精华内容
下载资源
问答
  • 在共发射极电路中,在一定的集电极电压UCE下,集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值称为电流放大系数β即  由于β反映了变化量之比,在放大电路中变化量实际上是交流信号,因此把β值称为共发射极...
  • NPN管,集电极电流IC和基极电流IB流入管子。发射极电流IE流出管子。且IC+IB=IE。 Icb+Ibe=Ice 即βIbe+Ibe=Ice PNP管,集电极电流IC和基极电流IB流出管子。发射极电流IE流入管子。同样IC+IB=IE。 无论管子...

    电流流向:

                   NPN                                                      PNP

    它最主要的功能是电流 放大和开关作用Emitter,Base,Collector

    NPN管,集电极电流IC和基极电流IB流入管子发射极电流IE流出管子。且IC+IB=IE。 Icb+Ibe=Ice 即βIbe+Ibe=Ice
    PNP管,集电极电流IC和基极电流IB流出管子。发射极电流IE流入管子。同样IC+IB=IE。
    无论管子是否处于放大状态,都满足IC+IB=IE的电流关系。
    只在放大状态下,IC=βIB IE=(1+βIB)

    三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式U=R*I可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。

    三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。

    三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。

    下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图,因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值,那么最大电流为U/Rc,其中U为电源电压),集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大时,三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是:Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用:当基极电流为0时,三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止),相当于开关断开;当基极电流很大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。

    如果我们在上面这个图中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β),三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。

    但是在实际使用中要注意,在开关电路中,饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度,饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和,远大于集电极电流时是深度饱和。因此我们只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。

    1、NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。

    2、电流方向

    NPN是用B—E的电流(IB)控制C—B的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE。

    PNP是用E—B的电流(IB)控制B—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC<VB<VE。

    3、电压区别

    NPN基极加高电压即>导通电压(0.7V),be导通,ce也导通,相当于集电极与发射极短路;NPN基极加低电压<导通电压(0.7V),be断开截止,ce断开截止,集电极与发射极开路。也就是不工作。

    PNP基极加高电压<导通电压(0.7V)eb断开截止。集电极与发射极开路,也就是不工作。如果基极加低电位>导通电压(0.7V,eb导通,ec也导通集电极与发射极短路。

    三极管电路,一般不叫正向偏置或反向偏置,都要设置正确的静态工作点。正向偏置和反向偏置是针对PN结或二极管说的。

    正偏置与反偏置

      偏置一般包括电压电流正向的和反向(负向)例如晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大,就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位(可根据计算获得)。这些外部电路就称为偏置电路(可理解为,设置PN 结正、反偏的电路),偏置电路向晶体管提供的电流就称为偏置电流。

      以常用的共射放大电路说吧,主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的IB.相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。偏置电路往往有若千元件,其中有一重要电阻,往往要调整阻值,以使集电极电流在设计规范内。这要调整的电阻就是偏置电阻,

      在稳态时(无信号)通过电阻为电路提供或泄放一定的电压或电流,使电路满偏置: 在电路某点给一个参考分量,使电路能适应足工作需求,或改善性能。工作需要。偏置可以是DC 偏置,也可以是AC 偏置。也可分为电流偏置和电压偏置。常见的是DC 偏置。即电路某点经过一个起偏置作用的元件接到某个DC电源上。例如单级三极管发射极放大电路,至少需要一个基极偏置电阻。由于三极管放大电路经常用电流放大系数来计算放大效果。因此偏置电阻定义为电流偏置电阻,以便于计算和分析。

      CMOS 门电路输入端,接的上拉电阻或下拉电阻,一般可认为是电压偏置电阻。因为通过这个电阻的电流很少,电阻基本上是给门输入端一个静态参考电压。交流偏置的一个典型应用例子: 录音机的交流偏磁

    偏置:三极管的工作原理是 基极与发射极之间的PN 结称为发射结,基极与集电极之间的PN 结称为集电结。当三极管工作在放大状态时,我们定义正向偏置电压是PN 结电压,所以发射结是正向偏置电压;NP结相对PN结是反向,所以集电结是反向偏置电压。

    对于NPN

    当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。 

    发射结反偏,是截止状态;

    发射结正偏,集电结反偏,是放大状态;

    发射结正偏,集电结正偏,是饱和状态。

    1偏置是指电路中某点施以一定电压,使该点电位从零电位点偏移至预定的正电位或负电位。以NPN型三极管为例,处于放大状态时要求集电极Vbc反偏,发射极Vbe正偏。正常bc间PN结是b点电位>c点电位,现在要求反偏,因此集电极c点电位要高于基极b点电位,Vcb就是反偏电压。

    1.如果输入一个高电平,而输出需要一个低电平时,首选择npn。 

    2.如果输入一个低电平,而输出需要一个低电平时,首选择pnp。 

    3.如果输入一个低电平,而输出需要一个高电平时,首选择npn。 

    4.如果输入一个高电平,而输出需要一个高电平时,首选择pnp

    展开全文
  • 只要集电极发射极的施加电压达到一定程度,集电极发射极的电流就是基极到发射极电流一定的的倍数,但这个倍数不是固定不变的,会有一定的波动,所以集电极的电流与基极电流并不是一次函数关系。所以如果这样直接...
  • 在共基极电路中,在一定的集电极基极电压UCB下,集电极电流的变化量△IC与发射极电流变化量△IE的比值称为电流放大系数α,即  α值一般接近1。α与hFE(β)的关系为:  
  • 集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流...
  • 当PNP管的VC时,使得集电结反偏,发射结正偏时,管子的发射极电流流入管子,基极电流集电极电流流出管子,且集电极电流跟基极电流之间成β关系,三极电流满足IE=IB+IC=IB(1+β·IB)。即,基极电流可以控制集电极...
    1.PNP管放大原理:
    
    当PNP管的VC<VB<VE时,使得集电结反偏,发射结正偏时,管子的发射极电流流入管子,基极电流和集电极电流流出管子,且集电极电流跟基极电流之间成β关系,三极电流满足IE=IB+IC=IB(1+β·IB)。即,基极电流可以控制集电极电流,这种控制作用就称为管子的放大作用。
    
    
    
    2.开关作用原理:
    
    当管子的VC>VB,且VE>VB时,集电结和发射结都正偏,管子工作于饱和状态,此时管子的管压降约为0.1-0.3V。IC=VCC/RC ,即,集电极电流基本取决于集电极电源和集电极电阻,与IB无关,相当于一个闭合的开关。
    
    
    
    当VC<VB VE<VB时,两PN结均反偏,管子工作于截止状态。此时管子的三个电极均无电流。相当于一个断开的开关。
    
    
    
    3.电流电压值
    
    饱和时,IC=VCC/RC  管压降|UCE|=0.1-0.3v  VC约等于VE 均大于VB,|VBE|=0.3V(锗管)或0.6V(硅管)
    
    
    
    截止时 IB、IC、IE均约为0.。(微安级的穿透电流,很小)
    展开全文
  • 集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化...
  • NPN三极管共发射极输出特性曲线,是指基极电流一定时,输出电流(集电极电流)和输出电压(集电极-发射极间电压)的关系曲线,主要用于描述不同基极电流对控制集电极电流的特性。  分析这簇曲线可知,每条曲线的...

           NPN三极管共发射极输出特性曲线,是指基极电流一定时,输出电流(集电极电流)和输出电压(集电极-发射极间电压)的关系曲线,主要用于描述不同基极电流对控制集电极电流的特性。
           分析这簇曲线可知,每条曲线的起始段都是由原点线性陡斜上升,然后弯曲变平,即集电极与发射极之间的电压较小时,集电极电流随其增加而显著增加;而其超过某一数值后再增加时,集电极电流却增长缓慢,表现出恒流性质。这是因为集电极-发射极间电压较小时,集电结电场较弱,对到达基区的电子吸引力不够,此时,若集电极-发射极间电压稍增加,则从基区拉向集电区的电子数量有较大增加,故输出电流随集电极-发射极间电压的增加而明显增加;当集电极-发射极间电压大于1V以后,集电结的电场已经足够强,能使绝大部分发射区扩散到基区的电子被拉向集电区,故集电极-发射极间电压再增加,输出电流就基本不增加了,特性曲线近似水平。
           实际上,在特性曲线的水平部分,仍随着集电极-发射极间电压的增加而略向上倾斜,这是由于集电极-发射极间电压增加时,集电结空间电荷区变宽,基区变窄,使载流子在基区的复合机会减少,即电流放大系数(共发射极直流电流放大系数)增大,故在基极电流不变的情况下,集电极输出电流随集电极-发射极间电压增加而略有增加,特性曲线略向上倾斜,这种现象称为基区宽度调制效应(Base-width modulation effects),又称为厄尔利(Early)效应。
           三极管输入特性曲线 ( 又称 Ib ~ Ube 曲线 ) ,是在输出电压 Uce 一定的条件下.输入电流 Ib 与输入电压Ube之间的关系曲线。对于输入特性曲线,应注意几个问题:
           1.输入特性与发射结的伏安特性相似,又和二极管的特性曲线并不完全相同。这是因为发射极电流只有小部分变为基极电流,而大部分变为集电极电流。
           2.基区宽变效应使输入特性曲线随Uce的增大而稍向右移(门槛电压变大)。例如当Uce由 3 伏增大到 6 伏时,集电结势垒区变宽,基区有效宽度变窄,这样基区复合就减小,Ib 也随之减小。因此在相同的Ube下, Uce 越大,则 Ib 越小.曲线越向右偏移。
           3.只有当输人电压Ube略大于死区电压 Ubeo 时,输入电流 Ib 才开始明显上升。
           4.当Uce=0时,其输入特性曲线明显地偏离 Uce=3 伏时的输入特性曲线。
           共发射极输出特性曲线(又称 lc — Uce 曲线 ) 。它是指在一定的基极电流 Ib 下,三圾管输出电流 Ic 与输出电压 Uce 之间的关系曲线。从图中可知,就每一条特性曲线来说,它表示当Ib一定时.Ic 随 Uce 的变化规律,其特征可分为上升和平坦两部分:当Uce较小时.Ic 随 Uce 的增加而迅速上升;当Uce增加到一定值后,Ic 基本上保持不变。当Ib变为另一固定值时 , 上升部分基本上重合,而平坦部分却随 Ib 的增减而上、下平移。就整个特性曲线族来说,可分为三个区域:放大区(Ib=0 以上的平坦部分 ) ;饱和区 ( 上升部分 ) ;截止区 (Ib=0 以下的部分 ) 。

    展开全文
  • 发射极e 漏极d-->集电极c2)都利用两个电极之间的电压控制流过第三个电极的电流来实现输入对输出的控制。MOS:栅-源电压vGS控制漏极iD , iD与vGS之间是平方律关系,为电压控制器件。B J T:基-射极间电压vBE控制...

    FET和BJT重要特性的比较

    1)FET和BJT都有两个PN结,3个电极。有如下的对应关系:

    栅极g-->基极b 源极s-->发射极e 漏极d-->集电极c

    2)都利用两个电极之间的电压控制流过第三个电极的电流来实现输入对输出的控制。

    MOS:栅-源电压vGS控制漏极iD , iD与vGS之间是平方律关系,为电压控制器件。

    B J T:基-射极间电压vBE控制集电极电流iC , iC与vBE之间是指数关系。为电流控制器件。

    3)MOS管的跨导gm不仅与VGSQ和开启(夹断)电压的差值(或IDQ)有关,而且还与其沟道的宽长比W/L 有关。而BJT的gm 仅与ICQ有关

    4)这两类器件的输出电阻ro都等于Early电压VA与静态电流(IDQ或ICQ)的比值。通常BJT的VA比MOS管的VA大。意味着 BJT的输出电阻ro 比MOS管的大。

    5)MOS管的Kn与BJT的b 或a具有类似的性质,即它们主要取决于管子的固有参数(如,尺寸、参杂浓度、载流子迁移率等),而与它们所在的电路无关。

    FET和BJT放大电路性能的比较

    b69fea0c1e058ab64f158e23938748f6.png

    多级放大电路

    分类

    1、共射-共基放大电路(CE-CB)

    2、共集-共集放大电路(CC-CC)

    3、共源-共基放大电路(CS-CB)

    一般定义

    组合放大电路是由三种基本组态放大电路适当组合构成的一种电路结构。

    实际应用的放大器,除了要有较高的放大倍数之外,往往还对输入、输出电阻及其他性能提出要求。

    根据三种基本放大电路的特性,将他们适当组合,取长补短,可以获得各具特点得组合放大电路。

    组合电路的形式很多,主要介绍常用的“共射-共基”和“共集-共射”组合。

    组合电路分析

    特点:

    组合放大电路总的电压增益等于组成它的各级单管放大电路电压增益的乘积。

    前一级的输出电压是后一级的输入电压,后一级的输入电阻是前一级的负载电阻。

    共射-共基放大电路(CE-CB)

    下图中,T1为共发射极电路,T2为共基极电路,采用直接耦合方式,所以称为共射—共基组合电路。

    28c356bc1987f8255520c58fb03c033a.png

    共射-共基放大电路图

    静态工作点:

    70f5d59ad17df5afadd06747dfb49e75.png

    电压放大倍数:

    参照上面的共射-共基放大电路图,可以分析出

    58bd829ea82574a94f820a75c02c36b0.png

    输入、输出电阻:

    从上面的交流通路可以轻易的看出输入输出电阻

    241006ec963ced3a9ed4b94a8598522d.png

    结论:

    虽然组合电路的电压放大倍数只相当于共射的电压放大倍数,但它有较宽的通频带,在高频电路中得到广泛地运用。

    共集-共集放大电路(CC-CC)

    下图中T1和T2均为共集电极电路,采用直接耦合方式,称为共集-共集组合电路。

    28ca125646bdb50dcb17e75d36f0ca55.png

    共集-共集放大电路图

    电压放大倍数:

    参照上面的共集-共集放大电路图,可以分析出

    06b937d23a5e1d97a86cbf79ddfdb31e.png

    输入、输出电阻:

    从上面的交流通路可以轻易的看出输入输出电阻

    f3a93225d527618d937e8c9bbf15f313.png

    结论:

    输入电阻更大,输出电阻更小。

    附加:

    在下图中T1和T2可等效为一只三极管,称为复合管,可等效为一个NPN管,扩大电流的驱动能力,提高输入电阻。详细见下图:

    8ed3641d50c31f1d0fe15b055481d62d.png

    复合管特性:

    af4c0dd495f560f9b475466215c4d2eb.png

    共源-共基放大电路(CS-CB)

    下图中T1为共源极电路,T2为共基极电路,采用直接耦合方式,所以称为共源—共基组合电路。

    24a13e6f139cbf16d4ae529e2694a3b7.png

    电压放大倍数:

    参照上面的共集-共集放大电路图,可以分析出

    f7db4db38383ce9a0002f7ff8cf1c98c.png

    输入、输出电阻:

    从上面的交流通路可以轻易的看出输入输出电阻

    d5f27e4177b1f6b8b9141c846dd3ea16.png

    本文由究极体工程师原创,欢迎关注,带你一起长知识!

    展开全文
  • 在将外部电压施加到三极管之后,特性的叠加,基极电流集电极电流和发射极电流之间的关系会形成电流放大效应。 三极管的放大系数与其物理结构有关。选择三极管时,放大系数β是必须考虑的重要技术指标之一。?...
  • 三极管

    2019-04-13 15:13:00
    对于三极管想提的一些问题 1、三极管有哪些分类 2、三极管有什么作用? 3、如何区分NPN型和PNP型...6、基极集电极发射极之间的电流电压关系 转载于:https://www.cnblogs.com/QQ2962269558/p/10701250.html...
  • 双极性三极管

    2020-07-23 15:02:14
    发射极 e 基极 b 集电极 c 两个PN结:(向外扩展的PN结) 发射结 集电结 三极管中载流子的运动和电流分配关系 1.发射: 发射区大量电子向基区发射。(形成的电流)IEN 2.复合和扩散: 电子在基区和空穴进行复合(IBN...
  • 使得三极管的特性完全不是两个单独PN结特性的叠加,三极管外部施加电压后,基极电流集电极电流和发射极电流之间的关系,形成电流放大作用。  三极管的放大倍数与其物理结构有关,选择三极管时放大倍数β是必须...
  • 三极管资料大全

    2012-11-22 13:07:31
    各型三极管详细资料,晶体三极管 ... 由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别,当把集电极发射极使用时,其电流放大系数β值较小,反之β值较大。在确定基极后,比较三极管的β值大小,可以确定集电极发射极
  • 晶体管(transistor),是一种把输入电流进行放大的半导体元器件。 晶体管的结构由三、三区、两个结组成 晶体管的放大原理 晶体管能实现放大,必须从内部结构...把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特
  • 基本放大电路

    千次阅读 2012-08-14 21:44:58
    基本放大电路 双级型管 双极型的单级放大电路,单级放大... 输入回路的设置应当使输入信号耦合到晶体管的输入电极,并形成变化的基极电流Ib,进而产生晶体管的电流控制关系,变成集电极电流Ic的变化。  3. 输出
  • 发射极e 漏极d-->集电极c2)都利用两个电极之间的电压控制流过第三个电极的电流来实现输入对输出的控制。MOS:栅-源电压vGS控制漏极iD , iD与vGS之间是平方律关系,为电压控制器件。B J T:基-射极间电压vBE控制...
  • 它们所引出的三个电极分别为:基极b、发射极e和集电极c。 发射区和基区间的PN结称为发射结。 基区与集电区间的PN结称为集电极。 1.1晶体管的电流放大作用 晶体管的电流放大作用:将输入的任何微小变化不失真地放大...
  • 当半导体三极管的集电极发射极之间的电压UCE为某一固定值时,基极电压UBE与基极电流IB间的关系曲线称为半导体三极管的特性曲线,即    如果将UCE固定在不同电压值条件下,然后在调节EB的同时测量不同IB值对应...
  • 三极管的三种状态

    千次阅读 2019-05-05 12:48:53
    (2)、放大区:三极管的发射极加正向电压,集电极加方向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上一个小信号电流,引起集电极大的信号电流输出。 (3)、饱和区:当三极管的集...
  • (2)、放大区:三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上一个小信号电流,引起集电极大的信号电流输出。(3...
  • 三极管原理与应用

    千次阅读 2017-08-20 17:35:38
    三极管的三种状态也叫三个工作区域,...(2)、放大区:三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上一个小信号电流,引起集电极大的信
  • (2)、放大区:三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上一个小信号电流,引起集电极大的信号电流输出。 (3)、饱和区:当三极管...
  • 温敏晶体管在管子的集电极电流恒定时,其基极发射极电压与温度成线性关系,为克服温敏晶体管vb电压产生时的离散性,采用了特殊的差分电路。集成温度传感器具有电压型和电流型两种,电流输出型集成温度传感器在一定的...
  • 半导体理论和实验证明,在 -50℃~+150℃ 的范围内,当发射结正偏时,不管集电结反偏还是零偏,在一定的集电极电流形式下,NPN硅晶体管的基极-发射极正向电压UBE随温度T的增加而减小。并有良好的线性关系,其电压...

空空如也

空空如也

1 2
收藏数 26
精华内容 10
关键字:

发射极集电极基极电流关系