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  • 存储器类型

    2020-11-14 17:31:37
    Flash EEPROM和PRAM是用于智能卡早期开发的存储器类型)  对于多应用智能卡,它可以同时管理几个应用。最常用的芯片中ROM容量约为EEPROM容量的两倍,以便提供足够的空间来存储非常复杂的操作系统代码。对于单应用...
  • 常见存储器分类

    2020-07-15 13:47:20
    存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM),两者的功能有较大的区别,因此在描述上也有所不同。存储的基础部分分为ROM和RAM。 常见存储器分类图示 RAM:随机存取存储器是与CPU直接交换数据的...

    存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM),两者的功能有较大的区别,因此在描述上也有所不同。存储的基础部分分为ROM和RAM。
    在这里插入图片描述

    常见存储器分类图示

    RAM:随机存取存储器是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据,就必须把它们写入一个长期的存储设备中(例如硬盘)。RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM不会自动消失,可以长时间断电保存。

    ROM:只读存储器。ROM所存数据,一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定,断电后所存数据也不会改变。

    RAM可以分为SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)。

    SRAM它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。优点是速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。缺点是集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。

    DRAM是最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。

    SDRAM(同步动态随机存取存储器),是在DRAM的基础上发展而来,为DRAM的一种,同步是指Memory工作需要同步时钟,内部命令的发送与数据的传输都以时钟为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。

    DDR SDRAM又是在SDRAM的基础上发展而来,这种改进型的DRAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势。

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  • 存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能,因此存储器的选择是一个非常重要的决策。无论系统是采用电池供电还是由市电供电,应用需求将... 图1列出了在嵌入式应用系统中最常用存储器类型。下面讨论在选择存储器
  • 常用存储器介绍

    2018-08-28 15:17:14
    1、存储器种类 2、RAM存储器 2.1 DRAM 2.1.1 SDRAM 2.1.2 DDR SDRAM 2.2 SRAM 2.3 DRAM与SRAM的应用场合 3、非易失性存储器 3.1 ROM存储器 3.1.1 MASK ROM 3.1.2 OTP ROM 3.1.3 EPR ROM 3.1.4 EEP ROM ...

    目录

    1、存储器种类

    2、RAM存储器

    2.1 DRAM

    2.1.1 SDRAM

    2.1.2 DDR SDRAM

    2.2 SRAM

    2.3 DRAM与SRAM的应用场合

    3、非易失性存储器

    3.1 ROM存储器

    3.1.1 MASK ROM

    3.1.2 OTP ROM

    3.1.3 EPR ROM

    3.1.4 EEP ROM

    3.2 FLASH存储器


    1、存储器种类

    存储器是计算机结构的重要组成部分。存储器是用来存储程序代码和数据的部件,有了存储器,计算机才具有记忆功能。基本的存储器种类见图一。

                                                                         图一 基本存储器种类

    存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。其中的“易失/非易失”是指存储器断电后,它存储的数据内容是否会丢失的特性。由于一般易失性存储器存取速度快,而非易失性存储器可长期保存数据,它们都在计算机中占据着重要角色。在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存,非易失性存储器的代表则是硬盘。

    2、RAM存储器

    RAM 是“Random Access Memory”的缩写,被译为随机存储器。 所谓“随机存取”,指的是当存储器中的消息被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置无关。这个词的由来是因为早期计算机曾使用磁鼓作为存储器,磁鼓是顺序读写设备,而RAM可随读取其内部任意地址的数据,时间都是相同的,因此得名。实际上现在 RAM 已经专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。

    根据 RAM 的存储机制,又分为动态随机存储器 DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器 SRAM(Static RAM)两种。

    2.1 DRAM

    动态随机存储器 DRAM 的存储单元以电容的电荷来表示数据,有电荷代表 1,无电荷代表 0,见图 2。但时间一长,代表 1 的电容会放电,代表 0 的电容会吸收电荷,因此它需要定期刷新操作,这就是“动态(Dynamic)”一词所形容的特性。刷新操作会对电容进行检查,若电量大于满电量的 1/2,则认为其代表 1,并把电容充满电; 若电量小于 1/2,则认为其代表 0,并把电容放电,藉此来保证数据的正确性。

                            图2 DRAM存储单元

    2.1.1 SDRAM

    根据 DRAM 的通讯方式,又分为同步和异步两种,这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分。 图 3 是一种利用时钟进行同步的通讯时序,它在时钟的上升沿表示有效数据。

                                                                                            图3 同步通讯时序图

    由于使用时钟同步的通讯速度更快,所以同步 DRAM 使用更为广泛,这种 DRAM 被称为 SDRAM(Synchronous DRAM)。

    2.1.2 DDR SDRAM

    为了进一步提高 SDRAM 的通讯速度,人们设计了 DDR SDRAM 存储器(Double Data Rate SDRAM)。它的存储特性与 SDRAM 没有区别,但 SDRAM 只在上升沿表示有效数据,在 1 个时钟周期内,只能表示 1 个有数据;而 DDR SDRAM 在时钟的上升沿及下降沿各表示一个数据,也就是说在 1 个时钟周期内可以表示 2 数据,在时钟频率同样的情况下,提高了一倍的速度。至于 DDRII 和 DDRIII,它们的通讯方式并没有区别,主要是通讯同步时钟的频率提高了。当前个人计算机常用的内存条是 DDRIII SDRAM 存储器,在一个内存条上包含多个DDRIII SDRAM 芯片。

    2.2 SRAM

    静态随机存储器 SRAM 的存储单元以锁存器来存储数据,见图4。这种电路结构不需要定时刷新充电,就能保持状态(当然,如果断电了,数据还是会丢失的),所以这种存储器被称为“静态(Static)” RAM。

                                                 图4 SRAM存储单元

    同样地, SRAM 根据其通讯方式也分为同步(SSRAM)和异步 SRAM, 相对来说,异步SDRAM 用得较多。

    2.3 DRAM与SRAM的应用场合

    对比 DRAM 与 SRAM 的结构,可知 DRAM 的结构简单得多,所以生产相同容量的存储器, DRAM 的成本要更低,且集成度更高。而 DRAM 中的电容结构则决定了它的存取速度不如 SRAM,特性对比见表 1。

    表1 DRAM与SRAM对比

    特性

    DRAM

    SRAM

    存取速度

    较慢

    较快

    集成度

    较高

    较低

    生产成本

    较低

    较高

    是否需要刷新

    所以在实际应用场合中, SRAM 一般只用于 CPU 内部的高速缓存(Cache),而外部扩展的内存一般使用 DRAM。

    3、非易失性存储器

    非易失性存储器种类非常多,半导体类的有 ROM 和 FLASH,而其它的则包括光盘、软盘及机械硬盘。

    3.1 ROM存储器

    ROM 是“Read Only Memory”的缩写,意为只能读的存储器。由于技术的发展,后来设计出了可以方便写入数据的ROM,而这个“Read Only Memory”的名称被沿用下来了,现在一般用于指代非易失性半导体存储器,包括后面介绍的FLASH存储器,有些人也把它归到ROM类里边。

    3.1.1 MASK ROM

    MASK(掩膜)ROM就是正宗的“Read Only Memory”,存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的,生产后就不可修改,其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大,数据不需要修改的场合,还有应用。

    3.1.2 OTP ROM

    OTP ROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料,用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入,但只能写入一次,被写入过后,它的内容也不可再修改。在NXP公司生产的控制器芯片中常使用OPT ROM来存储密钥。

    3.1.3 EPR ROM

    EP ROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器,它解决了PROM芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据,擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰,被 EEPROM 取代。

    3.1.4 EEP ROM

    EEP ROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器。EEPROM可以重复擦写,它的擦除和写入都是直接使用电路控制,不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据,无需整个芯片擦除。现在主要使用的ROM芯片都是EEP ROM。

    3.2 FLASH存储器

    FLASH存储器又称为闪存,它也是可重复擦写的储器,部分书籍会把FLASH存储器称为FLASH ROM,但它的容量一般比EEP ROM大得多,且在擦除时,一般以多个字节为单位。如有的FLASH存储器以4096个字节为扇区,最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同,FLASH存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH,见表 2。

    表2 NOR FLASH与NAND FLASH特性对比

    特性NOR FLASHNAND FLASH
    同容量存储器成本较贵较便宜
    集成度较低较高
    介质类型随机存储连续存储
    地址线和数据线独立分开共用
    擦除单元以“扇区/块”擦除以“扇区/块”擦除
    读写单元可以基于字节读写必须以“块”位单位读写
    读取速度较高较低
    写入速度较低较高
    坏块较少较多
    是否支持XIP支持不支持

    NOR与NAND的共性是在数据写入前都需要有擦除操作,而擦除操作一般是以“扇区/块”为单位的。而NOR与NAND特性的差别,主要是由于其内部“地址/数据线”是否分开导致的。

    由于NOR的地址线和数据线分开,它可以按“字节”读写数据,符合 CPU 的指令译码执行要求,所以假如 NOR 上存储了代码指令,CPU给NOR一个地址,NOR就能向CPU返回一个数据让CPU执行,中间不需要额外的处理操作。而由于NAND的数据和地址线共用,只能按“块”来读写数据,假如NAND上存储了代码指令,CPU给NAND地址后,它无法直接返回该地址的数据,所以不符合指令译码要求。表2 中的最后一项“是否支持 XIP”描述的就是这种立即执行的特性(eXecute InPlace)。若代码存储在NAND上,可以把它先加载到RAM存储器上,再由CPU执行。所以在功能上可以认为NOR是一种断电后数据不丢失的RAM,但它的擦除单位与RAM有区别,且读写速度比RAM要慢得多。另外,FLASH的擦除次数都是有限的(现在普遍是10万次左右),当它的使用接近寿命的时候,可能会出现写操作失败。由于 NAND通常是整块擦写,块内有一位失效整个块就会失效,这被称为坏块,而且由于擦写过程复杂,从整体来说NOR块块更少,寿命更长。由于可能存在坏块,所以 FLASH 存储器需要“探测/错误更正(EDC/ECC)”算法来确保数据的正确性。由于两种FLASH存储器特性的差异,NOR FLASH一般应用在代码存储的场合,如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合,包括SD卡、U盘以及固态硬盘等,都是 NAND FLASH 类型的。

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  • 存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能,因此存储器的选择是一个非常重要的决策。  无论系统是采用电池供电还是由市电供电,应用需求将决定存储器的... 图1列出了在嵌入式应用系统中最常用存储器类型。下
  • 常用存储器分类

    千次阅读 2019-10-03 11:41:01
    1.存储器是计算机实现记忆功能的部件,用来存放程序和数据,是微机系统中重要的组成部分,存储器的容量越大,表明能存储的信息越多,计算机的处理能力也就越能充分展现。存储器系统由外存储器和内存储器两部分组成。...

    1.存储器是计算机实现记忆功能的部件,用来存放程序和数据,是微机系统中重要的组成部分,存储器的容量越大,表明能存储的信息越多,计算机的处理能力也就越能充分展现。存储器系统由外存储器和内存储器两部分组成。其中内存储器用来存放当前运行的程序和数据,一般由一定容量的速度较高存储器组成,CPU可直接用指令对内存储器进行读/写操作。内存储器的分类如下:

    2.RAM,“Random Access Memory”的缩写,被译为随机存储器,现在RAM 已经专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。

     

    2.1.SRAM静态随机存储器:存储单元以锁存器来存储数据,见图1。这种电路结构不需要定时刷新充电,就能保持状态(断电后数据还是会丢失),所以这种存储器被称为“静态(Static)” RAM。相比于DRAM,SRAM的特点是只要不撤除工作电源,所保存的信息就不会丢失;读出信息时不破坏原保存信息,一经写入可多次读出;存取速度较快,但功耗较大、存储容量较小,适用于不需要大容量存储器的系统,如单片机、工控机的内存和微机的高速缓存。SRAM 根据其通讯方式分为同步(SSRAM)和异步 SRAM,相对来说,异步SRAM 用得比较广泛。

                                                                                             图1 SRAM存储单元

    2.2.DRAM动态随机存储器:存储单元以电容的电荷来表示数据,有电荷代表1,无电荷代表0,见图2。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,因此需要定期刷新,这就是“动态(Dynamic)”一词所形容的特性。

                                                                                              图2 DRAM存储单元

    2.3.SDRAM:根据DRAM的通讯方式,又分为同步和异步两种,这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分。由于使用时钟同步的通讯速度更快,所以同步DRAM使用更为广泛,这种DRAM被称为SDRAM(Synchronous DRAM)。

    2.4. DDR SDRAM:为了进一步提高SDRAM的通讯速度,人们设计了DDR SDRAM 存储器(Double DataRate SDRAM)。它的存储特性与 SDRAM 没有区别,但SDRAM只在上升沿表示有效数据,在1个时钟周期内,只能表示1个有数据;而DDR SDRAM在时钟的上升沿及下降沿各表示一个数据,也就是说在1 个时钟周期内可以表示2位数据,在时钟频率同样的情况下,提高了一倍的速度。至于DDRII和DDRIII,它们的通讯方式并没有区别,主要是通讯同步时钟的频率提高了。当前个人计算机常用的内存条是DDRIII SDRAM存储器,在一个内存条上包含多个DDRIII SDRAM芯片。

    2.5. DRAM与SRAM的应用场合:对比DRAM与SRAM的结构可知DRAM 的结构简单得多,所以生产相同容量的存储器,DRAM的成本要更低,且集成度更高。而DRAM中的电容结构则决定了它的存取速度不如SRAM,特性对比见表1。在实际应用场合中, SRAM一般只用于CPU内部的高速缓存(Cache),而外部扩展的内存一般使用DRAM。

                                                                                表1 DRAM与SRAM对比

    特性

    DRAM

    SRAM

    存取速度

    较慢

    较快

    集成度

    较高

    较低

    生产成本

    较低

    较高

    是否需要刷新

    3.ROM,“Read Only Memory”的缩写,意为只能读的存储器,现在一般用于指代非易失性半导体存储器。

    3.1. MROM:MASK(掩膜) ROM,存储在内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化,生产后就不可修改,其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大,数据不需要修改的场合,还有应用。

    3.2. OTPROM:One Time Programable ROM,一次可编程存储器,出厂时内部没有资料,用户可以使用专用的编程器将资料写入,一经写入,不能更改。

    3.3. EPROM:Erasable Programmable ROM,可重复擦写的存储器,解决了PROM芯片只能写入一次的问题,使用紫外线照射芯片内部擦除数据,擦除和写入都要专用的设备,现在基本被EEPROM取代。

    3.4. EEPROM:Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除存储器。可以重复擦写,擦除和写入都是直接使用电路控制,不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据,无需整个芯片擦除。现在主要使用的 ROM 芯片都是EEPROM。

    3.5.FLASH 存储器:又称闪存,也是可重复擦写的储器,容量一般比EEPROM 大得多,且在擦除时,一般以多个字节为单位。如有的 FLASH 存储器以 4096 个字节为扇区,最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同, FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH,见表2。

                                                                表2 NOR FLASH与NAND FLASH特性对比

    特性

    NOR FLASH

    NAND FLASH

    同容量存储器成本

    较贵

    较便宜

    集成度

    较低

    较高

    介质类型

    随机存储

    连续存储

    地址线和数据线

    独立分开

    共用

    擦除单元

    以“扇区/块”擦除

    以“扇区/块”擦除

    读写单元

    可以基于字节读写

    必须以“块”为单位读写

    读取速度

    较高

    较低

    写入速度

    较低

    较高

    坏块

    较少

    较多

    是否支持XIP

    支持

    不支持

    NOR与NAND 的共性是在数据写入前都需要有擦除操作,而擦除操作一般是以“扇区/块”为单位的。而NOR与NAND特性的差别,主要是由于其内部“地址/数据线”是否分开导致的。

    由于NOR的地址线和数据线分开,它可以按“字节”读写数据,符合CPU的指令译码执行要求,所以假如NOR上存储了代码指令,CPU给 NOR一个地址, NOR就能向CPU返回一个数据让CPU执行,中间不需要额外的处理操作。

    而由于NAND的数据和地址线共用,只能按“块”来读写数据,假如NAND 上存储了代码指令,CPU给NAND地址后,它无法直接返回该地址的数据,所以不符合指令译码要求。表2中的最后一项“是否支持XIP”描述的就是这种立即执行的特性(eXecute In Place)。

    若代码存储在NAND上,可以把它先加载到RAM存储器上,再由CPU执行。所以在功能上可以认为 NOR是一种断电后数据不丢失的RAM,但它的擦除单位与RAM有区别,且读写速度比RAM要慢得多。

    另外, FLASH的擦除次数都是有限的(现在普遍是10万次左右),当它的使用接近寿命的时候,可能会出现写操作失败。由于NAND通常是整块擦写,块内有一位失效整个块就会失效,这被称为坏块,而且由于擦写过程复杂,从整体来说NOR坏块更少,寿命更长。由于可能存在坏块,所以FLASH存储器需要“探测/错误更正(EDC/ECC)”算法来确保数据的正确性。

    由于两种FLASH存储器特性的差异,NOR FLASH一般应用在代码存储的场合,如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合,包括SD卡、 U盘以及固态硬盘等,都是NAND FLASH类型的。

     

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  • 存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能,因此存储器的选择是一个非常重要的决策。 无论系统是采用电池供电还是由市电供电,应用需求将... 图1列出了在嵌入式应用系统中常用存储器类型。下面讨论在选择存
  • 几种存储器类型总结

    万次阅读 2015-10-14 11:12:16
    说明:从操作系统来讲,不同类型存储器的出现正是为了实现经典的内存架构:多级缓存结构,为了匹配高速的CPU。从CPU内部的寄存器,到高速cache,再到主存,然后是磁盘,最后是磁带,速度越来越慢,但价格越来越...

    几种存储器类型总结


    声明:引用请注明出处http://blog.csdn.net/lg1259156776/


    说明:从操作系统来讲,不同类型的存储器的出现正是为了实现经典的内存架构:多级缓存结构,为了匹配高速的CPU。从CPU内部的寄存器,到高速cache,再到主存,然后是磁盘,最后是磁带,速度越来越慢,但价格越来越便宜。包括DSP的内存架构,也是分为三级,第一级是CPU内部的寄存器,第二级L1P和L1DRAM,第三级是L1SRAM,L1和L2的都是片内RAM,之后还可以通过EMIF接口(64X+)或者XINTFT接口(28系列)拓展片外存储器,总之也是速度越来越慢。本文要总结的就是几种存储器类型。


    按用途存储器可以分为外部存储器和内部存储器。外存通常是磁性介质或光盘,能长期保存信息。内存指主板上的存储部件,用来存放当前正在执行的数据和程序,仅用于暂时存放程序和数据,关闭电源或断电,数据会丢失。

    RAM

    RAM(random access memory,随机存取存储器)。存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。

    SRAM

    SRAM(Static RAM,静态随机存储器),不需要刷新电路,数据不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。

    SRAM其实是一种非常重要的存储器,它的用途广泛。SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此,才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。

    DRAM

    Dynamic RAM,动态随机存取存储器,每隔一段时间就要刷新一次数据,才能保存数据。而且是行列地址复用的,许多都有页模式。SDRAM是其中的一种。

    SDRAM

    SDRAM(Synchronous DRAM,同步动态随机存储器),即数据的读写需要时钟来同步。其存储单元不是按线性排列的,是分页的。

    DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM

    一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。电脑的内存也是用的这种RAM,叫DDR SDRAM,其集成度非常高,因为是动态的,所以必须有刷新电路,每隔一段时间必须得刷新数据。

    ROM

    Read-Only Memory,只读存储器的总称。

    在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM(Read Only Memory,只读存储器)中。ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用, 重新订做一份。ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合。

    PROM

    可编程只读存储器,只能写一次,写错了就得报废,现在用得很少了,好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。

    EPROM 

    EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM)芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。

    EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。

    EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(VPP=12—24V,随不同的芯片型号而定)。EPROM的型号是以27开头的,如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。 EPROM芯片在空白状态时(用紫外光线擦除后),内部的每一个存储单元的数据都为1(高电平)。

    EEPROM

    EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦可编程只读存储器),一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM是可用户更改的只读存储器,其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程(重写),即可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息并重新编程。不像EPROM芯片,EEPROM不需从计算机中取出即可修改,是现在用得比较多的存储器,比如24CXX系列的EEPROM。

    在一个EEPROM中,当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的,EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。

    EEPROM的一种特殊形式是闪存,其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。

    EEPROM一般用于即插即用(Plug & Play),常用在接口卡中,用来存放硬件设置数据,也常用在防止软件非法拷贝的”硬件锁”上面。

    闪存(Flash)

    闪存(FLASH)是一种非易失性存储器,即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。   

    闪存卡(Flash Card)是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器,一般应用在数码相机,掌上电脑,MP3等小型数码产品中作为存储介质,所以样子小巧,有如一张卡片,所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用,闪存卡大概有U盘、SmartMedia(SM卡)、Compact Flash(CF卡)、MultiMediaCard(MMC卡)、Secure Digital(SD卡)、Memory Stick(记忆棒)、XD-Picture Card(XD卡)和微硬盘(MICRODRIVE)。这些闪存卡虽然外观、规格不同,但是技术原理都是相同的。

    NAND FLASH和NOR FLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。

      flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

      由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

      执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

      ● NOR的读速度比NAND稍快一些。

      ● NAND的写入速度比NOR快很多。

      ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

      ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

      ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

     NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

      NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

      NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

    总结

    简单地说,在计算机中,RAM 、ROM都是数据存储器。RAM是随机存取存储器,它的特点是易挥发性,即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入,反复读取),它的特点与RAM 相反。

    ROM又分一次性固化(PROM)、光擦除(EPROM)和电擦除(EEPROM)重写几种类型。举个例子来说也就是,如果突然停电或者没有保存就关闭了文件,那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件但是RAM会使之前没有保存的文件消失。

    RAM又分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。


    2015-10-14 艺少

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