精华内容
下载资源
问答
  • PMOS防浪涌抑制电路

    2020-12-25 14:47:03
    PMOS防浪涌抑制电路1.浪涌电流的来源2.防浪涌抑制电路分析2.1 电路原理2.2 影响因素2.2.1 RC参数的影响2.2.2 MOS参数的影响2.3 实际测试波形3. 其他防浪涌电路 1.浪涌电流的来源 为了减小输入电压纹波,常常在电源...

    1.浪涌电流的来源

    为了减小输入电压纹波,常常在电源输入端加上大电容来进行滤波。若电路不加任何处理,往往会上电爆炸,小陶瓷电容还好,因为容量小嘛,但是大电解电容可就gg了。那么为什么会这样呢?
    这是因为上电瞬间电容由于电压不能突变,维持初始值0,这相当于短路,当上电时,输入电压全部加在阻抗很小的线路上,产生浪涌电流。防浪涌抑制电路的作用是抑制上电瞬间输出电容上的大电流。

    2.防浪涌抑制电路分析

    2.1 电路原理

    下图是PMOS防浪涌电路的简化原理图。
    首先说为什么采用PMOS,因为负压开通,可与输入共地,若采用NMOS,可就需要charge bump才能导通了。
    在这里插入图片描述
    其次再来说此电路的原理。
    防浪涌抑制电路的基本原理是利用场效应管的电流放大特性,控制输入电流从0逐渐增加,缓慢的为输出侧电容充电,直至场效应管完全导通,从而避免由于输出侧电容的瞬间短路特性导致产生的大电流。
    工作过程主要分为三个阶段,上电阶段,C1充电阶段,Cin充电阶段。
    1. 上电阶段
    上电瞬间,电容C1短路,PMOS管Q1的SG两端电压为0,Q1不导通,SD两端阻抗无穷大,Cin上无电流。

    2. C1充电阶段
    输入给C1充电,充电时间常数约为R2*C1。随着C1的充电,Q1的SG两端电压逐渐上升,当达到PMOS管的开启电压Vth后,Q1导通。

    3. Cin充电阶段
    随着C1两端电压逐渐升高,Q1逐渐导通,管子上流过的电流逐渐增加,从而给Cin进行充电,充电时间常数为Rsd*Cin,Rsd为Q1导通时的等效电阻。

    当C1两端的电压,达到R1两端在输入的分压时,充电结束。Cin两端的电压达到输入电压时,充电结束。
    以上工作工程可由下图表示。Vc1是C1两端的电压。Vcin是Cin两端的电压,Icin是Cin流过的电流。
    在这里插入图片描述
    我们来关注下电流的波形,为什么会这样?从0增加到最大,斜率先增大,后减小,而后电流又快速下降。
    我试图想从公式上推导,发现高阶微分方程太难解出了,还是感性的说吧。
    PMOS上的电流其实主要与两条曲线有关,一个是mos的转移特性曲线,Vsg越大,-Id越大,那么电容充电电流的波形与转移特性一致,另一方面若不考虑mos阻抗的变化,当作常数R,那么随着电容电压增加,充电电流是越来越小的。当两者达到一个平衡后,出现最大电流。不过电路中有寄生参数,应该不可能让ic的电流不可导,所以在极值点是平滑过渡的。
    在这里插入图片描述

    2.2 影响因素

    2.2.1 RC参数的影响

    要想电容充电电流小,充电慢,最简单的来说就是增大时间常数,包括mos管你都可以当作阻抗来考虑,最开始阻抗无穷大,完全导通阻抗几乎为0.
    所以可以通过调节R2,C1可控制mos开启电压的上升速度,从而控制电流。当然在调节R2时,需同步调节R1,以确保电阻足够的功率降额或者足够的开启电压。

    2.2.2 MOS参数的影响

    实际上,PMOS参数的差异也会影响浪涌电流,比如转移特性和Vth。
    1)转移特性的影响
    不同的转移特性会导致相同的VSG下,导通电流的不同,如下图所示。
    在这里插入图片描述
    2)Vth的影响
    不同的Vth会导致MOS导通时电流的上升速率不同。假设MOS的电流放大倍数相同,即转移特性曲线中斜率相同,Vth不同,导致相同VSG下,导通电流不同,Vth越小,导通电流越大。
    在这里插入图片描述
    MOS导通电流越大,Cin充电电流越大。而Cin总电荷量是一定的,由Q=CU=It可知,电流大,充电时间短,峰值电流大,而电流小,充电时间长,峰值电流小。
    在这里插入图片描述

    2.3 实际测试波形

    结合实际浪涌电流波形进行分析。上电一段时间后,回路电流快速上升,等效输入电容充电,电流到达峰值后,由于电容电压上升到一定值,充电电流减小,而后后级电路启动,由于带载,电容电压被拉低,充电电流又会上升后回落,直到充电结束。图中充电结束后的电流震荡,可能跟后级电路有关,需结合实际进行再分析。
    在这里插入图片描述
    根据前文分析,在电路参数不变的情况下,不同板卡测试结果不同,可能是由于MOS管差异导致,而MOS管的差异在实际应用中很难保证,所以建议调整C1,R2,R1,如增大C1或R2,R1,可减小浪涌电流。由于整个电路启动时间的要求,RC不能太大,浪涌电流时间一般保证在2ms左右。

    3. 其他防浪涌电路

    1)NTC防浪涌电路
    NTC:负温度系数的热敏电阻,温度越高,电阻越小。
    直接将NTC与大电容串联,上电时,电阻大,充电慢,上电完成电阻小,减小损耗。
    在这里插入图片描述
    但存在的问题是限制上电浪涌电流性能受环境温度和NTC的初始温度影响,在环境温度较高或在上电时间间隔很短时,NTC起不到限制上电浪涌电流的作用,
    2)PTC+继电器防浪涌电路
    PTC:正温度系数的热敏电阻,温度越高,电阻越大。
    上电时,电阻大,充电慢,随着电阻温度上升,PTC断开,用继电器代替,可减小电路损耗。

    展开全文
  • 1、浪涌电压的产生和抑制原理   在电子系统和网络线路,经常会受到外界瞬时过电压干扰,这些干扰源主要包括:由于通断感性负载或启停大功率负载,线路故障等产生的操作过电压;由于雷电等自然现象引起的...
  • 随着电子产品对可靠性要求的不断提高和能源资源的日益紧缩,高可靠性和高效...在开机上电的瞬间,电容电压不能突变,因此会产生一个很大的充电电流。根据一阶电路零状态响应模型所建立的一阶线性非齐次方程可以求出其
  • 随着电子产品对可靠性要求的不断提高和能源资源的日益紧缩,高可靠性和...在开机上电的瞬间,电容电压不能突变,因此会产生一个很大的充电电流。根据一阶电路零状态响应模型所建立的一阶线性非齐次方程可以求出其电流
  • 瞬间高电压的雷击浪涌以及信号系统浪涌是引起电子设备产品安全性能下降的重要原因,因此越来越多的产品开始设计带有抗雷击浪涌电路,这些电路虽然功能能满足防雷击浪涌的要求,但是在选择和使用浪涌抑制器的种类和...
  • 如在不利的情况(上电时的电压瞬时值为电源电压峰值)上电,则会产生远高于整流器正常工作电流的输入浪涌电流,如图2所示。当滤波电容为470μF并且电源内阻较小时,个电流峰值将超过100A,为正常工作电流峰值的10倍。 ...
  • 如在最不利的情况(上电时的电压瞬时值为电源电压峰值)上电,则会产生远高于整流器正常工作电流的输入浪涌电流,如图2所示。当滤波电容为470μF并且电源内阻较小时,第一个电流峰值将超过100A,为正常工作电流峰值的...
  • 一 压敏电阻 压敏电阻的特点: a)优点:电压范围很宽,可从几伏到几千伏; 吸收浪涌电流可从几十到几千安培,反应...a)从抑制瞬变干扰的角度出发,压敏电压要尽 量降低以接近被保护电路的工作电压; 从提高元件 寿

    一 压敏电阻

    压敏电阻的特点:
    a)优点:电压范围很宽,可从几伏到几千伏; 吸收浪涌电流可从几十到几千安培,反应速度快, 无极性,无续流,峰值电流承受能力较大,价格低。
    b)缺点:钳位电压较高,一般可以达到工作电 压的 2~3 倍;而且,随着受到浪涌冲击次数的增加, 漏电流增加;另外,响应时间较长,寄生电容较大。
    c)适用场合:直流电源线、低频信号线,或者 与气体放电管串联起来用在交流电源线上。

    压敏电阻的选择:
    a)从抑制瞬变干扰的角度出发,压敏电压要尽 量降低以接近被保护电路的工作电压;
    从提高元件 寿命来看,又要拉开两者差距。一般折衷的选取方 案为:对交流工作电路,压敏电压值为工作电压的2.2 倍;对直流工作电路,压敏电压值为工作电压的 1.5 倍。
    b)通流量的选取:在实际应用中,压敏电阻所 吸收的最大浪涌电流应小于它的最大通流量。对同 一应用场合,当最大通流量增加一倍,压敏电阻的 寿命也同步增加一倍。

    二 瞬态抑制二极管-TVS管

    学习资料:TVS防护电路的典型应用

    TVS 为电压箝位型工作方式,亚纳秒级的响应 速度。
    TVS 有多种封装方式,可满足不同场合的需 要。
    当 TVS 上的电压超过一定的幅度时,器件迅速 导通,通过 PN 结反向过压雪崩击穿将浪涌能量泄放掉。由于这类器件导通后阻抗很小,因此它的箝位电压很平坦,并且很接近工作电压。

    特点
    a)优点:响应时间短,漏电流小,击穿电压偏 差小,箝位电压低(相对于工作电压),动作精度 高,无跟随电流(续流),体积小,每次经受瞬变电 压后其性能不会下降,可靠性高。
    b)缺点:由于所有功率都耗散在二极管的 PN 结上,因此它所承受的功率值较小,允许流过的电 流较小。一般的 TVS 器件的寄生电容较大,如在高 速数据线上使用,要用特制的低电容器件,但是低 电容器件的额定功率往往较小。
    c)适用场合:浪涌能量较小的场合。如果浪涌 能量较大,要与其它大功率浪涌抑制器件一同使用, 则把它作为后级防护。

    硅瞬变电压吸收二极管的选择
    a)最大击穿电压 Vbr(max) :小于器件最大允许安全电压。
    最小击穿电压Vbr(min):大于器件工作电压;
    b)最大反向工作电压 VRWM:应不低于电路的最大工作电压,一般略高于电路的工作电压。 (保证正常工作的时候没有漏电流)
    c)TVS 额定的最大脉冲功率必须大于电路中出 现的最大瞬态浪涌功率。
    d)对小电流负载的保护,可在二极管之前串接 适当的限流电阻,从而可选用小的峰值吸收功率的 TVS 来担任这一功能。

    (1)Vbr:大于正常工作电压,小于极限承受电压;
    (2)Vrwm:最大反向工作电压应当不大于极限工作电压。

    1.选型:对于RS422/RS485接口

    RS422/RS485通信电气特性,正常工作电压:-6V-+6V(无负载条件下) ,-2V-+2V(有负载条件下)。
    芯片极限工作电压:a)选用的RS485芯片极限电压:-7.5V~12.5V;b)选用的RS422芯片的极限电压-8V-12.5V。

    共模TVS管:选择TVS二极管厂家为扬州杨杰,型号为SMCJ6.0CA,Vbr(min)=6.67V,Vbr(max)=7.37V,Vrwm=6.0V。
    差模TVS管:选择TVS二极管厂家为扬州杨杰,型号为SMCJ13CAQ,Vbr(min)=14.4V,Vbr(max)=15.9V,Vrwm=13.0V。

    2.选型:对于CAN接口

    CAN通信电气特性:根据ISO11898和ISO11519不同通信速率下的物理层电气特性可知,正常工作电压CAN_H(max)=5V,CAN_L(max)=2.25V,C_DIFF(max)=3.0V。
    CAN接口芯片的极限电压为-40V-+40V。

    共模/差模TVS管:选择TVS二极管厂家为扬州杨杰,型号为SMCJ6.0CA,Vbr(min)=6.67V,Vbr(max)=7.37V,Vrwm=6.0V。

    3.选型:对于1553b接口

    (1)工作电压:
    1553b通信电气特性:根据《1573总线收发器datasheet》可知,
    接收器:输入电压max 低于发送器电压;
    发送器:±5V;

    由于电气信号从总线收发器出来后进入隔离变压器,隔离变压器DB2725的匝数比1:1.79,此时信号电压为
    接收器:输入电压max 低于发送器电压;
    发送器:±9V;(5V*1.79=8.95V);

    【tips】1573总线收发器,输出差分电压为11.6V,
    a)直接耦合方式:变压器匝数比1:2.5,那么变压器输出的差分电压29V。信号进入盒式耦合器,信号正线和负线均串联55ohm电阻,负载端并联两个70ohm电阻(35ohm负载),实际负载的电压为7V;
    b)变压器耦合方式:变压器匝数比1:1.79,那么变压器输出的差分电压为20.764V.信号进入盒式耦合器,又有一级变压器匝数比为1:1.4,信号正线和负线差分电压变为29V,均串联55ohm电阻,同样负载端并联两个70ohm电阻(35ohm负载),实际负载的电压为7V;

    (2)极限耐压:
    发送器:未体现;
    接收器:差模14V(变压器入口端)。

    在这里插入图片描述

    在这里插入图片描述
    共模TVS管:选择TVS二极管厂家为扬州杨杰,型号为SMCJ13CAQ,Vbr(min)=14.4V,Vbr(max)=15.9V,Vrwm=13.0V。
    差模TVS管:选择TVS二极管厂家为扬州杨杰,型号为SMCJ22CAQ,Vbr(min)=24.4V,Vbr(max)=26.9V,Vrwm=22V。

    4.选型:对于RS232接口

    RS232通信电气特性:
    逻辑1:-3~-15V ;
    逻辑0:+3~+15V.
    对于目前选用的RS232芯片而言:
    a)承受的极限电压是T_out/GND=±13.2V;R_in/GND=±25V;
    b)正常工作电压是T_out/GND=±5.5V;R_in/GND=±15V

    发送端共模TVS管:厂家为扬州杨杰,型号为SMCJ6.0CA,Vbr(min)=6.67V,Vbr(max)=7.37V,Vrwm=6.0V。
    接收端共模TVS管:厂家为扬州杨杰,型号为SMCJ17CAQ,Vbr(min)=18.9V,Vbr(max)=20.9V,Vrwm=17.0V。

    三 电感的选择

    在这里插入图片描述
    准备选择
    厂家:风华;
    型号:MLCDI2012L1R0M;
    电感值:1uH,
    测试频率:1MHz;
    自谐振频率:60MHz;
    直流电阻:0.14ohm;
    额定电流:950mA

    三 通信端口的浪涌抑制

    在这里插入图片描述
    (1)以上为准备选用的电路拓扑结构,其中第一级的三端放电管改为CAN_H和GND CAN_L和GND之间两个TSS管。
    (2)TVS和电感选型上面已经确定,一级防护的半导体放电管选型在浪涌抑制专题-半导体放电管tss介绍中确定。

    四 地线反弹的抑制

    当并联型的浪涌抑制器发挥作用时,它将浪涌 能量旁路到地线上。由于地线都是有一定阻抗的, 因此当电流流过地线时,地线上会有电压。这种现象一般称为地线反弹。 当浪涌抑制器的地与设备的地不在同一点,设 备的线路实际上没有受到保护,较高的浪涌电压仍然加到了设备的电源线与地之间。
    解决办法:在线路(地)与设备的外壳(地)之间再并联一只浪涌 抑制器,或将两地选择在同一点。 受到保护的设备与其他设备连接在一起,由于 地线反弹的原因,另一台设备就要承受共模电压。 这个共模电压会出现在所有连接设备 1(受保护设 备)与设备 2(未保护设备)的电缆上。解决的方 法是在互连电缆的设备 2 一端安装浪涌抑制器。

    展开全文
  • 随着电子产品对可靠性要求的不断提高和能源资源的日益紧缩,高可靠性和高效...在开机上电的瞬间,电容电压不能突变,因此会产生一个很大的充电电流。根据一阶电路零状态响应模型所建立的一阶线性非齐次方程可以求出其电
  • 开关电源上电浪涌电流抑制模块的问世,由于其外接电路简单,体积小给开关电源设计者带来了极大方便,特别是无限流电阻方案,国内外尚未见到相关报道。同时作者也将推出其它冲击负载(如交流电机及各种灯类等)的上电...
  • 随着电子产品对可靠性要求的不断提高和能源资源的日益紧缩,高可靠性和高效节能的电子产品将是未来电子产品发展的一个方向,因此在产品的电源设计,必须要充分考虑其可靠性能和电源使用效率。
  •  关键字:热敏电阻|浪涌抑制器|电源设计  随着电子产品对可靠性要求的不断提高和能源资源的日益紧缩,高可靠性和高效节能的电子产品将是未来电子产品发展的一个方向,因此在产品的电源设计,必须要充分考虑其...
  • 随着电子产品对可靠性要求的不断提高和能源资源的日益紧缩,高可靠...本文首先分析电子产品为什么会有开机浪涌,然后以典型的电源电路为例分析如何使用热敏电阻抑制浪涌电流,最后介绍热敏电阻在实际应用中应如何选型。
  • LTC4364是一款紧凑和完整的解决方案以限制和调节电压及电流,可保护敏感的负载电路免遭危险电源瞬变 (包括那些超过100V的电源瞬变)...在汽车和工业系统中,它是传统庞大笨重保护电路的一种易于实现的高性能替代方案。
  • AC/DC变换器1 上电浪涌电流目前,考虑到体积,成本等因素,大多数AC/DC变换器输入整流滤波采用电容输入式滤波方式,电路原理如图1所示。由于电容器上电压不能跃变,在整流器上电之初,滤波电容电压几乎为零,等效为...
  • 这个电流就是我们常说的输入浪涌电流,它是在对滤波电容进行初始充电时产生的,其大小取决于启动上电时输入电压的幅值以及由桥式整流器和电解电容其所形成的回路的总电阻。  假设输入电压V1为220Vac,整个电网...
  • AC/DC变换器1 上电浪涌电流 目前,考虑到体积,成本等因素,大多数AC/DC变换器输入整流滤波采用电容输入式滤波方式,电路原理如图1所示。由于电容器上电压不能跃变,在整流器上电之初,滤波电容电压几乎为零,等效...
  • 电路具有电磁兼容、ia等级安全、电流缓冲击等特性,特别是对浪涌、脉冲群、静电干扰具有明显的抑制效果,同时上电电流缓启动的效果良好,本质安全性高;设计的抗干扰电源缓启动电路适合在煤矿大面积推广使用。
  • 为了保障电源适配器的工作安全,工程师需要在电路设计实现 化效果,并保障线路系统能够长时间高效安全运转。因此,压敏电阻器作为一种能够对电路实现电压抑制保护的元件,便在日常设计过程中得到了充分的运用。就...
  • 使用特殊性质的电阻如压敏电阻、热敏电阻实现防浪涌电压、抑制冲击电流,实现过温保护等等。电阻是最普通的器件,同时也是电路中不可或缺的器件,选好用好电阻对产品的稳定运行及使用可靠性是至关重要的。 关键词: ...
  • 找出其设计的优点和不足,并在充分吸收传统半导体激光器驱动电源保护电路优秀设计思想的基础,设计出双限流电路,保证了流过半导体激光器的电流不会超过设计值,设计出了浪涌强制吸收或隔离电路,解决了浪涌冲击对...
  • 1 引言  半导体激光器(LD)具有体积小、重量轻、转换效率高、工作寿命长等优点,在工业、军事、医疗等领域得到了广泛应用。...通常用慢启动电路、TVS(瞬态抑制器)吸收电路、限流电路等来防止浪涌冲击及电流过
  • 电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因,常给人们带来无法估量的损失...TVS管也称瞬变电压抑制二极管,也叫箝位型二极管,是在稳压管工艺基础发展起来的一种新产品,是目前普遍使用的一种高效能...

    电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因,常给人们带来无法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷电干扰及静电放电等,瞬态干扰几乎无处不在、无时不有,使人感到防不胜防。幸好,一种高效能的电路保护器件TVS管的出现使瞬态干扰得到了有效抑制。

    TVS管也称瞬变电压抑制二极管,也叫箝位型二极管,是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品,是目前普遍使用的一种高效能限压保护器件,其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速度(最高达1*10-12秒)使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上,从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。

    TVS管的特性:

    在规定的反向应用条件下,TVS管对受保护的线路呈高阻抗状态。当瞬间电压超过其击穿电压时,TVS管就会提供一个低阻抗的路径,并通过大电流方式使流向被保护元器件的瞬间电流分流到TVS管,同时将受保护元器件两端的电压限制在TVS管的箝位电压。当过压条件消失后,TVS管又恢复到高阻抗状态。

    TVS管的关键参数:

    1、最小击穿电压VBR:器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流IBR(一般情况IBR=1mA)下,测得器件两端的电压称为最小击穿电压。

    2、反向断态电压VRWM:TVS管最大连续工作的直流或脉冲电压,该电压施加于TVS管的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流IR。

    3、脉冲峰值电流IPP:反向工作时,在规定的脉冲波形(如:10/1000μs双指数波形)条件下,器件允许通过的最大浪涌电流。

    4、最大箝位电压VC:当脉冲峰值电流IPP流过TVS管时,其两端出现的最大电压值称为箝位电压VC。VC和IPP反映了TVS管的浪涌抑制能力。通常把VC与VBR之比称为箝位因子(系数),其值一般在1.2~1.4之间。

    5、脉冲峰值功率PPP:脉冲峰值功率PPP是指脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积,即PPP=IPP×VC。 它是TVS管能承受的最大峰值功率。在给定的最大箝位电压下,脉冲峰值功率PPP越大,其浪涌电流的承受能力越大。

    6、结电容CJ:TVS管结电容CJ是由其硅片的雪崩结截面和偏置电压来决定的,是在特定频率(1MHz)下测得。 CJ的大小与TVS管的电流承受能力成正比,CJ太大,将使信号衰减。因此,电容CJ是数据界面电路选用TVS管的重要参数。在高频信号线路的保护中,应主要选用低结电容的TVS管,一般低结电容的TVS管其结电容可以做到零点几到几p F的数量级了。

    TVS的分类:

    优恩半导体TVS管按功率分类,可分为200W、400W、500W、600W、1000W、1500W、3000W、5000W、8000W、15000W、20000W、30000W、3600W、6600W等。也可按极性分类。按极性分为单极性及双极性两种。单极性尾标中用A表示,双极性尾标中以C表示。如SA5.0A表示单向的,SA5.0 CA表示双向的。

    TVS的应用:

    TVS主要用于对电路元件进行快速过电压保护。它能"吸收"功率高达数千瓦的浪涌信号。TVS具有体积小、功率大、回应快、无噪声、价格低等诸多优点,它的应用十分广泛,如:家用电器;电子仪器;仪表;精密设备;计算机系统;通讯设备;RS232、485及 CAN等通讯端口;ISDN的保护;I/O端口;IC电路保护;音、视频输入;交、直流电源;电机、继电器噪声的抑制等各个领域。它可以有效地对雷电、负载开关等人为操作错误引起的过电压冲击起保护作用。

    下图是优恩半导体TVS管在电路应用中的典型例子。

    注解:

    1、TVS1对整个电路(包括变压器)进行保护。

    2、TVS2对其后的电路(除变压器外的整个电路)提供高度的保护。由于变压器 的物理性质有如一个大的串联电阻,当受到浪涌冲击时,断路的机会很少。

    3、TVS3对负载提供全面的保护。在此采用的是成本较低的单极TVS二极管。若 电路中只采用TVS3,电桥因没有TVS的保护,电桥应采用较高电压及电流比 值的器件,以防止损坏。

    TVS的选用方法:

    1、确定待保护电路的直流电压或持续工作电压。如果是交流电,应计算出最大值,即用有效值*1.414。

    2、TVS的反向变位电压即工作电压(VRWM)--选择TVS的VRWM等于或大于上述步骤1所规定的操作电压。这就保证了在正常工作条件下TVS吸收的电流可忽略不计,如果步骤1所规定的电压高于TVS的VRWM ,TVS将吸收大量的漏电流而处于雪崩击穿状态,从而影响电路的工作。

    3、最大峰值脉冲功率:确定电路的干扰脉冲情况,根据干扰脉冲的波形、脉冲持续时间,确定能够有效抑制该干扰的TVS峰值脉冲功率。

    4、所选TVS的最大箝位电压(VC)应低于被保护电路所允许的最大承受电压。

    5、单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲,其实并非如此。双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。TVS有时也用于减少电容。如果电路只有正向电平信号,那麽单向TVS就足够了。TVS操作方式如下:正向浪涌时,TVS处于反向雪崩击穿状态;反向浪涌时,TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。在低电容电路里情况就不是这样了。应选用双向TVS以保护电路中的低电容器件免受反向浪涌的损害。

    6、如果知道比较准确的浪涌电流IPP,那么可以利用VC来确定其功率,如果无法确定功率的大概范围,一般来说,选择功率大一些比较好。

    好了,对于抗浪涌能力超强的TVS管你了解了吗?如果还有什么不清楚的,欢迎来电优恩半导体咨询。

    展开全文
  • 用于抑制电路启动阶段的过电流。 压敏电阻Varistor 主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。也称为“冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。 当加在压敏电阻的电压低于它的阈值时,...
    • 热敏电阻NTC
      随着温度的升高,电阻减小。用于抑制电路启动阶段的过电流。

    • 压敏电阻Varistor
      主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。也称为“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。

      • 当加在压敏电阻上的电压低于它的阈值时,流过它的电流极小,它相当于一个阻值无穷大的电阻。也就是说,当加在它上面的电压低于其阈值时,它相当于一个断开状态的开关。
      • 当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时,流过它的电流激增,它相当于阻值无穷小的电阻。也就是说,当加在它上面的电压高于其阈值时,它相当于一个闭合状态的开关。
    • 保险丝Fuse
      电流过大时,熔断。

    展开全文
  • 在雷电放电的过程中,由于瞬间放电产生了强烈的电磁脉冲,...压敏电阻、气体放电管、TVS管(瞬间抑制二极管)三种器件都限压型的浪涌保护器件,都被用来在电路中用作浪涌保护。 1.放电管、压敏电阻、TVS管特性对比 ...
  •   串联电阻是最容易想到的限制浪涌电流的方案。如果电源电压是5V,在负载...  看来,我们需要的电阻要有这个特性:刚安全上电时电阻要大,抑制浪涌电流;等到浪涌电流过去,电流稳定时,电阻要小,不影响负载工作。
  • 还是工业控制所需要用到的各种电压保护设备,可以看出,它们愈来愈倾向精细化、微型化、集成化、高频化,从而使得它们对于过压保护、过流保护、浪涌抑制、静电防护等电路保护方案提出了更科学、严格的要求。...
  • 电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因,常给人们带来无法...TVS管也称瞬变电压抑制二极管,也叫箝位型二极管,是在稳压管工艺基础发展起来的一种新产品,是目前普遍使用的一种高效能限压保护...
  • 虽然高浪涌电压是汽车电路保护系统的应对对象,但是也要注意钳位的电压高度。 电源系统,12V与24V的电池在指定的环境下最大输出电压的值。 常见的稳压器和DC-DC转换器IC的最大输入电压的值。 EMC电磁问题的解决,...
  • 电路设计中电阻如何选择 电阻在电子产品中是最常用的器件之一,...使用特殊性质的电阻如压敏电阻、热敏电阻实现防浪涌电压、抑制冲击电流,实现过温保护等等。电阻是最普通的器件,同时也是电路中不可或缺的器件,...

空空如也

空空如也

1 2 3 4
收藏数 74
精华内容 29
关键字:

上电浪涌抑制电路