6.1.内存映射和地址映射 

(1)S5PV210属于ARM的Cortex-A8架构，32位的CPU（有32根数据总线），CPU设计时就有32根地址总线和32根数据总线。32根地址总线决定了CPU的寻址空间为4G（现代CPU访问的基本单位是B，即字节1B=8b。1B需要一个地址，那么一根地址总线访存容量为1B，两根地址总线访存容量为4B，即00，01，10，11四个地址。现在大多数的CPU是32根地址总线的，访存容量为4G），那么关于这4G空间如何分配使用，即所谓的内存映射或地址映射问题。 

(2)地址映射是由设计CPU的人事先设计好的，我们需要查看datasheet了解具体的地址映射。在数据手册”S5PV210_UM_REV1.1”中”section 01_overview”中的第2部分”2 MEMORY MAP”主要描述了S5PV210中的内存映射（见图1和图2）。 

(3)专业术语：ROM（read only memory 只读存储器，不能直接通过地址总线写数据    ）；RAM（ramdom access memory 随机访问存储器）；IROM（internal rom 内部ROM，指的是集成到SoC内部的ROM）；IRAM（internal ram 内部RAM，指的是集成到SoC内部的RAM）；DRAM（dynamic ram 动态RAM）；SRAM（static ram 静态RAM）；SROM（static rom或sram and rom？）；ONENAND/NAND（都为NAND FLASH，ONENAND是三星的NAND FLASH芯片） ；SFR（special function register 特殊功能寄存器）。 

(4)我们最好记住DARM0（0x2000_0000~0x3FFF_FFFF，512MB）和DARM1（0x4000_0000~0x7FFF_FFFF，1024MB）及IRAM（0xD002_0000~0xD003_7FFF，96KB）这三个区域的地址映射详情。

6.2.内存和外存详解 

(1)内存，即内部存储器，用来运行程序的，RAM（譬如DRAM、SRAM、DDR）；外存，外部存储器，用来存储数据的，ROM（譬如硬盘、Flash（Nand、iNand、U盘、SSD固态硬盘）、光盘）。 

(2)CPU连接外存和内存的连接方式是不同的。内存需要直接地址访问，所以是通过地址总线和数据总线的总线式访问方式连接的（好处是直接访问、随机访问；坏处是占用CPU的地址空间，大小受限）。外存是通过CPU的外存接口来连接的（好处是不占用CPU的地址空间；坏处是访问速度没有总线式快，访问时序较复杂）。

6.3.SoC常用外部存储器 

(1)NorFlash类：NorFlash，总线式访问，可接到SROM bank；单位容量较贵而且容量较小，16MB就已经很大了；一般用作启动介质，譬如台式机上使用NorFlash存储BIOS。 

(2)NandFlash类：NandFlash（分为SLC（容量较小、价格高、访问稳定性好、访问时序较简单、不容易出现坏块、一般不需要做ecc校验）和MLC（容量非常大、价格很低、访问较复杂、较容易出现坏块、必须做ecc校验））、eMMC/iNand/moviNand（embeded MMC即嵌入式的MMC卡，目前比较流行，iNand是SanDisk公司出产的eMMC，moviNand是三星公司出产的eMMC，eMMC是国际性标准）、SD卡/TF卡/MMC卡（将来可能会淘汰）、oneNAND（是三星公司自己出的Nand Flash，它是三星公司自己的标准）、eSSD（嵌入式的固态硬盘即MLC的NandFlash）。 

(3)硬盘类：SATA硬盘，机械式访问、磁存储原理、通过SATA接口连接电脑。硬盘在台式机和笔记本电脑上使用较多，硬盘的特点是单位存储容量比较便宜，后续估计硬盘会被Flash淘汰掉。

6.4.S5PV210支持的外部存储器 

(1)见datasheet Section2.6 booting sequence、见datasheet Section5全部，memory、见datasheet Section8.7 SD/MMC部分。 

(2)The booting device（启动介质）：General NAND Flash memory、OneNAND memory、SD/MMC memory (such as MoviNAND and iNAND)、eMMC memory、eSSD memory、UART and USB devices。

6.5.开发板支持的外部存储器 

(1)我们使用的是三星的NandFlash，容量为512MB（字节）。GEC210开发板通过拨码开关选择从NandFlash启动或SD卡启动。 

(2)S5PV210共支持4个SD/MMC通道，其中通道0和2依次用作启动。X210开发板中SD/MMC0通道用于连接板载MMC，因此外部启动时只能使用SD/MMC2通道（注意通道3不能启动）。见”S5PV210_iROM_ApplicationNote_Preliminary_20091126.pdf”中P6。

6.6.外部存储器总结 

(1)现代SoC支持多种外部存储器。 

(2)外部存储器主要用来存储程序（可执行代码），相当于电脑的硬盘。 

(3)各种不同外部存储器原理不同，大小、性价比不同，一般产品厂家根据需要选择适合自己产品的外存使用。 

(4)外部存储器和CPU连接一般不是通过地址&数据总线直接相连，因为地址空间不够用。一般都是通过专门的接口来连接的。

          
一、一些存储类相关的概念
 1、ROM (read only memory)只读存储器，一般作为外部存储器，类似于硬盘、Flash、光盘等。
 2、RAM (ramdam access memory)随机访问存储器，内部存储器，用来存储程序，比如DRAM、SRAM、DDR等。
   RAM又可分为DRAM(dynamic ram)动态RAM和SRAM(static ram)静态RAM，其各自的特点为：
      DRAM容量大、造价低，缺点就是上电后不能直接使用，而需要软件初始化后才能使用。
      SRAM容量小、造价高，优点就是上电后能够直接使用，而不用进行软件初始化。
 3、IROM (internal rom)内部ROM，指的是集成到SoC内部的ROM。
 4、IRAM (internal ram)内部RAM，指的是集成到SOC内部的RAM。

二、SoC常用的外部存储器
 1、NorFlash 特点：容量一般很小，造价高，但是可以和CPU总线式相连，CPU在上电后可以直接读取，所以一般常用作启动介质。
 2、NandFlash 特点：分为SLC和MLC，类似于硬盘，容量一般很大，造价也低，但是不能够使用总线式访问，当CPU上电后，需要运行一下相应的初始化程序后，通过时序接口读写。
 3、eMMC/iNand/moviNand moviNand是三星公司生产的eMMC
 4、oneNand 三星公司生产的一种Nand
 5、SD卡/TF卡/MMC卡等

三、CPU连接内存和外存的方式
  CPU连接内存和外存的方式是不同的，内存需要直接地址访问，所以采用总线式连接，其特点就是可以直接、随机访问，但是需要占用CPU地址空间。外存是通过CPU外存接口连接的，特点就是不占用CPU的地址空间，访问速度相对总线式较慢，访问时序比较复杂。

四、一般系统的存储结构
  一般的单片机：小容量的NorFlash + 小容量的SRAM
  嵌入式系统：外接大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC内置SRAM
  PC机：小容量的NorFlash(也就是BIOS) + 大容量的硬盘(类似于NandFlash) + 大容量的DRAM
 
				
转载于:https://blog.51cto.com/tianleicto/1947884

计算机中内存储器和外存储器有什么区别
发布时间：2020-12-28 09:26:31
来源：亿速云
阅读：111
作者：小新
这篇文章给大家分享的是有关计算机中内存储器和外存储器有什么区别的内容。小编觉得挺实用的，因此分享给大家做个参考，一起跟随小编过来看看吧。区别：1、速度上，内存储器要比外存储器至少快百倍；2、内存容量一般就几个G，大的也就是16G、32G等，而外存，比如硬盘，随便就是几个；3、内存关机断电，数据就会全部丢失，而外存都不会受影响，数据一直都在。
内存储器是指计算机的主存储器和位于CPU与主存储器之间的高速缓冲存储器cache.外存储器是指计算机的辅助存储器,包括硬盘、软盘、光盘等。
内存储器主要用来暂时存储CPU正在使用的指令和数据,它和CPU的关系最为密切.由于它存放的程序和数据需要立即使用,所以要求存取速度快,通常由半导体存储器构成.CPU直接从主存储器取指令和存放数据.断电后不保存信息。
外存储器用来存放当前不需要立即使用的信息,一旦需要,再和主存成批地交换数据,它是作为主存的后备和补充存在的,是主机的外部设备.它的特点是容量大、成本低,通常在断电之后仍能保存信息,是“非易失性”存储器,其中大部分存储介质还能脱机保存信息。
衡量存储器有三个指标：容量、速度和价格／位.所以速度高的存储器每位价格都比较高,因此容量不能太大,所以就要分为内存和外存,将正使用的信息放在速度高的内存中,暂时不用的放在外存中.但是它们都是计算机的存储系统,它们之间形成了一个存储层次,整体上看使得计算机有近似于内存的速度和近似于外存的容量。
内存储器和外存储器的区别
1、速度不同。内存要比外存速度至少快百倍。外存最快的是硬盘，最慢的是软磁盘。
2、容量不同。内存容量一般就几个G，大的也就是16G、32G等，而外存，比如硬盘，随便就是几个T。
3、易失性不同。内存关机断电，数据就会全部丢失，而外存都不会受影响，数据一直都在。
感谢各位的阅读！关于“计算机中内存储器和外存储器有什么区别”这篇文章就分享到这里了，希望以上内容可以对大家有一定的帮助，让大家可以学到更多知识，如果觉得文章不错，可以把它分享出去让更多的人看到吧！

CPU连接内存和外存的连接方式不同，内存RAM（DRAM、SRAM、SDRAM）需要直接地址访问，所以是通过地址总线和数据总线的总线式访问方式连接的（好处是直接访问、随机访问；坏处是占用CPU的地址空间，大小受限）；外存ROM（硬盘、flash（Nand、inand······U盘、SSD）、光盘）是通过CPU的外存接口来连接的（好处是不占用CPU的地址空间，坏处是访问速度没有总线式快、访问时序复杂）。

flash分为nandflash和norflash

NorFlash
			
总线式访问，接到SROM bank，优点是可以直接总线访问，也就是说可以原地运行，不用到内存中去运行，一般用来启动。（贵）
		
 
			
但是现在Nandflash也可以用来启动。（性价比高）
		
NandFlash
			
分为SLC和MLC
		
eMMC/iNand/moviNand
			
eMMC（embeded MMC）    iNand是SanDisk公司出产的eMMC，moviNand是三星公司出产的eMMC
		
oneNAND
			
oneNand是三星公司出的一种Nand
		
SD卡/TF卡/MMC卡
			
 
		
eSSD
			
 
		
 

总结：

•1、现代SoC支持多种外部存储器

•2、外部存储器主要用来存储程序（可执行代码），相当于电脑的硬盘。

•3、各种不同外部存储器原理不同，大小、性价比不同，一般产品厂家根据需要选择适合自己产品的外存使用。

•4、外部存储器和CPU连接一般不是通过地址&数据总线直接相连，因为地址空间不够用。一般都是通过专门的接口来连

        

内存
			
 
			
 
		
SRAM
			

			
静态内存
			
			
特点是容量小、价格高，优点是不需要软件初始化直接上电就能用。
		
DRAM
			
动态内存
			
特点是容量大、价格低，缺点是上电后不能直接使用，需要软件初始化后才可以使用。
		
外存
			
 
			
 
		
NorFlash
			
 
			
特点是容量小、价格高，优点是可以和CPU直接总线式相连，CPU上电后可以直接读取，所以一般用作启动介质。
		
NandFlash
			
和硬盘一样
			
特点是容量大、价格低，缺点是不能总线式访问，也就是说CPU上电后不可以直接读取，需要CPU运行一些初始化软件，然后通过时序接口读写。
		
单片机中：内存需求量少，且希望开发尽量简单，适合全部使用SRAM；

嵌入式中：内存需求量大，适合使用DRAM，在没有NorFlash等启动介质的情况下，还需要使用少量的SRAM；

PC机中：内存需求量大，而且软件复杂，不在乎DRAM初始化的开销，适合全部用DRAM。

PC机一般都是：很小容量的BIOS（NorFlash）+很大容量的硬盘（类似于NandFlash）+很大容量的DRAM；

一般的单片机：很小容量的NorFlash+很小容量的SRAM

嵌入式系统：因为NorFlash很贵，所以现在很多嵌入式系统不倾向于使用NorFlash，而是采用内置小容量SRAM+外接大容量的NandFlash+外接大容量的DRAM（我个人觉得还是内置了很小容量的NorFlash来初始化外接的NandFlash，并从NandFlash来获得初始化DRAM的代码，因为NandFlash的种类并不多，而DRAM的种类很多，当然了，这只是我从s5pv210开发板的启动过程推测来的，是否正确还有待考究）