。

     

    放大系数

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  • 虽然二极管是很有用的器件,但它不...现代的双极型晶体管稍微有点不同,但工作原理还是一样的。 图1.18中也画出了两种晶体管的电路符号。发射极上的箭头表明了发射极-基极正向偏置情况下电流的流向。虽然集电极和基
  • 双极结型晶体管是模拟电路中一种重要的有源器件,多用于对微弱模拟小信号进行放大。本文详细介绍双极结型晶体管工作原理、输入和输出特性、电路模型、密勒定理,并在此基础上说明双极结型晶体管的直流偏置办法。
  • 双极结型晶体管(BJT或者双极性晶体管、俗称三极管)是一种晶体管,它的原理是依靠于两种半导体间的接触。BJTs可以用于放大器电路、开关电路或者振荡电路中。BJTs也可以被用于单独的独立元件或者集成电路中。
  • 模电学习笔记_双极型晶体管及其放大电路(1)

    千次阅读 多人点赞 2020-04-11 16:48:01
    1.1 双极型晶体管          一.晶体管的工作原理 晶体管具有放大作用所需的内部条件         ①基区很薄...

    1 基本知识点

            

    1.1 双极型晶体管

            

    一.晶体管的工作原理

    1. 晶体管具有放大作用所需的内部条件
              ①基区很薄,且掺杂浓度很低;
              ②发射区的掺杂浓度远大于基区和集电区的掺杂浓度;
              ③集电结结面积大。

    2. 晶体管具有放大作用所需的外部条件
              发射结正偏、集电结反偏。(NPN下,VB>VE,VB<VE)

    3. 晶体管在放大状态下的载流子传输过程和3个电极电流表达式
              IE = IC + IB
               α = IC/IE 取值0.95~0.99
               β = IC/IB 取值几十到几百

    4. 根据电压判断三极管类型

      1. B极的电压位于中间
      2. E极与B极电压相差0.7V或0.2V
        2.1 若相差0.7V,为硅管
        2.2 若相差0.2V,为锗管
      3. PNP&&NPN
        3.1 VBE为正,NPN
        3.2 VBE为负,PNP

    二.晶体管的静态特性曲线

    1. 共射输入特性曲线
      在这里插入图片描述
      类似于二极管的伏安特性,只是在Vce增加时,特性曲线会稍向右移动。

    2. 共射输出特性曲线
      输出特性曲线分为四个工作区:
      在这里插入图片描述
      (1)饱和区
              特点:iC受VCE影响,VCE略增,则iC增加很快。
       
      (2)放大区一曲线基本水平稍有上翘(原因:基区调宽效应)
              特点:满足iC=βiB+ICEO,具有正向控制作用。由于基区宽度调制效应,曲线随vCE的增加而稍有上翘,其延长线交于厄尔利电压VA,用输出电阻rce来表示其上翘程度为
      在这里插入图片描述
      在这里插入图片描述
       
      (3)截止区一近似为 iB=0以下的区域。
       
      (4)击穿区
              当vCE增大到一定值时,集电结发生雪崩击穿。

    三.温度对晶体管特性曲线的影响

            温度上升时,发射结正向电压降vBE 减小,反向饱和电流ICBO和电流放大系数β增大,使得晶体管输入特性曲线左移,输出特性曲线上移且曲线间隔增大
    在这里插入图片描述

    四.晶体管的参数

    1. 电流放大系数
       
      1.1 共射直流电流放大系数
      在这里插入图片描述
      1.2 共射交流电流放大系数(又称短路电流放大系数)
      在这里插入图片描述
      1.3 共基直流电流放大系数
      在这里插入图片描述
      1.4 共基交流电流放大系数
      在这里插入图片描述
      ★工程上,通常不再区分交流电流放大系数和直流电流放大系数,都用α和β表示。
       
      1.5 α与β的关系
      在这里插入图片描述在这里插入图片描述
    2. 极间反向电流
       
      2.1 反向饱和电流ICBO
              ICBO表示发射极开路时集电结的反向饱和电流
      2.2反向饱和电流IEBO
              IEBO表示集电极开路时发射结的反向饱和电流
      2.3穿透电流ICEO
              ICBO表示基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流
      在这里插入图片描述
    3. 极限参数
       
      3.1 集电极最大允许电流ICM(工作时应小于其值)
              一般取β下降至最高值的2/3时所对应的集电极电流
              
      3.2 反向击穿电压:(工作的最高值应小于其70%)
              V(BR)CBO:发射极开路,集电极与基极之间允许加的最高反向电压
              V(BR)CEO:基极开路,集电极与发射极之间允许加的最高电压
              V(BR)EBO:集电极开路,发射极与基极之间允许加的最高反向电压
              
      3.3 集电极最大允许功率损耗PCM(工作时应小于其值,必要时加散热片、风冷、油冷等)
       
    4. 高频参数
       
      4.1 共基截止频率fα
              α随工作频率的升高而下降,当降为α0的0.707倍时所对应的频率
              
      4.2 共射截止频率fβ
              β随工作频率的升高而下降,当降为β0的0.707倍时所对应的频率
              
      4.3 特征频率fT
              β随工作频率的升高而下降,当降为1时所对应的频率
      在这里插入图片描述
      准确:fα>fT>fβ

    2 易错点总结

    1)有一PNP型三极管的发射结正偏、集电结正偏,则基极电位最低。

    2)PNP型晶体管工作在饱和区时,发射结和集电结都正偏。

    3)厄尔利(Early)电压反映的是晶体管的基区调宽效应。

    4)两个三极管的β值的参数对称性看二者比值与1比较,越接近于1,参数对称性越好。

    5)某放大电路在负载开路时的输出电压为12V,接入9k欧姆的负载电阻后输出 电压降为 9V,这说明放大电路的输出电阻为3k欧姆,若将负载电阻改为21k欧姆,则负载上的电流大小为0.5mA。

    6)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路的条件下测得A的输出电压大,这说明A的输入电阻大。

    7)给放大电路设置合适直流工作点的目的是保证晶体管始终工作在放大区。

    8)三极管的结构特点有基区很薄、发射区的掺杂浓度很大、集电结结面积大。

    9)设有一NPN型三极管的发射结正偏、集电结反偏,则集电极电位最高,发射极电位最低。

    10)放大电路的有效输入信号必须加在发射结上。

    11)分析放大电路时,通常应该采用先直流后交流的方法。

    12)双极型晶体管处于放大状态时,iC和ib是线性关系;iC和VBE是指数关系;ΔiC和ΔVBE是线性关系。

    13)通常的晶体三极管在集电极和发射极互换使用时,不再有较大的电流放大作用。

    14)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

    15)在放大区内,共发射极输出特性曲线基本水平略有上翘,说明此时输出电压VCE变化时,输出电流iC基本不变。

     
    后置:模电学习笔记_双极型晶体管及其放大电路(2)

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  • 晶体管基础

    模拟电子之晶体管基础(三极管)

    三极管分为NPN管和PNP管,N是英文Negative(负)的意思,指N型半导体,在4价的硅材料中参杂少量的5价元素砷、磷等;形成N型半导体。P是英文Positive(正)的意思,指P型半导体;在4价的硅材料中参杂少量的3价元素硼等;形成P型半导体。NPN晶体管,是指在晶体管结构中有两个N型半导体和一个夹在中间的P型半导体;PNP型晶体管和NPN管正好相对,是由两个P型半导体中间夹杂着一个N型半导体;如左图所示。这个结构很想是肉夹馍一样,图的上部分是晶体管的结构图下半部分是对应的晶体管的符号。每个晶体管

    都有三个管脚,分别叫基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。如右图所示基极(b)最好辨认,另外两个电极带箭头的是发射极(e),不带箭头的是集电极(e);直观的看结构图 可以看出b和e组成了一个PN结,b和c也组成了一个PN结,分别叫发射结和集电结;区分两种类型的晶体管是看发射机的箭头朝外是NPN型管子,反之朝内就是PNP管子。

    晶体管的基本电流关系,看下图所示,

    从图中可以看出电流的方向按照发射极的方向,对于NPN管子发射极ie的电流是流出的,那么根据电路的定理流出的电流等于流入的电流,所以ib 和ic就定义为流入电流,也就有ie=ib+ic的基本电流关系,对于PNP晶体管发射极电流是流入的,而基极和集电极是流出的。对于电位的定义,对于NPN管来说基极是P型半导体,定义基极电位ub减去发射极电压ue为发射结电压,,写作ube,此电压为正值的时候PN结才处于导通状态;而对于PNP管子则是相反的,基极是N型半导体,定义发射极电位ue减去基极电位ub为发射结电压,写作ueb,此值为正值的时候才能让发射结处于导通状态。

    看完这些概念得出基本的电流关系:ib+ic=ie   不管是NPN管还是PNP管都满足这个关系的,是依据电路的基尔霍夫电流定律的;如果晶体管处于放大状态,它的集电极电流ic唯一受控于基极电流ib,而与c、e两端的电压uce无关,所以ic于ib的电流关系为ic=\beta ib的关系,再由这两个基本公式推出ie的电流ie=(1+\beta )ib =( (1+\beta )*ic)/\beta;对于公式中的\beta为晶体管的放大倍数,不同的晶体管的放大倍数不同,在几十到几百的都有。

    从上文中给出了三极管的定义,类型区分,电流、电压的参考方向;接下来看看晶体管的工作原理。

    从电路分析里我们学过几种将信号放大的类型比如电压控制电压源--压-压受控源(VCVS)、电流控制控制电压源--流-压受控源(CCVS)、电流控制电流源(CCCS)、电压控制电流源(VCCS)四种类型。模型如下图所示:

     理论上这四种方法都能做到放大的功能,但是都有一定的局限性,比如电压控制电压源放大,现在实现的是变压器,它只能放大高频信号,对于低频信号就无能为力了,电流控制电压的目前我没有用过所以我也只是看书上有这么个理论;对于电流控制电流放大一定的电压信号从图的section1-3可以看出,左边控制电压源流过电阻产生电流控制,控制电压的大小就能控制电流的大小,简单的欧姆定律,i=u/r,右边是输出的电流iout流过电阻rl就可以得到相应的放大电压信号。电压控制电流源进行信号放大的原理和电流控制电流放大信号是一样的。

    从这四种模型中知道电压控制电压实现的方法是变压器,而电流控制电流源实现放大的就是本文的主要角色三极管也叫双极型晶体管,至于电压控制电流源的模型器件就场效应管了也有两种类型分别为N型和P型。下图是给出的双极型晶体管的模型图:

     以上便是晶体管的基本内容了。本来应该连和晶体管的伏安特性曲线也一起做学习记录的,但是知识点的量有点多,后续单独写一遍具体介绍。

    注:本文的资料参考模拟电子相关书籍,纯属个人学习记录分享出来。

     

     

     

     

     

     

     

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    千次阅读 2021-02-08 13:38:33
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    千次阅读 2018-01-12 10:52:20
    转载路径 ...与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。  晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有
  • 针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要失效机理,特别是键合引线失效过程,采用高速红外热成像仪对键合引线失效过程的温温度场分布实时探测试验,同时对IGBT模块电气与传热特性进行监控,发现IGBT在高温与高温度...
  • 绝缘栅双极晶体管IGBT

    千次阅读 2020-02-04 11:11:23
    ■GTR和GTO是双极型电流驱动器件,由于具有电导调制效应,其通流能力很强,但开关速度较...绝缘栅双极晶体管(Insulated-gateBipolar Transistor——IGBT或IGT)综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有良好的特性。 I...
  • 双极型与MOS半导体器件原理

    热门讨论 2009-10-09 18:28:23
    双极型与MOS半导体器件原理 1.半导体器件的物理基础 2.p-n 3.晶体管的直流特性 4.晶体管的频率特性和功率特性 5.晶体管的开关特性 6.半导体表面特性及MOS电容 7.MOS场效应晶体管的基本特性 8.MOS功率场效应晶体管...
  • 图 1.1.2 NPN型晶体管的共射输出特性曲线 实际上,输出特性曲线是这样测的(下图)。可以很清楚的看到,想改变 ,那么必须调节 (或者调节电阻,下图未画出电阻),正因此,上述等式并不能保证 增大时一定减小,...
  • 前置:模电学习笔记_双极型晶体管及其放大电路(4) 2.7 差分放大电路 1.基本介绍:差分(差动)放大电路,简称差放,基本特点是放大差模信号、抑制共模信号(抑制零点漂移或温度漂移)。 2.零点漂移现象(也称温度...
  • 众所周知,一个普通的双极型晶体管有二个PN、三种工作状态(截止、饱和、放大)和四种运用接法(共基、共发、共集和倒置)。对这两个PN所施 加不同的电位,就会使晶体管工作于不同的状态:两个PN都反偏——...
  • 晶体管作为开关的工作原理

    千次阅读 2020-04-04 11:55:13
    这篇介绍晶体管的文章写的很好 晶体管基础知识 晶体管作为开关的工作原理 令人惊讶的是,首个可运行晶体管...晶体管又称双极结型晶体管 (BJT),是由电流驱动的半导体器件,用于控制电流的流动,其中,基极引线中的较...
  • 文章目录一、BJT1-1 BJT结构简介1-2放大状态下BJT的工作原理1-2-1 BJT内部载流子的传输过程1-2-2 BJT的电流分配关系1-3 BJT的I-V特性曲线(共射极连接)1-4 BJT的主要参数1-5 温度对BJT参数及特性的影响二、基本共射...
  • 具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应...
  • 它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,...
  • 三极管工作原理详解

    万次阅读 多人点赞 2019-05-09 19:06:35
    半导体三极管,又称为双极结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT)。 广义上,三极管有多种,常见如下图所示 。 狭义上,三极管指双极型三极管,是最基础最通用的三极管。 本文所述的是狭义三极管,它有很多...
  • 多发射极晶体管和多集电极晶体管

    千次阅读 2018-06-12 14:35:38
    转载自:http://blog.163.com/xmx028@126/blog/static/13164607120121473132675/在单片集成电路...(1)多发射极晶体管:多发射极晶体管就是把多个发射做在同一个发射区中的晶体管,实际上也就是多个晶体管并联在...

空空如也

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双极结型晶体管的工作原理