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  • 2021-07-26 02:50:23

    描述

    存储器:

    存储器在CPU外,一般指硬盘,U盘等可以在切断电源后保存资料的设备,容量一般比较大,缺点是读写速度都很慢,普通的机械硬盘读写速度一般是50MB/S左右。内存和寄存器就是为了解决存储器读写速度慢而产生的多级存储机制,从20世纪50年代开始,磁芯存储器曾一度成为主存的主要存储介质,但从20世纪70年代开始,逐步被半导体存储器所取代,目前的计算机都是用半导体存储器。现在的DDR2内存的读写速度一般为6~8GB/S,跟机器性能也有关系。

    寄存器:

    寄存器(又称缓存)一般是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发,就是一些与非门构成的结构,一般整合在CPU内,其读写速度跟CPU的运行速度基本匹配,但因为性能优越,所以造价昂贵,一般好的CPU也就只有几MB的2级缓存,1级缓存更小。使用寄存器可以缩短至零长度、节省存储空间,提高指令的执行速度。

    不同的寄存器有不同的作用,如:通用寄存器(GR)用以存放操作数、操作数的地址或中间结果;指令寄存器(IR)用以存放当前正在执行的指令,以便在指令执行的过程中,控制完成一条指令的全部功能。

    存储器和寄存器的区别:

    CPU计算时,先预先把要用的数据从硬盘读到内存,然后再把即将要用的数据读到寄存器。最理想的情况就是CPU所有的数据都能从寄存器里读到,这样读写速度就快,如果寄存器里没有要用的数据,就要从内存甚至硬盘里面读,那样读写数据占的时间就比CPU运算的时间还多的多。所以评价一款CPU的性能除了频率,缓存也是很重要的指标。

    从根本上讲,寄存器与RAM的物理结构不一样。 一般寄存器是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发, 就是一些与非门构成的结构,这个在数电里面大家都看过; 而RAM则有自己的工艺,一般1Bit由六MOS管构成。所以,这两者的物理结构不一样也导致了两者的性能不同。寄存器 访问速快,但是所占面积大。而RAM相反,所占面积小, 功率低,可以做成大容量存储器,但访问速度相对慢一点。

    1、寄存器存在于CPU中,速度很快,数目有限;

    存储器就是内存,速度稍慢,但数量很大;

    计算机做运算时,必须将数据读入寄存器才能运算。

    2、存储器包括寄存器,存储器有ROM和RAM

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  • 寄存器和存储器

    万次阅读 多人点赞 2018-04-12 12:43:48
    内核的分类可分为单内核双内核以及微内核。严格地说,内核并不是计算机系统中必要的组成部分,附一张内核体系结构照片 可以看到内核所处的位置: CPU 中央处理器(CPU,Central Proce...

    一、计算机硬件

    这里写图片描述
    先说内核:内核是操作系统最基本的部分。它是为众多应用程序提供对计算机硬件的安全访问的一部分软件,这种访问是有限的,并且内核决定一个程序在什么时候对某部分硬件操作多长时间。内核的分类可分为单内核和双内核以及微内核。严格地说,内核并不是计算机系统中必要的组成部分,附一张内核体系结构照片
    这里写图片描述
    可以看到内核所处的位置:

    CPU

    中央处理器(CPU,Central Processing Unit)是一块超大规模的集成电路,是一台计算机的运算核心(Core)和控制核心( Control Unit)。它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。中央处理器主要包括运算器(算术逻辑运算单元,ALU,Arithmetic Logic Unit)和高速缓冲存储器(Cache)及实现它们之间联系的数据(Data)、控制及状态的总线(Bus)。它与内部存储器(Memory)和输入/输出(I/O)设备合称为电子计算机三大核心部件。

    寄存器

    寄存器是中央处理器内的组成部份。它跟CPU有关。寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令、数据和位址。在中央处理器的控制部件中,包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC)。在中央处理器的算术及逻辑部件中,包含的寄存器有累加器(ACC)。

    存储器

    存储器范围最大,它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。你所说的寄存器,内存,都是存储器里面的一种。凡是有存储能力的硬件,都可以称之为存储器,这是自然,硬盘更加明显了,它归入外存储器行列,由此可见。

    内存

    内存既专业名上的内存储器,它不是个什么神秘的东西,它也只是存储器中的沧海一粟,它包涵的范围也很大,一般分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM),以及最强悍的高速缓冲存储器(CACHE),只读存储器应用广泛,它通常是一块在硬件上集成的可读芯片,作用是识别与控制硬件,它的特点是只可读取,不能写入。随机存储器的特点是可读可写,断电后一切数据都消失,我们所说的内存条就是指它了。

    缓存CACHE

    缓存就是数据交换的缓冲区(称作Cache),当某一硬件要读取数据时,会首先从缓存中查找需要的数据,如果找到了则直接执行,找不到的话则从内存中找。由于缓存的运行速度比内存快得多,故缓存的作用就是帮助硬件更快地运行。因为缓存往往使用的是RAM(断电即掉的非永久储存),所以在用完后还是会把文件送到硬盘等存储器里永久存储。电脑里最大的缓存就是内存条了,最快的是CPU上镶的L1和L2缓存,显卡的显存是给显卡运算芯片用的缓存,硬盘上也有16M或者32M的缓存。CACHE是在CPU中速度非常块,而容量却很小的一种存储器,它是计算机存储器中最强悍的存储器。由于技术限制,容量很难提升。

    二、主要区别

    1、寄存器存在于CPU中,速度很快,数目有限;
    存储器就是内存,速度稍慢,但数量很大;
    计算机做运算时,必须将数据读入寄存器才能运算。
    2、存储器包括寄存器,
    存储器有ROM和RAM

    三、寄存器

    简介

    寄存器是中央处理器内的组成部分。寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令、数据和地址。在中央处理器的控制部件中,包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC)。在中央处理器的算术及逻辑部件中,存器有累加器(ACC)。
    寄存器的基本单元是 D触发器,
    按照其用途分为基本寄存器和移位寄存器
    基本寄存器是由 D触发器组成,在 CP 脉冲作用下,每个 D触发器能够寄存一位二进制码。在 D=0 时,寄存器储存为 0,在 D=1 时,寄存器储存为 1。在低电平为 0、高电平为 1 时,需将信号源与 D 间连接一反相器,这样就可以完成对数据的储存。
    需要强调的是,目前大型数字系统都是基于时钟运作的,其中寄存器一般是在时钟的边缘被触发的,基于电平触发的已较少使用。(通常说的CPU的频率就是指数字集成电路的时钟频率)
    移位寄存器按照移位方向可以分为单向移位寄存器和双向移位寄存器。单向移位寄存器是由多个 D 触发器串接而成,在串口 Di 输入需要储存的数据,触发器 FF0 就能够储存当前需要储存数据,在 CP 发出一次时钟控制脉冲时,串口 Di 同时输入第二个需要储存是的数据,而第一个数据则储存到触发器 FF1 中。双向移位寄存器按图中方式排列,调换连接端顺序,可以控制寄存器向左移位,增加控制电路可以使寄存器右移,这样构成双向移位寄存器。

    特点

    寄存器又分为内部寄存器与外部寄存器,所谓内部寄存器,其实也是一些小的存储单元,也能存储数据。但同存储器相比,寄存器又有自己独有的特点:
    ①寄存器位于CPU内部,数量很少,仅十四个
    ②寄存器所能存储的数据不一定是8bit,有一些寄存器可以存储16bit数据,对于386/486处理器中的一些寄存器则能存储32bit数据
    ③每个内部寄存器都有一个名字,而没有类似存储器的地址编号。

    用途

    1.可将寄存器内的数据执行算术及逻辑运算
    2.存于寄存器内的地址可用来指向内存的某个位置,即寻址
    3.可以用来读写数据到电脑的周边设备。

    四、存储器

    存储器简介

    构成存储器的存储介质,存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节(按字节编址)。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成,则可表示2的20次方,即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节,则该存储器的存储容量为1MB。

    ROM、RAM的区别

    ROM(只读存储器或者固化存储器)RAM(随机存取存储器)ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),当数据被存入其中后不会消失。SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了。当这个SRAM 单元被赋予0 或者1 的状态之后,它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。但是存储1bit 的信息需要4-6 只晶体管。因此它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM 必须在一定的时间内不停的刷新才能保持其中存储的数据。DRAM 只要1 只晶体管就可以实现。DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很 多,计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用 得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
    ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修 改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。 最初,把只能读的存储器叫做ROM(Read Only Memory),并且掉电后数据不会丢失。由于不能改写,因而使用起来很不方便。随着技术的进步,在ROM中使用一些新技术,就可以使它具有可以编程的功能。比较早的是熔丝型的可编程ROM,由于是通过熔断熔丝来编程的,所以这类ROM编程后,就不能再写了,是一次性的(OTP)。后来又出现了EPROM,是通过紫外线来擦除的,并且通过高压来编程,这类ROM上面一般有一个透明的石英玻璃窗,看上去挺漂亮的,它就是用来给紫外线照射的。后来又出现了EEPROM,不用紫外线照射就可以擦除,因而可以直接在电路中编程。另外还有FLASH ROM,又可分为NOR FLASH和NAND FLASH。FLASH ROM一般有一个特点,就是写数据时,可以将1改为0,而不能将0改为1,因而写数据前需要擦除,擦除时将所有数据置1。之所以依然叫做ROM,归纳一下,大概有几个原因:
    ①不能像RAM那样快速的写;
    ②可能需要特殊的擦写电压;
    ③可能需要特殊的擦写时序;
    ④可能需要在写之前进行擦除操作;
    ⑤擦写次数有限,不像RAM那样可以随意写而不损坏;
    ⑥掉电后数据不会丢失;
    举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。
    FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据 (NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来 Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
    目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一快的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户 不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。

    五、CPU位数、操作系统位数、指令集、寄存器位数、机器字长等

    CPU位数 = CPU中寄存器的位数 = CPU能够一次并行处理的数据宽度 = 数据总线宽度

    CPU为了实现其功能一般设计了指令集(如:IA32指令集和x86-64指令集等),即是CPU的全部指令,这就是机器语言。计算机的所有功能都是基于CPU的指令集。指令集和CPU的位数是有联系 的。如Intel 8086 CPU 是16位,其指令集也是16位。如Intel 80386DX CPU 是32位,其指令集也是32位,但它也保持原16位指令集,这是为了向上兼容。

    注意:x86 又叫 IA32,即 Intel Architecture 32(Intel32位架构)

    操作系统位数 = 其所依赖的指令集位数 <= CPU位数

    机器字长 = 整数和指针数据的标称大小(字长决定的最重要的参数就是虚拟地址空间的最大大小)

    CPU位数与操作系统位数,这二者有区别也有联系,操作系统位数的概念是基于CPU的位数的。 CPU的位数是指CPU能一次同时寄存和处理二进制数码的位数,这和CPU中寄存器的位数对应。 操作系统的位数是说其所依赖的指令集的位数。计算机系统一般都应有向上兼容性,所以也可有64位CPU上运行32位操作系统、32位CPU上运行16位操作系统的情况。操作系统位数应该是根据指针类型的位数来定的。整数类型不一定跟位数相等,CPU位数准确地说应该是CPU一次能够并行处理的数据宽度,一般就是指数据总线宽度。
    附:
    64位CPU如:AMD Athlon64 、Intel Pentium 4 F
    32位CPU如:Intel 80386DX 到 Intel Pentium III 和部分Intel Pentium 4
    16位CPU如:Intel 8086、Intel 80286
    64位操作系统如:Windows XP Professional x64和Windows Server 2003 x64
    32位操作系统如:Windows95、Windows98、Windows NT、Windows 2000、Windows XP
    16位操作系统如:DOS
    Windows1.0到3.2是运行在DOS上的,不能算是独立的操作系统。

    链接:https://www.zhihu.com/question/24565362/answer/54451597

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  • 寄存器和存储器的区别

    千次阅读 2020-09-02 15:24:48
    内存和寄存器就是为了解决存储器读写速度慢而产生的多级存储机制,从20世纪50年代开始,磁芯存储器曾一度成为主存的主要存储介质,但从20世纪70年代开始,逐步被半导体存储器所取代,目前的计算机都是用半导体存储器...

    1、存储器在CPU外,baidu一般指硬盘,U盘等可以在切断电源后保存资料的设备,zhi容量一般dao比较大,缺点是读写速度都很慢,普通的机械硬盘读写速度一般是50MB/S左右。

    内存和寄存器就是为了解决存储器读写速度慢而产生的多级存储机制,从20世纪50年代开始,磁芯存储器曾一度成为主存的主要存储介质,但从20世纪70年代开始,逐步被半导体存储器所取代,目前的计算机都是用半导体存储器。现在的DDR2内存的读写速度一般为6~8GB/S,跟机器性能也有关系。
    2、寄存器(又称缓存)一般是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发,就是一些与非门构成的结构,一般整合在CPU内,其读写速度跟CPU的运行速度基本匹配,但因为性能优越,所以造价昂贵,一般好的CPU也就只有几MB的2级缓存,1级缓存更小。使用寄存器可以缩短至零长度、节省存储空间,提高指令的执行速度。

    3、不同的寄存器有不同的作用,如:通用寄存器(GR)用以存放操作数、操作数的地址或中间结果;指令寄存器(IR)用以存放当前正在执行的指令,以便在指令执行的过程中,控制完成一条指令的全部功能。
    CPU计算时,先预先把要用的数据从硬盘读到内存,然后再把即将要用的数据读到寄存器。最理想的情况就是CPU所有的数据都能从寄存器里读到,这样读写速度就快,如果寄存器里没有要用的数据,就要从内存甚至硬盘里面读,那样读写数据占的时间就比CPU运算的时间还多的多。

    所以评价一款CPU的性能除了频率,缓存也是很重要的指标。

    CPU的组成:

    CPU的根本任务就是执行指令,对计算机来说最终都是一串由“0”和“1”组成的序列。CPU从逻辑上可以划分成3个模块,分别是控制单元、运算单元和存储单元,这三部分由CPU内部总线连接起来。

    1、控制单元

    控制单元是整个CPU的指挥控制中心,由指令寄存器IR(Instruction Register)、指令译码器ID(Instruction Decoder)和操作控制器OC(Operation Controller)等,对协调整个电脑有序工作极为重要。

    它根据用户预先编好的程序,依次从存储器中取出各条指令,放在指令寄存器IR中,通过指令译码(分析)确定应该进行什么操作,然后通过操作控制器OC,按确定的时序,向相应的部件发出微操作控制信号。

    操作控制器OC中主要包括节拍脉冲发生器、控制矩阵、时钟脉冲发生器、复位电路和启停电路等控制逻辑。

    2、运算单元

    是运算器的核心。可以执行算术运算(包括加减乘数等基本运算及其附加运算)和逻辑运算(包括移位、逻辑测试或两个值比较)。相对控制单元而言,运算器接受控制单元的命令而进行动作,即运算单元所进行的全部操作都是由控制单元发出的控制信号来指挥的,所以它是执行部件。

    3、存储单元

    包括CPU片内缓存和寄存器组,是CPU中暂时存放数据的地方,里面保存着那些等待处理的数据,或已经处理过的数据,CPU访问寄存器所用的时间要比访问内存的时间短。

    采用寄存器,可以减少CPU访问内存的次数,从而提高了CPU的工作速度。

    但因为受到芯片面积和集成度所限,寄存器组的容量不可能很大。寄存器组可分为专用寄存器和通用寄存器。专用寄存器的作用是固定的,分别寄存相应的数据。

    而通用寄存器用途广泛并可由程序员规定其用途,通用寄存器的数目因微处理器而异。这个是我们以后要介绍这个重点,这里先提一下。

     

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  • 寄存器存储器物理区别

    千次阅读 2018-11-07 14:14:25
    从根本上讲,寄存器存储器RAM的元件不一样???? memory is equivalent to a lot of registers. 寄存器存在于CPU中,速度很快,但是所占面积大,数目有限; 存储器就是内存,速度稍慢,所占面积小,但数量很大...

    从根本上讲,寄存器与存储器RAM的元件不一样????

    memory is equivalent to a lot of registers.

    寄存器存在于CPU中,速度很快,但是所占面积大,数目有限;
    存储器就是内存,速度稍慢,所占面积小,但数量很大;
    计算机做运算时,必须将数据读入寄存器才能运算。

     

    Mike Ash写了一篇很好的解释,非常通俗地回答了这个问题,有助于加深对硬件的理解。下面就是我的简单翻译。

    原因一:距离不同

    距离不是主要因素,但是最好懂,所以放在最前面说。内存离CPU比较远,所以要耗费更长的时间读取。

    以3GHz的CPU为例,电流每秒钟可以振荡30亿次,每次耗时大约为0.33纳秒。光在1纳秒的时间内,可以前进30厘米。也就是说,在CPU的一个时钟周期内,光可以前进10厘米。因此,如果内存距离CPU超过5厘米,就不可能在一个时钟周期内完成数据的读取,这还没有考虑硬件的限制和电流实际上达不到光速。相比之下,寄存器在CPU内部,当然读起来会快一点。

    距离对于桌面电脑影响很大,对于手机影响就要小得多。手机CPU的时钟频率比较慢(iPhone 5s为1.3GHz),而且手机的内存紧挨着CPU。

    原因二:硬件设计不同

    苹果公司新推出的iPhone 5s,CPU是A7,寄存器有6000多位(31个64位寄存器,加上32个128位寄存器)。而iPhone 5s的内存是1GB,约为80亿位(bit)。这意味着,高性能、高成本、高耗电的设计可以用在寄存器上,反正只有6000多位,而不能用在内存上。因为每个位的成本和能耗只要增加一点点,就会被放大80亿倍。

    事实上确实如此,内存的设计相对简单,每个位就是一个电容和一个晶体管,而寄存器的设计则完全不同,多出好几个电子元件。并且通电以后,寄存器的晶体管一直有电,而内存的晶体管只有用到的才有电,没用到的就没电,这样有利于省电。这些设计上的因素,决定了寄存器比内存读取速度更快。

    原因三:工作方式不同

    寄存器的工作方式很简单,只有两步:(1)找到相关的位,(2)读取这些位。

    内存的工作方式就要复杂得多

     

    寄存器(以RS锁存器例)

    flip-flop 触发器

    latch 锁存器

    一般寄存器是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发,就是一些与非门构成的结构,这个在数电里面大家都看过;

     

     

     

    单个触发器定义:https://baike.baidu.com/item/触发器/193146

    触发器的电路图由逻辑门组合而成,其结构均由R-S锁存器派生。触发器可以处理输入、输出信号和时钟频率之间的相互影响。

    在R-S锁存器的前面加一个由两个与门和一个非门构成的附加电路,则构成D触发器。

    当时钟脉冲CP为1时,读入输入端D的数据并传至输出端;当CP为0时,根据与门“只要有一个输入端为0

    则输出为0”的特性,输入端D的数据被与门屏蔽了,无法到达输出端,不管输入D怎样变化,Q端输出值都保持不变,只有等到下一个CP高电平到来时,才会把当前的D值送出。这样就实现了延迟输出即暂时保存的功能。从电路的动作可以看出,时钟输入端起到控制的作用,CP为1时,能触发后面的锁存器把D的值暂时锁存起来,这也正是触发器名词中“触发”的含义,这正是触发器与锁存器的联系与区别:触发器利用了锁存器的保存原理,但是加上了触发功能,可以控制保存的时间。

    RS锁存器电路:

     

    基础知识反相器

    反相器inverter:

    当输入Vin=0 V时,晶体管截止,集电极开路,Vout=5 V;

    当输入Vin=5 V时,晶体管饱和,饱和导通,Vout=0 V

    触发器的基本物理组成:电阻、电容、二极管、三极管

    下图是由4个三极管组成的4位寄存器,它的原理是:用晶体管导通状态(0011)或集电极电压(1100)记录输入电压(0011),这个寄存器能寄存15种状态(0000~1111).

     

    存储器

    不同的存储位置,程序指令执行周期不同。

    硬件寄存器和程序寄存器(4.2.5节)

    数电第七章:半导体存储器

    ROM和PROM:例由二极管、MOS管构成。非易失性存储,存储于ROM中的程序称固件firmware。

    例:由二极管组成的8个存储单元(每个单元4bit)的ROM。

    图1:8个地址address对应的存储内容word

    图2:用二极管实现图1逻辑。8条地址线,4条数据线。

    图3:8个地址用3个二进制位编码,实现整个电路都用二进制表示,programmable ROM

     

    EPROM,erasable,紫外线擦写,由MOSFET管构成?

    EPROM,electrically erasable,电擦除

    下图的ROM还加入了EN使能,除了地址和数据,还有第三种控制。

    RAM则有自己的工艺。

    静态statistic SRAM:靠VDD供电,不动。图a,Q1Q2控制,Q3Q4寄存,形成一个latch。

    动态dynamic DRAM。靠电容供电,电容会放电,需反复快速充电,动态。

    下图分别是静态和动态,但是功能一样,锁存1bit???

    DRAM比SRAM电路简单,占用面积少,但是DRAM刷新电容电路复杂,从控制电路看,SRAM简单。

    SRAM的每个位存储在一个双稳态存储器单元里,每个单元由6个MOS管实现”

    DRAM每个位由一个充电电容和一个访问晶体管组成”

     

     

    单片机的寄存器:“每个寄存器有分配的唯一地址”

    为什么寄存器也有地址?寄存器也属于内存?x86中的寄存器有地址吗?

     

     

    这个图???物理部分需要分隔开??

    DOS内存管理:为物理内存分配地址??

     

    “主存是x86CPU外的存储区域,堆栈是在主存中开辟的一片数据存储区”

    x86芯片的寄存器都有自己的名字(有相应的机器代码约定,寄存器标识符),所以不需要地址???

    程序寄存器:

    芯片的寿命一般是多长 ?

    http://3g.163.com/dy/article/DHRHTT420511UFN2.html

    如果说是SSD上用的闪存芯片,那就有相对有限的寿命了,闪存芯片主要分为SLC、MLC和TLC三种,SLC寿命最长,速度最快,但是成本最高,TLC则相反。闪存的寿命磨损就在于闪存单元的写入-擦除,一般来说,SLC闪存可进行100000次写入-擦除循环,MLC可进行10000次左右。不要觉得可怕,得益于越来越先进的主控芯片,日常使用下正常的闪存芯片没那么容易用坏,即使是TLC闪存,寿命达到8年以上也没有问题,使用几年后一般都会掉速,不过实际影响并不大。其实相比闪存芯片,SSD上的主控反而更有可能先坏掉。所以我们不用太在意闪存芯片的寿命,一般在你换下一个SSD或者手机时,它就直接淘汰掉了。不过对于7*24小时工作的服务器来说,非常不建议用SSD,因为在这种高强度工作环境下的闪存芯片寿命会大打折扣,即使是机械硬盘,用个两三年挂掉的几率也很高。

    至于电脑上的内存芯片(RAM),由于其电容存储机制,只要是正常没有缺陷的芯片,寿命非常长,要不然绝大多数内存条都是终身保,只要不是不当超频,静电损坏,人为破坏,正常的内存寿命几乎不用担心。

     

    可编程逻辑技术(FPGA/CPLD)在存储中的应用

     

    存储器

    T:transistor晶体管 C:Capacitance电容

    DRAM:dynamic random access memory动态存储器。一个电容;一个晶体管。存储原理:动态MOS存储单元利用MOS管栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能绝对等于0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”,该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间(小于2ms),因此DRAM内部要有外围刷新控制电路,其操作也比SRAM复杂。尽管如此,由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单,所用元件少,功耗低,已成为大容量RAM的主流产品。

    SRAM:static静态存储器。存储原理:由触发器存储数据。有锁存器。单元结构:六管NMOS或OS构成。速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache。●缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大。●常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位),6264(8K×8位),62256(32K×8位),2114(1K×4位)

    ROM:

    掩膜ROM:数据通过掩膜方式写入。掩膜:烧断每个单元内与外部相连的熔丝。

    EEPROM:数据通过紫外线照射或注入隧穿电流方式写入。

     

     

    参考文献:

    1、数字电子技术基础

    2、《深入理解计算机系统》第三版,第六章

    3、《DOS原理与结构》

    4、《[80X86汇编语言程序设计].王元珍.文字版》

    5、《Dsp-Digital-Signal-Processing-With-Fpga》

    6、《CMOS数字集成电路:分析与设计  第3版》第十章 半导体存储

    7、《Digital Computer Electronics-McGraw-Hill (1993)》第九章 memories

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