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  • 属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管强大竞争者。 场效应管(FET)是利用控制输入...
  • 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。...它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,...

    场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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    一、场效应管的分类

    场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称mos管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

    按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

    场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

    二、场效应三极管的型号命名方法

    现行有两种命名方法。

    第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

    第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

    三、场效应管的参数

    场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:

    1、I DSS——饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。

    2、UP——工作在开关状态下的三极管都可以叫开关管。三极管有PNP、NPN、单结晶体管等。

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  • 前面我们讲了三极管和二极管这个大家基本上都是耳熟能详,那么我们这一期...它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10○2~10°Q)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域...

    前面我们讲了三极管和二极管这个大家基本上都是耳熟能详,那么我们这一期讲场效应管。那么场效应管和二极管和三极管的样子有什么区别呢。

    场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件,故因此而得名。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10○2~10°Q)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,在手机中已经逐步替代三极管。

    场效应管的外形特征

    场效应管和三极管一样也有三个电极,分别叫做栅极(G)、漏极(D)和源极(S),相当于三极管的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)。

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    在手机主板上,场效应管的外形,一般颜色为黑色,引脚一般为三个引脚,有些场效应管有3-71个引脚。

    场效应管的外形与三极管外形基本一致,很难从外形上进行区分,又加上手机贴片元件上很少标注型号,所以给初学者带来很大困难。初学者可以通过测量或者对比原理图符号进行区分。

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    所以这时候基础学习就比较重要了,要不然很多人对这些东西还是一头雾水呢。

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  • 1.场效应管属于电压控制型器件,具有如下优点:输入电阻极高(输入电阻大,由于输入电阻和信号源内阻是串联关系,所以输入电阻大导致输入电阻两端电压大,则待放大信号基本加载在放大电路输入电阻上,失真很...

    1.场效应管属于电压控制型器件,具有如下优点:

    • 输入电阻极高(输入电阻大,由于输入电阻和信号源的内阻是串联关系,所以输入电阻大导致输入电阻两端的电压大,则待放大的信号基本加载在放大电路的输入电阻上,失真很小。因此,一般来说放大电路的输入电阻越大越好)
    • 温度稳定性好
    • 抗辐射能力强
    • 噪声低
    • 制造工艺简单
    • 便于集成
    • 在大规模集成电路中得到了广泛的应用
    • 体积小、重量轻、耗电省、寿命长
    • 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单

    2.场效应管根据结构分类:N沟道结型场效应管、P沟道结型场效应管、N沟道绝缘栅型场效应管、P沟道绝缘栅型场效应管

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    对于N沟道的结型场效应管,在N型半导体的两侧,扩散有高浓度的两个P区,在半导体中,自然形成了两个PN结。在两侧的P型半导体上各引出一个电极,并将两个电极短接起来。左侧的电极叫做“源极”(source),中间的电极叫做“栅极”(gate),右侧的电极叫做“漏极”(drain)。加在两个PN结中间的N型半导体是源极和漏极之间的通路,称之为导电沟道,因此,这种场效应管我们称为N沟道的结型场效应管。

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    P沟道的结型场效应管的结构示意图如下:

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    3.结型场效应管的工作原理

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    下面,分几种情况讨论结型场效应管的控制作用机理

    (1)当 漏极和源极之间的电压

    时, 讨论栅极和源极之间的电压
    对沟道的控制作用

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    当栅极和源极之间的电压

    小于0时,PN结反向偏置,PN结要变宽,由于P型半导体的掺杂浓度远高于N型半导体的掺杂浓度,PN结主要向N区扩展,从而使导电沟道变窄,导电沟道的电阻增大。当栅源电压进一步增高时,导电沟道进一步变窄。

    当栅源电压

    时候,导电沟道消失

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    可得出如下结论:

    • 结型场效应管是利用漏级和源极之间的电压
      时,栅极和源极之间的电压
      的变化来改变沟道电阻的大小,即利用电场效应控制沟道中流通的电流的大小,因此称为场效应管
    • 管子中的PN结反向偏置
    • 此管子相当于一个用栅源电压
      控制的压控电阻
    • 在N沟道的结型场效应管中,栅源电压
      为负值
    • 在P沟道的结型场效应管中,栅源电压
      为正值

    (2)当栅极和源极之间的电压

    时,漏极和源极之间的电压
    对管子导电沟道的控制作用

    当漏源电压

    时,在导电沟道中,形成漏极电流
    增大,
    增大。由于沿着沟道有电位梯度,载流子在电场作用下的运动受力不同,所以导致PN结中不同部位的载流子的浓度不同,所以PN结出现了楔形。随着漏源电压
    的增加,PN结的厚度要增加,导电沟道要变小。

    (3)当

    时,PN结在漏极端的反向偏置电压最大

    4.结型场效应管的伏安特性曲线

    和双极晶体管一样,结型场效应管有三种接法,共源、共栅、共漏

    由于结型场效应管在工作时,输入端的PN结反向偏置,栅极电流为0,即

    ,管子无输入特性,只有输出特性

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    实测的结型场效应管的输出特性曲线如上图

    将其分为三个区:可变电阻区、放大区、截止区

    • 可变电阻区特点:

    a.

    较小

    b.沟道尚未夹断

    c.漏极和栅极之间的电压小于夹断电压的绝对值

    d.管子在这个区域工作相当于受

    控制的压控电阻
    • 放大区特点

    a.沟道预夹断

    b.漏极和栅极之间的电压大于等于夹断电压的绝对值

    c.漏极电流与

    无关

    d.漏极电流只受栅源电压

    的控制
    • 截止区特点

    a.栅源电压小于夹断电压

    b.沟道被完全夹断

    c.漏极电流=0

    5.结型场效应管的转移特性

    转移特性描述了输入电压

    和输出电流
    之间的关系,表示了输入电压对输出电流的控制特性

    输出特性-输出电压与输出电流之间的关系

    转移特性-输入电压与输出电流之间的关系

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  • 场效应晶体管简称场效应管,是利用控制输入回路电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。例如IRF830B场...

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    场效应晶体管简称场效应管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。例如IRF830B场效应管,应用广泛,但其价格相对昂贵,令不少电器厂家无法压低生产成本。

    飞虹FHP830/FHF830高压MOS管在性能和质量上可以完美替代IRF830B场效应管,属于N沟道增强型高压功率场效应管。这款高压MOS管产品应用广泛,可适用于DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动,150W逆变器的后级电路。

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    飞虹FHP830/FHF830高压MOS管封装形式为TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252,采用GDS的脚位排列,封装形式为TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252,Vgs是±30V,VTH是2-4V,ID是4.5A,BVdss是500V,RDS(on)=1.5Ω(max) @VGS=10V。FHP830/FHF830场效应管具有低内阻、低电荷、低反向传输电容开关速度快的特点。

    广州飞虹电子通过不断的研发新品,逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域,希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。这款飞虹的飞虹FHP830/FHF830高压MOS管,不仅质优价廉,还能替代IRF830B场效应管。除提供免费试样外,飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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  • 三极管和MOS场效应管区别

    千次阅读 2019-01-30 09:07:37
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