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  • 发光二极管之三——结构图

    千次阅读 2012-10-15 20:56:21
  • 一般发光二极管内部只封装一个管芯,它只能发出单一色的光。变色发光二极管则封装不两个管芯,一个管芯为红光材料,另一个管芯为绿光材料,如图1所示。 图1变色发光二极管的结构图  图1(a)所示的变色发光...
  • 发光二极管

    2021-04-23 10:28:58
    发光二极管型号有哪些? 通俗单色发光二极管 通俗单色发光二极管具有体积孝工作电压低、工作电流孝发光均匀不变、响应速度快、寿命长等优点,可用各种直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。它属于电流控制型半导体器件,...

    发光二极管型号有哪些?

    通俗单色发光二极管
    通俗单色发光二极管具有体积孝工作电压低、工作电流孝发光均匀不变、响应速度快、寿命长等优点,可用各种直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。它属于电流控制型半导体器件,应用时需串接合适的限流电阻。常用的国产通俗单色发光二极管有BT(厂标型号)系列、FG(部标型号)系列和2EF系列。常用的进口通俗单色发光二极管有SLR系列和SLC系列等。

    高亮度发光二极管
    高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管应用的半导体材料与通俗单色发光二极管不同,所以发光的强度也不同。平日,高亮度单色发光二极管应用砷铝化镓(GaAlAs)等材料,超高亮度单色发光二极管应用磷铟砷化镓(GaAsInP)等材料,而通俗单色发光二极管应用磷化镓(GaP)或磷砷化镓(GaAsP)等材料。

    变色发光二极管
    变色发光二极管是能变换发光色彩的发光二极管。变色发光二极管发光色彩种类可分为双色发光二极管、三色发光二极管和多色(有红、蓝、绿、白四种色彩)发光二极管。变色发光二极管按引脚数量可分为二端变色发光二极管、三端变色发光二极管、四端变色发光二极管和六端变色发光二极管。常用的双色发光二极管有2EF系列和TB系列,常用的三色发光二极管有2EF302、2EF312、2EF322等型号。

    电压控制型发光二极管
    通俗发光二极管属于电流控制型器件,在应用时需串接恰当阻值的限流电阻。电压控制型发光二极管(BTV)是将发光二极管和限流电阻集成制造为一体,应用时可直接并接在电源两端。

    红外发光二极管
    红外发光二极管也称红外线发射二极管,它是可以将电能直接转换成红外光(不成见光)并能辐射出往的发光器件,重要应用于各种光控及远控发射电路中。红外发光二极管的结构、道理与通俗发光二极管邻近,只是应用的半导体材料不同。红外发光二极管平日应用砷化镓(GaAs)、砷铝化镓(GaAlAs)等材料,采用全透明或浅蓝色、玄色的树脂封装。
    常用的红外发光二极管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。

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    二极管(Diode)

    算是半导体家族中的分立元器件中最简单的一类,其最明显的性质就是它的单向导电特性,就是说电流只能从一边过去,却不能从另一边过来(从正极流向负极)。本文从二极管的分类、命名方法,到常用二极管的特点及选用。也是模拟电路基础的,第一课内容。

    一、基础知识
    1、二极管的分类

    二极管的种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管);按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

    根据二极管的不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。

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    2、二极管的型号命名方法

    (1)按照国产半导体器件型号命名方法:二极管的型号命名由五个部分组成:主称、材料与极性、类别、序号和规格号(同一类产品的档次)。

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    (2)日本半导体器件命名型号由以下5部分组成:

    第一部分:用数字表示半导体器件有效数目和类型;“1”表示二极管,“2”表示三极管。

    第二部分:用“S”表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件;

    第三部分:用字母表示该器件使用材料、极性和类型;

    第四部分:表示该器件在日本电子工业协会的登记号;

    第五部分:表示同一型号的改进型产品。

    3、几种常见二极管特点

    (1)整流二极管

    将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,因结电容大,故工作频率低。

    通常,IF 在 1 安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF 在 1 安以下的采用全塑料封装。

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    (2)开关二极管

    在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,其特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。

    开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般 IF<500 毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装。

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    (3)稳压二极管

    稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,因为它能在电路中起稳压作用,故称为稳压二极管。

    它是利用 PN 结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的。

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    (4)变容二极管

    变容二极管是利用 PN 结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被广泛地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中。

    变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系,并提高 Q 值以适合应用。
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    (5)TVS二极管

    TVS二极管(Transient Voltage Suppresser 瞬态电压抑制器)是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。

    由于 TVS 二极管的结面积较大,使得它具有泄放瞬态大电流的优点,具有理想的保护作用。

    二、二极管的参数选择
    (1)额定正向工作电流

    额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

    (2)最大浪涌电流

    最大浪涌电流,是允许流过的过量正向电流,它不是正常电流,而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。

    (3)最高反向工作电压

    加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时,管子将会击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电值。例如,lN4001二极管反向耐压为50V,lN4007的反向耐压为1000V。

    (4)反向电流

    反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。

    反向电流与温度密切相关,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。

    硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

    (5)反向恢复时间

    从正向电压变成反向电压时,电流一般不能瞬时截止,要延迟一点点时间,这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。

    (6)最大功率

    最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。

    (7)频率特性

    由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使 PN 结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN 结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

    2、不同二极管的选用

    (1)检波二极管

    检波二极管一般可选用点接触型锗二极管,选用时,应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。

    (2)整流二极管

    整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

    (3)稳压二极管

    稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管,应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同,稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。

    (4)开关二极管

    开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。

    中速开关电路和检波电路,可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。

    要根据应用电路的主要参数(如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等)来选择开关二极管的具体型号。

    (5)变容二极管

    选用变容二极管时,应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求,应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。

    3、TVS二极管选型
    (1)最小击穿电压VBR和击穿电流I R 。 VBR是TVS最小的击穿电压,在25℃时,低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR )时,加于TVS两极的电压为其最小击穿电压V BR 。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把VBR分为5%和10%两种。对于5%的VBR来说,VWM =0.85VBR;对于10%的VBR来说,V WM =0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准,TVS二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击,部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用,设计者可以依需要挑选元件。

    (2)最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。 VWM是二极管在正常状态时可承受的电压,此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压,否则二极管会不断截止回路电压;但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近,这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。

    (3)最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流I PP 。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两端出现的最大峰值电压为VC。 V C 、IPP反映了TVS的突波抑制能力。 VC与VBR之比称为钳位因子,一般在1.2~1.4之间。 VC是二极管在截止状态提供的电压,也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压,它不能大于被保护回路的可承受极限电压,否则元件面临被损伤的危险。

    (4)Pppm额定脉冲功率,这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备,一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下,功耗PM越大,其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下,钳位电压VC越低,其突波电流的承受能力越大。另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且,TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的,元件规定的脉冲重覆频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%。如果电路内出现重覆性脉冲,应考虑脉冲功率的累积,有可能损坏TVS。

    (5)电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的,是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比,C太大将使讯号衰减。因此,C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路,二极管的电容器对电路的干扰越大,形成噪音或衰减讯号强度,因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小(如SAC(500W,50pF,±10%)、LCE(1.5KW,100pF)、低电容器TVS),而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。

    4、肖特基二极管与普通二极管的区别
    硅管的初始导通压降是0.5V左右,正常导通压降是0.7V左右,在接近极限电流情况下导通压降是1V左右;锗管的初始导通压降是0.2V左右,正常导通压降是0.3V左右,在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右,肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右,正常导通压降是0.5V左右,在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。

    两种二极管都是单向导电,可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高,但是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电,最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低,但是它的恢复速度快,可以用在高频场合,故开关电源采用此种二极管作为整流输出用,尽管如此,开关电源上的整流管温度还是很高的。

    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4–0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~! 前者的优点还有低功耗,大电流,超高速!电气特性当然都是二极管阿!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

    4、肖特基二极管与快恢复二极管的区别

    肖特基二极管:

    反向耐压值较低(一般小于150V),通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。

    其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的

    PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

    快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的

    扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.

    目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

    快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

    肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于 150V),通态压降 0.3-0.6V,小于 10nS 的反向恢复 时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外, 还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为 N 型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为 RC 时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

    快恢复二极管:有 0.8-1.1V 的正向导通压降,35-85nS 的反向恢复时间,在导通和截止之间 迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的 扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆 变电源中做整流元件.快恢复二极管 FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性 好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管 SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间 trr 值已接近于肖特 基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流 电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极 有发展前途的电力、电子半导体器件。

    5、TVS二极管与ESD防护二极管的区别
    TVS瞬态电压抑制这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.ESD静电放电保护其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏.

    典型的HBM CLASS 1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电. MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了. 典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns 典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns 典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us

    TVS二极管和ESD防护二极管原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样. ESD防护二极管和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1–3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高。

    限流电阻的计算

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    测量二极管的电压

    测量结果(点亮就是包含限流电阻,没点亮就是没有包含限流电阻,都没按下开关

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    测量图片
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    引用:1. 原文
    2.原文
    3.原文

    原文所在:在这里插入图片描述

    原文:布尔青年

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  •  发光二极管也与普通二极管一样由PN结构成,也具有单向导电性。它广泛应用于各种电子电路、家电、仪表等设备中、作电源指示或电平指示。 2.发光二极管的分类 发光二极管有多种分类方法。 按其使用材料可分为...
  • 一张告诉你:如何快速判断发光二极管正负极? 直插式发光二极管,贴片式发光二极管,大功率发光二极管,COB LED发光二极管,当然,按颜色分可以红色发光二极管、蓝色发光二极管、绿色发光二极管和白光发光二极管等...

    一张图告诉你:如何快速判断发光二极管正负极?

    直插式发光二极管,贴片式发光二极管,大功率发光二极管,COB LED发光二极管,当然,按颜色分可以红色发光二极管、蓝色发光二极管、绿色发光二极管和白光发光二极管等。

    如何快速判断发光二极管正负极?

    下面我将 LED现有行业这 10 年的封装类型对发光二极管的封装罗列出来,你会看到封装上非常细微的差异,这些差异会让发光二极管的应用更加广泛。

    — 1 —
    直插发光二极管

    先看直插式发光二极管。
    圆头发光二极管:3mm发光二极管,5mm发光二极管,8mm发光二极管,10mm发光二极管
    椭圆发光二极管:f3发光二极管,f5发光二极管,f8发光二极管,f10发光二极管;
    草帽发光二极管:5mm草帽发光二极管,8mm草帽型发光二极管,10mm大草帽发光二极管
    方形发光二极管:234发光二极管,257发光二极管,557发光二极管
    平头插件发光二极管:白光平头插件发光二极管,彩光平头插件发光二极管……定制类插件发光二极管可满足直插LED应用的各种需求

    直插发光二极管有两看:

    1. 看外形。圆形,椭圆,草帽,方形,平头等
    2. 看尺寸。3mm, 5mm, 8mm, 10mm等
      要是不注意,会觉得外形和尺寸没啥关联,反正是“插件”或者是“直插”,没啥要注意,但是你选型时注意一下尺寸和外形的不同。
      比如说,草帽型发光二极管只能做5mm,8mm,10mm,像3mm草帽型就做了。

    直插发光二极管正负极判断
    1:通过直插发光二极管的引脚长短来判断,脚长的是正极,脚短的是负极。
    2:通过仔细观察管子内部的电极,较小的是正极,大的类似于碗状的是负极。
    3:通过发光二极管的内部结构来判断:发光二极管的内部结构有2个引脚,比较大的那一端是正极,另外一端是负极。这个可以快速判断透明胶体,像雾状胶体内部结构因为看不太清楚,无法快速识别正负极。
    4:通过仪器万能表来判断:用红表笔接在发光二极管的正极,黑表笔接在发光二极管的负极,当发光二极管会正常发光,说明线接对了,正负极判断正确。

    所以,对着上面的方法,很容易判断出来直插发光二极管的正负极——当然,用万用表来测量判断,也非常快捷,只是一般手头不一定都有万用表在手上,所以,能先用简单方法判断的,还是可以先通过观察外观或内部结构来判定,是比较合理的。
    当然,每个人都会有适合自己的判断方法和思路,下图的方法可供参考,如果你有更好的直插发光二极管正负极判断方法,也可以联系我。

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    — 2 —
    贴片发光二极管正负极判断方法

    说完直插发光二极管,再看贴片发光二极管。
    1:通过贴片发光二极管背部的印刷标识来判断:”T”字形或倒三角形符号,”T”一横的一边是正极,另一边是负极;三角形符号的“边”靠近的是正极,“角”靠近的是负极。
    2:通过观察贴片发光二极管线条来快速判断:俯视观察,有彩色线条的一侧是负极,另外一侧是正极。
    3:通过观察贴片发光二极管焊盘的大小来判断,焊盘较大的一端是负极,焊盘较小的一端是正极。
    4:通过观察贴片发光二极管的正面,在发光二极管正方形或长方形中有一个角有一个缺角,缺角的那端为正极、另外一端为负极。
    5:通过仪器万能表来判断,利用万用表的欧姆表量,对于表盘式万用表,调到“欧姆x1”档,贴片发光二极管发光的时候,红表笔连接的是正极,黑表笔连接的是二极管的负极。
    6:通过观察贴片发光二极管的底部标记:LED开启门限1.5-1.8V左右。有可能数字万用表提供的电压无法启动它。所以,这时候可以看底板上印刷标记:贴片发光二极管(SMD LED),有绿色点的一端为负极,另外的一端为正极。

    顺着上面的方法看下来,大家是不是感觉对发光二极管的正负极判断要容易的多了:再也不会像之前无从下手了,原来“发光二极管正负极”判断,还是有迹可循的。
    万用表测量法,在发光二极管正负极判断中工程师是应用较多的。一般的LED发光管正负极识别,通过外观、印刷标识,就可以正确识别出来了。

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    — 3 —
    大功率发光二极管正负极判断方法

    说完直插发光二极管和贴片发光二极管,我们来看看大功率发光二极管。
    大功率发光二极管包括大功率贴片发光二极管、仿流明大功率发光二极管和集成大功率发光二极管,贴片大功率发光二极管是贴片发光二极管的一部分,前面已经讲述,以下主要说的是仿流明大功率发光二极管和集成大功率发光二极管正负极判断方法。
    1:通过观察仿流明大功率发光二极管支架引脚上的标识,“+”字形符号一端引脚是正极,“-”字形符号另一端引脚是负极。
    2:通过观察集成大功率发光二极管支架引脚上的标识,“+”字形符号一端引脚是正极,“-”字形符号另一端引脚是负极。

    在这里插入图片描述

    — 4 —
    大功率COB光源正负极判断方法

    说完直插发光二极管、贴片发光二极管和大功率发光二极管,我们再来看看大功率COB光源正负极判断方法。
    cob灯珠光源正负极判断
    通过观察大功率COB光源基板上面的标识来判断:”+”字形符号一端是正极,”-”字形符号一另一端是负极。这个只要仔细观察,还是比较明显的。

    在这里插入图片描述

    — 5—
    反极性发光二极管正负极判断

    反极性发光二极管正负极判断
    1:反极性发光二极管,是一种正好和传统LED发光二极管正好相反方向的发光二极管,正负极方向判断正好和传统方向相反。意思是和上面前4种类型的判断方法刚好相反。
    2:目前一般反性性芯片应用在红光、黄光LED发光二极管上,以提高芯片发光效率的一种发光二极管芯片。

    ——
    两个要点:
    第一,反性性芯片不管是在直插LED发光二极管还是贴片LED发光二极管封装上应用较多。
    判断方法与传统判断方法相反。
    (反极性芯片应用的目的是提高单位芯片发光效率,提高发光二极管亮度,市场上很多高亮度彩光灯珠就是采用反极性芯片封装的”)
    第二,反性性芯片主要应用是红光发光二极管和黄光发光二极管上,在相同的电流、电压的情况下,反极性芯片的亮度值更高。当然,同等质量和数量的反极性芯片发光二极管价格也相对较高。
    ((具体的LED反级性红光、黄光和正极性红光之间的区别,以后会陆续分享))

    ——
    综合下来看,发光二极管正负极判断,我们主要掌握直插发光二极管和贴片发光二极管正负极判断就可以了,毕竟,在我们日常发光二极管的测试和焊接过程中,主要还是这两类产品为主。
    知道了这些判断方法后,再回去看发光二极管正负极,就相对变得容易了,几种LED灯珠封装类型的判断方法都清晰地透漏在字里行间:
    首先辨别出发光二极管的正负极,然后进行焊接,所以,如何判断LED发光二极管正负极这步特别重要,焊接好后,灯能不能亮就看它了。

    袁毅明:发光二极管
    袁毅明:发光二极管研究
    袁毅明:发光二极管推广。

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  • 发光二极管点亮实验

    千次阅读 2017-03-05 12:57:00
    发光二极管也与普通二极管一样由PN结构成,也具有单向导电性。它广泛应用于各种电子电路、家电、仪表等设备中、作电源指示或电平指示。  发光二极管的电路型如下1所示: 1 发光二极管...

    点亮发光二极管实验

      本文主要介绍点亮一个发光二极管的小实验,发光二极管(LED)是一种由磷化镓(GaP)等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其内部有一定电流通过时,它就会发光。发光二极管也与普通二极管一样由PN结构成,也具有单向导电性。它广泛应用于各种电子电路、家电、仪表等设备中、作电源指示或电平指示。

      发光二极管的电路图型如下图1所示:

    图1 发光二极管电路图型

      我在实验中用的发光二极管的实物如下图2所示,在百度上搜索了一下,发光二极管的分类好像也挺多的。

    图2 发光二极管实物图

      发光二极管的特性,发光二极管和普通二极管的特性基本相同,正向导通反向截止,然而其正向压降比普通二极管要大,我实验使用的大约在2V左右,反向击穿电压一般比普通二极管也要小的多。

      发光二极管正、负极的判断,通常发光二极管的引脚中,较长的引脚为正极,较短的引脚为负极。如图3所示,这里其中一种判断的方法。

     

    图3 识别发光二极管正负极

     

      点亮发光二极管的条件,主要是电流大约几毫安到10几毫安吧,在网上查了查不通厂家的发光二极管的导通电流也是不一样的,如果正向电流过大则有可能会烧毁发光二极管光,所以电路中需要增加一个限流电阻。由于本身发光二极管存在压降,所以在选择限流电阻大小时应使用如下公式计算:

        R=(E-UF)/IF

      式中E为电源电压,UF为LED的正向压降,IF为LED的正常工作电流。

      

      接下来将介绍来说一下我实验用的物品,1个电池盒、4节5号电池、1块面包板,1个4.7kΩ电阻,2个发光二极管,如下图4所示。这里找了两个发光二极管实际实验只用到了一个。

    ZHDouble

    图4 所需器件图

     

      实验的电路图如下图5所示:

    图5 点亮发光二极管电路图

      实验的实物图如下图6所示:

     

    图6 点亮发光二极管实物图

      总结,一个简单的小实验,其实有点像我们小学时学习自然课点亮一个小灯泡的实验,也算是做个回忆吧。

    转载于:https://www.cnblogs.com/ZHDouble/p/5515411.html

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发光二极管内部结构图