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  • 交叉耦合效应描述为控制效能结构不确定性, 建立分配 误差最小的单目标鲁棒最小二乘控制分配模型, 给出等价线性矩阵不等式构型.进一步, 考虑操纵面偏转能量约束, 建立鲁棒混合优化控制分配模型, 以避免单目标 优化...
  • 利用电路理论,对具有双负载...通过数值分析的方法,针对交叉耦合效应对系统传输功率、效率的影响进行了细致的研究,并提出了一种在回路中附加电抗来补偿交叉耦合效应的方法。通过仿真和实验验证了这种方法的可行性。
  • 压电效应与电磁效应的相似性分析,杨斐,李文宬,将压电材料看成一个热力学系统,分析了三种能量(机电磁)之间主效应与交叉耦合效应间的线性关系,并介绍了压电方程的热力学基础。�
  • Allegro MicroSystems公司的AC耦合霍尔效应器件新增3款齿轮传感器——A1421LK、A1422LK和A1423LK。这些新器件具有封装尺寸小、集成滤波电容,和可靠性高的特点,适合于如传输和引擎管理的速度、位置和定时应用,也...
  • 提出一种基于级联半导体光放大器(SOA)中的交叉增益调制(XGM)效应实现的全光逻辑与门新方案。该方案采用单端耦合半导体光放大器提高第一级半导体光放大器输出的消光比,合理控制第二级半导体光放大器的输入光功率,实现...
  • 提出一种在负色散区利用交叉相位调制效应压缩基本孤子脉冲的新方法。采用分步傅里叶方法对非线性耦合方程进行了数值计算与模拟。研究了不同抽运功率、不同抽运脉冲啁啾参数以及不同脉宽对基本孤子脉冲压缩的影响。...
  • 考虑到多孔介质中传热传质对松散煤体低温氧化温度场和浓度场的交叉耦合作用,对松散煤体低温氧化过程中氧的扩散与反应、热的传递建立数学模型,并对其无量纲化,得出表征传热传质耦合的无量纲扩散附加热效应准则数DCT和...
  • 通过在原子能级几率振幅随时间演化的耦合方程中引入一个上两能级交叉耦合干涉项,讨论和分析了在不同条件下交叉耦合干涉项的相消作用以及量子干涉效应对原子基态几率和原子系统受激吸收特性的影响.
  • 在不考虑应变的情况下,随着量子点之间耦合强度的减小,价带基态能级和激发态能级发生反交叉现象,基态从成键态翻转为反成键态。应变效应使得量子点的重空穴及轻空穴的能带发生改变,轻重空穴耦合减弱,基态和激发态之间...
  • 探究了自克尔非线性色散谱对隧穿失谐的灵敏特性,考察了交叉克尔非线性相移对隧穿效应的传感特性,数值模拟结果显示自克尔非线性测量隧穿失谐的精确度可达0.2μeV、系统的交叉相位调制约为0.28rad/μeV;课题组又进一步...
  • 由于Tm3+离子能级间的交叉弛豫效应导致的高抽运量子效率,实验获得的光-光转换效率为35%,斜度效率达到40%。采用双端面抽运结构,两个激光二极管注入功率29.6 W时,Tm,Ho∶YLF激光器输出功率达10.2 W,相当于光-光转换...
  • 通过对文字运算电路和三值存储器原理的分析,结合碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的特性,...最后实验验证,所设计的电路逻辑功能正确且与传统交叉耦合SRAM相比写速度提高49.2%。
  • 通过数值计算证明光子带隙结构的形成源自于自发辐射相干效应下探测场和耦合场之间的三阶交叉克尔(Kerr)非线性调制,并且通过控制耦合场的耦合方式,可以实现系统从两个光子带隙到三个光子带隙的动力学调控。
  • 当信号光和抽运光耦合后通过硅光波导,会产生自相位调制(SPM),交叉相位调制(XPM)等非线性效应,这些效应都能引起光谱的变化。光通信链路中存在的不同色散值会使得信号波形发生变化,波形变化的信号会在硅光波导中产生...
  • 推导了同向传播但波长不同的两光波,在三、五阶非线性效应同时作用下、基于超常介质Drude色散模型的耦合非线性薛定谔方程组和交叉相位调制引起的调制不稳定性(XMI)的增益公式,分析了五阶非线性效应交叉相位调制...
  • 在综合考虑群速度色散、自相位调制、交叉相位调制、四波混合、偏振模色散等因素的基础上,推导了密集波分复用系统中任意信道的耦合非线性薛定谔方程组。利用扩展的分步傅里叶方法对该方程进行了数值计算,通过对8×40 ...
  • 在考虑到光纤饱和非线性效应的情况下,给出了同偏振、不同波长的两光波的慢变振幅满足的耦合非线性薛定谔方程组以及线性化后微扰满足的方程组。在光纤的正色散区,分析并讨论了交叉相位调制不稳定增益谱随两光波输入...
  • 为研究滤波器参数与其传输性能之间的关系,设计了一款含交叉耦合结构的W波段矩形波导带通滤波器。交叉耦合结构使滤波器的矩形系数减小25.7%,有效增强了带外抑制。不同中心频率的3款滤波器模型的仿真数据证明了...
  • 该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器,并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储;其次结合读写共用的单端口方法,减少互连线数量;然后采用隔离和切断交叉耦合技术,增强三值数据存储的稳定性;最后通过...
  • 提出了一种新型电荷泵电路,该电荷泵采用交叉耦合的NMOS开关管传输电荷,利用每一级的输出电压控制开关管的栅极,有效抑制了体效应的影响,提高了电压增益。Spectre结果显示,在3.3 V的工作电压下,四级新型电荷泵...
  • category=-11)SRAM六管结构的工作原理典型SRAM由六个晶体管组成-提高了噪声容限SRAM中每一bit存储在由4个场效应管构成两个交叉耦合的反相器中。两侧(M5\M6)的场效应管是用于读写的位线控制开关;SRAM的整体结构如下...
    273636994194b624bf4fbf99b84f8d0d.gifc2977a811dfcb63cc583c1bff3f39c88.gifa73d61d7c7787e67bc6bd04feb3b59e0.png0954bb793d8fa88df37a3dc450366f6c.png硬件设计-SRAM选型

    学习地址:

    https://wangchen.ke.qq.com/#tab=1&category=-1

        1)SRAM六管结构的工作原理

        典型SRAM由六个晶体管组成-提高了噪声容限

    SRAM中每一bit存储在由4个场效应管构成两个交叉耦合的反相器中。两侧(M5\M6)的场效应管是用于读写的位线控制开关;

    SRAM的整体结构如下:

    51513ebbe5d7974a5f86c563a61c1600.png

    SRAM可以看作反相器的组合:

    c3d1cb6180b14e8c57f4bc6aa767b988.png

        2)read

    ①WL字线有效,使得两个访问晶体管M5和M6是导通的;

    ②第二步是保存在Q的值传递给位线BL和位线非BL;

    ③在位线非BL一侧,通过M1和M5的通路直接连到低电平使其值位逻辑0;

    ④在位线BL一侧,晶体管M4和M6通路,把位线连接到Vdd所代表的逻辑1;

    74fe7edbf8f01c052b31cb52aaf069be.png

        3)writing

    ①写周期初,把要写入的状态加载到位线;

    ②如果写入0,则设置BL为0;

    ③随后字线WL加载为高电平,位线的状态被载入SRAM基本单元;

    DRAM存储数据的状态由电容存储的电荷量决定;

    6615c4202666bef967145cbabd7850c1.png

        4)DRAM和SRAM的比较

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    2CAN报文解析  

        如下记录了CAN报文的解析内容,涉及CAN报文DBC文件中关于信号的定义,以及利用记事本打开.dbc文件后对信号定义内容的查看:

    719136a3b71fca9beb06a40868903781.png

    e1d267242acb6355f5ca4fa9a78d5636.png

    在配置时,一般整车厂会提供相应的通讯协议,里面涉及报文ID、报文名、发送周期等内容;根据整车厂的通讯协议在CANdb++中进行配置即可。

    af45b4e5ae07e03bb20ce4d903d3c971.png

    31f53b05f4fdf5c0ed9ff0571e9f350c.pnga3bb320861d510b53dfbb0b1ade16236.png日工作记录fc4d05f8146af58f76fadf0d680cefcc.gif1385f6559ce1d457d8e26dec52957ec3.png

    fe9812c906df51d61b1b0190ecdeb063.png

    公众号ID:gh_dc943d9de6b5扫码关注最新动态ce8620612c93e26fdf8d5d90c97ed08d.png
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  • 从理论上分析了不精确的复位高度V2π对系统的影响,指出不精确的V2π将使谐振腔中的交叉耦合电场和直通耦合电场之间不会形成最佳相消干涉,从而产生误差。利用探测器输出总电场的表达式,以双频率调制的谐振式光纤陀螺...
  •  在这些高时钟频率下,阻抗控制、正确的总线终止和最小交叉耦合,带来高保真度的时钟信号。传统上,逻辑系统仅对一个时钟沿的数据计时,而双倍数据速率 (DDR) 内存同时对时钟的前沿和下降沿计时。它使数据通过...
  • 在这些高时钟频率下,阻抗控制、正确的总线终止和最小交叉耦合,带来高保真度的时钟信号。传统上,逻辑系统仅对一个时钟沿的数据计时,而双倍数据速率(DDR) 内存同时对时钟的前沿和下降沿计时。它使数据通过速度翻了...
  • MRAM的优异性能

    2020-10-23 15:59:43
    闪存的非易失性不是闪存的固有属性,而是靠两个闪存反相器交叉耦合组成,也就是由晶体管、电阻及电容等元器件组合而成的记忆单元,实际上是靠微小电容器存储的一份电荷来保存信息,如果断电则这份电荷就会耗尽。...

    ‘非易失性’是指MRAM单元在关断电源后仍可保持完整记亿,功能虽与闪存类同,但本质各异。闪存的非易失性不是闪存的固有属性,而是靠两个闪存反相器交叉耦合组成,也就是由晶体管、电阻及电容等元器件组合而成的记忆单元,实际上是靠微小电容器存储的一份电荷来保存信息,如果断电则这份电荷就会耗尽。但MRAM单元却简单多了,它的四层薄膜中有三层都是铁磁性材料,写入自由层的数据:0或Ⅰ状态,设置的原理基于磁性材料固有的磁滞效应具有永久性,这是铁磁性材料的固有属性,因此在突然断电时也不会丢失信息,存入数据的非易失性自然得到保证。而且保存数据并不耗电。

    随机存取
    ‘随机存取’是指中央处理器读取资料时不必从头开始,随时可用相同的速率从MRAM芯片的任何部位读取信息,这与当前计算机在开机时须重新从硬盘向RAM内存装载信息不同,因mram芯片在关机前已将程序和数据保存在本地内存之中。因此MRAM芯片取消计算机开机的等待时间,也就是启动快。而且随机存取速率也快,因为MRAM元件是一个单体,数据存储以磁畴取向为依据,存‘0’或‘1’,原理简明、运行快捷。不像闪存那样随机存取有赖于晶体管的导通、截止以及电路传输。

    存储密度
    MRAM与闪存都属于小规格芯片,所占空间极小,存储密度随着集成技术工艺的发展而增加。集成技术工艺已从亚微米工艺进入到纳米工艺,因此MRAM的体积也越来越小,存储密度必随之增加。

    低功耗
    MRAM单元的功耗很低,存储单元的工作电压只有闪存EEPROM的十分之一左右,而且断电后保存数据不需耗电。

    MRAM被认为是目前能同时满足计算机内存四项要求:‘非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低’的最佳器件,因而受到业内人士的广泛关注,各大企业竞相开发,力争产品早日面世。

    Everspin是设计制造和商业销售离散和MRAM和STT-MRAM的翘楚,其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心和云存储及能源,工业,汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品,在包括40nm,28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。Everspin代理商英尚微电子可提供驱动、例程和必要的FAE支持。

    展开全文
  • 效应,这个特点可以由耦合的Ginzburg-Landau 方程来描述。经过计算和模拟,得 到了一些新的孤子组合方式在双折射光纤中的传输特点。最后用拟解法得到高双折 射光纤中的一组精确暗孤子理论解。
  • 在场论方面,由于规范理论中的有限耦合,这种较高的导数效应将代表出现的校正。 最后,我们计算了与高斯邦纳特校正后的带电Lifshitz黑洞相对应的有限耦合处的热扩散系数。 我们观察到一个重要的交叉点,对应于z = 5...

空空如也

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交叉耦合效应