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  • 目录硬件基础-MOS管原理、使用、开关电路应用0、写在前面:1、MOS管基本原理及分类1.1、MOS管分类1.2、MOS管导通原理1.3、MOS管输出特性曲线1.4、MOS管的转移...:4、给MOS管开关电路加软启动5、常用MOS管的型号推荐...

    硬件基础-MOS管原理、使用、开关电路应用

    0、写在前面:

    最后更新日期:2021年4月30日
    因水平有限,本文章主要作为个人技术笔记使用,方便自己查阅,可能会有纰漏。仅供参考,仅供参考,仅供参考
    这里主要讲述MOS管的一些基础知识及相关应用,还会记录一些常用的MOS开关电路。部分素材来源于网上,主要参考的链接如下:
    http://www.kiaic.com/article/detail/1378.html
    https://wenku.baidu.com/view/719bf797c3c708a1284ac850ad02de80d5d8066f.html
    http://www.kiaic.com/article/detail/1444
    https://wenku.baidu.com/view/4e9f9f9cde80d4d8d05a4f68.html

    1、MOS管基本原理及分类

    1.1、MOS管分类

    MOS管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管。FET是场效应管。合在一起是金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。
    MOS管分为N沟道和P沟道,又可分为增强型和耗尽型。其分类如下图:
    在这里插入图片描述
    其示意图和电路符号如下:
    N和PMOS
    上图是NMOS和PMOS的符号,衬底一般和源极连接起来,连接起来后电路符号如下:
    P沟道MOSFET
    N沟道MOSFET
    上图中2个都是虚线,虚线代表是增强型(Vgs=0时,DS无导电沟道),实线是耗尽型(Vgs=0时,DS有导电沟道)。电极 D(Drain) 称为漏极,电极 G(Gate) 称为栅极,电极 S(Source)称为源极。电路符号中的箭头可以理解为一个二极管。例如NMOS,沟道是N,衬底是P型,所以衬底到沟道形成一个二极管,二极管方向就是这个箭头方向。实际上这个箭头的确就是衬底的极性的含义,当它一旦接到源极,就形成了MOS管的寄生二极管了。
    在实际应用中,一般都是增强型MOS管居多,因此这里不介绍耗尽型MOS管。
    下面是NMOS和PMOS的结构示意图:
    NMOS
    PMOS

    1.2、MOS管导通原理

    对于MOS管导通的原理,以NMOS管为例,介绍如下:
    在这里插入图片描述

    1.3、MOS管输出特性曲线

    当Vgs大于开启电压时,漏极电流id和漏源电压Vds之间的关系为输出特性曲线。可分为线性区OA,过渡区AB,线性区和过渡区统称为非饱和区。饱和区BC和击穿区CD。
    在这里插入图片描述
    对于不同的Vgs,可以得到以下输出特性曲线:
    在这里插入图片描述

    1.4、MOS管的转移特性

    当Vds一定时,Vgs可以控制电流Id,叫做转移特性。
    在这里插入图片描述

    4种类型的MOS管的特性曲线和转移特性曲线如下:
    在这里插入图片描述

    1.5、MOS管的寄生二极管:

    关于MOS管的寄生二极管:
    1、mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
    2、防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。
    对于寄生二极管的方向判断,方法如下:
    在这里插入图片描述
    因此,从最开始简单的电路符号,我们把衬底和源极连接起来,再加上寄生二极管的符号,就得到了接近实际应用中的MOS管符号。实际使用的MOS管,一般都是带寄生二极管的,比如我们在立创商城随便搜索一个MOS管,比如直流电机驱动桥上常用的NCE6075,手册上截图如下:
    在这里插入图片描述
    到这里,我们就能看懂手册上MOS管的符号了。下面开始介绍下MOS关常用的2种简单的开关电路。

    2、NMOS管简单开关电路:

    下图是在proteus上进行仿真的NMOS开关电路:
    在这里插入图片描述
    因NMOS导通的条件是Vgs电压大于MOS管的开启电压,因此我们直接把NMOS管的S极直接接地,保证S极电压为0V,这样只需要G极电压高于开启电压,MOS管即会导通。
    电阻R2的作用是保证在未接负载时MOS管D极的电压,因为当MOS管导通时,要保证V DS > 0V才可以在漏源极间形成电流。
    而如果把电阻R2去掉,当外负载压降较大时,电源电压经外负载到达MOS管的D极后,D极电压可能就会接近0V,和S极电压相差不多,就无法保证形成漏源电流Ids > 0。
    分析此电路图特性我们发现,此时外负载的正极是直接连接电源正极,外负载的负极处经MOS管作为开关再接回了GND。那能不能电源的正极接到NMOS管的D极上,把MOS管的S极作为输出接到外负载的正极,当MOS管导通时,S极电压等于D极电压等于电源电压,这样貌似也是可行的。但实际是不可行的,理由如下:

    如上图,我们按照我们的设想搭了一个电路,NMOS的S极接外负载,D极接电源正极。当G极电压为正时,MOS管导通,理论上MOS管的D极和S极电压应该相近,但我们发现此时并非如下。当MOS管导通时,D极电压为5V,S极电压却为0.9V,这是为什么呢?
    这是因为我们把NMOS管的S极作为外负载的正极输出接在了外负载1K电阻上。而外负载肯定是需要压降的,则实际MOS管的S极电压必须高于0V才可以带动外负载。但如果S极电压高于0V,又会导致压差 V gs小于MOS管的开启电压,造成MOS管断开,因此MOS管不能正常工作在一直开启的状态。
    综上,我们得知NMOS管用作开关电路时,必须D极接外负载,S极不要接负载直接接GND,这样才能保证Vgs 大于MOS管的开启电压。并且D极只能接外负载的负极,外负载的正极直接接电源。
    因此,也就有了我们常说的:低端驱动(外负载的正极直接接电源正极,负极接MOS管回GND)用NMOS,高端驱动(外负载的正极接MOS管的D极,负极直接接回GND)用PMOS

    3、PMOS管简单开关电路:

    类似于NMOS开关电路,我们在proteus仿真如下:
    在这里插入图片描述
    此时,外负载的GND直接接GND,而外负载的正极接PMOS的D极,相当于在外负载的正极上加了个开关。为了验证我们之前的总结,我们看能不能用PMOS当做外负载负极端的开关。
    我们建仿真电路如下:
    在这里插入图片描述
    因为PMOS的S极接了外负载的负极,此时无法保证S极电压为电源电压,而是接近了外负载的负极电压0V,因此V gs也就不能保证是PMOS处于导通状态了。

    4、给MOS管开关电路加软启动


    如上图所示,在MOS管的GS之间加上电容和电阻,可以上电缓启动,防止上电时的浪涌冲击。具体详细介绍如下:
    http://m.elecfans.com/article/1194017.html

    5、常用MOS管的型号推荐

    因为常用的一般都是增强型MOS管,因此只需要找到增强型NMOS和增强型PMOS两种即可。

    5.1、电机驱动MOS管:功率100W

    5.1.1:NMOS

    MOS管功率一般比较大,对于嵌入式控制的外设,一般是12V电机或者24V电机,对于驱动电机的MOS管,推荐使用NCE6075K,是N沟道增强型MOS管,峰值电流75A,扇热功率可以达到110W。
    参数如下:
    在这里插入图片描述
    NCE6075K的电路符号如下:
    在这里插入图片描述

    5.1.2:PMOS:

    NCE60P50K,是一个P沟道增强型MOS管,电流可达50A,参数和电路符号如下:
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

    5.1.3、NCE公司:

    NCE是无锡新洁能公司,专业从事半导体功率器件的研发与销售。因为是国内公司,因此其产品价格较友好、稳定,并且其生产的MOS管型号齐全,功率大。如果需要其他的mos管,可以直接到NCE公司官网上去选型。
    其官网地址如下: http://www.ncepower.com/

    5.2、小功率MOS管:2W

    对于比较小的功率的MOS管,可以选用IRF7106TRPBF。其内部有一个NMOS和一个PMOS,对于小功率使用比较方便,不需要再单独选NMOS和PMOS了。
    电路符号如下:
    在这里插入图片描述

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  • 在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通...

    MOS管可应用于哪些领域

    MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,电路或者电源设计人员较关心的是MOS的较小传导损耗。

    MOS还可应用于以下几个方面:

    1、MOS管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用点解电容器。

    2、场效应管很高的输入阻抗非常适合做阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3、场效应管可以用作可变电阻。

    4、场效应管可以方便的用作恒流源。

    5、场效应管如上文详细叙述一般,可用作电子开关。
    在这里插入图片描述

    MOS管产品可广泛的应用于电源,通讯,汽车电子,节能灯,家电等产品。

    具体应用产品为:

    1、电源类产品:开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等。

    2、消费电子类产品:音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等。

    3、汽车电子类产品:HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等。

    其市场覆盖:电源,网络,通信,汽车电子,工业控制,医疗设备,LED照明,HID整流器,传感器,语音分离器,隔离器,RJ45,安防,马达,无线充电器,蓝牙模块,消费电子,电脑及周边产品等行业,深圳市可易亚半导体科技有限公司将为广大客户提供较贴心的服务,较优质的产品,更多关于MOS管相关资讯,欢迎广大客户前来咨询!
    在这里插入图片描述

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  • 电调常用功率MOS管互用参考手册.doc
  • 小电流mos管发热分析

    2020-07-13 10:51:11
    在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,如图2漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做...
  • MOS管常用电路分析

    2020-09-04 14:24:32
    MOS管(三极管)——一些常用的硬件设计电路分析(转载作者”霁风AI”) 以下文章来源于霁风AI ,作者霁风AI 最近在学习mos管看到一篇经典的文章,为了方便,转载大家一块学习! 概述 芯片的集成度虽然越来越高,...

    MOS管(三极管)——一些常用的硬件设计电路分析(转载作者”霁风AI”)

    以下文章来源于霁风AI ,作者霁风AI

    最近在学习mos管看到一篇经典的文章,为了方便,转载大家一块学习!

    1. 概述

    芯片的集成度虽然越来越高,但是整个电路功能的实现,还是离不开分离器件的搭配,本文就针对笔者在实际工作中的关于 MOS 管(三极管)的应用做一些整理。

    本文所介绍的功能,使用三极管也是可以的,但是实际应用中,多使用 MOS 管,故本文多以 MOS 管进行说明。

    1. 应用

    2.1 NMOS 开关控制
    在这里插入图片描述
    如图,通过 NMOS 的开关作用,完成对 LED 的亮灭控制。此时 MOS 管工作于截止区和可变电阻区。

    控制端 状态
    LED0 为高电平 LED点亮
    LED0为低电平 LED熄灭

    总结:对于 NMOS ,当 Vgs = Vg - Vs > 0 时,NMOS 导通;当 Vgs = Vg - Vs < 0 时,NMOS 断开。

    2.2 PMOS 电源控制

    2.2.1 IO 控制

    在这里插入图片描述

    PMOS 在整个电路系统中,其中某一部分的电路上电通过控制中可以方便用于通断控制。上图的电路中,使用时需要注意的一点是 VCC_IN 与控制端的电平 PWR_CON 要处于同一标准(eg:VCC_IN = 3.3V;PWR_CON 高电平 = 3.3V)。

    控制端 状态
    PWR_CON 为高电平 PMOS 断开,VCC_OUT 无电压输出
    PWR_CON 为低电平 PMOS 导通,VCC_OUT 有电压输出,VCC_IN ≈ VCC_OUT

    总结:对于 PMOS ,当 Vgs = Vg - Vs < 0 时,PMOS 导通;当 Vgs = Vg - Vs > 0 时,PMOS 断开。因为 MOS 管的导通压降是非常小的,所以在 Rds 之上的能量损耗是比较少的。

    2.2.2 NMOS 控制 PMOS

    进一步地,上图的电路可以扩展为下图,PMOS 的栅极通过 NMOS 来控制。

    在这里插入图片描述
    拓展为此电路,针对 VCC_IN 与 PWR_CON 电压就没有强制的要求了。当 PWR_CON 为高电平的时候,NMOS 导通,PMOS 的栅极被拉低到低电平,PMOS 导通,VCC_OUT 有电压输出;反之,当 PWR_CON 为低电平时,NMOS 关断,从而使 PMOS 也断开,这样就完成了 VCC_IN 输出电压到 VCC_OUT 的控制。
    2.2.3 按键上电控制

    在这里插入图片描述
    上图的电路,就可以完成所谓的按键开机的功能。

    (1)按下 K1 按键,PMOS 的栅极被拉低,Vgs < 0,PMOS 导通,VCC_OUT 有电压输出;

    (2)VCC_OUT 有电压输出,按键按下时可完成对 MCU 的供电,然后软件端通过 MCU 的 GPIO 进而控制 NMOS 的栅极,即 PWR_CON 。先通过 KEY_DET 检测到按键动作,然后把 PWR_CON 设置为高电平,NMOS 导通,使得 PMOS 也导通,这时候抬起按键,VCC_OUT 一端也有电压稳定输出,就实现了按键上电开机的功能。

    此电路的二极管,功能是防止电压反窜和 对MCU 的 GPIO 的保护。

    功能流程:

    在这里插入图片描述

    2.3 反相(非门逻辑)

    如果电路中需要实现逻辑非的功能,可以采用 MOS 管(三极管)加上电阻来实现,如下图所示:

    在这里插入图片描述

    控制端 状态
    INPUT 为高电平 OUTPUT 为低电平
    INPUT 为低电平 OUTPUT 为高电平

    通过一个 MOS 管(三极管)加上两个电阻,就可以实现非门的逻辑。

    2.4 电池防反接功能

    在大多数的电池防反接电路中,常选择压降小的二极管(如:肖特基二极管)来完成,但是针对如 3.7V 锂电池的应用场景,肖特基约为 0.2V 的压降天然的造成了电池容量的浪费,而 MOS 管导通的低压降(Vds)就有很大的优势了。

    在这里插入图片描述

    如上图所示,PMOS 在此处的作用就是防止 VBUS 存在时,LDO Vin 端的电压反窜到电池上。

    原理分析:

    (1)当 USB VBUS 存在时,PMOS 的栅极电压 Vg = 5V,源极电压 Vs = 3.7V(假设此时的电池电压为 3.7V),Vgs = 5 - 3.7 = 1.3V(大于0),此时 PMOS 关断,就起到了防止 Vin 端电压反窜的作用;

    (2)当 USB VBUS 不存在时,PMOS 的栅极通过 10K 的电阻下拉到 GND,因此栅极电压 Vg = 0V,源极电压 Vs = 3.7V(假设此时的电池电压为 3.7V),电池通过 PMOS 自身的寄生二极管使得 Vs = 3.7V,所以 PMOS 的导通电压 Vgs = 0 - 3.7 = -3.7V,PMOS 导通,这样就完成了电池电压到 Vin 端的输入。

    上图的 LDO 电路,只要使能端 LDO_CON 给一个开启信号,输出端 V_3V3 就可以稳定输出 3.3V,C3、C4 为 LDO 的输入输出电容,一般大于 1uF(具体参考数据手册取值)。

    2.5 IO通信双向切换

    在一些设备中,如果两个通过 IO 连接的器件,某一时刻,一个处于休眠,一个处于掉电,这时候就会导致休眠的器件向掉电的器件灌入电流,为了完全杜绝此状态下的电路窜入,可采取如下电路的设计(比如:I2C 的 SDA 信号)

    在这里插入图片描述

    原理分析:

    M_DATA S_DATA 导通状态 方向
    高电平 高电平 Vgs = 0V,MOS 管截止 M_DATA—>S_DATA
    低电平 低电平 Vgs > 0V,MOS 管导通 M_DATA—>S_DATA
    S_DATA M_DATA 导通状态 方向
    高电平 高电平 M_DATA 通过上拉电阻 R9 设置成高电平,MOS 管截止 S_DATA—>M_DATA
    低电平 低电平 S_DATA = 0,NMOS 的寄生二极管导通,进而使得 Vgs > 0,MOS 管导通,M_DATA 为低电平 S_DATA—>M_DATA

    如上面两个方向的表格分析,这样通过 NMOS 就完成了一个 IO 双向通信的控制。(只能选择 NMOS,不可选择 PMOS,原因读着可以自行分析一下)

    2.6 3.3V 与 5V 的电平转换

    (1) MOS 实现:

    在实际的应用中,常会遇到通信的两个芯片之间的电平不匹配的问题,这时候就需要通过外部的电路来完成电平匹配的工作(如:MCU 的电平为 3.3V,而外设的电平为 5V)。

    在这里插入图片描述

    原理分析:

    3V3_DATA 5V_DATA 导通状态 方向
    高电平 高电平 Vgs = 0V,MOS 管截止 3V3_DATA—>5V_DATA
    低电平 低电平 Vgs > 0V,MOS 管导通 3V3_DATA—>5V_DATA

    通过 3.3V 端高低电平的变化,使得 NMOS 对应开关,就完成了 3.3V 电平到 5V 电平的转换。

    5V_DATA 3V3_DATA 导通状态 方向
    高电平 高电平 MOS 管截止,3V3_DATA 通过上拉电阻 R12 设置成高电平 5V_DATA—>3V3_DATA
    低电平 低电平 5V_DATA= 0,NMOS 的寄生二极管导通,进而使得 Vgs > 0,MOS 管导通,M_DATA 为低电平 5V_DATA—>3V3_DATA

    反之,也完成了对 5V 设备的数据的读取。

    注:此电路用三极管也可以实现同样的功能,如下图:

    在这里插入图片描述

    (2) 两级 NPN 实现:

    如下图所示,3.3V 与 5V 之间的电平转换,也可以通过两级的 NPN 三极管来实现。

    在这里插入图片描述

    原理分析:

    3V3_DATA 5V_DATA 导通状态 方向
    高电平 高电平 Q10 导通,Q9 截止,5V_DATA 端得到 5V 的高电平 3V3_DATA—>5V_DATA
    低电平 低电平 Q10 截止,Q9 导通,5V_DATA 端得到 低电平 3V3_DATA—>5V_DATA

    以上为一些常用的 MOS 管的实际应用电路,部分笔者已在实际中进行了验证,如有不足之处,欢迎指正。

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  • MOS管常用驱动电路

    千次阅读 2020-08-25 10:52:56
    在使用MOSFET设计开关电源时,或是使用MCU驱动MOS管时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的...

    在使用MOSFET设计开关电源时,或是使用MCU驱动MOS管时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。

    当IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接IC与MOS管就显得尤其重要了。
    一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:

    开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

    开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

    关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。

    驱动电路结构简单可靠、损耗小。

    根据情况施加隔离。

    下面介绍几种常用的MOSFET驱动电路。
    ***1、IC直接驱动MOSFET***如下图1
    在这里插入图片描述
    IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式,使用这种驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一,查看一下电源IC手册,其最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。第二,了解一下MOSFET的寄生电容,如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足,上升沿可能出现高频振荡,即使把图 1中Rg减小,也不能解决问题!IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素,都影响驱动电阻阻值的选择,所以Rg并不能无限减小。
    2、IC驱动能力不足时
    如果选择MOS管寄生电容比较大,电源IC内部的驱动能力又不足时,需要在驱动电路上增强驱动能力,常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力,其电路如下图 2虚线框所示。
    图2
    这种驱动电路作用在于,提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
    3、驱动电路加速MOS管关断时间
    下图3加速MOS关断
    在这里插入图片描述
    关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如图3所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大,把IC脚位给烧掉。
    下图4改进型加速MOS关断
    在这里插入图片描述
    在图我的图腾柱电路也有加快关断作用。当IC的驱动能力足够时,对图 2中电路改进可以加速MOS管关断时间,得到如图 4所示电路。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻,当PNP三极管导通时,栅源极间电容短接,达到最短时间内把电荷放完,最大限度减小关断时的交叉损耗。与图3拓扑相比较,还有一个好处,就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过IC引脚,提高了可靠性。
    4、驱动电路加速MOS管关断时间
    在这里插入图片描述
    图5隔离驱动
    为了满足如图 5所示高端MOS管的驱动,经常会采用变压器驱动,有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡,C1的目的是隔开直流,通过交流,同时也能防止磁芯饱和。

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  • MOS管

    2017-11-20 16:09:14
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  • 详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管

    万次阅读 多人点赞 2018-10-31 15:58:30
    出处:P沟道mos管作为开关的条件(GS &gt;GS(TH)) 1、P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V 如果S为2.8V,G...
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  • 晶体管和mos管区别,MOS管是什么?

    千次阅读 2019-03-11 11:56:57
    晶体管和mos管区别 什么是MOS管 MOS晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管,或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的,它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下,这两个区域是相同的,甚至两端的...
  • MOS管参数-MOS管参数含义说明及详解

    千次阅读 2020-11-07 13:53:11
    文章转自:MOS管参数-MOS管参数含义说明及详解-KIA MOS管 ...MOS管分类说明 MOS管参数说明,在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,...这两种增强型MOS管,比较常用
  • MOS管开关电路

    万次阅读 2018-05-10 11:02:16
    MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极...
  • P型MOS管常用型号表,如果不清楚如何对P型MOS管选型,可以联系泰德兰电子,在线销售工程师一对一技术支持服务 专业MOS管代理商,长期代理美国aos万代MOS管、重庆万国MOS管,日本松木MOS管等品牌,免费在线分享提供P...
  • 详解 P沟道mos管与N沟道mos管

    万次阅读 多人点赞 2019-07-31 17:15:03
    出处:P沟道mos管作为开关的条件(GS >GS(TH)) 1、P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V 如果S为2.8V,G为...
  • MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、...数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为有源负载,这样不仅节省了硅片面积,而且简化了工艺利于大规模集成。常用
  •  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不...
  • Mos管

    2018-08-19 11:17:00
    我们常用的是N型的MOS管,因为导通电阻小,容易制造,在原理图可以看到,漏级和源级之间有一个寄生二极管,这叫体二极管, 在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。体二极管只有在单个的Mos管中存在,在继承...
  • MOS管驱动电路** 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的...
  •  无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。... 常用MOS管的漏极开路电路,如图2漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接...
  • 电子-常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料.pdf,单片机/嵌入式STM32-F0/F1/F2
  • 一、MOS管选型注重的参数 1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力; 2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制; 3、开关频率FS–参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率; 4、 MOS管最大允许工作温度–...

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