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  • 作为一个整体一次存放或取出存储器数据称为“存储字” 在现代计算机系统, 特别是在微机系统,内存储器一般都以字节为单元编址,即一个存储地址对应一个8位字节单元。 这样一个16/32位存储字就占了两个/四...

    作为一个整体一次存放或取出内存储器的数据称为“存储字” 在现代计算机系统中,

    特别是在微机系统中,内存储器一般都以字节为单元编址,即一个存储地址对应一个8位字节单元。

    这样一个16/32位存储字就占了两个/四个连续的8位存储单元,其中最低地址为字地址。

    “小数端”(little endian)存放

    小数端存放即低地址对应存放低位字节数据。   例如,IntelX86处理器的32位存储字12345678H存放在内存中的情况如图(a)所示,占有24300H  24303H四个地址的字节单元,其中最低字节78H存放在24300H中。 

     

    “大数端(big endian)存放

    在Motorola的680X0系统中,32位存储字12345678H存放在内存中的情况如图(b)所示,最高8位信息12H存放在最低地址24300H,称为“大数端(big endian)存放。32位存储字的地址24300H指向最高8位的存储单元。

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  • 存储器

    2018-03-16 17:51:29
    存储器是计算机系统的记忆设备, 计算机全部信息, 包括输入的原始数据, 计算机程序, 中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中. 构成存储器的存储介质, 目前主要采用半导体器件和磁性材料. 存储器中最小的...

    存储器是计算机系统中的记忆设备, 计算机中全部信息, 包括输入的原始数据, 计算机程序, 中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中.
    构成存储器的存储介质, 目前主要采用半导体器件和磁性材料. 存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元, 它可存储一个二进制代码,. 由若干个存储元组成一个存储单元, 然后再由许多存储单元组成一个存储器, 一个存储器包含许多存储单元, 每个存储单元可存放一个字节(按字节编址). 每个存储单元的位置都有一个编号, 即地址, 一般用十六进制表示. 一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量. 假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成, 则可表示2的20次方, 即1M个存储单元地址. 每个存储单元存放一个字节, 则该存储器的存储容量为1MB.


    存储器分类

    • 按存储介质分类

      • 磁存储器: 利用涂覆在载体表面的磁性材料具有两种不同的磁化状态来表示二进制信息完成存储. 将磁性材料均匀地涂覆在圆形的铝合金或塑料的载体上就成为磁盘, 涂覆在聚酯塑料带上就成为磁带. 常见的有 机械式硬盘(硬磁盘) , 软盘(软磁盘) , 磁带等.
      • 光存储器: 光盘表面有凹凸不平的小坑, 光照射到上面有不同的反射, 再转化为二进制信号形成光存储. 主要有只读型的 CD-Audio , CD-Video , CD-ROM , DVD-Audio , DVD- Video , DVD-ROM 等; 另一类是可写型的 CD-R , CD-RW , DVD-R , DVD+R , DVD+RW, DVD-RAM 等.
      • 半导体存储器: 利用半导体电路完成存储. 目前所说的 ROM , RAM 等都属于半导体存储器. 下面的分类将主要讨论半导体存储器和机械硬盘.
    • 按存储方式分

      • 随机存储器: 任何存储单元的内容都能被随机存取, 且存取时间和存储单元的物理位置无关.
      • 只能按某种顺序来存取, 存取时间和存储单元的物理位置有关. 比如 FIFO队列存储器 .
    • 按读写功能分

      • 只读存储器(ROM, read only memory): 存储的内容是固定不变的, 只能读出而不能写入的存储器.
      • 随机读写存储器(RAM, random access memory): 既可以读又可以写的存储器.
    • 按用途分

      • 内存: 存放计算机运行期间的大量程序和数据, 一般包括 ROM RAMCache(高速缓冲存储器)
      • 外存: 存放系统程序和大型数据文件及数据库等.
    • 按信息保存性分
      存储根据易失性(volatile)和非易失性(non-volatile)可以做如下分类:
      存储器分类


    几种常见存储器

    • RAM
      RAM(Random access memory, 随机存取存储器)存储单元的内容可按需随意取出或存入, 且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器. 这种存储器在断电时将丢失其存储内容, 故主要用于存储短时间使用的程序.

    • SRAM
      SRAM(Static RAM, 静态随机存储器)速度非常快, 不需要刷新电路, 在快速读取和刷新时能够保持数据完整性,. SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据, 所以SRAM的电路结构非常复杂. 一般用在CPU的一级缓冲,二级缓冲中.

    • DRAM
      DRAM(Dynamic RAM, 动态随机存取存储器)每隔一段时间就要刷新一次数据, 才能保存数据.

    • SDRAM
      SDRAM(Synchronous DRAM, 同步动态随机存储器), 即数据的读写需要时钟来同步。其存储单元不是按线性排列的,是分页的. 一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM. 电脑的内存也是用的这种RAM, 叫DDR SDRAM, 其集成度非常高, 因为是动态的, 所以必须有刷新电路, 每隔一段时间必须得刷新数据.

    • ROM
      ROM(Read only memory, 只读存储器)所存储的信息在正常情况下只能读取, 不能随意改变. 其信息是在特殊条件下生成的. 即使停电其信息也不会丢失. 这种存储器适用于存储固定不变的程序和数据.

    • M-ROM
      M-ROM(Mask-ROM, 掩膜ROM)其存储的信息是在掩膜工艺制造过程中写进去的, 信息一旦写入便不能再修改. 掩膜ROM适合于大批量的定型产品, 它具有工作可靠和成本低等优点.

    • PROM
      PROM(Programmable ROM, 可编程ROM)其信息可由用户通过特殊手段写入,但它只能写入一次,并且写入的信息不能修改.

    • EPROM
      EPROM(Erasable PROM, 可擦除可编程ROM)用户可根据需要对它进行多次写入和擦除, 但每次写入之前, 一定要先用紫外线擦除.

    • EEPROM
      EEPROM(Elctronic erasable PROM, 电可擦除可编程ROM)与EPROM不同, EEPROM的擦写可以用电路而不是紫外线完成. 擦写速度比EPROM快.

    • FALSH
      FLASH(闪存)是一种可以写入和读取的存储器, FLASH也叫FLASH ROM, FLASH和EEPROM相比, FLASH的存储容量大. FLASH的速度比现在的机械硬盘速度快.

    • NOR FLASH
      NOR FLASH的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place), 这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行, 不必再把代码读到系统RAM中,. NOR FLASH的传输效率很高, 在1~4MB的小容量时具有很高的成本效, 但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能.

    • NAND FLASH
      NAND FLASH结构能提供极高的单元密度, 可以达到高存储密度, 并且写入和擦除的速度也很快. 应用NAND FALSH的困难在于FLASH的管理和需要特殊的系统接口. 现在的U盘和SSD固态硬盘都是NAND FALSH.

    NOR FLASH 与 NAND FLASH的比较如下:

    • NOR的读速度比NAND稍快一些
    • NAND的写入速度比NOR快很多
    • NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快
    • 大多数写入操作需要先进行擦除操作
    • NAND的擦除单元更小, 相应的擦除电路更少
    • NOR FLASH带有SRAM接口, 有足够的地址引脚来寻址, 可以很容易地存取其内部的每一个字节
    • NAND FLASH使用复杂的I/O口来串行地存取数据, 各个产品或厂商的方法可能各不相同
    • NAND FLASH读和写操作采用512字节的块, 基于NAND FLASH的存储器就可以取代硬盘或其他块设备

    参考存储器详细介绍

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  • 计算机存储器介绍

    万次阅读 多人点赞 2018-04-24 10:17:29
    其概念很广,有很多层次,在数字系统,只要能保存二进制数据的都可以是存储器;在集成电路,一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器,如RAM、FIFO等;在系统,具有实物形式的存储设备也叫存储器,如...

    (一)存储器

        存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,只要能保存二进制数据的都可以是存储器;在集成电路中,一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器,如RAM、FIFO等;在系统中,具有实物形式的存储设备也叫存储器,如内存条、TF卡等。计算机中全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器,计算机才有记忆功能,才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器(内存)和辅助存储器(外存),也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等,能长期保存信息。内存指主板上的存储部件,用来存放当前正在执行的数据和程序,但仅用于暂时存放程序和数据,关闭电源或断电,数据会丢失。

    存储器的分类结构如下:

    二)RAM

        随机存取存储器(random access memory,RAM)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

        SRAM:

    静态随机存取存储器Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。 速度快,集成度低,高速缓冲存储器。
    DRAM:
    动态随机存取存储器,最为常见的系统内存,即DRAM(Dynamic Random Access Memory)。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 关机就会丢失数据。 集成度高,功耗低,需要不断刷新,一般做内存。

    (三)ROM   

        只读内存(Read-Only Memory)是一种只能读取资料的内存。在制造过程中,将资料以一特制光罩(mask)烧录于线路中,其资料内容在写入后就不能更改,所以有时又称为“光罩式只读内存”(mask ROM)。此内存的制造成本较低,常用于电脑中的开机启动。   

    1.PROM   

        可编程程序只读内存(Programmable ROM,PROM)之内部有行列式的镕丝,视需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次。 PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用 户可以将其中的部分单元写入1), 以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果我们想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原 先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还 是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”,造成其永久性击穿即可。   

     2.EPROM   

        可抹除可编程只读内存(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)可利用高电压将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空,并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。               3OTPROM   

        一次编程只读内存(One Time Programmable Read Only Memory,OPTROM)之写入原理同EPROM,但是为了节省成本,编程写入之后就不再抹除,因此不设置透明窗。   

     4.EEPROM  

     电子式可抹除可编程只读内存(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成,因此不需要透明窗。   

    5.快闪存储器  

     快闪存储器(Flash memory)的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”,利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。   

    6.快闪存储器  

     指从游戏机主文件存储器里或者正版游戏卡带提取的游戏主文件,可以在各类模拟器上使用。例如街机模拟器,GBA模拟器的ROM,正是此意。

    (四)外部存储器

    1 硬盘

        硬盘是电脑主要的存储媒介之一,由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。碟片外覆盖有铁磁性材料。
        硬盘有固态硬盘(SSD 盘,新式硬盘)、机械硬盘(HDD 传统硬盘)、混合硬盘(HHD 一块基于传统机械硬盘诞生出来的新硬盘)。

        SSD采用闪存颗粒来存储,HDD采用磁性碟片来存储,混合硬盘(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘。绝大多数硬盘都是固定硬盘,被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。

    2 软盘

        软盘(Floppy Disk)是个人计算机(PC)中最早使用的可移介质。软盘的读写是通过软盘驱动器完成的。软盘驱动器设计能接收可移动式软盘,目前常用的就是容量为1.44MB的3.5英寸软盘。
        软盘存取速度慢,容量也小,但可装可卸、携带方便。作为一种可移贮存方法,它是用于那些需要被物理移动的小文件的理想选择。

        软盘在早期计算机上必备的一个硬件,也是计算机上面最早使用的可移介质。软盘英文缩写是FIoppy Disk,它作为一种可移储存硬件适用于一些需要被物理移动的小文件,软盘的读写是用过软驱也就是软盘驱动器来完成的。

    3 光盘

        光盘是以光信息做为存储的载体并用来存储数据的一种物品。分不可擦写光盘,如CD-ROM、DVD-ROM等;和可擦写光盘,如CD-RW、DVD-RAM等。
        光盘是利用激光原理进行读、写的设备,是迅速发展的一种辅助存储器,可以存放各种文字、声音、图形、图像和动画等多媒体数字信息。

        光盘定义:即高密度光盘(Compact Disc)是近代发展起来不同于完全磁性载体的光学存储介质(例如:磁光盘也是光盘),用聚焦的氢离子激光束处理记录介质的方法存储和再生信息,又称激光光盘。

    4 U盘

        U盘,全称USB闪存盘,英文名“USB flash disk”。 [1]  它是一种使用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品,通过USB接口与电脑连接,实现即插即用。 [1] 

        U盘的称呼最早来源于朗科科技生产的一种新型存储设备,名曰“优盘”,使用USB接口进行连接。U盘连接到电脑的USB接口后,U盘的资料可与电脑交换。而之后生产的类似技术的设备由于朗科已进行专利注册,而不能再称之为“优盘”,而改称谐音的“U盘”。 [1]  后来,U盘这个称呼因其简单易记而因而广为人知,是移动存储设备之一。现在市面上出现了许多支持多种端口的U盘,即三通U盘(USB电脑端口、iOS苹果接口、安卓接口)。

    (五)缓存

        缓存就是数据交换的缓冲区(称作Cache),当某一硬件要读取数据时,会首先从缓存中查找需要的数据,如果找到了则直接执行,找不到的话则从内存中找。由于缓存的运行速度比内存快得多,故缓存的作用就是帮助硬件更快地运行。
        因为缓存往往使用的是RAM(断电即掉的非永久储存),所以在用完后还是会把文件送到硬盘等存储器里永久存储。电脑里最大的缓存就是内存条了,最快的是CPU上镶的L1和L2缓存,显卡的显存是给显卡运算芯片用的缓存,硬盘上也有16M或者32M的缓存。


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  • zzz:存储器

    2019-01-23 15:06:50
    向存储器存入或从存储器取出信息,都称为访问存储器。计算机存储器是由可以存放和读取数值的一系列单元所组成的,每个存储单元都有一个编号,称为“地址”。向存储器存数或者存储器取数,都要按给定的地址来...


    1.存储器
    存储器的主要功能是存放程序和数据。程序是计算机操作的依据,数据是计算机操作的对象。不管是程序还是数据,在存储器中都是用二进制数的形式表示的,统称为信息。向存储器存入或从存储器取出信息,都称为访问存储器。计算机存储器是由可以存放和读取数值的一系列单元所组成的,每个存储单元都有一个编号,称为“地址”。向存储器中存数或者从存储器中取数,都要按给定的地址来寻找所选的存储单元。存放在存储器中的信息,事实上可以表示任何东西,文字、数值甚至计算机指令都可以同样容易地存放到存储器中。由于计算机仅使用0和1两个二进制数字,所以使用“位(bit)”作为数字计算机的最小信息单位。当CPU向存储器送入或从存储器取出信息时,不能存取单个的“位”,而用字节(Byte)和字(Word)等较大的信息单位来工作。一个“字节”由8位二进制信息组成,而一个“字”则表示计算机一次所能处理的一组二进制数,至少由一个以上的字节组成。通常把组成一个字的二进制位数叫做字长。例如微型机的字长可以少至8位,多至32位,甚至达到64位。存储器中所有存储单元的总数,称为存储器的存储容量,通常用单位KB( Kilobyte,千字节)、MB( Megabyte,兆字节)、GB( gigabyte,千兆字节)表示,如64KB、128MB、256GB。度量存储器容量的各级单位之间的关系为:1KB1024Byte,IMB=1024KB,1GB=1024MB。存储容量越大,计算机所记忆存储的信息就越多。存储器是计算机中存储信息的部件。按照存储器在计算机中的作用,可分为主存储器、寄存器、闪速存器、高速缓冲存储器、辅助存储器等几种类型,它们均可完成数据的存取工作,但性能及其在计算机中的作用相差很大。
    1)主存储器
    计算机主存储器( Main Memory,简称主存)通常采用半导体存储器,有两种主要类型:随机存取存储器( Random Access Memory,RAM)和只读存储器(ReadOnly Memory,ROM)。RAM可以按CPU命令进行读和写,而ROM则事先加载了固化的数据和软件,CPU只能读取。一般情况下,当计算机电源关闭时,RAM计算机系统概论的内容被消除,面ROM则会保留其数据
    ROM通常用来存储计算机的初始肩动指今,在PC中,ROM包含一个称为8的专用程序,当计算机开机成复位时,可以把计算机操作系统从硬盘加权到RAM中。在通常没有硬盘的候入式计算机中,执行任务所需的全部软件都可以存储在ROM中、存储在ROM中的依件经常被称为固件( Firmware),因为它从外观上更像硬件。
    2)寄存器
    CPU内部包含一组称为寄存器( Register)的特殊存储单元,其读写速度比主存区域快得多。不同类型的CPU有2~100多个寄存器。存器被用于使用最频繁的数据项,以避免每次需要数据时都访间主存。由F主存通常比ALU和控制器来得慢,减少主存の间需求可以大大加快计算机的速度。
    3)闪速存储器
    闪速存储器( Flash Memory,简称闪存)可以在关机时保留数据,但又像RAM一样可被重写,从面模糊了ROM和RAM之间的界限。但是,闪存通常比常规的ROM和RAM慢得多,所以局限于不需要高速的应用场合。
    4)高速缓冲存储器 Cache
    在许多复杂的计算机中,存在一个或多个比寄存器慢但比主存快的高速RAM缓冲存储器(简称高速缓存) Cache。它是位于CPU和主存储器之间、规模较小但速度很快的存储器,很好地解决了CPU和主存之间的速度四配问题。通常,有 Cache级存的计算机能够自动地把频繁需要的数据移入 Cache缓存而无需程序员方面的任何干预。当主机读写数据时,首先访问 Cache,只有 Cache当中不含有所需要的数据时,CPUオ去访同主存。
    5)轴助存储器
    半导体存储器的存储容量毕竞有限,因此计算机中又配备了存储容量更大的磁盘存储器和光盘存储器,称为外存储器(简称外存)或轴助存储器(简称辅存)。相对面言,半导体存储器称为内存储器,简称内存轴助存储器主要用于存放不是当前正在运行的程序和用到的数据,其特点是存储容量大,成本低,并可脱机保存信息。常见的轴助存储器有:软盘存储器、硬盘存储器、光盘存储器等。1.2.1,4输入输出设备计算机的输入输出(1/O)设备是计算机从外界接收信息并反馈结果的手段,统称为1/O设备或外国设备( Peripheral,简称外设)。各种人机交互操作、程序和数

     

    1.什么是内存
         什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存)。外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息,并且不依赖于电来保存信息,但是由机械部件带动,速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件,是CPU直接与之沟通,并用其存储数据的部件,存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路,内存只用于暂时存放程序和数据,一旦关闭电源或发生断电,其中的程序和数据就会丢失。

    2.内存工作原理:
    内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的'动态',指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

    具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。 

    ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。

    从一有计算机开始,就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进,从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等,内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。

    3.ROM和RAM指的都是半导体存储器
    1)ROM是Read Only Memory的缩写
         是一种半导体内存,其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,资料并且不会因为电源关闭而消失
         只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称ROM。ROM所存数据,一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定 ,断电后所存数据也不会改变;其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,不同用户所需只读存储器的内容不同。
         为便于使 用和大批 量 生产 ,进一步发展了可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除,使用很不方便。20世纪 80 年代制出的 EEPROM ,克服了EPROM的不足,但集成度不高 ,价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同 EPROM 相似的快闪存储器 。其集成度高、功耗低 、体积小 ,又能在线快速擦除 ,因而获得飞速发展,并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管制成。

    2)RAM是Random Access Memory的缩写。
       又称为随机存取存储器;存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序

    简单地说,在计算机中,RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器,它的特点是易挥发性,即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入,反复读取),它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写两种类型。 
         
         ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 

    4.RAM分为两大类
    1)一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。

    2)另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。 

    DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。

    DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 

    5.再不明白的请看例子:
    举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。
    FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。 

    目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

    NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

    NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 

    一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的'闪盘',可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。
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    问题1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM?
    答:名词解释如下
    DRAM--------动态随即存取器,需要不断的刷新,才能保存数据,而且是行列地址复用的,许多都有页模式
    SRAM--------静态的随机存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且一般不是行列地址复用的
    SDRAM-------同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步

    问题2:为什么DRAM要刷新,SRAM则不需要?
    答:这是由RAM的设计类型决定的,DRAM用了一个T和一个RC电路,导致电容会漏电和缓慢放电,所以需要经常刷新来保存数据

    问题3:我们通常所说的内存用的是什么呢?这三个产品跟我们实际使用有什么关系?
    答:内存(即随机存贮器RAM)可分为静态随机存储器SRAM,和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“
    内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。

    问题4:为什么使用DRAM比较多、而使用SRAM却很少?

    答:1)因为制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多,正因为如此,才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。

       2)存储单元结构不同导致了容量的不同:一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容(不
    包括行读出放大器等),而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量
    较SRAM大,但是读写速度不如SRAM。

    问题5:用得最多的DRAM有什么特点呢?它的工艺是什么情况?(通常所说的内存就是DRAM)

    答:1)DRAM需要进行周期性的刷新操作,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是一种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。

    2)DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRAM的速度也已经很快了,时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。

    3)SDRAM虽然工作频率高,但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例,它的时钟周期是7.5ns,当CAS latency=2 时,它需要12个周期完成8个突发读操作,10个周期完成8个突发写操作。不过,如果以交替方式访问Bank,SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作(当然除去刷新操作)。

    4)其实现在的主流高速存储器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片,最大工作速度是166MHz;可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片,最大工作速度是133MHz。

    问题6:用得比较少但速度很快,通常用于服务器cache的SRAM有什么特点呢?

    答:1)SRAM是静态的,DRAM或SDRAM是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信息,而动态的是用电子,要不时的刷新来保持。SRAM是Static Random Access Memory的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢失。

    2)SRAM其实是一种非常重要的存储器,它的用途广泛。SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。

    3)从晶体管的类型分,SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分,SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。


    最后要说明的一点:
           SRAM不应该与SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。 
    ------------------------------------------------------------黄金分界线----------------------------------------------------------------------------------------

    关于Nor和Nand的介绍和区别,在网络上有很多,如果不是经常用的话,还真的无法说出个所以然来。我也是转帖网络上的,目的是经常能看看。

             NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

    相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 

    一.存储区别比较
      NOR的特点是芯片内执行(XIP, execute In Place),这样应用程序可以接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。

    NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

      NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

    二.性能比较

      flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

        由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

        执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

      ● NOR的读速度比NAND稍快一些。

        ● NAND的写入速度比NOR快很多。

      ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

        ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

        ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

    三.接口差别

    NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

    NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

    NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

    四.容量和成本

    NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

    NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

    五.可靠性和耐用性

    采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

    六.寿命(耐用性)

    在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

    七.位交换问题

      所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。

      一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。

      当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

    这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。  

    八.坏块处理

    NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。

    NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。 易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

    由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

    在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

    九.软件支持

    当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。

    在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

    使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

    驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗。

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