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  • VCO是压控振荡器的英文简称,它是一种电压转换成频率的装置,图1所示即为ML4425的VC0外部元件连接图。ML4425的VC0的输人电压为20脚SPEED FB电压VRC,输出信号是与TTL电平兼容的时钟频率信号FVCO,此信号与VCO成正比,...
  • VCO是压控振荡器的英文简称,它是一种电压转换成频率的装置,图1所示即为ML4425的VC0外部元件连接图。ML4425的VC0的输人电压为20脚SPEED FB电压VRC,输出信号是与TTL电平兼容的时钟频率信号FVCO,此信号与VCO成正比,...
  • “锁相环”(PLL)是现代通信系统的基本构建模块。PLL通常用在无线电接收机或发射机中,主要提供“本振”(LO)功能;也可用于时钟信号分配和降噪,而且越来越多地用作高采样速率模数(A/D)转换的时钟源。
  • 意法半导体推出了该公司新开发的在当今市场上频率覆盖率最高的集成压控振荡器(VCO)的射频合成器。ST的STW81103是第一个输出频率高达5GHz的单片射频合成器,满足了微波无线电应用领域的设备制造商对注重空间和成本...
  • 相环(PLL)电路是由压控振荡器(VCO)和鉴相器组成的反馈系统,振荡器信号跟踪施加的频率或相位调制信号是否具有正确的频率和相位。需要从固定低频率信号生成稳定的高输出频率时,或者需要频率快速变化时,都可以使用 ...
  • Hittite Microwave推出三款新型GaAs HBT MMIC压控振荡器(VCO),适用于11、12和24GHz的点对点/多点、VSAT、调试设备和工业应用。MMIC VCO面向微波无线电、工业、汽车及军事应用。   HMC513LP5、HMC514LP5和HMC533...
  • Hittite Microwave公司近日新推出3款宽带压控振荡器(VCO),该系列器件适用于4GHz至12.5GHz频率范围内的测试设备、军事、微波无线、航空、工业控制、实验室等应用场合。 HMC-C028、HMC-C029和HMC-C030宽带VCO模块的...
  • 2SC5064 VCO振荡晶体管

    2014-08-05 15:55:16
    高频VCO振荡器管子,频率高达12G,广泛应用于低成本的对讲机设计,可以获得较好的性能。
  • 锁相环(PLL)电路是由压控振荡器(VCO)和鉴相器组成的反馈系统,振荡器信号跟踪施加的频率或相位调制信号是否具有正确的频率和相位。需要从固定低频率信号生成稳定的高输出频率时,或者需要频率快速变化时,都可以使用...
  • 压控振荡器(VCO)是锁相环路的重要组成部分。随着电子技术的发展,出现了许多集成的VCO芯片。考虑到高频率稳定度、低相噪的要求,这里采用Agilent公司生产的低噪声晶体管HBFP0450来设计VCO。常用的VCO一般有三种[1]:...
  • 典型的电压-频率转换器也叫VCO(压控振荡器),其中IC的输入电压对输出频率有一个简单的调节特性。它的一般形式为F=kV/RC,其中,RC是相关定时电阻与电容的时间常数。这些器件的输出频率范围很广,但很少有器件能够在...
  • Hittite Microwave公司近日新推出3款宽带压控振荡器(VCO),该系列器件适用于4GHz至12.5GHz频率范围内的测试设备、军事、微波无线、航空、工业控制、实验室等应用场合。 HMC-C028、HMC-C029和HMC-C030宽带VCO模块的...
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  • 锁相环(PLL)电路是由压控振荡器(VCO)和鉴相器组成的反馈系统,振荡器信号跟踪施加的频率或相位调制信号是否具有正确的频率和相位。需要从固定低频率信号生成稳定的高输出频率时,或者需要频率快速变化时,都可以...
  • 由于变容二极管的结电容随反向偏压增加而减少,因此若电路中的电容选用变容二极管作反向运用并加上控制电压,就可改变由La决定的振荡器的频率。若电感的值一定,则可调频率的范围由变容二极管的容量变化范围决定。设...
  • vco的simulink实现

    2009-03-05 15:40:48
    vco的simulink实现,可以观察其产生波形及频谱图
  • 摘要:介绍了一种用MAX2620构建的窄带压控振荡器(VCO),在此基础上介绍其与锁相环芯片Q3236一起构建SDH专用的155.520MHz点频锁相式时钟源的设计方案。该时钟源具有低噪声、高稳定性等特点,并且成本低廉,具有良好...
  • 摘要:介绍了一种用MAX2620构建的窄带压控振荡器(VCO),在此基础上介绍其与锁相环芯片Q3236一起构建SDH专用的155.520MHz点频锁相式时钟源的设计方案。该时钟源具有低噪声、高稳定性等特点,并且成本低廉,具有良好...
  • 为提高现有方法在精度、抗噪性和实时性方面的性能,提出一种基于滑动分数阶傅里叶变换(Fractional Fourier Transform,Fr FT)瞬时频率估计的压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)非线性度检测方法。...
  • 压控振荡器指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路(VCO),频率是输入信号电压的函数的振荡VCO振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制,就可构成一个压控振荡器。 选择用双运放来...

    一、简介及选型

           压控振荡器指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路(VCO),频率是输入信号电压的函数的振荡器VCO,振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制,就可构成一个压控振荡器。

         选择用双运放来搭建VCO电路,运放选择LM358。

    二、电路设计及分析

    单电源,便于实际使用。

     

    三、实验现象

    根据不同电压,生成不同频率的波形。

     

     

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  • LC振荡电路的辐射功率是和振荡频率的四次方成正比的,要让LC振荡电路向外辐射足够强的电磁波,必须提高振荡频率,并且使电路具有开放的形式。 lc振荡电路是如何起振的 我们知道电容有充放电的蓄能特性!电感则因...
  • 50~150MHZ高频VCO电路

    2020-07-16 15:01:17
    本电路是高频的科尔皮兹振荡电路,线圈L1有两个抽头,制作简便,通过确定振荡频率并且经过试验来决定L1值。用变容二极管直接改变谐振频率,使VCO工作,振荡信号可从TR1射极输出,若从兼作缓冲器的输出放大器TR2输出...
  • Hittite Microwave公司近日新推出3款宽带压控振荡器(VCO),该系列器件适用于4GHz至12.5GHz频率范围内的测试设备、军事、微波无线、航空、工业控制、实验室等应用场合。   HMC-C028、HMC-C029和HMC-C030宽带VCO...
  • 研究结果表明,VCO振荡频率与电路反转电位差和振荡电容的大小成反比,与电阻设定的振荡电容充电电流成正比,但由于分散性很难精确计算。使用试验调整的方法直接确定电容、电阻的数值可以避免使用复杂的公式法或...
  • Simulink模块之VCO(压控振荡器)

    千次阅读 2017-05-18 09:10:00
    1、连续型压控振荡器(VCO) Output amplitude:输出信号的幅度 Quiescent frequency:静止频率,我理解就是输入为0时的输出频率 Input sensitivity:输入敏感度,就是频率增长的斜率 Initial phase:初始相位...

    1、连续型压控振荡器(VCO)

    • Output amplitude:输出信号的幅度
    • Quiescent frequency:静止频率,我理解就是输入为0时的输出频率
    • Input sensitivity:输入敏感度,就是频率增长的斜率
    • Initial phase:初始相位,默认输出时一个cos余弦信号,想要输出正弦信号,初始相位为-0.5*pi。

    上图输入为0时,输出为10Hz的正弦信号。

     

    转载于:https://www.cnblogs.com/lovexz/p/6871688.html

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  • Hittite Microwave公司近日为其GaAs HBT MMIC(单片微波IC)压控振荡器(VCO)家族产品新推三款具有基频、二分频及四分频输出的器件。该系列器件专为11.5GHz至14.9GHz频率范围内的微波无线电、测试设备、军事及工业...
  • 然而,对于具有较大批量、价格敏感的现代产品,振荡频率的生产线调整是不可接受的。这迫使射频工程师必须设计出一个不需要在安装过程中调整的VCO,即免调节VCO。这项设计任务并不简单,除了要掌握VCO的基本设计原理...
  • 无线通信业知名的先进产品供应商意法半导体日前推出了该公司新开发的在当今市场上频率覆盖率最高的集成压控振荡器(VCO)的射频合成器。ST的STW81103是第一个输出频率高达5GHz的单片射频合成器,满足了微波无线电应用...
  • 介绍了NCO数字控制振荡器的工作原理,详细分析了数控振荡器的性能指标和其在FPGA中的实现方法,最后给出了新设计的数控振荡器在QUARTUSII中的仿真结果。
  • 晶振,PLL, VCO介绍

    2021-04-04 14:08:01
    VCO亚控振荡器,可以产生比较高的频率,比如2GHz,但是不稳定。 为什么既要晶振还要vco? 就是为了能够产生稳定的高频时钟信号,就需要用到PLL。 PLL内部会有一个VCO 来产生高频时钟; 通过分频器假设得到10分频后...

    晶振,PLL, VCO介绍

    晶振,VCO区别:
    1> 晶振分有源晶振和无源晶振,一般会产生1~200MHz时钟频率;
    2> VCO亚控振荡器,可以产生比较高的频率,比如2GHz,但是不稳定。

    为什么既要晶振还要vco?
    就是为了能够产生稳定的高频时钟信号,就需要用到PLL。

    1. PLL内部会有一个VCO 来产生高频时钟;
    2. 通过分频器假设得到10分频后的时钟2;
    3. 再拿这个时钟2和晶振产生的100MHz基用鉴相器做比较,输出一个比较的波形后经过低通滤波;
    4. 用输出电压控制VCO的输出, 那么就能使vco输出的高频时钟得到稳定的频率,达到了倍频的效果。

    20MHz以下的晶振基本上都是基频的器件,稳定度好,20MHz以上的晶振大多是谐波(如3次,5次谐波)稳定度差,
    因此强烈建议使用低频的器件,毕竟倍频器用的pll电路需要的周边配置主要是电容,
    电阻,电感,其稳定度和价格方面要远远小于晶体晶振器件。

    如果只需要一个20MHz以内的时钟频率,完全可以不用pll,直接接晶振就够了。

    晶振一般有哪些参数

    晶振有几个重要参数:
    1,标称频率
    晶体元件规格书中所指定的频率f,也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。晶振常用标称频率在1~200MHz之间,比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等,更高的输出频率也常用PLL(锁相环)将低频进行倍频至1GHz以上。我们称之为标称频率。

    2,频率误差
    输出信号的频率不可避免会有一定的偏差,我们用频率误差(Frequency Tolerance)或频率稳定度(Frequency Stability),用单位ppm来表示,即百万分之一(parts per million)(1/106),是相对标称频率的变化量,此值越小表示精度越高。比如,12MHz晶振偏差为±20ppm,表示它的频率偏差为12×20Hz=±240Hz,即频率范围是(11999760~12000240Hz)

    3,温度频差
    还有一个温度频差(Frequency Stability vs Temp)表示在特定温度范围内,工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离,它的单位也是ppm。

    4,另外,负载电容CL(Load capacitance),它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容(不是晶振外接的匹配电容),主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,与晶体一起决定振荡器电路的工作频率,通过调整负载电容,就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。更准确而言,无源晶体的负载电容是一项非常重要的参数,因为无源晶体属于被动元器件,所谓的被动元器件即是自身不能工作,需要外部元器件协助工作,无源晶体即是!

    其中:

    CS为晶体两个管脚之间的寄生电容(又名晶振静态电容或Shunt Capacitance),在晶体的规格书上可以找到具体值,一般0.2pF~8pF不等。如图二是某32.768KHz的电气参数,其寄生电容典型值是0.85pF(在表格中采用的是Co)。

    CG指的是晶体振荡电路输入管脚到GND的总电容,其容值为以下三个部分的和。

    需加外晶振主芯片管脚芯到GND的寄生电容 Ci
    晶体震荡电路PCB走线到到GND的寄生电容CPCB
    电路上外增加的并联到GND的外匹配电容 CL1
    CD指的是晶体振荡电路输入管脚到GND的总电容。容值为以下三个部分的和。
    需加外晶振主芯片管脚芯到GND的寄生电容, Co
    晶体震荡电路PCB走线到到gnd的寄生电容,CPCB
    电路上外增加的并联到GND的外匹配电容, CL2
    既然晶振的负载电容是一个非常重要的参数,如果此项参数与外部电容匹配不正确会导致什么样的现象?晶振两端的等效电容与晶振标称的负载电容匹配不正确,晶振输出的谐振频率将与标称工作的工作频率会产生一定偏差(又称之为频偏),负载电容(load capacitance)主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,它与石英谐振器一起决定振荡器的工作频率,通过调整负载电容,一般可以将振荡器的工作频率调到标称值。应用时我们一般外接电容,便是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容,对于要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容,这样便可以使得晶振工作的频率达到标称频率。所以合理匹配合适的外加电容使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容显得十分重要。

    负载电容常用的标准值有12.5 pF,16 pF,20 pF,30pF,负载电容和谐振频率之间的关系不是线性的,负载电容变小时,频率偏差量变大;负载电容提高时,频率偏差减小。图3是一个晶体的负载电容和频率的误差的关系图。

    例外情况:

    现在有很多芯片内部已经增加了补偿电容(internal capacitance),所以在设计的时候,只需要选按照芯片datasheet推荐的负载电容值的选择晶体即可,不需要额外再加电容。但是因为实际设计的寄生电路的不确定性,最好还是预留CL1/CL2的位置。

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空空如也

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vco振荡频率