精华内容
下载资源
问答
  • 层间电容
    2022-07-08 19:03:25

    在电子产品设计中,我们在追求产品功能以及成本的优化时,往往我们会忽略使用去耦的目的,仅仅知道在电路板上分散大小不同的许多电容,使较低阻抗电源连接到地。但问题依旧:需要多少电容?许多相关文献表明,必须使用大小不同的许多电容来降低功率传输系统(PDS)的阻抗,但这并不完全正确。相反,仅需选择正确大小和正确种类的电容就能降低PDS阻抗;

    详细见链接:电源完整性的去耦和层间耦合电容

    更多相关内容
  • 变压器绕组绕在磁芯骨架上,特别是饶组的数较多时,不可避免的会产生分布电容,由于变压器工作在高频状态下,那么这些分布电容对变压器的工作状态将产生非常大的影响,如引起波形产生振荡,EMC变差,变压器发热等...

    转自:https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&ordertype=2&tid=226879

         变压器绕组绕在磁芯骨架上,特别是饶组的层数较多时,不可避免的会产生分布电容,由于变压器工作在高频状态下,那么这些分布电容对变压器的工作状态将产生非常大的影响,如引起波形产生振荡,EMC变差,变压器发热等。

      所以,我们很有必要对变压器的分布电容狠狠的研究一把,下面我们就对这个分布电容来展开讨论。

      分布电容既然有危害,那么我们就要设法减小这个分布电容的影响,首先我们来分析下分布电容的组成。

      变压器的分布电容主要分为4个部分:绕组匝间电容,层间电容,绕组电容,杂散电容,下面我们来分别介绍。

      首先讲讲绕组匝间电容

      我们知道电容的基本构成就是两块极板,当两块极板加上适当的电压时,极板之间就会产生电场,并储存电荷。

      那么,我们是否可以把变压器相邻两个绕组看成连个极板呢?答案是可以的,这个电容就是绕组匝间电容。

      以变压器初级绕组为例,当直流母线电压加在绕组两端时,各绕组将平均分配电压,每匝电压为 Vbus/N,也就是说每匝之间的电压差也是Vbus/N。当初级MOS管开关时,此电压差将对这个匝间电容反复的充放电,特别是大功率电源,由于初级匝数少,每匝分配的电压高,那么这个影响就更严重。

      但总的来说,匝间电容的影响相对于其他的分布电容来说,几乎可以忽略。

      要减小这个电容的影响,我们可以从电容的定义式中找到答案:

      C=εS/4πkd

      其中 C:绕组匝间电容量

      ε:介电常数,由两极板之间介质决定

      S:极板正对面积

      k:静电力常量

      d:极板间的距离

      从上式我们可以看出,可以选用介电常数较低的漆包线来减小匝间电容,也可以增大绕组的距离来减小匝间电容,如采用三重绝缘线。

      接下来我们来看看看绕组的层间电容,这里的层间电容指的是每个单独绕组各层之间的电容。

      我们知道,在计算变压器时,一般会出现单个绕组需要绕2层或2层以上,那么此时的每2层之间都会形成一个电场,即会产生一个等效电容效应,我们把这个电容称为层间电容。

      如下图:


     

      电容C就是层间电容

      层间电容是变压器的分布电容中对电路影响最重要的因素,因为这个电容会跟漏感在MOSFET开通于关闭的时候,产生振荡,从而加大MOSFET与次级Diode的电压应力,使EMC变差。

      既然有害处,那么我们就需要想办法来克服它,把它的影响降低到可以接受的范围。

      方法一:参照6楼的公式,在d上作文章,增大绕组的距离来减小层间电容,最有代表性的就是采用三重绝缘线。

      但这个方法有缺点,因为线的外径粗了之后,带来的后果就是绕线层数的增加,而这不是我们想看到的。

      方法二:可以通过选择绕线窗口比较宽的磁芯骨架,因为绕线窗口宽,那么单层绕线可以绕更多的匝数,也意味着可以有效降低绕线的层数,那么层间电容就有效降低了。

      这个是最直接的,也是最有效的。

      但同样有缺点,选择磁芯骨架要受到电源结构尺寸的限制。

      方法三:可以在变压器的绕线工艺上来作文章

      可以采用交叉堆叠绕法来降低层间电容,如下图

     

      此种绕法有个显著缺点,会增加初次级之间的耦合面积,也就是说会加大初次级绕组之间的电容,使EMC变差,有点得不偿失的感觉。

      方法四:还是在绕制工艺上作文章

      先来看普通的绕法
     

      如上图,这个是我们常用的绕法(也叫U形绕法),我们可以清楚的看到,第1匝与第2N匝之间的压差将非常大,在初中我们学过的物理上有讲,Q=C*U,压差越大,那么在这个电容上储存的电荷就越多,那么这个地方的干扰电压斜率将非常大,也就是说在这个地方形成的干扰就越大。

      我们可以采用Z形绕法来降低这个影响

      Z形绕法(也叫折叠绕法)如下

     

      从上图我们可以看到,此种绕法可以显著降低电压斜率,对EMC时非常有利的。

      缺点就是绕制工艺相对复杂点。

      接下来说说绕组电容

      顾名思义,绕组电容就是指绕组之间产生的电容,比如说初级绕组Np与次级绕组Ns之间的电容

      此电容由于存在于初次级绕组之间,对电路的EMI是相当不利的,因为初级产生的共模电流信号可以通过这个电容耦合到次级中去,这就造成了非常大的共模干扰;而共模干扰可能会引起电路噪音或者输出的不稳定。

      解决的方法一般就是在初次级之间加一个屏蔽层,并且将这个屏蔽层接到电路中的某点,来降低此电容的影响

      一般把这种屏蔽层称为法拉第屏蔽层,一般由铜箔或绕组构成

      在用铜箔时,我们一般用0.9T,或者1.1T,不选择1T,因为1T的话,容易短路。

      那为何不能短路呢,短路会带来什么样的后果?

      将磁力线短路了,那么电感就接近零,再反射到初级,那么初级的电感也为零,这个时候初级是通电的,结果……“砰”就炸机了。

    展开全文
  • 多层PCB通常包括一对或多对电压和接... 板间电容的理论计算公式为    其中,ε0=8.85pF/m为自由空间介电常数;εr为充满电源平面和地平面之间介质的相对介电常数;A为电源平面和地平面重叠部分的面积;d为电源
  • 放大电路中的耦合电容、极间电容和旁路电路 耦合电容:下图是一个最简单的阻容耦合型的共射放大电路,C1和C2就是耦合电容,我们都知道电容的作用是通交隔直,因为我们放大的交流信号,所以直流信号不会随着放大电路...

    放大电路不同频段的耦合电容、极间电容、旁路电路和分布电容的分析方法

    耦合电容和旁路电容

    耦合电容(uF级):下图是一个最简单的阻容耦合型的共射放大电路,C1和C2就是耦合电容,我们都知道电容的作用是通交隔直,因为我们放大的是交流信号,直流信号只是用来确定静态工作点,所以直流信号不会随着放大电路传递下去,稳定了多级放大电路的静态工作点
    在这里插入图片描述

    旁路电容(uF级):下图的电容器就是旁路电容。交流通路中短路集电结电阻Re,提高电压放大能力。

    分析方法
    根据Xc=1/jwC,耦合电容和旁路电容在低频段(取10Hz)|Xc|量级为10kΩ级别,电路中Rb和Re等也都是kΩ级别,因此分析低频段时耦合电容和旁路电路保留;中高频段时,|Xc|量级为Ω甚至mΩ级别,因此容抗特别小,分析中高频段时耦合电容和旁路电容视为短路,因此晶体管频率响应中下限截止频率就来源于耦合电容和旁路电容。

    在这里插入图片描述

    极间电容和分布电容

    极间电容(pF级)
    极间电容包括发射结电容和集电结电容,是晶体管所固有的特征。
    分布电容(pF级)
    分布电容存在于由两个存在电压差而又相互绝缘的导体间,例如,两根传输线之间,每跟传输线与大地之间,都是被空气介质隔开的,所以,也都存在着电容。一般情况下,这个电容值很小,它的作用可忽略不计,如果传输线很长或所传输的信号频率高时,就必须考虑这电容的作用。

    分析方法
    根据Xc=1/jwC,极间电容和分布电容在高频段(取10Mhz)|Xc|量级为10kΩ级别,电路中Rb和Re等也都是kΩ级别,因此分析高频段时极间电容和分布电路保留;中低频段时,|Xc|量级为MΩ级别甚至更大,因此容抗特别大,分析中低频段时极间电容和分布电容视为断路,因此晶体管频率响应中上限截止频率就来源于极间电容和分布电容。

    展开全文
  • MLCC虽然功能简单,但是由于广泛应用于智能手机...空洞会导致电极的短路及潜在电气失效,空洞较大的话不仅降低IR,还会降低有效容值。当上电时,有可能因为漏电导致空洞局部发热,降低陶瓷介质的绝缘性能,加剧漏电,
  • 如下图所示,MLCC电容结构较简单,由陶瓷介质、内电极金属和外电极三构成。 MLCC的电容量公式可以如下表示: C:电容量,以F(法拉)为单位,而MLCC之电容值以PF,nF,和F为主。 ε:电极绝缘物的介质...
  • 电源和接地层电容

    2021-01-20 00:08:35
    多层PCB通常包括一对或多... 板间电容的理论计算公式为    其中,ε0=8.85pF/m为自由空间介电常数;εr为充满电源平面和地平面之间介质的相对介电常数;A为电源平面和地平面重叠部分的面积;d为电源平面和地平面
  • 超级电容是一种电容量很大的电容器。电容器的电容量取决于电极距离和电极表面积,为了获得更大的电容量,超级电容尽可能地缩小电极距离、增加电极表面积。
  • 原标题:陶瓷材料|MLCC片式多层陶瓷电容器应用及制作工艺介绍被动元件是电子产品不可或缺的基本零部件电子元器件按是否影响电信号特征进行分类,可分为被动元件与主动元件。其中被动元件无法对电信号进行放大、振荡...

    原标题:陶瓷材料|MLCC片式多层陶瓷电容器应用及制作工艺介绍

    被动元件是电子产品不可或缺的基本零部件

    电子元器件按是否影响电信号特征进行分类,可分为被动元件与主动元件。其中被动元件无法对电信号进行放大、振荡、运算等处理和执行,仅具备响应功能且无需外加激励单元。按被动元件的电路功能,又可进一步细分为电路类器件及连接类器件。

    电子元器件分类情况

    电阻、电容、电感是三种最主要的电路类被动元件,电容的主要功能在于旁路,去藕,滤波和储能,电阻则被用于分压、分流、滤波和阻抗匹配,电感的主要用途为滤波、稳定电流和抗电磁干扰,这些均是电子产品正常工作过程中必不可少的功能,被动元件是电子产品中不可或缺的基本零部件。

    主要被动元件及其功能

    电容分类繁多, MLCC 用途最广

    被动元件是电子产品中不可或缺的基本零部件,电阻、电容、电感是三种最主要的电路类被动元件。电容应用范围广泛,根据电介质的不同,可分为陶瓷电容、铝式电容、钽式电容、薄膜电容等,其中陶瓷电容市场占比最高,超过 50%。MLCC作为最主要的陶瓷电容,成为被动电子元件中使用最为广泛、用途最广、使用量最大的电子元件。受消费电子、工业、通信、汽车等应用领域的需求驱动,MLCC 市场增长动力足。

    国内电容器市场需求结构

    MLCC概述

    片式多层陶瓷电容器(MLCC)是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,故也叫独石电容器。

    MLCC诞生于上世纪60年代,最先由美国公司研制成功。目前,MLCC主要生产厂家:美国基美(KEMET);日本村田、京瓷、丸和、TDK;韩国三星;台湾国巨、华新科、禾伸堂;大陆有名的则是宇阳、风华高科、三环。其中,国内厂商---宇阳科技的MLCC(01005、0201、0402尺寸)产量比超过90%,位居世界第一位,总产量也跃居全球前三,目前宇阳已成为国内产能最大和全球微型化前三的MLCC厂商。

    MLCC 除有电容器"隔直通交"的通性特点外,其还有体积小,比容大,寿命长,可靠性高,适合表面安装等特点。随着 MCLL 可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备,如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器,目前已经成为应用最普遍的陶瓷电容产品。

    MLCC的分类

    1. 根据所采用的陶瓷介质的类型分类

    根据所采用的陶瓷介质的类型,MLCC可划分为两大类:Class 1和Class 2两类。

    ※Class 1类

    具有极高的稳定性,其电容量几乎不随时间、交流信号、外加直流偏压的变化而改变,同时具有极低的介质损耗,即高Q值。适用于对容量高精度和应用频率要求较高的谐振电路。根据电容量的温度系数,有可分为温度稳定型和温度补偿型两种。

    ※Class 2类

    具有很高的体积比容量,适用于旁路、耦合、滤波以及对容量稳定性要求不高的鉴频电路。在DC-DC(AC)变换器和开关电源滤波电路中逐步取代钽电解电容、铝电解电容。

    2. 按照温度特性、材质、生产工艺、填充介质的不同分类

    按照温度特性、材质、生产工艺、填充介质的不同,MLCC可以分成如下几种:NPO、COG、Y5V、Z5U、X7R、X5R等。它们的主要区别如下:

    -C0G、NPO电容器具有高温度补偿特性,适合作旁路电容和耦合电容

    -X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器,适合要求不高的工业应用

    -Z5U电容器特点是小尺寸和低成本,尤其适合应用于去耦电路

    -Y5V电容器温度特性最差,但容量大,可取代低容铝电解电容

    可见,在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同,所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器:NPO、COG温度特性平稳、容值小、价格高;Y5V、Z5U温度特性大、容值大、价格低;X7R、X5R则介于以上两种之间。

    3. 按照材料SIZE封装大小分类

    MLCC按材料SIZE封装大小,大致可以分为3225、3216、2012、1608、1005、0603、0402,0201,01005等等。 数值越大,SIZE就更宽更厚。

    MLCC的制造工艺

    1. MLCC 应用范围广,制作工艺复杂

    MLCC 广泛运用于各种高、低频电容中,具有高可靠性,高精度,高集成,低功耗,大容量,小体积和低成本等特点,起到退耦、耦合、滤波、旁路和谐振等作用,适用范围覆盖军民用电子整机和电子设备,如电脑、手机、程控交换机、精密的测试仪器等。

    MLCC 结构示意图

    MLCC 由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成,每一层陶瓷都被上下两个平行电极夹住形成一个平板电容,内部电极和外部电极相连起每个电容,叠层的电容越多,存储的总电量越大.

    MLCC 截面图

    MLCC 具有各种不同规格,而各产品间的差异主要在于电容值(单位电压下贮存电量)、尺寸(1210 以上、0805、0603、0402、0201 等规格)、温度稳定性(Y5V、X7R 及 NPO 等)、操作电压上限、安规认证、ESR(电容/充放电所需时间)及 Q 值(对输入能量的耗损程度)等特性。

    随着电子产业迅速发展,MLCC 的发展也呈现多元化:

    (1)为了适应便携式通信工具的需求,向大容量、尺寸小型化的方向发展。通过金属电极材料、提高介电常数、高层化技术、纳米微粒技术等可提高容量,通过小尺寸产品的 SMT 技术、高精度积层技术等可将 MLCC 尺寸做小做薄。

    (2)为了适应某些电子整机和设备向大功率高耐压的方向发展(军用通信设备居多),向高耐压大电流、大功率、超高Q值低 ESR 型的中高压片式电容器发展。高压可靠性试验技术、耐热设计技术、排容技术等可推进 MLCC该方面的发展。

    (3)为了适应线路高度集成化的要求,向多功能复合片式电容器(LTCC)发展,低温共烧技术、复合材料技术、三次元回路设计技术的研发也逐渐成为热点。

    2. MLCC技术壁垒高,对核心原材料、制造工艺等环节要求高

    MLCC 的成本由原材料、包装材料、人工和设备折旧等构成,其中原材料成本占比最大,在 30%-65%之间。从材料结构来看,主要分为陶瓷粉料与内外电极,上游材料不仅价格高且直接影响产品性能。

    MLCC 成本结构

    主要原料是钛酸钡、氧化鈦、钛酸镁、钛酸镁等,形成 COG、Y5V、X7R、NPO 等种类,依电气特性应用各不相同决定 MLCC 的特性,来决定不同的烧结温度与烧结气体,产能主要集中在日韩台企业。

    陶瓷粉料的核心在于纯度、颗粒大小和形状,另一方面在生产过程中的环保要求也日益受重视。高纯、超细和高性能陶瓷粉体制造技术和工艺是主要制约我国陶瓷产业发展的瓶颈,目前国内以国瓷材料、三环集团为代表的厂商已掌握相关纳米分散技术,国瓷材料在全球市占率约占 10%,已基本满足国内中低端 MLCC 需求,但部分特殊功能粉末还需向国外厂商如 Ferro、Sakai 等采购。日本厂家(例如村田)根据大容量(10μF 以上)的需求,在 D50为 100 纳米的湿法 BaTiO3 基础上添加稀土金属氧化物改性,形成高可靠性的X7R 陶瓷粉料,最终制作出 10μF-100μF 小尺寸(如 0402、0201 等)MLCC,国内较日本厂商在先进粉体技术还有一段差距。

    MLCC另一项主要原材料是内外电极金属,电极及封装绕线等需铜、银、镍、铁、钯等金属,其价格波动对 MLCC 影响较大。受到主动元件 CPU 及通讯用元件速度不断加快的趋势影响,MLCC 的叠层数逐渐提高,内电极金属用量也增加。

    美国于 1960 年发明 MLCC 电极,材料为钯或钯银合金,过去台湾厂商外电极采用银,内电极采用钯金属,根据此材料特性的制程技术又称为 NME(Noble Metal Electrode,贵金属电极)。钯金属作为稀有贵金属,价格相当昂贵,主要供应来自俄罗斯,产量稀少导致价格波动十分剧烈,甚至供应不及与缺货,因此业内也常以卑金属(镍、铜)等金属取代钯金属电极材料,使成本下降近 70%,基于此材料的制程技术为 BME(Base Metal Electrode,卑金属电极)。两种技术生成运用的特性稍有不同,NME 比较稳定,常作为耐高压产品,成本较高;BME 属于低成本产品,允差较大,一般运用于对稳定性要求不高的产品。2016年底-2017年底,由于上游金属大幅涨价,MLCC 价格也随之受到影响而上调。

    2016年底-2017年底现货钯金铜、铝、镍价格涨幅变化

    3. MLCC 制造工艺复杂,国外技术领先

    MLCC 生产过程中,首先需调浆,即将陶瓷粉和粘合剂、溶剂等按一定比例经过球磨,形成陶瓷浆料。之后将陶瓷浆料通过流延机的浇注口,将其涂布在绕行的 PET 膜(Film)上,形成一层均匀的浆料薄层,再通过高温、干燥、定型、剥离,脱膜成型得到陶瓷膜片,一般厚度在 10-30μm。然后在介质薄膜上进行内部电极印刷,并将印有内电极的陶瓷介质膜片堆叠热压形成多电容器并联,切割、去粘结剂后高温烧结成一个不可分割的整体电子元器件,然后在电子元器件的端部沾涂外电极,使之与内电极形成良好的电气连接,形成 MLCC 的两极。

    MLCC 制造流程

    除原材料外,MLCC 制作流程中的主要壁垒有以下方面:

    转移胶带的材料要求较高,不能与陶瓷浆料成分之间产生化学反应,需要匹配陶瓷浆料的表面张力,确保陶瓷涂层厚度均匀;此外其平整度要求凸点需控制在 0.2μm 以内。该胶带原料为 PET 原膜,国内目前主要从日本进口,原膜约占成本 60%,未来随产品越来越薄,预计成本降低,更多被工艺成本取代。

    多层介质薄膜叠层印刷技术难度高。为了迎合电子发展需求在小尺寸基础上制造更高电容值的 MLCC,多层介质薄膜叠层印刷技术应运而生。日本公司工艺已能实现在 2μm 的薄膜介质上叠 1000 层,生产出单层介质厚度为1μm 的 100μFMLCC,它具有较片式钽电容器更低的 ESR 值和更宽的工作温度范围(-55℃-125℃)。国内风华高科 MLCC 制作水平最高,能够完成流延成3μm 厚的薄膜介质,烧结成瓷后 2μm 厚介质的 MLCC。但与国外先进的叠层印刷技术相比国内技术还有一定差距,设备自动换程度和精度也有待提高。

    陶瓷粉料&金属电极共烧技术壁垒高。MLCC 由多层陶瓷介质印刷内电极浆料,叠合共烧而成,为解决不同收缩率的陶瓷介质和内电极金属如何在高温烧成后不会分层、开裂,即陶瓷粉料和金属电极共烧问题。低温陶瓷共烧技术就是解决这一难题的关键技术,掌握好该技术可以生产出更薄介质(2μm 以下)、更高层数(1000 层以上)的 MLCC。当前日本公司不仅有各式氮气氛窑炉(钟罩炉和隧道炉),在设备自动化、精度方面有明显的优势,在低温陶瓷共烧技术方面也领先于其他各国。

    来源:中国产业信息网、搜狐网返回搜狐,查看更多

    责任编辑:

    展开全文
  • 来源:雪球App,作者: ...2. 邻近的主电源和地层要保持最小间距,以提供较大的耦合电容; 下面列出从两板到八板的叠层来进行示例讲解:一、单面PCB板和双面PCB板的叠层对于两板来说,由于板数量少,...
  • 分层一般不要超过三层,层间不加隔板,电容器母线与上层构架的垂直距离要大于0.2m;下层电容器底部距地面应大于0.3m,上层电容器底部距地面应小于2.5m。 (2)水平安装 通常为一行,排与排间应有大于1.5m走廊,同...
  • 在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。...
  • 在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。...
  • 最近有个研究项目要用一只电容传感器测量水位,用了两块PCB(印刷电路板)板,一块置于另一块的前方,两者相距一段受控的距离。每块板再划分为八个相等的铜箔区,从而得到了八个等值的平行板电容(图1)。每个电容...
  • 网络变压器生产中,线间电容对传输数据脉冲电压信号,对EMI(电磁干扰)传播都有影响,这节专题探讨网络变压器中线间电容对EMI传播的影响,以便在生产制程中做好对其管控;
  • 电容器的最简单结构可由两个相互靠近的金属板中间夹一绝缘介质组成。当在电容器两个极板加上电压时,电容器就会储存电荷,所以电容器是一个充放电荷的电子元件。电容量是电容器储存电荷多少的一个量值。平板电容...
  • 等效电路分析显示层间电容是电感线圈分布电容的主体.根据电场储能是由空间内电场强度分布决定的原理,分析了“Z型”和“U型”两种不同的紧密排绕方式线圈的电场储能,并推导出该两种不同线圈的等效分布电容的具体...
  •  固体阳极钽电容是由带氧化钽膜的烧结阳极小球组成小球被涂了一二氧化锰固体电解质,二氧化锰膜就成了阴极。这种结构比其他电解电容器结构具有更好的电学性能。图2所示为固态钽电容的表面贴装形式。注意
  • 电容器的电容是极板上的电荷相对于极板电压的比值,该值与极板面积、极板绝缘厚度和绝缘介质的介电系数有关,其计算式为C=14πε×SD式中ε为极板绝缘介质的介电系数;S为电容器极板面积;D为电容器绝缘厚度。...
  • 在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。...
  • 电解液浸透在两个铝层间的纸上。  氧化铝层是通过电镀在铝层上,相对于加在其上的电压来说是非常薄的,很容易被击穿,导致电容失效。  氧化铝层可以承受正向的直流电压,如果其承受反向的直流...
  • 电容式触摸屏解析

    2021-01-19 17:49:24
    在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。...
  • 氧化膜便是正、负极板的绝缘介质。电容器的负极是由电解质构成的,电解液一般由硼酸、氨水、乙二醇等组成。为了便于电容器的制造,通常是把电解质溶液浸渍在特殊的纸上,再用一条原态铝箔与浸过电解质溶液的纸...
  • 电解电容内部结构 铝电解电容器是有极性的电容器,它的正极板用铝箔,将其浸在电解液中进行阳极氧化处理,铝箔表面上便生成...这氧化膜便是正、负极板的绝缘介质。电容器的负极是由电解质构成的,电解液一般......
  • 近有个研究项目要用一只电容传感器测量水位,用了两块PCB(印刷电路板)板,一块置于另一块的前方,两者相距一段受控的距离。每块板再划分为八个相等的铜箔区,从而得到了八个等值的平行板电容(图1)。每个电容的...
  • 去耦电容 与 旁路电容 的区别

    千次阅读 2021-09-17 00:47:40
    旁路电容是把电源或者输入信号中的交流分量的干扰作为滤除对象。有了旁路电容,将电源5V中的交流分量——波动进行滤除。将蓝色波形变成粉红色波形。一般来说,靠近电源放置。去耦电容是芯片的电源管脚...
  • 在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。...
  • 超级电容器的基本原理及分类 ... 由于活性碳材料具有≥1200m2/g的超高比表面积(即获得了极大的电极面积),而且电解质与多孔电极的界面距离不到1nm(即获得了极小的介质厚度),所以这种双电结构的超级电容
  • 在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。...
  • 在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。...

空空如也

空空如也

1 2 3 4 5 ... 20
收藏数 9,333
精华内容 3,733
关键字:

层间电容