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  • 不带阻尼的行管原则上可代换电源开关管,但要考虑PCM、ICM、HFE等参数 能否符合要求;电源开关管如要代换行管,除要考虑PCM、ICM外还要看其VCBO、VCEO等能否满足要求。例如2SD1547行管能代换25″~29″机电源开关管,...
  • 场效应管参数型号 封装 材料 用途 参数KIA7N60H TO-263 NMOS 开关电源 7A/600VKIA7N65H TO-263 NMOS 开关电源 7A/650VKIA840S TO-263 NMOS 安定器 8A/500VKIA4N60H TO-262 NMOS 充电器 4A/600VKIA13N50H TO-263 NMOS...

    场效应管参数

    型号 封装 材料 用途 参数

    KIA7N60H TO-263 NMOS 开关电源 7A/600V

    KIA7N65H TO-263 NMOS 开关电源 7A/650V

    KIA840S    TO-263 NMOS 安定器    8A/500V

    KIA4N60H TO-262 NMOS 充电器   4A/600V

    KIA13N50H TO-263 NMOS 开关电源 13A/500V

    KIA24N50H TO-3P NMOS 逆变器 20A/500V

    KIA3510A  TO-263  NMOS 安定器  75A/100V

    KIA28N50H TO-3P NMOS 开关电源 28A/500V

    KIA75NF75  TO-263  NMOS  电动车  80A/80V

    KIA100N03A  TO-263  NMOS  保护器 90A/30V

    KIA2803A  TO-263  NMOS  保护器  150A/30V

    KIA1N60H  TO-251  NMOS  开关电源  1A/600V

    KIA1N65H  TO-251  NMOS  开关电源  1A/650V

    KIA20N50H TO-220F NMOS 逆变器 20A/500V

    KIA2N60H  TO-251  NMOS  开关电源  2A/600V

    KIA2N65H  TO-251  NMOS  开关电源  2A/650V

    KIA40N20A TO-3P NMOS 逆变器 40A/200V

    KIA2806A TO-3P NMOS 逆变器 160A/60V

    KIA4N60H  TO-251  NMOS  开关电源  4A/600V

    KIA4N65H  TO-251  NMOS  开关电源  4A/650V

    KIA9N90H TO-220F NMOS 安定器 9A/900V

    KIA6110A  TO-251  NMOS 开关电源   12A/100V

    KIA50N06 TO-220F NMOS 逆变器 50A/60V

    KIA1N60H  TO-252  NMOS  开关电源 1A/600V

    KIA5N50H  TO-252 NMOS 安定器 5A/500V

    KIA830S TO-252 NMOS 安定器 5A/550V

    KIA2N60H TO-250 NMOS 开关电源 2A/600V

    KIA2N65H TO-250 NMOS 开关电源 5A/650V

    KIA840S TO-252 NMOS 安定器 8A/500V

    KIA4N60H TO-252 NMOS 开关电源 4A/600V

    KIA10N60H TO-220F NMOS 逆变器 9.5A/600V

    KIA10N80H TO-220F NMOS 逆变器 10A/800V

    KIA35P10A TO-252 PMOS 报警器 -35A/-100V

    KND4360A TO-252 NMOS 开关电源 4A/650V

    KIA4750S TO-252 NMOS 安定器 9A/500V

    KIA50N03A TO-252 NMOS 保护器 50A/30V

    KIA50N06B TO-252 NMOS 安定器 50A/60V

    KIA20N40H TO-3P NMOS 逆变器 20A/400V

    KIA20N50H TO-3P NMOS 开关电源 20A/500V

    KIA3510A TO-252 NMOS 安定器 65A/100V

    KIA23P10A TO-252 PMOS 报警器 -23A/-100V

    KIA9N90H TO-247 NMOS 逆变器 9A/900V

    KIA16N50H TO-247 NMOS 逆变器 16A/500V

    KIA2N60H TO-220F NMOS 开关电源 2A/600V

    KIA3N80H TO-220F NMOD 开关电源 3A/800V

    KIA18N52H TO-247 NMOS 逆变器 18A/500V

    KIA20N50H TO-247 NMOS 逆变器 20A/500V

    KIA24N50H TO-247 NMOS 逆变器 24A/500V

    KIA28N50H TO-247 NMOS  逆变器 28A/500V

    KIA4N60H TO-220F NMOS 逆变器 4A/600V

    KIA4N65E TO-220F NMOS  开关电源 4.5A/600V

    KIA7N60U TO-220F NMOS  逆变器 7A/600V

    KIA18N20A TO-220F NMOS 开关电源 18A/200V

    KIA9N90H TO-3P NMOS 逆变器 9A/900V

    KIA10N80H TO-3P NMOS 逆变器 10A/800V

    KIA16N50H TO-3P NMOS 开关电源 16A/500V

    KIA18N50H TO-3P NMOA 逆变器 18A/500V

    场效应管主要参数

    Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压

    UGS=0时的漏源电流.

    Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

    Ut — 开启电压.是指加强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.

    gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制才能,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.

    gM是权衡场效应管放大才能的重要参数.

    BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必需小于BVDS.

    PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.

    运用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有一定余量.

    IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许经过的最大电流.场效应管的工作电流不应超越

    IDSMCds---漏-源电容

    Cdu---漏-衬底电容

    Cgd---栅-漏电容

    Cgs---漏-源电容

    Ciss---栅短路共源输入电容

    Coss---栅短路共源输出电容

    Crss---栅短路共源反向传输电容

    D---占空比(占空系数,外电路参数)

    di/dt---电流上升率(外电路参数)

    dv/dt---电压上升率(外电路参数)

    ID---漏极电流(直流)

    IDM---漏极脉冲电流

    ID(on)---通态漏极电流

    IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

    IDS---漏源电流

    IDSM---最大漏源电流

    IDSS---栅-源短路时,漏极电流

    IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)

    IG---栅极电流(直流)

    IGF---正向栅电流

    IGR---反向栅电流

    IGDO---源极开路时,截止栅电流

    IGSO---漏极开路时,截止栅电流

    IGM---栅极脉冲电流

    IGP---栅极峰值电流

    IF---二极管正向电流

    IGSS---漏极短路时截止栅电流

    IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

    Iu---衬底电流

    Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)

    gfs---正向跨导

    Gp---功率增益

    Gps---共源极中和高频功率增益

    GpG---共栅极中和高频功率增益

    GPD---共漏极中和高频功率增益

    ggd---栅漏电导

    gds---漏源电导

    K---失调电压温度系数

    Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)

    LD---漏极电感

    Ls---源极电感

    rDS---漏源电阻

    rDS(on)---漏源通态电阻

    rDS(of)---漏源断态电阻

    rGD---栅漏电阻

    rGS---栅源电阻

    Rg---栅极外接电阻(外电路参数)

    RL---负载电阻(外电路参数)

    R(th)jc---结壳热阻

    R(th)ja---结环热阻

    PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率

    PIN--输入功率

    POUT---输出功率

    PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)

    to(on)---开通延迟时间

    td(off)---关断延迟时间

    ti---上升时间

    ton---开通时间

    toff---关断时间

    tf---降落时间

    trr---反向恢复时间

    Tj---结温

    Tjm---最大允许结温

    Ta---环境温度

    Tc---管壳温度

    Tstg---贮成温度

    VDS---漏源电压(直流)

    VGS---栅源电压(直流)

    VGSF--正向栅源电压(直流)

    VGSR---反向栅源电压(直流)

    VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)

    VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)

    Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)

    VGS(th)---开启电压或阀电压V(BR)

    DSS---漏源击穿电压V(BR)

    GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压

    VDS(sat)---漏源饱和电压

    VGD---栅漏电压(直流)

    Vsu---源衬底电压(直流)

    VDu---漏衬底电压(直流)

    VGu---栅衬底电压(直流)

    Zo---驱动源内阻

    η---漏极效率(射频功率管)

    Vn---噪声电压

    aID---漏极电流温度系数

    ards---漏源电阻温度系数

    展开全文
  • 场效应管参数型号 封装 材料 用途 参数7N60HTO-263NMOS开关电源7A/600V7N65HTO-263NMOS开关电源7A/650V840S TO-263NMOS安定器 8A/500V4N60HTO-262NMOS充电器 4A/600V13N50HTO-263NMOS开关电源13A/500V24N50HTO-3...

    场效应管参数

    型号       封装  材料   用途    参数

    7N60HTO-263NMOS开关电源7A/600V

    7N65HTO-263NMOS开关电源7A/650V

    840S  TO-263NMOS安定器  8A/500V

    4N60HTO-262NMOS充电器 4A/600V

    13N50HTO-263NMOS开关电源13A/500V

    24N50HTO-3PNMOS逆变器20A/500V

    3510A TO-263 NMOS安定器 75A/100V

    28N50HTO-3PNMOS开关电源28A/500V

    75NF75 TO-263 NMOS 电动车 80A/80V

    100N03A TO-263 NMOS 保护器90A/30V

    2803A TO-263 NMOS 保护器 150A/30V

    1N60H TO-251 NMOS 开关电源 1A/600V

    1N65H TO-251 NMOS 开关电源 1A/650V

    20N50HTO-220FNMOS逆变器20A/500V

    2N60H TO-251 NMOS 开关电源 2A/600V

    2N65H TO-251 NMOS 开关电源 2A/650V

    40N20ATO-3PNMOS逆变器40A/200V

    2806ATO-3PNMOS逆变器160A/60V

    4N60H TO-251 NMOS 开关电源 4A/600V

    4N65H TO-251 NMOS 开关电源 4A/650V

    9N90HTO-220FNMOS安定器9A/900V

    6110A TO-251 NMOS开关电源 12A/100V

    50N06TO-220FNMOS逆变器50A/60V

    1N60H TO-252 NMOS 开关电源1A/600V

    5N50H TO-252NMOS安定器5A/500V

    830STO-252NMOS安定器5A/550V

    2N60HTO-250NMOS开关电源2A/600V

    2N65HTO-250NMOS开关电源5A/650V

    840STO-252NMOS安定器8A/500V

    4N60HTO-252NMOS开关电源4A/600V

    10N60HTO-220FNMOS逆变器9.5A/600V

    10N80HTO-220FNMOS逆变器10A/800V

    35P10ATO-252PMOS报警器-35A/-100V

    KND4360ATO-252NMOS开关电源4A/650V

    4750STO-252NMOS安定器9A/500V

    50N03ATO-252NMOS保护器50A/30V

    50N06BTO-252NMOS安定器50A/60V

    20N40HTO-3PNMOS逆变器20A/400V

    20N50HTO-3PNMOS开关电源20A/500V

    3510ATO-252NMOS安定器65A/100V

    23P10ATO-252PMOS报警器-23A/-100V

    9N90HTO-247NMOS逆变器9A/900V

    16N50HTO-247NMOS逆变器16A/500V

    2N60HTO-220FNMOS开关电源2A/600V

    3N80HTO-220FNMOD开关电源3A/800V

    18N52HTO-247NMOS逆变器18A/500V

    20N50HTO-247NMOS逆变器20A/500V

    24N50HTO-247NMOS逆变器24A/500V

    28N50HTO-247NMOS 逆变器28A/500V

    4N60HTO-220FNMOS逆变器4A/600V

    4N65ETO-220FNMOS 开关电源4.5A/600V

    7N60UTO-220FNMOS 逆变器7A/600V

    18N20ATO-220FNMOS开关电源18A/200V

    9N90HTO-3PNMOS逆变器9A/900V

    10N80HTO-3PNMOS逆变器10A/800V

    16N50HTO-3PNMOS开关电源16A/500V

    18N50HTO-3PNMOA逆变器18A/500V

    场效应管主要参数

    Idss—饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压

    UGS=0时的漏源电流.

    Up—夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

    Ut—开启电压.是指加强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.

    gM—跨导.是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制才能,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.

    gM是权衡场效应管放大才能的重要参数.

    BVDS—漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必需小于BVDS.

    PDSM—最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.

    运用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有一定余量.

    IDSM—最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许经过的最大电流.场效应管的工作电流不应超越

    IDSMCds---漏-源电容

    Cdu---漏-衬底电容

    Cgd---栅-漏电容

    Cgs---漏-源电容

    Ciss---栅短路共源输入电容

    Coss---栅短路共源输出电容

    Crss---栅短路共源反向传输电容

    D---占空比(占空系数,外电路参数)

    di/dt---电流上升率(外电路参数)

    dv/dt---电压上升率(外电路参数)

    ID---漏极电流(直流)

    IDM---漏极脉冲电流

    ID(on)---通态漏极电流

    IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

    IDS---漏源电流

    IDSM---最大漏源电流

    IDSS---栅-源短路时,漏极电流

    IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)

    IG---栅极电流(直流)

    IGF---正向栅电流

    IGR---反向栅电流

    IGDO---源极开路时,截止栅电流

    IGSO---漏极开路时,截止栅电流

    IGM---栅极脉冲电流

    IGP---栅极峰值电流

    IF---二极管正向电流

    IGSS---漏极短路时截止栅电流

    IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

    Iu---衬底电流

    Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)

    gfs---正向跨导

    Gp---功率增益

    Gps---共源极中和高频功率增益

    GpG---共栅极中和高频功率增益

    GPD---共漏极中和高频功率增益

    ggd---栅漏电导

    gds---漏源电导

    K---失调电压温度系数

    Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)

    LD---漏极电感

    Ls---源极电感

    rDS---漏源电阻

    rDS(on)---漏源通态电阻

    rDS(of)---漏源断态电阻

    rGD---栅漏电阻

    rGS---栅源电阻

    Rg---栅极外接电阻(外电路参数)

    RL---负载电阻(外电路参数)

    R(th)jc---结壳热阻

    R(th)ja---结环热阻

    PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率

    PIN--输入功率

    POUT---输出功率

    PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)

    to(on)---开通延迟时间

    td(off)---关断延迟时间

    ti---上升时间

    ton---开通时间

    toff---关断时间

    tf---降落时间

    trr---反向恢复时间

    Tj---结温

    Tjm---最大允许结温

    Ta---环境温度

    Tc---管壳温度

    Tstg---贮成温度

    VDS---漏源电压(直流)

    VGS---栅源电压(直流)

    VGSF--正向栅源电压(直流)

    VGSR---反向栅源电压(直流)

    VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)

    VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)

    Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)

    VGS(th)---开启电压或阀电压V(BR)

    DSS---漏源击穿电压V(BR)

    GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压

    VDS(sat)---漏源饱和电压

    VGD---栅漏电压(直流)

    Vsu---源衬底电压(直流)

    VDu---漏衬底电压(直流)

    VGu---栅衬底电压(直流)

    Zo---驱动源内阻

    η---漏极效率(射频功率管)

    Vn---噪声电压

    aID---漏极电流温度系数

    ards---漏源电阻温度系数

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  • MOS管参数-MOS管参数含义说明及详解

    千次阅读 2020-11-07 13:53:11
    MOS管参数说明,在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。MOS管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用...

    文章转自:MOS管参数-MOS管参数含义说明及详解-KIA MOS管
    地址链接:http://www.kiaic.com/article/detail/1014.html

    MOS管分类说明

    MOS管参数说明,在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。MOS管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的 MOS 管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。

    MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。MOS 管导通特性导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs 大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接 VCC 时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

    MOS 损耗

    导通损耗:不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。
    开关损耗:现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧,几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

    MOS管驱动

    MOS管导通不需要电流,只要 GS 电压高于一定的值,就可以了。但是,我们还需要速度。在 MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而 MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。普遍用于高端驱动的 NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比 VCC 大(4V 或 10V 其他电压,看手册)。如果在同一个系统里,要得到比 VCC 大的电压,就要专门的升压电路了,很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

    MOS管参数含义说明
    1、极限参数:

    ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额

    IDM:最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额

    PD:最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升有所减额

    VGS:最大栅源电压

    Tj:最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量

    TSTG:存储温度范围

    2、静态参数

    V(BR)DSS:漏源击穿电压。是指栅源电压VGS 为 0 时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。 它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。△ V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压的温度系数,一般为 0.1V/ ℃

    RDS(on):在特定的 VGS (一般为 10V)、结温及漏极电流的条件下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算

    VGS(th):开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低

    IDSS:饱和漏源电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流。一般在微安级

    IGSS:栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大,IGSS 一般在纳安级

    3、动态参数

    gfs :跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比,是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 gfs 与 VGS 的转移关系注意看图表

    Qg :栅极总充电电量。 MOSFET 是电压型驱动器件,驱动的过程就是栅极电压的建立过程,这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的,下面将有此方面的详细论述

    Qgs :栅源充电电量

    Qgd :栅漏充电(考虑到 Miller 效应)电量

    Td(on) :导通延迟时间。从有输入电压上升到 10% 开始到 VDS 下降到其幅值 90% 的时间

    Tr :上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间

    Td(off) :关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间

    Tf :下降时间,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间

    Ciss :输入电容, Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路)

    Coss :输出电容,Coss = CDS +CGD

    Crss :反向传输电容,Crss = CGD

    MOS管的极间电容,MOSFET 之感生电容被大多数制造厂商分成输入电容,输出电容以及反馈电容。所引述的值是在漏源电压为某固定值的情况下。此些电容随漏源电压的变化而变化,电容数值的作用是有限的。输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明,而栅极充电信息更为有用。它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。

    4、雪崩击穿特性参数

    这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态

    EAS:单次脉冲雪崩击穿能量。这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量

    IAR:雪崩电流

    EAR:重复雪崩击穿能量

    5、体内二极管参数

    IS:连续最大续流电流(从源极)

    ISM:脉冲最大续流电流(从源极)

    VSD:正向导通压降

    Trr:反向恢复时间

    Qrr:反向恢复充电电量

    Ton:正向导通时间。(基本可以忽略不计)

    在应用过程中,以下几个特性是经常需要考虑的:

    1、V(BR)DSS 的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠。但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性。

    2、 V(GS)th 的负温度系数特性。栅极门槛电位随着结温的升高会有一定的减小。一些辐射也会使得此门槛电位减小,甚至可能低于0电位。这一特性需要工程师注意MOSFET在此些情况下的干扰误触发,尤其是低门槛电位的MOSFET应用。因这一特性,有时需要将栅极驱动的关闭电位设计成负值(指 N 型,P 型类推)以避免干扰误触发。

    3、VDSon/RDSon 的正温度系数特性。VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增大的特性使得MOSFET的直接并联使用变得可能。双极型器件在此方面恰好相反,故其并联使用变得相当复杂化。RDSon也会随着ID的增大而略有增大,这一特性以及结和面RDSon正温度特性使得MOSFET避免了象双极型器件那样的二次击穿。 但要注意此特性效果相当有限,在并联使用、推挽使用或其它应用时不可完全依赖此特性的自我调节,仍需要一些根本措施。这一特性也说明了导通损耗会在高温时变得更大。故在损耗计算时应特别留意参数的选择。

    4、ID的负温度系数特性,MOSFET参数理解及其主要特性ID会随着结温度升高而有相当大的减额。这一特性使得在设计时往往需要考虑的是其在高温时的ID参数。

    5、雪崩能力IER/EAS的负温度系数特性。结温度升高后,虽然会使得MOSFET具有更大的 V(BR)DSS ,但是要注意EAS会有相当大的减额。也就是说高温条件下其承受雪崩的能力相对于常温而言要弱很多。

    6、MOSFET 的体内寄生二极管导通能力及反向恢复表现并不比普通二极管好。在设计中并不期望利用其作为回路主要的电流载体。往往会串接阻拦二极管使体内寄生二极管无效,并通过额外并联二极管构成回路电载体。但在同步整流等短时间导通或一些小电流要求的情况下是可以考虑将其作为载体的。

    7、漏极电位的快速上升有可能会发生栅极驱动的假触发现象 (spurious-trigger) ,故在很大的 dVDS/dt 应用场合(高频快速开关电路)需要考虑这方面的可能性。

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    MOSFET又叫场效应管,输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,因导通内阻低、开关速度快等优点而广泛应用于开关电源中。在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑导通电阻、最大电压、最大电流,常根据电源IC和MOSFET的参数来选择合适的电路。但很多时候仅仅考虑了这些因素并不是一个好的设计方案,还应考虑本身寄生的参数。Mos管驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等都会影响MOSFET的开关性能。下面介绍下电源模块中常用的几种MOSFET驱动电路。

    1、电源IC直接驱动MOSFET:

    电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式,使用这种驱动方式的电源模块,应该注意几个参数以及这些参数的影响。

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    1、查看一下电源IC手册,其最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。

    2、了解一下MOSFET的寄生电容,如上图中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足,上升沿可能出现高频振荡,即使把上图中Rg减小也不能解决问题。IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素,都影响驱动电阻阻值的选择,所以Rg并不能无限减小。

    2、电源IC驱动能力不足时:

    如果选择MOS管寄生电容比较大,电源IC内部的驱动能力又不足时,需要在驱动电路上增强驱动能力,常用图腾柱电路增加电源IC驱动能力,如下图所示:

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    这种驱动电路作用在于提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

    3、驱动电路加速MOS管关断时间:

    关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管。

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    如上图所示:其中D1常用的是快恢复二极管,这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大,把电源IC给烧掉。

    在介绍第二种的图腾柱电路也有加快关断作用,当电源IC的驱动能力足够时,对电路改进可以加速MOS管关断时间。

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    如上图所示:用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻,当PNP三极管导通时,栅源极间电容短接,达到最短时间内把电荷放完,最大限度减小关断时的交叉损耗。与上面拓扑相比较,还有一个好处,就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC,提高了电源模块可靠性。

    4、隔离驱动:

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    为了满足上图所示高端MOS管的驱动,经常会采用变压器驱动,有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡,C1的目的是隔开直流,通过交流,同时也能防止磁芯饱和。

    ​一个好的MOSFET驱动电路主要有以下五种要求:

    1、开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

    2、开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

    3、关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。

    4、驱动电路结构简单可靠、损耗小。

    5、根据情况施加隔离。

    电源模块中的MOSFET驱动电路还有很多其它形式的驱动电路,对于各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的,只有结合具体应用,选择最合适的驱动。

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