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  • 针对基于运算放大器和MOSFET管的串联电池组单体电池电压测量方法存在漏电流的问题,提出了一种改进的电压测量方法。在每节电池的两端增加了一个电压跟随器,可有效降低漏电流;增加了光电继电器作为运算放大器的电源...
  • 在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来...
  • 齐纳二极管与雪崩二极管

    千次阅读 2011-01-06 14:33:00
    在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以...

             齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。

             PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。 当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。 雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快。 利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管

            它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

     

    两者击穿形式的区别:

          雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1224,像雪崩一样增加载流子。

          
    齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏!共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对,形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大,只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。(杂质大电荷密度就大)

           
    一般的二极管掺杂浓度没这么高,它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中,就是稳压二极管。  

            两种二极管都是工作在反向击穿区,二者的区别在于耐受暂态脉冲冲击能力和箝位电压水平等方面有所差异。防雷设计中就是应用两种二极管的伏安特性来抑制雷电过电压。

     

    伏安特性:

          分为三个工作区:正向区、反向区和击穿区。            
         
    齐纳二极管伏安特性的非线性比较差;为了抑制正、负两种极性的过电压,可以把两只雪崩二极管的阴极串联起来,封装成一体。

         采用这种组装方式,可以减小单个管子间连线的寄生电感,改善箝位效果,同时也能减小体积。

    反向击穿
     
          
    反向击穿电压小于5V的二极管一般具有齐纳击穿过程:

         
    反向击穿电压大于8V的二极管具有雪崩击穿过程;
     
          
    反向击穿电压在5V8V之间的二极管可能同时具有齐纳或雪崩击穿过程。


    温度对两种二极管击穿电压的影响


        
    对齐纳二极管,温度升高时,击穿电压会下降;
        
    对雪崩二极管,温度升高时,击穿电压会上升。
        
    对可能兼备齐纳与雪崩过程的二极管,温度升高时,击穿电压可能会下降,也可能会上升。

    泄漏电流及响应时间:


    泄漏电流
          
    影响泄漏电流大小的主要因素是:外加反向电压的大小、管子结区的温度 
          
    泄漏电流总是随反向电压的增大而增大。但是,击穿电压低的管子其泄漏电流明显高于击穿电压高的管子。

          
    温度对于管子泄漏电流的影响程度也是不同的: 
          
    对于击穿电压低的管子,不同温度下ILUR特性曲线是相互靠近的,且随着反向电压的增大,各温度下的特性曲线更加靠近,即温度的影响进一步减小。
     
         
    对于击穿电压高的管子,泄漏电流的绝对值很小,但温度变化对泄漏电流引起的相对变化是明显的。

    响应时间
           
    响应时间是表征齐纳二极管和雪崩二极管性能的一个重要的指标,为了得到可靠的保护,响应时间总是越小越好。
           相对于气体放电管和压敏电阻来说,齐纳二极管和雪崩二极管的响应时间是非常短的。


    寄生电容及其减小方法
             
    一、寄生电容
                    
    齐纳二极管和雪崩二极管的寄生电容存在于管子的结区间,它主要由管子结面、半导体材料的电阻率与介电常数,外加电压来确定。

                   
    管子的功率对寄生电容也有影响。管子的功率增大,结的面积也相应增大,以便减小热阻,提高通流能力,于是管子的寄生电容也会增大。

             
    二、减小寄生电容的方法

                  
    将普通二极管与雪崩二极管串联使用,普通二极管的寄生电容很小,约为50pF,串联后的支路电容将有大幅度的减小。

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  • 齐纳二极管和肖特基二极管

    千次阅读 2010-06-25 11:22:00
    在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以...

    齐纳二极管

    齐纳二极管(又叫稳压二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。

    齐纳二极管不同于锗二极管的是:如果反向电压,有时简称为"偏压"增加到某个特殊值,对于一个微小偏压的变化,就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为"击穿"电压或"齐纳"电压。2DW7型管的击穿电压在5.8-6.5V之间,极大电流是30mA。


    肖特基二极管

    肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通讯电源、变频器等中比较常见。供参考。 电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通讯电源、变频器等中比较常见。供参考。

    我知道的一个应用是在BJT的开关电路里面, 通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截至状态.从而提高晶体管的开关速度.这种方法 是74LS,74ALS, 74AS等典型数字IC TTL内部电路中使用的技术.

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  • 在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来...
  • 稳压二极管(又叫齐纳二极管

    千次阅读 2013-01-21 11:47:55
    稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管 。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向...极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳

    稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管 。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数

    值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二

    极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。

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  • 在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用,稳压二极管可以串联起来以便在...
  • 在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管...
  • 稳压二极管的作用

    千次阅读 2009-04-16 16:40:00
    在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个 很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其 伏安特性见图1,稳压二极管...

    稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个 很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其 伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压.
    稳压管的应用:

    1、浪涌保护电路(如图2):稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压 二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜.图中的稳压二极管D是作为过压保护器件.只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通,使继电器J吸合负载 RL就与电源分开.


    2、电视机里的过压保护电路(如图3):EC是电视机主供电压,当EC电压过高时,D导通,三极管BG导通,其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平,通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态.


    3、电弧抑制电路如图4:在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话,当线圈在导通状态切断时,由于其电磁能释放 所产生的高压就被二极管所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了.这个应用电路在工业上用得比较多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它.


    4、串联型稳压电路(如图5):在此电路中,串联稳压管BG的基极被稳压二极管D钳定在13V,那么其发射极就输出恒定的12V电压了.这个电路在很多场合下都有应用

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  •  可将多只稳压二极管串联使用,但由于二极管参数的离散性比较大,不得并联使用。  温度对半导体器件的特性影响较大,当环境温度超过 50℃ 时,温度每升高 1℃,应将最大耗散功率降低1%。  稳压二极管管脚必须...
  • 二极管单相半波整流电路变压器的二次绕组与负载相接,中间串联一个整流二极管,就是半波整流。利用二极管的单向导电性,只有半个周期内有电流流过负载,另半个周期被二极管所阻断,没有电流。这种电路只适用于小电流...
  • 发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算:R=(E-UF)/IF 式中E为电源电压,UF为LED的正向压降,IF为LED的一般工作电流。...
  • 许多场合,由单个恒流管极管或几个恒流管串联、并联后串入有关电路,即可方便地构成简单的恒流源,既降低了电路对电压变化的敏感性,又减少了电路的复杂性,可广泛用于各种半导体器件和集成电路工作点的稳定。...
  •  为了使串联电阻有效的降低,特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管,以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿电压继续拧计算,最后给出能够用于SPICE...
  •  前沿尖峰的一些抑制方法 1、选用软恢复特性的肖特基二极管,或采用在整流管前串联电感的方法比较有效,或在开关管整流管的磁珠。磁芯材料选用对高频振荡呈高阻抗衰减特性的铁氧体材料,等。 2、在二次侧接入RC...
  • 模电学习总结

    2021-01-09 20:11:58
    在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来...
  • 在半桥式转换器电路中,两个开关管所承受的电压应力为Ui,由于此电路常用于高压转换器中,故为了降低电压应力,可以采用二极管钳位三电平逆变器电路,它有四个开关管如图1所示。这时每个开关管所承受的电压应力为 。...
  • 另外,考虑到高开关频率下次级侧漏感会影响输入输出电压增益,在模型中加入次级漏感以降低整流二极管的反向阻断电压,提高建模的精确性。仿真和实验验证了理论分析的正确性以及控制策略的可行性。
  • 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。 Buck电路是由一个功率晶体管开关Q与负载...
  • 然而,在现实情况中,寄生元件会共同降低未调节输出的负载调整。在本电源小贴士中,我将进一步探讨寄生电感的影响,以及如何使用同步整流代替二极管来大幅提高反激式电源的交叉调整率。 例如,一个反激式电源可分别...
  • (3)如果有一个负载并联在倍压器的输出的话,如一般所预期地,在(输入处)负的半周内电容器C2上的电压降低,然后在正的半周内再被充电到2Vm如下图所示。 所以电容器c2上的电压波形是由电容
  • 移相PWM控制方式利用开关管的结电容和高频变压器的漏电感或原边串联电感作为谐振元件,使开关管能进行零电压开通和关断,从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声,减少了器件开关过程中产生的电磁干扰,为变换器...
  • 降低辐射干扰,可以应用电压缓冲电路,如在开关管两端并联ROD缓冲电路,或电流缓冲电路,如在开关管的集电极上串联20~80μH的电感。 |  开关管的集电极是一个强干扰源9开关管的散热片应接到集电极上,以确保...
  • 采用串联式PWM充电控制方式,使充电回路的电压损失较原二极管充电方式降低一半,充电效率较非PWM高3-6%;过放恢复的提升充电,正常的直充,浮充自动控制方式有利于提高蓄电池寿命。 多种保护功能,包括蓄电池反接、蓄...
  • 2. 如何提高反激式电源的交叉调整率在现实情况中,寄生元件会共同降低未调节输出的负载调整。我将进一步探讨寄生电感的影响,以及如何使用同步整流代替二极管来大幅提高反激式电源的交叉调整率。例如,一个反激式...
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  • 这种电路的特点是高量程所用的附加电阻共用了低量程的附加电阻,可以节省饶制电阻的材料,有利于降低成本。但一旦低量程附加电阻烧毁,则所有量程均不能使用。 3.交流电压的测量 磁电表表头只能侧直流电流,如需...

空空如也

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串联二极管降低电压