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  • 出处:MOS/CMOS集成电路简介及 N沟道 MOS管和 P沟道 MOS管  mos管,分为N沟道和P沟道两种  由于NMOS的导通电阻小,而且易于制造。根据MOS管原理图可MOS管中导通性NMOS的特性,Vgs大于某一值将被导通,适用于源...

     出处:MOS/CMOS集成电路简介及 N沟道 MOS管P沟道 MOS管

      mos管,分为N沟道和P沟道两种

      由于NMOS的导通电阻小,而且易于制造。根据MOS管原理图可MOS管中导通性NMOS的特性,Vgs大于某一值将被导通,适用于源极接地情况(低4V或10V)。其特点是Vgs小于一定值时会导通,适用于源极与VCC连接时,PMOS可方便地作为高端驱动,但由于导通电NMOS。

      开关管损失不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个MOS管MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端电压有MOS管损耗,是导通瞬间电压和电流的乘积,损耗很大。缩短开关时间,可以管驱动跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的/设计MOS管驱动时第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的MOS管。

      集成电路的特点是产量高、功耗低、逻辑电路相对简单。集成度高。集成电路包括由管道组成的NMOS电路、由PMOS管道组成的PMOS电路和由NMOS和PMOS管道组成的MOS电路,即CMOS电路。

      门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为这样不仅节省了硅片面积,而且简化了工艺利于大规模集成。常用的1所示。

    N沟道和P沟道耗尽型MOS管

      沟MOS晶体管

      -氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。

      p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOSn沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产n沟道MOS管。

      集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需因此,CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS5V为多。CMOS集成电路只要选用与集成电路相同的电源,就可与NMOS集成电路直接连接。不过,从NMOS到直接连接时,由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平,R,R的取值一般选用2——100KΩ。

      沟道增强型MOS管的结构P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属d和源极s。(SiO2)绝缘层,在漏——源极间的绝,作为栅极g。B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源(大多数管子在出厂前已连接好)。

      (a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图(c)所沟道增强型MOS管的工作原理1)vGS对iD及沟道的控制作用1(a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极iD≈0。vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负),形成耗尽层。吸引电子:将P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表2)导电沟道的形成:vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,1(b)所示。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故1(c)所示。随着VGS的增大,作用在半导体表面的电场越强,吸收的基片表面电子越多,沟道越厚,沟道电阻越小。

      VT表示。N沟道MOS管在vGS<VT时,不能形成导电沟道,管子处于截止状态。vGS≥VT时,才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的管称为增强型MOS管。

    沟道形成以后,在漏——源极间加上正向电压vDS,对iD的影响 (a)所示,当vGS>VT且为一确定值时,漏——源电压vDS对导电沟道及电流的影响与结型场效应管相似。iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近VGD=vGS——,因而这里沟道最薄。但当vDS较(vDS<vGS–VT)时,它对沟道的影响不vGS一定,沟道电阻几乎也是一定的,所以iD随vDS近似呈线性vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,当vDS增加到使VGD=vGS——或vDS=vGS——VT)时,沟道在漏极一端出现预夹断,如图2(b)所示。再继vDS,夹断点将向源极方向移动,如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几iD几乎不随vDS增大而增加,管子进入饱和区,iD几vGS决定。

      沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数

      1) 特性曲线和电流方程  )输出特性曲线 沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输)转移特性曲线 1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几,所以可用vDS大于某一数值(vDS>vGS-VT)后的一条转移特性曲线.)iD与vGS的近似关系 ,iD与vGS的近似关系式为 IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

      2)参数

      管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压,而用开启电压VT表征管子的特性。

      沟道耗尽型MOS管的基本结构

      1)结构:

      沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。

      2)区别:

      MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要vGS≥VT时才出现导电沟道。

      3)原因:

      N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0在这些正离子产生的电场作用下,漏——源极间的P型衬底表面也能感应生N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。

      vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道iD增大。反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟iD减小。当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型。沟道消失时的栅——源电压称为夹断VP表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断VP也为负值,但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0,VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制,而且仍能保持栅——源极间,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

      图(b)、分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号。

      4)电流方程:

      MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同,即:沟MOS晶体管 (MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现PMOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

      N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体PMOS晶体管。

      沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆NMOS电路(见沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采PMOS电路技术。

      集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直一般CMOS的电源电压选择在10——12V就能满足PMOS对输入电平的场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模。

     

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  •  【电路】MOS管-N场效应管双向电平转换电路--适用于低频信号电平转换的简单应用  如上图所示,是MOS管-N场效应管双向电平转换电路。    双向传输原理:  为了方便讲述,定义3.3V为A端,5.0V为B端。  A端...

     

      【电路】MOS管-N场效应管双向电平转换电路--适用于低频信号电平转换的简单应用

      如上图所示,是MOS管-N场效应管双向电平转换电路。

            

      双向传输原理:

      为了方便讲述,定义3.3V为A端,5.0V为B端。

      A端输出低电平时(0V),MOS管导通,B端输出是低电平(0V)

      A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)

      A端输出高阻时(OC),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)

            

      B端输出低电平时(0V),MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输出是低电平(0V)

      B端输出高电平时(5V),MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)

      B端输出高阻时(OC),MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)

            

      优点:

      1、适用于低频信号电平转换,价格低廉。

      2、导通后,压降比三极管小。

      3、正反向双向导通,相当于机械开关。

      4、电压型驱动,当然也需要一定的驱动电流,而且有的应用也许比三极管大。

             

      

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  • n沟道mos管做电平转换

    千次阅读 2019-03-09 19:52:17
    常用的n沟道mos管 NCE2304 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。 双向传输原理: 为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端。 A端输出低电平时(0V),MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端...

     


    常用的n沟道mos管 NCE2304 

    如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。 
    双向传输原理:

    为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端。

    A端输出低电平时(0V),MOS管导通,B端输出是低电平(0V)  
    A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)  
    A端输出高阻时(OC),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)  

    B端输出低电平时(0V)  ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输出是低电平(0V)  
    B端输出高电平时(5V)  ,MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)  
    B端输出高阻时(OC)    ,MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)  

    优点: 
    1、适用于低频信号电平转换,价格低廉。 
    2、导通后,压降比三极管小。 
    3、正反向双向导通,相当于机械开关。 
    4、电压型驱动,当然也需要一定的驱动电流,而且有的应用也许比三极管大
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    原文:https://blog.csdn.net/sdkdlwk/article/details/76653115 
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    本文转自一个STM32的论坛:http://www.openedv.com/posts/list/917.htm#

         当我们在使用3.3V的单片机(比如STM32)的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3V转5V,或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!)。电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下:

     

        上图中,S1,S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压。另外限制条件为:
    1,VCC_S1<=VCC_S2.
    2,S1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定).
    3,Vgs<=VCC_S1.
    4,Vds<=VCC_S2
       对于3.3V和5V/12V等电路的相互转换,NMOS管选择AP2306即可.原理比较简单,大家自行分析吧!此电路我已在多处应用,效果很好。

     

    这里面还有很多网友讨论。这里就不贴出来了。

    https://blog.csdn.net/dmfylb/article/details/72771179

     

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    在使用了3.3V的单片机之后,相信大家会经常困扰于3.3V和5V的电平双向转换怎么解决了,我这里有个电路,在IIC等通信中效果显著
     

    我在项目中用的NMOS管型号是AP2306,很多型号的NMOS管都能满足的。
    原理分析:(VCC_S1 = 3.3;          VCC_S2 = 5/12)
    当S1(3.3)输出高电平,NMOS管截止,S2 = 5V;
    当S1(0)输出低电平,NMOS导通,S2 = 0V;

    反过来,
    当S2(5)输出高电平,NMOS管截止,S1 = 3.3V
    当S2(0)输出低电平,NMOS管从NMOS内部的二极管导通,S1 = 0V


    当然,这个需要一定的条件,以下是条件分析:
    1:S1为低电压部分(3.3V),S2为高电压部分(5V)
    2: 从S1到S2的方向,当S1 = 3.3V,VGS < VGSth(导通电压) ,NMOS关断,S2 = 5V(高电平)
    3,从S1到S2的方向,当S1 = 0时,VGS>VGSth,NMOS导通,S2 = 0;
    4,返过来,从S2到S1的方向,当VS1 = 3.3V,S2 = 0,通过NMOS内部二极管导通,与S1,S2形成回路,S1 = 0(S1此时要大于0.7V,如果单片机本身低电平是低于0.7V,可以并联一个0.3V导通的二极管)

    这个电路,是从别人那里参考的,统一来源于IIC协议通信里面,当两器件主从互换,双向通信,然后电平不均的时候,此电路就发挥了极大的效果,不需要专门的电平转换芯片,省钱,更省力。
    如何你想用三极管实现单向电平转换的,可以参考鸿哥分享的电路图[原创] 如何用三极管实现5V转3.3V或者3.3V转5V的单向电平转换?已解答。
     

    http://www.dumenmen.com/thread-880-1-1.html

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  • N沟道增强型场效应的工作原理 工作原理: 1、栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时,因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离,因此,即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) ...

    N沟道增强型场效应管的工作原理

    工作原理:

    1、栅源电压V(GS)的控制作用:

    当V(GS)=0V时,因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离,因此,即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) (开启电压)时,通过栅极和衬底间的电容作用,将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥,同时,使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层,并与空穴复合而消失,结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通,处于截止状态。

    当V(GS)>V(T)时,衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层,使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量,该薄层转换为N型半导体,称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的V(GS)值称为该管的开启电压V(T)。这时,若在漏源间加电压V(DS),就能产生漏极电流I(D),即管子开启。V(GS)值越大,沟道内自由电子越多,沟道电阻越小,在同样V(GS) 电压作用下,I(D)越大。这样,就实现了输入电压V(GS)对输出电流I(D)的控制。

    2、漏源电压V(GD)对沟道导电能力的影响:

    当V(GD)>V(T)且固定为某值的情况下,若给漏源间加正电压V(DS)则源区的自由电子将沿着沟道漂移到漏区,形成漏极电流I(D),当I(D)从DS流过沟道时,沿途会产生压降,进而导致沿着沟道长度上栅极与沟道间的电压分布不均匀。源极端电压最大,为V(GS) ,由此感生的沟道最深;离开源极端,越向漏极端靠近,则栅—沟间的电压线性下降,由它们感生的沟道越来越浅;直到漏极端,栅漏间电压最小,其值为: V(GD)=V(GS)-V(DS) , 由此 感生的沟道也最浅。可见,在V(DS)作用下导电沟道的深度是不均匀的,沟道呈锥形分布。若V(DS)进一步增大,直至V(GD)=V(T),即V(GS)-V(DS)=V(T)或V(DS)=V(GS)-V(T)时,则漏端沟道消失,出现预夹断点。

    当V(S)为0或较小时,V(GD)>V(T),此时VDS 基本均匀降落在沟道中,沟道呈斜线分布。当VDS增加到使VGD=VT时,漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况,称为预夹断。源区的自由电子在VDS电场力的作用下,仍能沿着沟道向漏端漂移,一旦到达预夹断区的边界处,就能被预夹断区内的电场力扫至漏区,形成漏极电流。当VDS增加到使VGD<VT时,预夹断点向源极端延伸成小的夹断区。由于预夹断区呈现高阻,而未夹断沟道部分为低阻,因此, VDS增加的部分基本上降落在该夹断区内,而沟道中的电场力基本不变,漂移电流基本不变,所以,从漏端沟道出现预夹断点开始, ID基本不随VDS增加而变化。

      原理:两来种沟道都自是利用多数载流子的定向移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失。

    增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通。

      场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称,由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,也称为单极性场效应管,是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件,场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点,而且输入回路的内阻高达107~1012Ω,噪声低,热稳定性好,抗辐射能力强,且比后者耗电省,这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。

    P沟道增强型场效应管导通条件

    P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。

    栅极电位比漏极电位低得越多,shu就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。

    结型场效应管只有(耗尽型);MOS管有(增强型)和(耗尽型)。

    增强型:就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道,只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。

    耗尽型:就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。

    什么是N沟道增强型MOS管的开启电压?如何判断MOS管所处的工作状态?

    NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数。电压在范围内一般就导通,电压值不够不导通。

    开启电压就是阈值电压,使得源极和漏极之间开始形成导电沟道所需的栅极电压,MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。你可以通过检测电流来判断工作状态。

    模电场效应管N沟道增强型MOS管当Ugd增大时为什么会出现预夹断?

    前面出现沟道那段想必你已经很熟悉了。这个问题,你最好把模电书拿出来,翻到MOSFET的结构那张图shu。对于N沟道增强型MOSFET而言,只要UGS>UGS(th),就会出现反型层,也就是在S、D两个高浓度掺杂区之间出现N区,N沟道由此得名。

    然后在UDS之间加了电压,这里你注意,D是连接电源正极,根据电子带负电的特性,既然D是正极,在电场力作用下,反型层中的电子就会被吸引到电源正极D,越靠近S,电场能量越小,吸引力越弱,这就导致了反型层在D端比较窄,而在S端比较宽的情况,如果UDS继续增大,电场越强,吸引电子能力越强,反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区,这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况,也就是夹断区出现了。

    N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么?

    1.N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似,不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同,因此导致加在各极上的电压极性相反。应用得最多的是N沟道增强型MOS管

    2.N沟道增强型MOS管的工作原理:

    N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?

    1、NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数。

    2、耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数。也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数。

    转载:http://www.tdldz.com/newsData_824.html

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  • 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载...
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    万次阅读 2013-09-05 15:12:47
    【电路】 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 (原文件名:MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.jpg) ...A端输出低电平时(0V) ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端输出
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    MOS管也就是常说的场效应管(FET),有结型场效应管、绝缘栅型场效应管(又分为增强型和耗尽型场效应管)。也可以只分成两类P沟道和N沟道,这里我们就按照P沟道和N沟道分类。对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下...
  • MOS管基础知识

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    场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型,MOSFET应用广泛,结型管(JFET)几乎不用,MOSFET一般称MOS管。 MOSFET有增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两大类,增强型和耗尽型每一类下面都有...
  • 目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道...
  •  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不...
  • MOS管串联

    千次阅读 2020-06-05 17:53:37
    MOS管串联 I-V曲线本来应该一样,但是由于effL,PSE的存在,以及间接导致的DIBL,都会让这两个曲线有区别 长沟道器件,两者近似。短沟道器件差别大。 其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。 使用两个(或多个)串联...
  • 详述MOS管驱动电路的五大要点

    千次阅读 2018-11-27 14:04:00
     在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不...
  • MOS管开关电路

    万次阅读 2018-05-10 11:02:16
    MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4...
  • MOS管原理用法

    2017-01-13 21:39:58
    重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创。如有错误还请多多指点!   先上一张图     一、 一句话MOS管工作原理  NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),...
  • MOS管功率放大电路图和互补推挽结构分析 功率放大电路在电子电路设计中通常作为多级放大电路的输出级来使用,通过对其输出信号进行放大,从而提高其带负载的能力,为下一级电路提供更大的推力,比如驱动仪表,使指针...
  • MOS管驱动电路详解

    千次阅读 2018-09-30 10:00:30
    一、MOS管驱动电路综述 本文引用地址: http://power.21ic.com//ldo/technical/201512/45022.html  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也...
  • MOS管的正确用法

    万次阅读 2018-11-06 10:19:03
    1 三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型...有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS...
  • 使用MOS管实现的防电源反接电路,在电源正确接入时,电源正常对负载供电。在电源正负极反接时,断开负载电路,从而保护负载。
  • MOS管 电源防反接

    千次阅读 2018-11-30 11:50:19
    图3利用了MOS管的开关特性,控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在 MOSFET Rds(on)已经能够做到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。...
  • MOS管应用介绍

    千次阅读 2019-10-08 13:49:56
    1、 MOS管的分类 1) MOS管从类型看:分为NMOS和PMOS; 2) 从功率等级上看:分为逻辑MOS和功率MOS。逻辑MOS的特点是VGS门级导通电压较低,以2N7002为例,初始导通电压为1V~3V,一般参与数字电路、驱动电路等小功率...
  • 基于MOS-N 场效应的双向电平转换电路 一、双向电平转换电路,如下图所示,是MOS-N场效应双向电平转换电路,R2和R3可根据实际情况添加或去除。适用于低频信号电平转换,价格低廉。导通后,压降比三极管小。正...
  • MOS管的工作原理及常见的封装(看完必会)

    万次阅读 多人点赞 2019-01-13 14:26:07
    MOS管的工作原理及常见的封装目录 MOS管的概述 MOS管的性能 MOS管的管脚及常见封装识别 MOS管的导通条件 加强理解MOS管 ...市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而...
  • MOS管电流方向能反吗?体二极管能过多大电流?

    千次阅读 多人点赞 2021-08-17 20:38:27
    1、MOS管导通电流能否反着流?D到S,S到D方向随意? 2、MOS管体二极管能过多大的电流? 为啥会有这两个问题? 我们在最开始学习MOS管的时候,应该都是从NMOS开始的,电流的方向都是从D到S的。 而实际应用...
  • 单N沟道低压MOS场效应

    千次阅读 2020-10-31 18:27:36
    单N沟道低压MOS场效应 型号 沟道 VDS (Max) VGS VTH (Typ) ID (Max) IDM RDS(on) (Max) 封装 直接替代型号 HM2302/A N沟道 20V 10V 0.7V 3A 10A ...
  • MOS管开关设计知识-(五种MOS管开关电路图方式)

    万次阅读 多人点赞 2019-02-25 16:03:04
    在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不...

空空如也

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双沟道mos管