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  • UPS间断电源工作原理简述

    千次阅读 2016-10-10 11:34:45
    欧美国家取Uninterruptible Power System的英文前缀简称为UPS。又因间断电源系统的交流输出为固定电压,固定频率的特性,即为定电压定频率(Constant Voltage Constant Frequency) ,所以日本也

    一、定义      

    UPS即不间断电源,是将蓄电池(多为铅酸免维护蓄电池)与主机相连接,通过主机逆变器等模块电路将直流电转换成市电的系统设备。在欧美国家取Uninterruptible Power System的英文前缀简称为UPS。又因不间断电源系统的交流输出为固定电压,固定频率的特性,即为定电压定频率(Constant Voltage Constant Frequency) ,所以在日本也有人取其英文前缀简称CVCF。

                         

    二、分类及原理

    • 按输入输出相数分:单进单出、三进单出和三进三出。
    • 按功率等级分:微型(<3KVA)、小型(3KVA~10KVA)、中型(10KVA~100KVA)和大型(>100KVA)。
    • 按电路结构形式分:有后备式、在线互动式、在线式等。
    • 按输出波形的不同分:有方波和正弦波两种。

           现按电路结构形式分类,分别叙述如下:


    2.1后备式(OFF-LINE或STAND-BY)

    1)原理:

    ①    市电正常时则市电经稳压后直接输出负载,同时经整流器将交流电转化为直流电给电池充电,此时逆变器不工作。

    ②    当市电故障时,由电池提供电力,经逆变器输出负载。此切换时间约4-10ms之间。

    2)特点:

    功率范围: 300~2000VA

    工作特点:对市电进行简单的升降压及滤波处理后直接供给负载,当输入电源不符合要求时才由电池供电。在绝大多数时间内负载使用的是市电。

    优 点:结构简单、价格便宜、体积小、噪声低、效率高。

    缺 点:市电/电池供电转换时间4~10ms,输出精度低、输出波形差、输出波形为方波。

    主要应用对象:单台计算机系统的断电保护

    2.2在线交互式(HYBIRD)

    • 在线交互式又称混合式或三端口式。

    1)原理:

    ①    市电正常时,市电经稳压后,由转换开关输出负载,同时经整流器将交流电转化为直流电给电池充电,此时逆变器已经激活,但未输出。

    ②    当市电故障,由电池提供电力,经逆变器输出负载。 

    2)特点:

    功率范围: 1~800KVA

    工作特点:市电经过整流转换为直流,由逆变器调制出稳定的正弦波。

    优 点:负载端与市电输入端处于优良的”电隔离“状态之中、输出波形好、输出电压质量高、无论负载突变或负载稳定时均呈现优异的带载特性。

    缺 点:效率低、成本高

    主要应用对象:计算机及网络系统、精密仪器仪表、工业系统的断电保护。

           2.3在线式(ON-LINE):

    1)原理:    

    ①当市电正常时,市电经整流器将交流电转变为直流电给电池充电,同时输出到逆变器将直流电转化为正弦交流电,经转换开关输出到负载。

    ②当市电输入不正常时,由电池经逆变器输出到负载。

    ③    当逆变器发生故障或输出功率不足(由于过载、过热等原因)时,转换开关将自动切换至静态旁路由市电继续供电。若旁通是由于过载引起的,UPS将在负载低于100%时,跳回逆变器正常输出。若旁通是由于过热引起的,UPS将在温度低于报警点时跳回正常输出。

    2)特点:

    无论是市电供电正常时,还是市电中断由电池逆变供电期间,逆变器始终处于工作状态,这就从根本上消除了来自电网的电压波动和干扰对负载的影响。

    由于平时逆变器与市电以同步方式进行运转,所以逆变器与市电之间经由转换开关自动相互切换的时间均应小于2ms,故其可靠度高,适合电源品质要求较高的场所。

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  • STM32F030低温下RTC不工作

    千次阅读 2016-12-16 22:28:35
    客户反馈批量生产阶段,发现部分产品的MCU的RTC低温(0℃)下工作不正常,但是常温下又是正常的,且其他正常的MCU的RTC常温与低温下都是正常的。

    1 前言

    客户反馈在批量生产阶段,发现部分产品的MCU的RTC在低温(0℃)下工作不正常,但是在常温下又是正常的,且其他正常的MCU的RTC在常温与低温下都是正常的。

    2 问题跟进与分析

    通过与客户邮件沟通,了解到客户使用的MCU型号是:STM32F030C6T6TR。在产品的主从结构中主要用作电源管理和时钟管理。通过客户的描述,似乎相同型号不同片子都存在较大的差异。

    由于时间紧急,在了解到初步信息后立即拜访客户,针对客户认为有问题的MCU芯片做针对性试验。通过STM32CubMx生成测试工程,分别使用LSI(40K),LSE(32.768K),RTC工作时每秒通过LED1(PB5)取反一次(通过LED1灯是否闪烁来指示RTC是否工作正常),然后分别测量OSC管脚与PA8脚(输出LSI或LSE),并对比ST官方的NUCLEO-F030板,最终测试结果如下:

    Test itemTemperatureLow-speed clock typeLED1(use PB5 to indicate the RTC status)OSC pinPA8 output clock
    Use Customer board without any modifyIndoor temperature(25℃)Use LSI(40KHz)OK(Flash every second)N/AOK(Output 40K waveform)
    Use Customer board without any modifyUnder the low temperature(0℃)Use LSI(40KHz)OK(Flash every second)N/AOK(Output 40K waveform)
    Use Customer board without any modifyIndoor temperature(25℃)Use LSE(32.768KHz)OK(Flash every second)32.768K waveformOK(Output 32.768K waveform)
    Use Customer board without any modifyUnder the low temperature(0℃)Use LSE(32.768KHz)Failed(no flash)32.768K waveform detectedFailed(no output waveform)
    Use the Customer board and modify the LSE load capacitance value to 6.8pFIndoor temperature(25℃)Use LSE(32.768KHz)OK(Flash every second)32.768K waveformOK(Output 32.768K waveform)
    Use the Customer board and modify the LSE load capacitance value to 6.8pFUnder the low temperature(0℃)Use LSE(32.768KHz)OK(Flash every second)32.768K waveformOK(Output 32.768K waveform)
    Use ST Nucleo-F030 boardIndoor temperature(25℃)Use LSE(32.768KHz)OK(Flash every second)32.768K waveformOK(Output 32.768K waveform)
    Use ST Nucleo-F030 boardUnder the low temperature(0℃)Use LSE(32.768KHz)OK(Flash every second)32.768K waveformOK(Output 32.768K waveform)

    表1 测试内容

    通过测试结果,我们得到如下信息:

    • 当使用LSI时,无论常温还是低温下都能正常工作。
    • 当使用LSE时,常温下能正常工作,但在低温(0℃)时,RTC不再工作(LED1停止闪烁),且PA8管脚无输出,但保持为高电平,且此时OSC管脚此时是存在32.768K的波形的。
    • 通过修改负载电容C1&C2的电容值从5.1pF修改到6.8pF时,原本低温下不工作的RTC又能恢复正常工作。
    • 对比ST官方的NUCLEO-F030板子,在常温与低温下均能正常工作。
      OSC脚在低温下的波形

      图1 OSC脚在低温下的波形

      PA8管脚在低温下的波形

      图2 PA8管脚在低温下的波形

      从测试结果来看,通过修改负载电容的方式能让原本不能正常工作的RTC恢复正常工作,这个似乎为客户的负载电容不能精准的匹配系统的原因所致。

    但客户对于这种解释是不接受的,理由是现在设计的负载电容5.1pF是通过测试后的值,精度可以达到6.5ppm,但如果改为6.8pF,那么精度将会变到大约30ppm,这个会严重影响到MCU的RTC的时间精准度,系统在长时间运行后,时间必然会偏差很大,超出设计合理范围,这个是不允许的。

    3 问题分析

    既然客户不接受修改负载电容,那么首先我们重新梳理下客户的晶振设计各种参数是否准确,客户的LSE电路设计如下所示:

     LSE电路设计

    图3 LSE电路设计

    如上图,图中的MR10 10Mohm这个反馈电阻在实际电路中是没有加的,晶振使用的是TXC的,从晶振厂商提供的数据手册中得到相关参数如下:

    indexparametersSymTypicalUnit
    1Nominal FrequencyF032.768KHz
    2Load CapacitanceCL7.0pF
    3Equivalent Series ResistanceESR70KΩ
    4Shunt CapacitanceC01.0pF

    表2 晶振参数

    再者,由于客户代码中使用的LSE drive配置的是最高等级,从下图芯片对应的数据手册中可以找到对应的gm值为25uA/V,此时的驱动电流为1.6uA:
    LSE驱动能力与跨导对应的关系(理论值)

    图4 LSE驱动能力与跨导对应的关系(理论值)

    上图有提到AN2867这个文档,于是我们打开这个文档,在3.4节,发现有这个要求:
    LSE对gain margin的要求

    图5 LSE对gain margin的要求

    也就是要求gain margin的值要求大于5,这样晶振才能正常起振,那么gain margin又是如何计算的呢?接下来找到gainmargin 的计算公式,如下:
    gain margin的计算公式

    图6 gain margin的计算公式

    其中gm就是图4中从数据手册中提到的跨导值,STM32F030 LSE的不同驱动等级对应着不同的gm值,由于我们的测试代码使用的是CubeMx自动生成的代码,其默认使用的是最高等级,且客户使用的也是最高等级,因此,这个得出的gm值为25 uA/V, gm有了,那么上面公式中的gmcrit又该如何计算,我们接下来找到它的计算公式,如:
    g_mcrit的计算公式

    图7 g_mcrit的计算公式

    通过晶振对应参数,我们可以得出:
    ESR =70KΩ, C0 =1.0pF, CL =7.0pF, 而F就是LSE的频率,为32.768KHz.
    于是:
    g_mcrit =4 * 7E4 * POWER(2*PI() 32768,2) POWER ((1.0E-12 + 7.0E-12),2) =7.6E-07
    最终得到:
    gain_magin =gm/g_mcrit =2.5E-05/7.6E-07 =32.89
    这个值是远大于5,因此,理论上不会存在晶振不起振是的问题,实际上当在低温下,之前在测试中也有发现晶振也是有起振,有波形输出的,只不过PA8脚没有波形输出,那个又是什么问题呢?

    提交给division,最终定位到LSE的驱动等级过高,在AN2867这个文档中,有这样的描述:

    使用高驱动模式的注意事项

    图8 使用高驱动模式的注意事项

    也就是说,在STM32F0和STM32F3中,当使用最高驱动模式(gm_crit_max=5uA/V)时,对应地应该只使用在CL=12.5pF的晶振上,以此避免振荡回路饱和,从而导致启动失败。若此时使用了一个较小的CL(如CL=6pF),那么会导致振荡频率不稳定和工作周期可能被扭曲。

    AN2867随后给出了一张表,列出了驱动等级与gm_min、gm_crit_max的关系,如下:

    STM32各系列的gm_min与gm_crit_max关系

    图9 STM32各系列的gm_min与gm_crit_max关系

    如上图,对于STM32F0,当使用最高驱动模式High时,此时的gm_min=25 uA/V,这个与数据手册中是一致的,另外gm_crit_max =5uA/V,正是上面所描述的。

    也就是说,在使用最高驱动模式下,此时与之对应的CL应该使用12.5pF,而客户所使用的CL是7pF,这个与手册建议的内容是不相符的。从图4可以看出,在最高驱动等级模式下,此时驱动电流最大(1.6uA),但这里使用了一个比较小的负载电容(CL=7pF),按AN2867所述,此时有可能导致振荡回路饱和,振荡不稳定,工作周期扭曲。

    此时,应该对应地下调这个LSE驱动等级,减小驱动电流,这里按比例估算的话(12.5pF/1.6uA=7pF/xuA == > x=1.6*7/12.5 =0.89uA ),这里除了最高档可以外,其他都可以,保守起见,使用Medium High相对合适。

    打开STM32F030的参考手册,在7.4.9节中:

    RCC_BDCR寄存器

    图10 RCC_BDCR寄存器

    如上图,将LSEDRV[1:0]这两个为修改为10即可,将原先低温下RTC有问题的MCU芯片修改后再次放到低温下进行验证,测试结果为正常。由于此问题是部分芯片有可能会出现的问题,客户需要对修改后的芯片进行持续跟踪,至今没有再反馈出现过此问题,由此,此问题基本算是解决。

    另外,从图1中所作的测试结果来看,实际上,在低温条件下,RTC出现问题的时候,OSC pin还是能正常捕捉到波形,只不过,PA8脚这个MCO上没有波形,只是维持在高电平。于是,对于驱动电流过大所导致的振荡回路饱和,振荡不稳定,工作周期扭曲,这里理解为MCO脚与MCU内部振荡回路的连接点,也就是MCO所表现的波形。

    3 总结

    AN2867这个文档总结了关于STM32晶振匹配方面的信息。里边有提到,负载电容CL值越大,所需的驱动电流也就越大,但牵引度越小。这也就解释了表1中通过增大C1&C2的电容值,原本出现问题的RTC能恢复正常的现象,这是由于C1&C2的电容值变大将导致负载电容CL变大,进而对应所需的驱动电流也就跟着增加,这反而减少了在高驱动模式情况下振荡回路出现饱和的机会。

    在一般情况下,关于晶振这方便我们往往比较关注的是gain margin的计算,它的值太小的话会导致不起振,但同时,我们也应该适当关注由驱动电流过大导致振荡回路饱和的情况。

    AN2867这个文档的中文版是精简版,若要真正研究的话,建议还是看英文原版。

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    经过三天(9月9日~9月11日)的奔波忙碌,回归武汉的找工作之旅终于要告一段落了。

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       简历投了之后,1小时内到一周内,陆续收到了不少的面试通知,然后逐个“排期” ,约好了面试时间。

       本周二,中秋节后的第一天,开始正式找工作之旅。

       周二上午:武汉财富基石,基石在线,互联网金融,5k ~8k,经验1~3年,武汉市江汉区江汉路平安大厦57F
                       事实证明,这是一个毁三观的公司

       周二下午:武汉一起好,互联网金融,8k~10k,经验3~5年,武汉市硚口区武胜路泰合广场802室
                       事实证明,这是一个成功的相亲,充分体现了小雷同学的独到眼光,一起好用人单位的慧眼识人。
      
       周三上午:武汉千万亿,房地产营销策划,移动互联网,5k~9k,武汉市中南路中商广场写字楼B3008室
                      不太行,一般般
       周三中午:辣妈萌宝,母婴APP,移动互联网,6k~10k,武汉市中南路中建广场C座8B
                      还行
       周三下午:武汉鼎师科技,互联网教育,4k~7k,武汉市武昌区中北路24号龙源国际广场A座19楼
                      不太行,一般般

       周四上午:武汉亿童教育,幼儿教育,6k~8k,经验3~5年,武汉市洪山区书城路40号亿童大厦
                     还行

       说起来找工作花了3天,实际只有一天,第一天面试,我就找到了工作。之所以要进行后面的面试,主要是有以下几点考虑:
    1.守信。约好了面试时间,不想轻易“爽约”,虽然可以电话取消面试。
    2.想了解武汉的行情。薪资水平、行业发展、用人单位的要求、笔试题目、面试侧重点。
    3.熟悉武汉的地理环境。
    4.增加人生阅历。读万卷书,不如行万里路,行万里路不如阅人无数。

        9月2日,还在北京的时候,也投了另外一家公司ThoughtWorks,搞敏捷开发培训啥的公司,本想了解下这家公司的情况的,结果友好的20分钟的电话聊天之后,搞了一道题目,全是英文的,三道题要选择一道做。只是读懂邮件,就得10分钟以上,读懂题目至少还得15分钟。
    由于自己实在没有耐心去读懂这鸟语邮件和题目,回复了一封邮件,拒之。
       拒绝邮件如下:
      
       
    求职者-雷文: 经再三考虑,放弃这次面试机会
       “
    您好,
         经再三考虑,实在不想继续面试下去了。

       原因如下:
    1.我根本不想出差,电话中的3个月其实也不是我的本意。
    2.笔试题目全是英文的,我最不喜欢这种方式了。
    3.猜测工作环境和方式,不会是我想要的。

       多谢理解。
       浪费了您的时间,实在是不好意思。o(︶︿︶)o


       祝您工作愉快~  
      

        武汉的6家公司笔试面试情况,稍后逐步总结下来,这是我的经历、经验和财富。

       小雷FansUnion
       湖北武汉
       2014年9月11日 
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  • HDR这词大家可能并陌生,但大部分人只是听过而已,脑子并...HDR是摄影中常用到的一种技术,是英文High-Dynamic Range的缩写,意为“高动态范围”。HDR技术可以克服多数相机传感器动态范围有限的缺点,并将图片色

    HDR这词大家可能并不陌生,但大部分人只是听过而已,在脑子并没有太多的概念,可能只是简单的认为HDR就是让照片拍得更好看,这倒也没错,但究竟开启HDR好在哪,开启了和没开启HDR又有什么不一样,何时才应该开启HDR呢?

    HDR是在摄影中常用到的一种技术,是英文High-Dynamic Range的缩写,意为“高动态范围”。HDR技术可以克服多数相机传感器动态范围有限的缺点,并将图片色调控制在人眼识别范围之内。它能将多张曝光不同的照片叠加处理成一张精妙绝伦的图像。

    HDR简单的说就是让你的照片无论高光还是阴影部分细节都很清晰。再说明白点,就是当你拍摄光比比较大的作品时,缩小光比,营造一种高光不过曝,暗调不欠曝。让亮处的效果鲜亮,而黑暗保留更多的细节,能分辨物体的轮廓和深度,而不是以往的一团黑。就是比如说我们拍摄一张天空很亮的照片,在一般情况下,拍摄的结果要不就是天空过爆,要不就是地面的景物曝光不足。

    非HDR照片 地表的景物一片黑

    HDR照片 天空和地面都保留了细节

    在以前HDR摄影爱好者都会通过软件将单反拍出的多张照片合成一张HDR图片。但随着手机性能的提升,现在我们也可以直接在手机上通过拍摄多张曝光不同的照片来实现HDR。就比我们常见iPhone ,当我们开启HDR功能后,iPhone 就会连拍3张中照片,这三张照片的曝光情况会有不同,分别是欠爆、正常曝光和过曝,然后会将这三张照片合成一张。通过HDR合成后,可以提升照片暗部和亮部的细节表现。

    下面的这张图片,左图是HDR图片,右图非HDR,可以很明显的看到,非HDR图片在楼顶部分明显曝光过度,缺乏细节。

    但并不是说HDR总会非常有效,如果你的光线本来就够好(比如在正面错落有致的光线),画面中又没有细碎的高光,那么「HDR」将会导致的结果就是:画面颜色变淡,也没有更多的细节可言,照片整体层次感下降,所以HDR不能随便开,要视情况而定。

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    万次阅读 多人点赞 2017-12-24 14:07:05
     andfixamuchwiderrangeofdiskproblems 并能够解决更大范围内的磁盘问题  andotherinFORMation 以及其它的信息  archivefileattribute 归档文件属性  assignto 指定到  autoanswer 自动应答  ...
  • 无线 WIFI 的13个信道频率范围

    千次阅读 2019-10-11 17:42:20
    目前主流的无线WIFI网络设备...了解这13个信道所处的频段,有助于我们理解人们经常说的三个互相重叠的信道含义。 信道也称作通道(Channel)、频段,是以无线信号(电磁波)作为传输载体的数据信号传送通道。无线...

空空如也

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