精华内容
下载资源
问答
  • 1引言  随着科学技术的发展,电力/电子...Cooper/Bussmann、GCL、 WickmannWerke、Schurter、Raychem、上海维安、上无十厂、功得利、好利来、精科、兴勤、雅宝等厂家研发生产各种特性的电路保护元件,供客户选择
  • 1引言  随着科学技术的发展,电力/电子产品...Cooper/Bussmann、GCL、 WickmannWerke、Schurter、Raychem、上海维安、上无十厂、功得利、好利来、精科、兴勤、雅宝等厂家研发生产各种特性的电路保护元件,供客户
  • PCB电路板是所有电子电路设计的基础电子部件,作为主要支撑体,其搭载着组成电路的所有器件。PCB的作用不仅仅是对零散的元件器进行组合,还保证着...本文对电源设计当中的PCB电路板的五大设计关键点进行详尽的介绍。
  • 这种类型的电阻称为寄生电阻,其影响电路功能的程度取决于各种因素。 在许多情况下,寄生电阻可以忽略,因为它不会以任何明显的方式改变电路的功能。

    写在前面

    呃,你没有看错,就是电阻,但决不轻视知识!
    原文地址:The Basics of Electrical Resistance ®
    注:侵联删!
    在本教程中,我们将探讨基本的电气特性,该特性在电子系统的分析和设计中非常重要。

    正文

    上一教程将电压源作为电路元件提供给电网。 在功能电路中,这种势能表现为电荷流,我们称之为电流。

    显然,电压和电流之间存在关系:如果将电压源连接到组件或组件网络,则电流将流动。

    在这里插入图片描述

    但是,电流量并不完全由电压源决定。 电路中的导线和组件将对电荷的运动产生一定程度的反作用力,而这种反作用力会影响给定电压源产生的电流的大小。 我们用电阻(R)一词来表达这种固有的抵抗电流趋势的想法,电阻带有一个称为ohm的单位,它使我们可以量化对电流的反作用。

    导体和绝缘体

    所有材料(超导体除外)都具有一定的电阻。 术语导体和绝缘体不表示分别具有零电阻和无限电阻的材料。 相反,它们是表示具有非常低的电阻和非常高的电阻的材料的便捷方式。

    在电气工程领域,我们根据给定元件的特性以不同方式处理导体和绝缘体。 例如,印刷电路板上的短铜走线所提供的电阻通常足够低,可以忽略不计,并且我们可以分析电路,就好像组件之间的连接的电阻为零。 相比之下,由电镀铜线组成的电缆中的电阻不平衡可能会在高精度传感器应用中引起严重问题。

    电路设计中的电阻

    Intentional Resistance

    当目标只是传递电能时,电阻就是一个麻烦:它减少了传递给用户的电流量,并以多余的热量消散了功率。 但是,电阻在低压电路设计中起着至关重要的作用。 电气工程师经常将电阻用于降低电压信号的幅度,建立放大器电路的增益,限制流经发光二极管的电流以及创建依赖于频率的网络(称为滤波器)等任务。

    我们并入电子电路的Intentional Resistance以称为电阻器的单个组件的形式出现。 电路图中使用两个符号表示电阻器:

    在这里插入图片描述

    在这里插入图片描述

    工程师确定电路不同部分所需的电阻量,然后通过安装具有适当电阻规格的电阻器来创建物理电路。

    Unintentional Resistance

    电路中充满了并非源自电阻器的电阻。 电线,印刷电路板走线,集成电路上的引脚,电容器和电感器上的引线-当我们使用典型的电子系统时,没有完美的导体。

    这种类型的电阻称为寄生电阻,其影响电路功能的程度取决于各种因素。 在许多情况下,寄生电阻可以忽略,因为它不会以任何明显的方式改变电路的功能。

    下图描述了电容器的简化等效电路如何使用附加电阻来表示组件的寄生电阻。

    在这里插入图片描述

    单位

    与电阻最密切相关的单位是欧姆。 欧姆的符号为Ω,因此五十欧姆的电阻表示为:50Ω。 在研究欧姆定律时,欧姆的重要性将在以后的教程中讨论。

    欧姆着重于材料抵抗电流的趋势。 如果要量化材料允许电流流动的趋势,可以使用西门子(此单位的符号为S)。 欧姆量化电阻,西门子量化电导。 如果我们以欧姆为单位的电阻的倒数,则以西门子为单位获得电导。 因此,一个50电阻器的电导率为1/50 = 0.02S。

    结论

    我们已经介绍了一些与电阻有关的基本信息,这是电子系统的一个极其重要的方面。 在下一个教程中,我们将探讨另外两个基本电路概念:电容和电感。

    交个朋友

    FPGA/IC技术交流2020

    展开全文
  • PCB电路板是所有电子电路设计的基础电子部件,PCB电路板的设计也是创客小伙伴们必须要懂的...PCB的作用不仅仅是对零散的元件器进行组合,还保证着电路设计的规则性,很好的规避了人工排线与接线造成的混乱和差错现象。
  • PCB电路板是所有电子电路设计的基础电子部件,PCB电路板的设计也是创客小伙伴们必须要懂的...PCB的作用不仅仅是对零散的元件器进行组合,还保证着电路设计的规则性,很好的规避了人工排线与接线造成的混乱和差错现象。
  • 模拟电子技术基础:基本放大电路

    千次阅读 2020-04-16 09:34:35
    4、有源元件:能够控制能量的元件称为有源元件 5、放大的前提是不要失真 二、放大电路的性能指标 1、 1、放大倍数:主要是电压放大倍数:Auu=U。/Ui 2、输入电Ri:是从放大电路输入端看进去的等效电阻,Rs是信号源...

    一、放大的概念
    1、放大的对象均为变化量
    2、放大电路的本质是能量的控制与转换
    3、放大的基本特征是功率的放大
    4、有源元件:能够控制能量的元件称为有源元件
    5、放大的前提是不要失真
    二、放大电路的性能指标
    1、

    在这里插入图片描述
    1、放大倍数:主要是电压放大倍数:Auu=U。/Ui
    2、输入电Ri:是从放大电路输入端看进去的等效电阻,Rs是信号源内阻,
    3、输出电阻R。:是指从输出端看进去的等效内阻
    4、通频带:在这里插入图片描述放大电路只适用于放大某一特定频率范围内的信号,fL为下限截至频率,fH为上上限截至频率,低频带,高频带,通频带如图所示
    5、非线性失真系数D
    6、最大不失真输出电压Uom
    7、最大输出功率于效率Pom
    二、基本共射放大电路的工作原理
    在这里插入图片描述
    输入回路与输出回路以发射极为公共端,故称共射放大电路,并称公共端为“地
    1、设置静态工作点Q的必要性:是指输入信号为0.直流电单独作用时晶体管数据情况
    2、Q点不仅影响电路是否会产生失真,而且影响着放大电路几乎所有的动态参数

    2.2.3基本共射电路的工作原理级波形分析
    在这里插入图片描述
    IBQ为静态工作点的基极电流,基极总电流iB=IBQ+ib,由于基极对集电极电流的控制作用ib=βic,β为电流放大系数,集电极的电流ic=ICQ+βib,又由于Rc上的电压增大。降压管uCE必然减小(应为Vcc=icR+UCE,其中Vcc为常量)所以降压管产生一个与ic变化相反的交变电压uce,降压管uCE=UCEQ+uce,如图©,若再将其中的直流分量UCEQ去掉就得到了放大了的交流电压u。,如图(d)
    以上可分析得:只有设置合适的静态工作点,使交流信号驼载在直流分量上,以保证晶体管在的输入信号在整个周期内始终在放大状态,才不会失真。
    2.2.4放大电路的组成原则
    1、组成原则
    2、常见的两种共射放大电路
    在这里插入图片描述
    1、 可以发现该放大电路是将基极电源与集电极电源合二为一了,而且为了合理设置静态工作点,在基极回路又增加了一个电阻,
    2、将输入端短路便可求静态工作点
    IBQ=(Vcc-UBEQ)/Rb2-UBEQ/Rb1
    ICQ=βIBQ
    UCEQ=Vcc-ICQRc
    3、但是,清楚的是由于信号电压在Rb1上均有损失,因而减小了晶体管基极与发射极之间的信号电压,也就会影响电路的放大能力,所以引出如下电路
    在这里插入图片描述
    由于电容有隔离直流,通过交流的作用,C1的作用为阻断信号源与直流电路的并联关系,从而直接作用在放大器上,C2的作用是将直流分量去掉,直接得到放大的交流信号
    IBQ=(Vcc-UBEQ)/Rb
    ICQ=βIBQ
    UCEQ=Vcc-ICQRc
    2.3放大电路的分析方法
    2.3.1直流与交流通路
    直流通路是直流电源作用下直流电流流经的通路,也就是静态电流流经的通路。用于研究静态工作点。
    1、电容视为开路
    2、电感视为短路
    3、信号源视为短路,但保留其内阻
    交流通路是交流信号流经的通路1、容量大的电容视为短路2、无内阻的直流电源视为短路

    4、在分析放大电路时,应遵循先静态后动态的原则,求解静态工作点时要利用直流通路,求解动态参数时应利用交流通路
    2.3.2图解法
    在这里插入图片描述
    一、静态工作点的分析
    1、如图:在其中,虚线之间是晶体管,虚线之外是其他原件。于是有当Δu1=0 时,在晶体管的输入回路中,静态工作点即应该在其输入特性曲线上,又应该在外电路的回路方程:uBE=Vcc-iBRb
    如图:在这里插入图片描述
    解即为静态工作点,直线称作输入回路负载线。
    2、同理,在晶体管的输出回路中,输出特性曲线与输出回路的方程的解就是静态工作点。
    二、电压放大倍数的分析
    在这里插入图片描述给定Δu1,在输入回路经图解可得ΔiB,根据ΔiB=βΔiC,在输出回路中,根据三角形即可解除ΔuCE,
    电压放大倍数Au=ΔuCE/Δu1,以上即可求得电压放大倍数。
    1、由此分析得,输入电压与输出电压的变化相反
    2、仔细分析可得Q点对放大电路的重要性
    三、波形非线性失真的分析
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    1、截止失真:由(a )可知:当Q点过低时,b-e间的电压在某段时间会小于Uon,三极管的开启电压,从而无法产生电流,电流局部失真,导致输出电压失真,值得注意的是,输出电压的失真部位与输入电路相反。解决方法:只有增大基极电路电源才能消除截至失真。
    在这里插入图片描述
    2、饱和失真:当Q点过高时,输入回路不会失真,但是回事输出回路电压在某时刻进入饱和区,而产生失真。为了消除饱和失真,就要适当降低Q点,
    1、增大基极电阻
    2、减小集电极电阻
    3、更换一只β较小的管子
    4、为了使最大不失真输出电压尽可能大,将Q点的横坐标设为(Vcc+UCEs)/2处
    四、直流负载线与交流负载线
    在这里插入图片描述
    这里是针对直接耦合与阻容耦合提出的
    1、 在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    根据阻容耦合的交流通路可以看出:当有负载时,输出电压是集电极Rc与负载电阻RL并联产生的电压,但是在ui=0时,应该看他的直流通路(a),可知在iB=ICQ时,管压降应该为UCEQ,即交流负载线时通过Q点的,由点和斜率可得其交流负载线,
    2、直接耦合直流负载线与交流负载线是重合的,而对于阻容耦合来说,只有空载时两条是、直线才合二为一。
    五、图解法多适用于分析输出幅值比较大而工作频率不太高时的情况,在实际中,多用于分析Q点位置、最大不失真输出电压,和失真情况
    2.3.4等效电路法
    一、晶体管的直流模型及静态工作点的估算法
    在这里插入图片描述
    静态工作点时,b-e之间直流电流恒定,产生恒定电流ICQ,即可将理想化直流模型如图(c)所示,注意电流方向就行了。
    二、晶体管共射参数等效模型

    在这里插入图片描述

    可以将共射电路等效为(d)所示的图,四个参数如下图所示:在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    h1表示在输入曲线上Q点处切线斜率的倒数,是动态的输入电压。
    h12e是当iB=IBQ时uBE对uCE的偏导数(值很小)
    h21e是uCE=UCEQ时。IC对iB的偏导数,即电流放大系数β
    h22e是iB=IBQ时,IC对uCE的偏导数(值很小)
    由于值很小的可以忽略,于是有:在这里插入图片描述
    那么rbe是什么呢:在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    h参数等效模型用于研究动态参数,它的四个动态参数都是在Q点求偏导数得到的,因此,只有在信号比较小,且工作线性度比较好的区域内,分析计算结果误差比较小,由于h参数没有考虑到结电容的作用,只适用于低频信号情况,故称之为晶体管的低频小信号模型。
    三、共射电路的动态分析
    1、放大倍数Au:在这里插入图片描述
    Ui=Ib(Rb+rbe),U。=-IcRc=-βIbRc,相除即可
    2、输入电阻:Ri=Rb+rbe
    3、输出电阻:是指输出回路的内阻。R。=Rc
    2.4放大电路静态工作点的稳定
    2.4.2典型的静态工作点稳定电路
    一、电路组成和Q点稳定电路(与以往的电路有区别,更稳定)

    在这里插入图片描述
    在图(c)中,节点B的电流I2=I1+IBQ,为了稳定Q点,通常使参数的选取满足I1>>IBQ,因此I1约等于I2,于是基极的电位几乎仅仅取决于Rb1与Rb2对Vcc的分压,而与环境温度无关,即温度变化时UBQ基本不变。
    于是有:当温度升高时:集电极电流增大,导致发射极电流增大,导致Re上的电压UE增大,发射极电位增高,又因为基极的电位基本不变,于是UBE减小,导致IB减小,导致Ic减小
    在这里插入图片描述
    由此可见:电路Q点稳定的原因是,1、Re的直流负反馈作用;2、在I1>>IBQ时,UBQ在温度变化时基本不变。从理论上讲,Re越大,反馈越强,Q点越稳定,但是实际上,对于一定的集电极电流Ic,由于Vcc的限制,Rc太大会使晶体管进入饱和区,电路无法正常工作
    二、静态工作点的估算
    经过一系列的计算:我们通过(1+β)Re>>Rb,来判断I1>>IBQ
    三、动态参数的估算
    在这里插入图片描述

    在这里插入图片描述
    1、有分析可得:Au=-βRL’/rbe,rbe会受温度的影响,即Re是直流负反馈电阻,若将旁路电容Ce搞得很大,导致Re短路。
    2、在这里插入图片描述
    分析可得:虽然使|Au|减小了,但由于Au仅仅决定于电阻取值,不受环境的影响,所以温度稳定性好。
    总结:Re与旁路电容,若有旁路电容,虽然动态分析中可以忽略Re,从而使Au增大,但是会受到温度的影响;若没有旁路电容,Au虽然变小了,但是稳定性增加了,所以二者需要权衡。
    2.4.3 稳定稳态工作点的措施
    1、温度补偿法
    在这里插入图片描述
    对于(a)来说:在这里插入图片描述
    IR为二极管的反向电流,当温度升高时,Ic增大,但是同时IR增大导致IB减小,(因为IR+IB几乎是个常量),又导致IC减小
    在这里插入图片描述

    对于(b)来说:设温度升高时,二极管内电流基本不变,因此其压降Ud必然减小,稳定过程简述如下
    在这里插入图片描述

    2.5晶体管单管放大电路的三种基本接法
    2.5.1 基本共集放大电路
    1、电路的组成
    在这里插入图片描述
    动态分析:
    把2.5.1(c)的图用其h参数等效模型取代便可得到
    在的撒旦撒旦的啊实打实的这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    由式子可以发现0<Au<1,当(1+β)Re>>Rb+rbe时,Au(向量为1),故常称作射集跟随器,电路电压无反打能力,但是输出电流Ie远大于Ib,所以电路仍有功率放大作用
    输入电阻:Ri=Rb+rbe+(1+β)Re,因为流过Re的电流为ie,因此共集放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻大很多,可达几十千Ω
    输出电阻:为了能计算输出电阻,,令输入信号为0,在输出端加正弦电压,得到电流,即可算出输出电阻,在这里插入图片描述
    由于Re的取值较小,所以R。可以小到几十欧。
    总结:共集电极放大电路输入电阻大,输出电阻小,因而从信号源索取的电流小,而且带负载能力强,所以常用于多级放大电路的输入极和输出级;也可用它连接两电路,减少电路间直接相连所带来的影响。
    2…5.2
    基本共基极放大电路
    1、共基极放大电路无电流放大能力,电压放大倍数与阻容耦合放大电路差不多,
    2、输入电压与输出电压同相,输入电阻较共射电路小,输出电阻与共射差不多
    3、共基极放大电路的最大优点是频带宽,因而常用于无线电通信等方面。
    2.6场效应管放大电路
    2.6.1场效应管放大电路的三种接法
    在这里插入图片描述
    2.6.2 场效应管放大电路静态工作点的设置方法及其分析估算
    一、基本共源放大电路
    在这里插入图片描述
    一目了然。。。
    二、自给偏压电路
    在这里插入图片描述
    问:UGS为什么会小于0呢?
    静态时,由于场效应管栅极电流为0 ,因而电阻Rg的电流为0 ,栅极电位UCQ也就为0,也就是说原极的电位比栅极来得高,于是产生了静态电压,UGSQ=-IDQ*Rs
    图2.6.4(b)所示的是自给偏压的一种特例,使用的是耗尽型mos管,因此不管正负均能工作。
    三、分压式偏置电路(典型的稳定电路)
    A点电位决定于Rg2与Rg1的分压,因为Rg3上没有电流,g点电位为与A点电位相等,但栅极电位仍比源极电位低,Rg3的作用是增大输入电阻。
    2.6.3 场效应管放大电路的动态分析
    一、场效应管的低频小信号等效模型
    在这里插入图片描述
    如图是由h参数画出的等效电路
    gm是输出回路与输入回路电压之比,故称为跨导,其量纲是电导。
    在这里插入图片描述
    gm=偏iD/pian uGS,在小信号时,可以用IDQ近似iD,得出
    在这里插入图片描述
    gm与Q点紧密相关,Q点愈高,gm愈大,因此,场效应管Q但也会影响失真。
    二、基本共源放大电路的动态分析
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    共源放大电路具有一定的电压放大能力,输出电压与输入电压,只是共源电路的输入电阻几乎开路,很大。
    三、 基本共漏放大电路的动态分析

    在这里插入图片描述
    2.7 基本放大电路的派生电路
    场效应管与晶体管相比,最突出的优点时=是可以组成高输入电阻的放大电路,此外,由于它还有噪声低,温度稳定性好,抗辐射能力强等优于晶体管的特点,而且便于集成化,构成功耗电路,所以被广泛的应用于各种电子电路中。
    一、复合管放大电路
    1、晶体管组成及其电流放大电路
    在这里插入图片描述
    特点:
    基极入:NPN管
    基极出PNP管
    β约等于=β1*β2(=β1+β2+β1β2)
    2、场效应管与晶体管组成的复合管及其跨导
    在这里插入图片描述
    3、复合管的组成原则
    1、在正确的外加电压下,每只管子的各极电流均有合适的通路,均工作在放大区或恒流区
    2、为了实现电流放大,应该将第一只管子的集电极或发射极作为第二支管子的基极电流。
    二、复合管共射放大电路
    在这里插入图片描述
    分析表明:复合管共射放大电路增强了电流放大电路,从而减小了对信号源驱动电流的要求。
    三、复合管共源放大电路
    在这里插入图片描述
    电路比单管共源放大电路的放大能力强很多。但同时输入电阻也大很多。
    四、复合管共集放大电路
    在这里插入图片描述
    2.72 共射-共基放大电路
    在这里插入图片描述
    共集-共基放大电路
    总结:集合管可以同时获得两种管子的优点。

    展开全文
  • 电路元件符号及名称概述

    千次阅读 2012-11-22 17:42:31
    电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合, 旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制电路等方面。用 C 表示电容,电容单位有法拉( F )、微法拉( uF )、皮法拉( pF ) ,1F=10^6uF=10^12...

    电子元器件电阻

    导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω表示。

    电阻的型号命名方法:国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)

    第一部分:主称 ,用字母表示,表示产品的名字。如R表示电阻,W表示电位器。

    第二部分:材料 ,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分:分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指标等 

               

                                         1.电子元器件符号

    电子元器件电容

    电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合, 旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制电路等方面。用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF,1F=10^6uF=10^12pF

    电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。 第二部分:材料,用字母表示。 第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。 第四部分:序号,用数字表示。 用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

    电子元器件电感线圈

    电感线圈是由导线一圈一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)1H=10^3mH=10^6uH

    电感的分类 


    按电感形式分类:

    固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按工作性质分类:

    天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。

    电子元件符号表


    序号 元件名称 新符号 旧符号
    继电器K J
    电流继电器KA LJ
    负序电流继电器KAN FLJ
    零序电流继电器KAZ LLJ
    电压继电器KV YJ
    正序电压继电器KVP ZYJ
    负序电压继电器KVN FYJ
    零序电压继电器KVZ LYJ
    时间继电器KT SJ
    10 功率继电器KP GJ
    11 差动继电器KD CJ
    12 信号继电器KS XJ
    13 信号冲击继电器KAI XMJ
    14 继电器KC ZJ
    15 热继电器KR RJ
    16 阻抗继电器KI ZKJ
    17 温度继电器KTP WJ
    18 瓦斯继电器KG WSJ
    19 合闸继电器 KCRKON HJ
    20 跳闸继电器KTR TJ
    2合闸 继电器KCP HWJ
    22 跳闸 继电器KTP TWJ
    23 电源监视继电器KVS JJ
    24 压力监视继电器KVP YJJ
    25 电压 继电器KVM YZJ
    26 事故信号 继电器KCA SXJ
    27 继电保护跳闸出口继电器KOU BCJ
    28 手动合闸继电器KCRM SHJ
    29 手动跳闸继电器KTPM STJ
    30 加速继电器 KACKCL JSJ
    31 复归继电器KPE FJ
    32 闭锁继电器 KLAKCB BSJ
    33 同期检查继电器KSY TJJ
    34 自动准同期装置ASA ZZQ
    35 自动重合闸装置ARE ZCJ
    36 自动励磁调节装置 AVRAAVR ZTL
    37 备用电源自动投入装置 AATSRSAD BZT
    38 按扭SB AN
    39 合闸按扭SBC HA
    40 跳闸按扭SBT TA
    41 复归按扭 SBreSBR FA
    42 试验按扭SBte YA
    43 紧急停机按扭SBes JTA
    44 起动按扭SBst QA
    45 自保持按扭SBhs BA
    46 停止按扭SBss 
    47 控制开关SAC KK
    48 转换开关 SAHSA ZK
    49 测量转换开关SAM CK
    50 同期转换开关SAS TK
    51 自动同期转换开关2SASC DTK
    52 手动同期转换开关1SASC STK
    53 自同期转换开关SSA2 ZTK
    54 自动开关QA 
    55 刀开关 QKSN DK
    56 熔断器FU RD
    57 快速熔断器FUhs RDS
    58 闭锁开关SAL BK
    59 信号灯HL XD
    60 光字牌 HLHP GP
    61 警铃 HABHA JL
    62 合闸接触器KMC HC
    63 接触器KM C
    64 合闸线圈 YonLC HQ
    65 跳闸线圈 YoffLT TQ
    66 插座XS 
    67 插头XP 
    68 端子排XT 
    69 测试端子XE 
    70 连接片XB LP
    71 蓄电池GB XDC
    72 压力变送器BP YB
    73 温度变送器BT WDB
    74 电钟PT 
    75 电流表PA 
    76 电压表PV 
    77 电度表PJ 
    78 有功功率表PPA 
    79 无功功率表PPR 
    80 同期表
    81 频率表PF 
    82 电容器
    83 灭磁电阻 RFSRfd Rmc
    84 分流器RW 
    85 热电阻RT 
    86 电位器RP 
    87 电感(电抗)线圈
    88 电流互感器 TA CTLH
    89 电压互感器 TV PTYH
    10KV电压互感器TV SYH
    35KV电压互感器TV UYH
    110KV电压互感器TV YYH
    90 断路器QF DL
    91 隔离开关QS G
    92 电力变压器TM B
    93 同步发电机GS TF
    94 交流电动机MA JD
    95 直流电动机MD ZD
    96 电压互感器二次回路小母线
    97 同期电压小母线(待并) WSTWVB TQMa,TQMb
    98 同期电压小母线(运行) WOS`WVBn TQM`a,TQM`b
    99 准同期合闸小母线1WSC,2WSC,3WSC
    1WPO,2WPO,3WPO 1THM,2THM,3THM
    100 控制电源小母线+WC,-WC +KM,-KM
    101 信号电源小母线+WS,-WS +XM,-XM
    102 合闸电源小母线+WON,-WON

     +HM,-HM
    103 事故信号小母线WFA SYM
    104 零序电压小母线 WVBz 

             

                               

                                            2.电子元器件符号

    电感线圈的主要特性参数 


    电感量电感量L表示线圈本身固有特性,与电流大小无关。除专门的电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。 2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值,即:Q=XL/R 线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越小越好。


    电子元器件半导体器件

    中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

    五个部分意义如下:

    第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

    第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

    第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件

    展开全文
  • A 逻辑门电路基本概念 B 半导体器件的开关特性 B.a 半导体二极管的开关特性 B.b 半导体三极管的开关特性 B.c MOS管的开关特性 C 分立元件电路 C.a 二极管与门电路 C.b 二极管或门电路 C.c三极管非门电路 C.d ...

    【数电专栏】

    A 逻辑门电路的基本概念

    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    “1”为高电平,“0”为低电平,则为正逻辑,反之为负逻辑;我们从图1可以看到,高低电平对应的不是一个电压点,而是对应一段电压允许范围的阈值。

    在这里插入图片描述
    这里的开关就是马上要介绍的各种半导体二极管,三极管,MOS管的受输入电压信号、v-i控制的模拟的电子开关。
    如果输入信号使得开关闭合,这时相当于输出信号直接接地,输出低电平0;相反地,如果断开, V o V_o Vo相当于接到 V C C V_{CC} VCC,输出高电平。
    缺陷:开关有一定的电阻,闭合时输出电压不是0而是 V C C R S \frac{V_{CC}}{R_S} RSVCC。(静态功耗)
    改进:
    在这里插入图片描述
    S 1 和 S 2 S_1和S_2 S1S2互补,一个导通,另一个则断开。总有一个开关断开,保证电路电流几乎没有。

    B 半导体二极管门电路

    半导体二极管
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    只要输入的电压满足导通电压,那么剩下的电压就会在 R L R_L RL的两端 i = U i − U o n R L i=\frac{U_i-U_{on}}{R_L} i=RLUiUon
    反向恢复时间:某一时刻,由高点平跳到低电平,由于PN结还积聚了一定的电荷,所以会产生一个反向电流,再衰减到0。

    在这里插入图片描述

    B.a 半导体二极管的开关特性

    由于半导体二极管具有单向导电性,即外加正向电压时导通,外加反向电压时截止,所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关。
    在这里插入图片描述

    B.b 二极管的开关等效电路

    在这里插入图片描述
    (a)外电路等效电源和等效电阻都很小,二
    极管正向导通压降和电阻都不能忽略
    (b)当二极管的正向导通电压和外加电压相 比不能忽略,内阻和外接电阻相比可以忽略
    (c)当二极管是理想导通开关,即外加电压
    是正向导通电压的数量级,那么二极管的正
    向导通压降和内阻均可忽略

    在数电中,使用(b),即不计二极管导通的内阻,保留导通压降。

    在这里插入图片描述


    B.c 二极管与门

    在这里插入图片描述

    电流永远是走电势落差最大的支路和阻抗最小的支路。AB中低电平的就会导通。

    B.d 二极管或门

    在这里插入图片描述


    二极管与门、或门存在的问题
    𝟏.输出的高、低电平数值和输入的高、低电平数值不等,相差一个二极管的
    导通压降,如
    果把这个门的输出作为一级门的输入信号,将发生信号高、低
    电平的偏移。
    𝟐.当输出端对地接上负载电阻时,负载电阻的改变有时会影响输出的高电平。
    因此这种二极管与门电路仅用作集成电路内部的逻辑单元,而不用它直接去
    驱动负载电路。

    C 半导体三极管

    半导体三极管
    在这里插入图片描述


    在这里插入图片描述
    截止状态:开关处于断开状态, v o v_o vo通过 R c R_c Rc直接连接到电源 V C C V_{CC} VCC上, v o ≈ V C C v_o\approx V_{CC} voVCC,输出高电平。
    饱和导通状态: i b = v 1 − u b e R B i_b=\frac{v_1-u_{be}}{R_B} ib=RBv1ube,我们适当地调整 R B R_B RB,使得 i b i_b ib比较大,使得三极管工作在饱和区,此时 u b c u_{bc} ubc非常小,可以等价为一个闭合的开关, v o ≈ 0 v_o\approx 0 vo0,输出低电平。


    半导体三极管在模电与数电的区别
    在模拟电路中,我们要设置某一个静态工作点,然后使三极管尽量工作在放大区的中部,这样可以得到很好的电压放大波形。而在数电中,我们屏蔽掉放大区,利用饱和区和截止区进行电路设计。


    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    v I v_I vI低于 V b e V_{be} Vbe,为低电平时,由于 V E E V_{EE} VEE是一个负电源,所以 V b V_b Vb是达不到 V b e V_be Vbe的导通要求的,这时 i b i_b ib约等于0,则 i c 、 i e i_c、i_e icie也等于0。此时三极管相当于断开,Y通过 R c R_c Rc连接到 V C C V_{CC} VCC,处于高电平
    相反,如果 v i v_i vi输入的是高电平 V b V_b Vb可达到 V b e V_{be} Vbe的开启电压。 i b ≥ I B S i_b\ge I_{BS} ibIBS时,到达饱和状态。此时 U b e ≈ 0 U_be\approx 0 Ube0,输出 v o v_o vo也等于0,得到低电平

    加入 − V E E -V_{EE} VEE的目的是确保即使输入低电平信号稍大于零时,也能 使三极管基极为负电位,从而使三极管可靠截止,输出为高电平。


    C MOS管

    C.a MOS管的结构

    在这里插入图片描述
    淡紫色就是PN结。
    栅极G(gate electrode)
    源极S(source):起集电作用的电极
    漏极D(drain):起发射作用的电极
    由于绝缘层,三个极绝缘,MOS管相当于断路状态。

    在这里插入图片描述
    (a)随着 U G S U_{GS} UGS电位增强,电场强度增加,P的多子被电场向下排斥,则在贴近二氧化硅部分形成耗尽层。(起开关作用)
    (b)随着 U G S U_{GS} UGS不断增大,P的少子聚集在新形成的耗尽层,连通两个N,形成薄的的反型层。当反型层完全形成,我们把这时的 U G S U_{GS} UGS称为它的开启电压( V G S ( T H ) V_{GS(TH)} VGS(TH):1~4V)。


    如果DS之间不加电压,电子只会聚集,不会流动,不会产生电流。

    在这里插入图片描述
    U T U_T UT指的是导电沟道恰好形成的过程。
    U G S > U D S 情 况 下 , U D S U_{GS}>U_{DS}情况下,U_{DS} UGS>UDS,UDS电压不断增大,则 U G D ( = U G S − U D S ) U_{GD}(=U_{GS}-U_{DS}) UGD(=UGSUDS)在减小,减小到等于 U T U_T UT时,代表着靠近D区的导电层基本被夹断了,称这一点电压为预夹断电压。
    如果再增大漏源电压, U G S U_{GS} UGS产生的电场一直没有变。而 G D GD GD之间形成一个负电场,使得电子向源区聚集。而漏区开始出现一个夹断区。即便后续 D S DS DS之间的电压再不断增强,也不会改变 i D i_D iD大小。
    为了避免漏区的电压直接通过衬底流出去,通常将衬底与源极连接。我们把衬底与源极连接的方法称为共源接法。

    v D S > 0 v_{DS}> 0 vDS>0 , 但 v G S = 0 v_{GS}= 0 vGS=0 时,D-S间不导通, I D = 0 I_D= 0 ID=0
    v D S > 0 v_{DS}> 0 vDS>0 ,且 v G S > v G S ( t h ) v_{GS}> v_{GS(th)} vGS>vGS(th) (MOS管的开启电压)时,栅极下面的衬底表面形成一个N型反型 层。这个反型层构成了D-S间的导电沟道,有 I D I_D ID流通


    C.b MOS管的输入特性和输出特性

    在这里插入图片描述
    共源接法下的输出特性曲线又称为MOS管的漏极特性曲线
    表示 I D I_D ID v G S v_GS vGS关系的曲线称为MOS管的转移特性曲线

    在这里插入图片描述如果输入信号 v G S v_{GS} vGS达不到沟道形成的开启电压(图中开启电压为2V。),此时的MOS管是不会有电流存在的。特性曲线对应 i D ≈ 0 i_D \approx 0 iD0的区域称为截止区。
    u G S u_{GS} uGS逐渐增强,导电沟道形成,这时候随着 u D S u_{DS} uDS的增加,输出就呈现出相应的特性。把图中靠近纵轴的区域称为可变电阻区。
    再往后,增加的 U D S U_{DS} UDS全部落在夹断区,因为已经夹断,不再改变 i D i_D iD数值大小,我们称为恒流区。


    在这里插入图片描述

    v i v_i vi没有达到开启电压时,即 V i = V G S < V G S ( t h ) V_i=V_{GS}<V_{GS(th)} Vi=VGS<VGS(th) i D = 0 i_D=0 iD=0,整个电路处于断路状态,通常用一个大电阻 R O F F R_{OFF} ROFF等效这种状态。如果 R D R_D RD R O F F R_{OFF} ROFF相比非常小,这时 V D D V_{DD} VDD几乎全部在 R O F F R_{OFF} ROFF上。这时后 v o v_o vo就可以得到约等于 V D D V_{DD} VDD的高电平。而栅极与源极之间用一个电容 C I C_I CI等价。

    如果 v i v_i vi可以使 V G S V_{GS} VGS之间满足开启电压条件,即 V i > V G S ( t h ) V_i>V_{GS(th)} Vi>VGS(th),这时, i D i_D iD增加。DS之间可以用一个 R O N R_{ON} RON代替,如果 R O N R_{ON} RON R D R_D RD相比非常小,则 R O N R_{ON} RON上的电压非常小接近0,所以输出电压 v o v_o vo为低电平。

    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述


    在这里插入图片描述


    在这里插入图片描述


    图片来源:《数字电子技术基础》 国防科技大学

    展开全文
  • 放大电路的构成 ...如何构建基本放大电路 目标:小功率信号→功率 条件:元件、能量 技术路线: 1.晶体三极管工作在放大状态下 2.小信号→iB(UBE) 3.合理的输出 看下图 从输入来看,如果没有VBB和Rb,
  • 放大电路

    千次阅读 2013-10-23 16:34:36
    放大电路基本原理 内容提要: 单管放大电路是组成各种复杂放大电路基本单元。本章首先以单管共发射极放大电路为例,阐明放大电路的组成以及实现放大作用的基本原理。然后介绍电子电路最常用的两种分析方法――...
  • 利用有限容积法对元件水平放置的电路板组成的矩形封闭空间的流场及温度分布进行了数值模拟,结果表明,电子元件的安装位置对空间的温度分布有很的影响。传统的等间距安装元件不是最佳方案,非等间距安装可有效...
  • 初识Multisim之放大电路

    千次阅读 2018-07-17 16:52:24
    放大电路的核心元件是晶体管,因此,放大电路若要实现对输入小信号的放大作用,必须首先保证晶体管工作在放大区。 晶体管工作在放大区的外部偏置条件是:其发射结正向偏置、集电结反向偏置。此条件是通过外接直流...
  • 下面列举场效应晶体管在电路中常用的五大作用: 二、场效应晶体管五大作用 1、放大作用 场效应晶体管可应用于放大。由于场效应晶体管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不...
  • 实验二 单管交流放大电路

    千次阅读 2021-03-18 10:19:54
    1.熟悉电子元件和模拟电路实验箱;  2.掌握放大电路静态工作点的调试方法及其对放大电路性能的影响;  3.学习测量放大电路的Q点,AV,r,r的方法,了解共射极电路的特性;  4.学习放大电路的动态特性。 二、...
  • 原文链接:运算放大器基本电路大全原文作者:电子工程专辑引言我们经常看到很多非常经典的运算放大器应用图集,但是这些应用都建立在双电源的基础上,很多时候,电路的设计者必须用单电源供电,但是他们不知道该如何...
  • 和韵T99是欧博音响公司的周年纪念版前级,其外形秀巧,电路简洁,音质纯静而无音染。 T99前级放大电路如图所示。从图中可见,它除了两个电子三极管之外,几乎就没有什么元件了,所以在介绍它之前先说一说电子管...
  • 本文档的主要内容是个DC-DC电路的实训指导资料。包括了:课题一、由TDA2030组成的音频功率放大电路,课题二、MC34063组成的DC-DC电路,课题三、运算放大器应用万用表的设计与调试,课题四、直流稳压电源的安装与...
  • 电路 邱关源 第电路 邱关源 第版 课后习题答案2课后习题答案2电路 邱关源 第版 课后习题答案2电路 邱关源 第电路 邱关源 第版 课后习题答案2课后习题答案2电路 邱关源 第版 课后习题答案2电路 ...
  • 电路基本概念(1) 自学笔记

    千次阅读 2020-08-01 15:06:32
    电路是电流的通路,是为了某种需要由电工设备或电路元件按一定方式组合而成的。 1.2、电路的作用及组成 1.2.1、实现电能的传送、分配与转换 能量是守恒的,能量在传输过程有损耗 电源:提供电能的装置。 中间...
  • 电路的第一个仿真笔记。了解Multisim核心基础功能。 熟练掌握之后就可以用来研究一般的伏安器件了。
  • 放大电路2

    千次阅读 2013-10-23 16:34:38
    放大电路的三种基本组态 2.6.1 共集电极放大电路 上图(a)是一个共集组态的单管放大电路,由上图(b)的等效电路可以看出,输入信号与输出信号的公共端是三极管的集电极,所以属于共集组态。又由于输出信号从...
  • 目录: 一、简介 二、负反馈放大电路的四种组态 1、负反馈概述 ...、附录 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------...
  • 目录一、实验目的二、实验仪器三、预习要求四、实验内容及步骤1.测量静态工作点,2.测量差模电压放大倍数。3.测量共模电压放大倍数。...差分放大电路是构成多级直接耦合放大电路基本单元电路,由典型的工作点
  • PCB的抄板五大步骤

    2021-01-19 23:40:43
    利用反向技术手段对电路板进行逆向解析,将原有产品的文件、物料清单、原理图等技术文件进行1:1的还原操作,然后再利用这些技术文件和生产文件进行制板、元件焊接、电路板调试,完成原电路样板的整个复制。...
  • 在学习中要理论联系实际,注意电路模型与实际电路元件的差异和联系,注意数学方法的应用。 《电路》MOOC将力求简明、生动,让你轻松愉快学习电路理论。 证书要求 电路MOOC的总成绩构成为:平时测验占40%,课程讨论...
  • 电源开关因具有功耗小、效率高、体积小、重量轻、工作稳 定、安全可靠以及稳压范围宽等优点,而被广泛应用于...接下来就说下抑制开关电源电磁干扰的五大措施了↓  采用交流输入EMI滤波器  通常干扰电流在导线
  • 说白了就是要了解各个元件有什么作用其次,要了解各个元件间的组合有什么功能再者,要知道一些基本电路,比如:基本的电压源与电流源之间的相互转换电路基本的运算放大电路等等然后,就是可以适当的看一点复杂的...
  • 基本电子电路系列——MOS管   北京寰方科技有限公司 硬件工程师 赵勇儒 于2011年08月22日 MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,英文:MOSFET(Metal Oxide ...
  • 1. 金属- 氧化物- 半导体(MOS )场效应三极管场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路基本器件,并且是一种三段器件,所以有时候也称为场效应三极管 在一块掺杂浓度较低的P型半导体基片上的两个区域掺入...

空空如也

空空如也

1 2 3 4 5 ... 20
收藏数 10,587
精华内容 4,234
关键字:

五大电路基本元件