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  • 交叉耦合滤波器设计
    2021-04-25 00:35:09

    写关于滤波器的耦合矩阵的论文中发现的

    不少国外的文章都是给出了耦合矩阵就能直接画出S11 S21的频率响应曲线

    请问哪位大侠知道这是怎么得出的,滤波器的回损和插损和耦合系数之间有什么关系么

    如果有相关的论文,也请各位推荐

    可以看cammer的文章

    “Genera coupling matrix synthexis methods for chebyshev filtering functions”

    Genera coupling matrix synthexis methods for chebyshev filtering functions

    camera的这篇文章只是介绍了怎么通过综合法综合出耦合矩阵,并且是基于传输零点位置的

    并没有介绍耦合矩阵到频率响应的方法啊

    照理说应该是一个耦合矩阵对应一个频率响应才对,谁有这方面的材料

    这么简单的问题,难道我还要向国外的教授发邮件询问么

    滤波器综合是知道了S11,S21频率响应,再去得到耦合系数的

    为什么要从耦合系数去得到频率响应呢?

    有公式算的。s21=2/(q1*qn)^(0.5)[An1]^(-1);s11=1-1/(q1*[A11]^(-1);这两个公式是通过等效电路算出来的。先计算z矩阵,然后通过归一话电压电流和S参数的关系就可以的到。

    楼上的公式是从HONG的那本书里得出的吧,我用MATLAB仿真,可是得出的频率响应似乎不是那么回事,我贴个图,大家看看问题有可能出在哪里?003d8e63e1136cba558c8ae33c3748c7.png

    另外我用1999年camera的文章的方法,对耦合矩阵M0,进行了一次旋转变换,得到M1,对应的频率响应照理应该一样,可是变成上边带和下边带各只有一个notch

    也把图发出来,可能是什么原因呢?7f26e690c8a2524b96b9c9168603f9d8.png

    把你的耦合矩阵贴出来,否则别人也不知道是什么原因啊

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    源端交叉耦合运放结构

    在这里插入图片描述

    在这里插入图片描述
    这种结构用作运放的输入级,可以突破尾电流的限制,使输出电压摆率得到明显的提升。但不足之处是从任意一个输入端到地的信号路径上都有3个MOS管,导致输入共模电压范围的下限偏大,输入电压摆幅偏小。当使用较高的电源电压时(如5V以上),这可能不是什么问题,但当电源电压降低到3.3V以下时,由于输入电压摆幅过小,从而不能在3.3V电压下应用这种电路结构[0。源端交叉耦合的电路结构如图1-1所示。
    在这里插入图片描述

    交叉耦合低失调带隙基准

    在这里插入图片描述

    Level shift

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    延迟

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    消除比较器delay在周期中的影响

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    运放构成积分器,积分消除比较器延迟。

    VCO

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    交叉耦合管的负载推导

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    我们要记住电阻是增量,因此,负阻表示的就是随着施加的电压变大,流进电路的电流将会减小。
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    在这里插入图片描述
    能否用小信号模型推出 下图 中交叉耦合管和Cs并联之后的导纳呢?
    在这里插入图片描述

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